JPS5887294A - 微小部分表面処理方法及びその装置 - Google Patents
微小部分表面処理方法及びその装置Info
- Publication number
- JPS5887294A JPS5887294A JP56184698A JP18469881A JPS5887294A JP S5887294 A JPS5887294 A JP S5887294A JP 56184698 A JP56184698 A JP 56184698A JP 18469881 A JP18469881 A JP 18469881A JP S5887294 A JPS5887294 A JP S5887294A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface treatment
- liquid
- tank
- nozzle
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、メッキ及び逆メッキ、レジスト膜剥離、部分
酸洗い処理、部分脱脂処理等を特定の微小部分域に限定
して行なうようにした微小部分表面処理方法及びその装
置に関する。
酸洗い処理、部分脱脂処理等を特定の微小部分域に限定
して行なうようにした微小部分表面処理方法及びその装
置に関する。
一般に、限定された部分を表面処理する場合は、被処理
面を残した他処を1スキングし、所定の処理を行な−う
のが周知であるが、被処理面が極ハて微小でめる場合や
正確且つ多量同時処理を行なうような場合には、マスキ
ングのみでは処理不可能であって、夫々の処理内容に応
じた処置が必要でるる。
面を残した他処を1スキングし、所定の処理を行な−う
のが周知であるが、被処理面が極ハて微小でめる場合や
正確且つ多量同時処理を行なうような場合には、マスキ
ングのみでは処理不可能であって、夫々の処理内容に応
じた処置が必要でるる。
例えば、微小部分メッキを行なう方法の一例として、メ
ッキ処理を必要とする部分以外の処に、耐メツキ液性の
メツキレシスト膜を塗布し、次いで通常のメッキ処理を
行なった後このメツキレシスト膜を除去する手段がある
。
ッキ処理を必要とする部分以外の処に、耐メツキ液性の
メツキレシスト膜を塗布し、次いで通常のメッキ処理を
行なった後このメツキレシスト膜を除去する手段がある
。
この場合、予じめメッキパターンに対応する反転(ネガ
ティブ)パターンが形成された謄写スクリーン等により
、被メッキ面にレジスト膜を印刷するのであるが、この
時印刷位置誤差が極値がでも生じ易い。
ティブ)パターンが形成された謄写スクリーン等により
、被メッキ面にレジスト膜を印刷するのであるが、この
時印刷位置誤差が極値がでも生じ易い。
殊に、多量生産処理方式の場合#i、長尺のフープ状素
材に上記手段でレジスト膜を印刷すると、その位童精度
の集積誤差が生じるため、次工程のプレス加工段階では
ブランク(打抜き)形態とメッキ/<J−ンがズレると
云う不良品を発生してしまうと云う不都合な問題がめっ
た。
材に上記手段でレジスト膜を印刷すると、その位童精度
の集積誤差が生じるため、次工程のプレス加工段階では
ブランク(打抜き)形態とメッキ/<J−ンがズレると
云う不良品を発生してしまうと云う不都合な問題がめっ
た。
次に逆メツキt一部分的に行なう場合について説明する
。
。
一般に、全面を卑金属等でメッキされた材料がコンタク
ト等に広く応用されているが、この材料−は所謂る1リ
テイン材でろって、銅合金の上面に銅下地をつけ、最終
仕上げとして錫をメッキしである。
ト等に広く応用されているが、この材料−は所謂る1リ
テイン材でろって、銅合金の上面に銅下地をつけ、最終
仕上げとして錫をメッキしである。
一方、IC等の集積回路素子の発達に伴い、プリント基
板等の実装密度が高くなり、接続用のコンタクトも小さ
くなっているが、錫メッキの場合は接点圧力が約400
g以上ないと、温度上昇及び電圧降下やノイズ発生等を
生じ信頼性を保持できない。
板等の実装密度が高くなり、接続用のコンタクトも小さ
くなっているが、錫メッキの場合は接点圧力が約400
g以上ないと、温度上昇及び電圧降下やノイズ発生等を
生じ信頼性を保持できない。
従つ一1製品のサイズが19小型になると銅合金、例え
ばリンi銅でも充分上記の接点が得られないため、全接
点の利用が望ましい。
ばリンi銅でも充分上記の接点が得られないため、全接
点の利用が望ましい。
然し乍ら、周知の如く全接点の採用は、コスト向で実用
的でないため、プリティン材の錫を一部剥離した後、金
を部分的にメッキすることに19接点圧力t−10〜1
009程置に落すことができる。
的でないため、プリティン材の錫を一部剥離した後、金
を部分的にメッキすることに19接点圧力t−10〜1
009程置に落すことができる。
このように錫メッキを剥離する際、その剥離部分は極め
て一小且つ正確な位置決めが必要となるが、本発明者の
知る限りに於いては微小部公達メツ千手段は未だ提供さ
れていない。
て一小且つ正確な位置決めが必要となるが、本発明者の
知る限りに於いては微小部公達メツ千手段は未だ提供さ
れていない。
次に、部分的酸洗い処jlをする場合について説明する
。周知の如く金属の表面にメッキ処at−7る場合には
、前処理として酸洗い工程が必要でるる。
。周知の如く金属の表面にメッキ処at−7る場合には
、前処理として酸洗い工程が必要でるる。
この時被メッキ材は、その全面積を処理するのが普通で
るるか、メッキ処理部が微小であえ且つ多量処理する場
合には、必ずしも全面積の処mt−必豐としない。
るるか、メッキ処理部が微小であえ且つ多量処理する場
合には、必ずしも全面積の処mt−必豐としない。
即ち、連続微小部分メッキ処理をする際、メッキ処理速
度との対応に19、酸洗い工程も必要面積だけ処理する
方がメツキライン等との生産タクトの同期が計nること
、酸洗い乃至メッキ処理設備が小型化になること、更に
処理済の排液処理工程でも鍍洗い面積に比例した後処理
工数と設@を要するため、部分酸洗いに工すこれらが軽
減される等の利点がろる。
度との対応に19、酸洗い工程も必要面積だけ処理する
方がメツキライン等との生産タクトの同期が計nること
、酸洗い乃至メッキ処理設備が小型化になること、更に
処理済の排液処理工程でも鍍洗い面積に比例した後処理
工数と設@を要するため、部分酸洗いに工すこれらが軽
減される等の利点がろる。
このように部分酸洗い処理が望ましいのにも拘らずやは
り未だこの処理手段及び設備は提供されていない。
り未だこの処理手段及び設備は提供されていない。
又、金栖の表面にメッキ処理をする場合、前処理と峙て
脱脂工程を必要とするが、これも材料の全面′積に挾り
処理することが普通である。
脱脂工程を必要とするが、これも材料の全面′積に挾り
処理することが普通である。
然し乍らメッキ処理部が微小で11且つ多量処理する場
合には、必ずしも全面積の処mを必要としない。
合には、必ずしも全面積の処mを必要としない。
即ち、メッキ速度との対応により、脱脂工程も必要な山
積だけ処理する方のが、メツキラインの生産タクトの同
期が計れる上、メッキ処理設備の小型化が可能となり、
又その工程で発生する排液処理工程も脱脂処理面積に比
例しているから処理装置の負荷も軽減できる。
積だけ処理する方のが、メツキラインの生産タクトの同
期が計れる上、メッキ処理設備の小型化が可能となり、
又その工程で発生する排液処理工程も脱脂処理面積に比
例しているから処理装置の負荷も軽減できる。
然るに、現在の処微小部分脱脂の手段及び装置は提供さ
れていない。
れていない。
本発明は、畝上の諸問題に鑑み成さ扛たもので、その主
目的とする処は、被メッキ物にメッキ「シスト膜を塗布
した後、必要な位置及び特定パターンの微小部分に限定
して正確に且つ連続的にレジスト膜を剥離し、長いフー
プ状の被メッキ材にも集積1差が出ないようにした量産
性に富む微小部分表面処理方法及びその装置の提供にあ
る。
目的とする処は、被メッキ物にメッキ「シスト膜を塗布
した後、必要な位置及び特定パターンの微小部分に限定
して正確に且つ連続的にレジスト膜を剥離し、長いフー
プ状の被メッキ材にも集積1差が出ないようにした量産
性に富む微小部分表面処理方法及びその装置の提供にあ
る。
又、本発明の他の目的とする処は、全面を卑金属等でメ
ッキされた、例えばプリティン材の特定微小部分に限定
して、正確に且つ連続的に卑金属メッキ面を剥離する逆
メッキを行ない、その後に貴金属を部分メッキ可能とし
た微小部分表面処理方法及びその#cIiの提供にある
。
ッキされた、例えばプリティン材の特定微小部分に限定
して、正確に且つ連続的に卑金属メッキ面を剥離する逆
メッキを行ない、その後に貴金属を部分メッキ可能とし
た微小部分表面処理方法及びその#cIiの提供にある
。
更に本発明の他の目的とする処理、被−メッキ物の特定
微小部分に限定して酸洗い処理を行ない、処理済部に対
する部分メッキ等他の工程との同期化による生産効率の
向上と、メッキ処理設備全体の小型化及び排液処理装置
の負荷軽減を可能とし。
微小部分に限定して酸洗い処理を行ない、処理済部に対
する部分メッキ等他の工程との同期化による生産効率の
向上と、メッキ処理設備全体の小型化及び排液処理装置
の負荷軽減を可能とし。
た微小部分表面処理方法及びその装置の提供vchる。
東に又゛、本発明の他の目的とする処は、被メッキ物の
特定微小部分に限定して脱脂処理を行ない、部分メツキ
ラインの生産タクトの同期が計れると共に、メッキ処理
設備全体の小型化及び排液処理装置の負荷軽減を可能と
した微小部分表面処理方法及びその装置の提供にある。
特定微小部分に限定して脱脂処理を行ない、部分メツキ
ラインの生産タクトの同期が計れると共に、メッキ処理
設備全体の小型化及び排液処理装置の負荷軽減を可能と
した微小部分表面処理方法及びその装置の提供にある。
以下に本発明の数実流側を説明するが、先ず第1図に基
づきメツキレシスト膜を部分的に剥離する実施例につい
て説明する。
づきメツキレシスト膜を部分的に剥離する実施例につい
て説明する。
通常、多量に部分メッキをする場合、メッキ処理の後工
程でプレス加工をするため、メッキ位置とプレス位置と
を合致させる必要がある。
程でプレス加工をするため、メッキ位置とプレス位置と
を合致させる必要がある。
本実施例では、予じめフープ材にブレス位vIILケ決
定するパイロット穴を穿設し、このフープ材にメツキレ
シスト膜を一様に連続塗布した後、後述の手段によりレ
ジスト膜専用の剥離溶剤て以ってレジスト膜を部分的に
溶解除去し、所定の位置をメッキ可能とする。又、後述
の如く剥離溶剤の噴射ノズル及びマスクによシ剥離形状
管決定できる。
定するパイロット穴を穿設し、このフープ材にメツキレ
シスト膜を一様に連続塗布した後、後述の手段によりレ
ジスト膜専用の剥離溶剤て以ってレジスト膜を部分的に
溶解除去し、所定の位置をメッキ可能とする。又、後述
の如く剥離溶剤の噴射ノズル及びマスクによシ剥離形状
管決定できる。
伺、パイロット穴をフープ材に加工しない場合には、剥
離溶剤噴射ノズルの位置全数値制御(nu−−mari
cal control )によシ、正確に出し得る。
離溶剤噴射ノズルの位置全数値制御(nu−−mari
cal control )によシ、正確に出し得る。
次に、レジスト膜剥離手段について詳述する。
一般K、レジス)Jll、セルロースエステル及びエー
テル等を主体とした素材で形成されるものであるから、
ラッカー溶剤で溶解可能である。
テル等を主体とした素材で形成されるものであるから、
ラッカー溶剤で溶解可能である。
然し、一般のアセトン、トルエン、酢酸正ブチル等で代
表されるラッカー溶剤は、蒸発速度が速く、又粘度も低
い。
表されるラッカー溶剤は、蒸発速度が速く、又粘度も低
い。
このため、本実施例では、水又はメッキ液程度の粘性を
有し且つレジスト膜除去後膳出した素材の表面を損なわ
ない液質(例えばpH=7)の液と、ラッカー溶剤と全
所定比率で混合した液体(以下溶液と云う)を用いる。
有し且つレジスト膜除去後膳出した素材の表面を損なわ
ない液質(例えばpH=7)の液と、ラッカー溶剤と全
所定比率で混合した液体(以下溶液と云う)を用いる。
以下にレジスト膜剥離装置の具体例について説明する。
予じめレジスト膜を塗布した被メッキ材1と対向して、
溶液噴射装置2を配設してろって、該溶液噴射装置2は
、剥離部を決定する透孔6が穿設され良マスク4と、こ
のマスク4を介して被メッキ材1に溶液を噴射するノズ
ル5と、上記マスク4と合体して密閉空間を形成し且つ
内部にノズル5等を配設した外套管6と、外套管6に連
結した吸気機構7とで構成しである。
溶液噴射装置2を配設してろって、該溶液噴射装置2は
、剥離部を決定する透孔6が穿設され良マスク4と、こ
のマスク4を介して被メッキ材1に溶液を噴射するノズ
ル5と、上記マスク4と合体して密閉空間を形成し且つ
内部にノズル5等を配設した外套管6と、外套管6に連
結した吸気機構7とで構成しである。
上記吸気機構7は、外套管6に連通ずる吸気パイプ8を
介して、吸気したガス内に混入している溶液ヲ分離する
フィルタ9及び吸気ポンプ10ヲ連結し、更に吸気ポン
プ10の排気側に活性炭11ヲ配して、排気中に含有さ
れる揮発した溶液を完全吸収せしめるようにした構成で
ある。
介して、吸気したガス内に混入している溶液ヲ分離する
フィルタ9及び吸気ポンプ10ヲ連結し、更に吸気ポン
プ10の排気側に活性炭11ヲ配して、排気中に含有さ
れる揮発した溶液を完全吸収せしめるようにした構成で
ある。
又、前記ノズル5の下端にミキサー12を連結してオシ
、このミキサー12の一方の供給口には溶剤調整弁13
を介して溶剤タンク14ヲ連結し、前記ラッカー溶剤が
供給されるようにしてろって、ミキサー12の他方の供
給口に液体調整弁15ヲ介して液体タンク16ヲ連結し
、前記水又は粘性付与液体が供給されるようにしである
。
、このミキサー12の一方の供給口には溶剤調整弁13
を介して溶剤タンク14ヲ連結し、前記ラッカー溶剤が
供給されるようにしてろって、ミキサー12の他方の供
給口に液体調整弁15ヲ介して液体タンク16ヲ連結し
、前記水又は粘性付与液体が供給されるようにしである
。
上記ミーキサ−12では、ラッカー溶剤と水又は粘性付
与液体が供給されて前記溶液を混成し、ここからノズル
5に溶液を加圧供給する。
与液体が供給されて前記溶液を混成し、ここからノズル
5に溶液を加圧供給する。
又、前記外套管6の底部にFi、送液弁17t−介し混
合液分離タンク18t一連通してあり、ここに液面制御
等により溶剤と水等全分離する多段構成の分離タンク1
9、及び同20を連結し、更に、上記混合液分離タンク
18の@部には、送水弁21 を介して水タンク22ヲ
連結しである。
合液分離タンク18t一連通してあり、ここに液面制御
等により溶剤と水等全分離する多段構成の分離タンク1
9、及び同20を連結し、更に、上記混合液分離タンク
18の@部には、送水弁21 を介して水タンク22ヲ
連結しである。
陶、混合液分離タンク18及び複数の分離タンク19
、20の溶剤排出部は、前記溶剤タンク14に接続し、
他方水排出部と前記水タンクlの送水口は共に前記液タ
ンク16に接続してろって、夫々溶剤及び水を循環再使
用可能になっている。
、20の溶剤排出部は、前記溶剤タンク14に接続し、
他方水排出部と前記水タンクlの送水口は共に前記液タ
ンク16に接続してろって、夫々溶剤及び水を循環再使
用可能になっている。
ここで、マスク4及びノズル5について説明する。
先ずマスク4は、外套管6の上方開口部・に固着し、こ
の外套管6内を密閉空間と成すものでるりて、そのマス
ク本体ツには、メツキレシスト膜の剥離形態に対応する
形状及び寸法の透孔6を所定位置に任意数穿設しである
。
の外套管6内を密閉空間と成すものでるりて、そのマス
ク本体ツには、メツキレシスト膜の剥離形態に対応する
形状及び寸法の透孔6を所定位置に任意数穿設しである
。
又、ノズル5は、メツキレシスト膜剥離面麺に対応した
内径の細管状にしてろって、前記ミキサー12から所定
圧力に加圧された溶液を噴射するものである。
内径の細管状にしてろって、前記ミキサー12から所定
圧力に加圧された溶液を噴射するものである。
畝上の構成に於いx1溶剤タンク14内の溶剤と液タン
ク16内の液体とをミキサー12により混合し、所定粘
度の溶液を生成した後、ノズル5からマスク4を介して
被メッキ材1に噴射する。
ク16内の液体とをミキサー12により混合し、所定粘
度の溶液を生成した後、ノズル5からマスク4を介して
被メッキ材1に噴射する。
上記溶液は、前記した如く所定粘度が付与されているの
で、濡れ性が低く、被メッキ材1のレジスト面とマスク
40間に形成きれる微少間隙に流れ込む心配は無い、従
って、マスク4の透孔6で決定される微小範囲のみメツ
キレシスト膜が剥離できる。
で、濡れ性が低く、被メッキ材1のレジスト面とマスク
40間に形成きれる微少間隙に流れ込む心配は無い、従
って、マスク4の透孔6で決定される微小範囲のみメツ
キレシスト膜が剥離できる。
このようにして剥離処理’tfi!rませた溶液は、外
套管6内底部に貯まる。ここで溶剤の揮発成分(−ガス
)は、吸気パイプ8′f!:介してフィルタ9に吸引さ
れ、そこでガス中に混合している溶剤を分離する。一方
ガス、自体は、吸気ボンダ10により活性炭11を介し
排出されるが一排気中に含まれる揮発した溶剤が活性炭
11で吸収される結果、環境衛生の保持や火災等の災害
も防止することができる。
套管6内底部に貯まる。ここで溶剤の揮発成分(−ガス
)は、吸気パイプ8′f!:介してフィルタ9に吸引さ
れ、そこでガス中に混合している溶剤を分離する。一方
ガス、自体は、吸気ボンダ10により活性炭11を介し
排出されるが一排気中に含まれる揮発した溶剤が活性炭
11で吸収される結果、環境衛生の保持や火災等の災害
も防止することができる。
又、フィルタ9によシ回収された溶剤社、図示しない回
収器を介して前記外套管6に環流する。
収器を介して前記外套管6に環流する。
更に、外套管6の底部に貯留した溶液は、送液弁17の
開弁操作によシ混合液分離タンク18及び分離タンク1
9 、20に送られ、溶剤と水等の液体との比重差を利
用して夫々分離し、水等に不溶性の薬品の場合は自然に
分離された溶剤を再利用に供する。
開弁操作によシ混合液分離タンク18及び分離タンク1
9 、20に送られ、溶剤と水等の液体との比重差を利
用して夫々分離し、水等に不溶性の薬品の場合は自然に
分離された溶剤を再利用に供する。
同、送水弁21の開弁操作により混合液分離タンク18
に貯留した水qt−水タンクnに送給し、ここから液タ
ンク16に供給する。
に貯留した水qt−水タンクnに送給し、ここから液タ
ンク16に供給する。
以上のようにしてノズル5から噴射された溶液は、被メ
ッキ材1の剥離をした後、余剰の溶液と共に吸気ポンプ
10で速やかに吸引回収分離され再利用する一方、揮発
ガスも回収清浄化されて排気されるので、極めて効率が
良く、又公害処理上も問題はない。
ッキ材1の剥離をした後、余剰の溶液と共に吸気ポンプ
10で速やかに吸引回収分離され再利用する一方、揮発
ガスも回収清浄化されて排気されるので、極めて効率が
良く、又公害処理上も問題はない。
又、溶剤のみでは粘度が低い処からマスク面とレジスト
面の間に生じるわずかな隙間に流入して剥離形状を損な
うが、本実施例では、溶剤の粘度を高くしてこrtt−
確実に防止している。
面の間に生じるわずかな隙間に流入して剥離形状を損な
うが、本実施例では、溶剤の粘度を高くしてこrtt−
確実に防止している。
従ってマスク4の透孔3で決定する範囲と、外套管6内
でノズル5から噴射さ扛た溶液や、ガス等tIJk引回
収することと相俟って、微細で正確なパターンの剥離が
可能となる。
でノズル5から噴射さ扛た溶液や、ガス等tIJk引回
収することと相俟って、微細で正確なパターンの剥離が
可能となる。
上記マスク4は、必要に応じて種々の態様とするもので
IC1例えば第2図に図示の如く、マスク本体ツに透孔
6とiスフ4の外部と連通する水平溝24t−任意数形
成し、外気を外套管6内に導入可能として、ノズル5か
ら噴射された溶液の滞留を防°止し効率と精It高める
ようにすることができる。
IC1例えば第2図に図示の如く、マスク本体ツに透孔
6とiスフ4の外部と連通する水平溝24t−任意数形
成し、外気を外套管6内に導入可能として、ノズル5か
ら噴射された溶液の滞留を防°止し効率と精It高める
ようにすることができる。
この場合、透孔6の下側は傘状に開口したテーパ一部2
5を形成し、又、水平溝24も透孔6から噴射きれた耐
液柱に対し偶力を作用せしめる位置関係に形成すること
により、液柱を旋回状に成し溶液の拡散防止を図ること
ができる。(第3図参照)更に第4図に図示の如くマス
ク本体3に、外部と連通し且つノズル5と平行方向の縦
溝25を透孔3の外周に任意数配設することによって、
ノズル5〃・ら噴射さt′した溶液柱の外周に、柱状の
気流を形成し、溶液柱の側圧を小さくして、拡散しよう
とする使用済の溶液をこの柱状気流の方に吸い込んだり
、或いは直接触れさせて強制移送排除することができる
。
5を形成し、又、水平溝24も透孔6から噴射きれた耐
液柱に対し偶力を作用せしめる位置関係に形成すること
により、液柱を旋回状に成し溶液の拡散防止を図ること
ができる。(第3図参照)更に第4図に図示の如くマス
ク本体3に、外部と連通し且つノズル5と平行方向の縦
溝25を透孔3の外周に任意数配設することによって、
ノズル5〃・ら噴射さt′した溶液柱の外周に、柱状の
気流を形成し、溶液柱の側圧を小さくして、拡散しよう
とする使用済の溶液をこの柱状気流の方に吸い込んだり
、或いは直接触れさせて強制移送排除することができる
。
これによって、透孔3近傍に生じる溶液の淀みによる背
圧発止現象を無くシ、常時新鮮な溶液を高速で噴射可能
ならしめ、連続的な処理を効率曳く行なえる。
圧発止現象を無くシ、常時新鮮な溶液を高速で噴射可能
ならしめ、連続的な処理を効率曳く行なえる。
次に、逆メッキを部分的に処理する場合について説明す
る。
る。
WJs図に於いて、被逆メツキ材aiFi、前記した如
く卑金属(例えば錫−3n)メッキ層波が処理されたプ
リティン材である。この錫メッキ層It微小部分的に剥
離する部分逆メッキ装[品は、逆メツキパターン及び寸
法に対応し九透孔54’を穿設したマスク犯と、このマ
スク犯の装着により密閉される外套管品と、該外套管品
の内部を負圧にする次めの吸引ポンプ37と、外套管お
内でマスク犯と対向配設され且つ流量調整弁38t−介
してメインタンク69に接続されたノズル菊とで構成し
、メインタンク9に苛性ソーダ□JaOH)液を主剤と
した電解液を充填しである。
く卑金属(例えば錫−3n)メッキ層波が処理されたプ
リティン材である。この錫メッキ層It微小部分的に剥
離する部分逆メッキ装[品は、逆メツキパターン及び寸
法に対応し九透孔54’を穿設したマスク犯と、このマ
スク犯の装着により密閉される外套管品と、該外套管品
の内部を負圧にする次めの吸引ポンプ37と、外套管お
内でマスク犯と対向配設され且つ流量調整弁38t−介
してメインタンク69に接続されたノズル菊とで構成し
、メインタンク9に苛性ソーダ□JaOH)液を主剤と
した電解液を充填しである。
上記ノズル40は、電源41に接続したタイマー42で
制御され、又ノズル40は一極に接続し、被逆メツキ材
31 ’に十極に接続しである。
制御され、又ノズル40は一極に接続し、被逆メツキ材
31 ’に十極に接続しである。
一方、外套管品の底部には、用済後のNaOHの電解液
t IJザーバタンク葛に送るためのバルブ赫を連結し
、又、このリザーバタンク4内にフィルタ45を配設し
て、電解液中に沈澱する8n (OH) 2 f分離せ
しめ、ポンプ恥によシ前記メインタンク39に電解液を
送給すると共に、このメインタ/り69にもリザーバタ
ンク葛に環流するリターンパイプ4フヲ設けて、メイン
タンク39の液レペk”一定に保持するようにしである
。
t IJザーバタンク葛に送るためのバルブ赫を連結し
、又、このリザーバタンク4内にフィルタ45を配設し
て、電解液中に沈澱する8n (OH) 2 f分離せ
しめ、ポンプ恥によシ前記メインタンク39に電解液を
送給すると共に、このメインタ/り69にもリザーバタ
ンク葛に環流するリターンパイプ4フヲ設けて、メイン
タンク39の液レペk”一定に保持するようにしである
。
畝上の構成に於いて、ノズル荀及び被逆メツキ材31に
通電し、加圧されたNaOH液全ノズル初から逆メツキ
処理部に噴射すると、マスク犯の透孔9で規制された範
囲のみが1JaOH液に浸される。
通電し、加圧されたNaOH液全ノズル初から逆メツキ
処理部に噴射すると、マスク犯の透孔9で規制された範
囲のみが1JaOH液に浸される。
この結果、被逆メツキ材61(+極側)では錫が電気分
解され、電解液の中に溶は出すが、電解液のOH−基と
結びついて、E3n” ” + 20H−= 8n (
OH)2の反応が生じて白色膠状の水酸化第1錫が沈澱
(換梠丁れば、Bnメッキ層9が剥離)するが、吸引ポ
ンプ57により外套管品の外部に排除される。
解され、電解液の中に溶は出すが、電解液のOH−基と
結びついて、E3n” ” + 20H−= 8n (
OH)2の反応が生じて白色膠状の水酸化第1錫が沈澱
(換梠丁れば、Bnメッキ層9が剥離)するが、吸引ポ
ンプ57により外套管品の外部に排除される。
又、被逆メツキ材31に#i02ガスが生じ、ノズル荀
の内面に#iH2ガスが多量に発生する。
の内面に#iH2ガスが多量に発生する。
然し、吸引ポンプgによって、電解液が速やかに被逆メ
ツキ材31の表面から排除され、その結果電解液の流速
が速くなり、H2,O□のガスは共に電解液によって除
去されるため、逆メツキ効率が充分尚められる。
ツキ材31の表面から排除され、その結果電解液の流速
が速くなり、H2,O□のガスは共に電解液によって除
去されるため、逆メツキ効率が充分尚められる。
上記した逆メッキの作用は、タイマー々で所定時間だけ
処理され、必要な部分のみ錫のメンキ膜を剥離する。
処理され、必要な部分のみ錫のメンキ膜を剥離する。
このように特定の微小範囲を正確に剥離した恢、微小部
分メッキ手段(例えば特願昭郭年第125783号、I
l!!願昭泌年第134493号、%願昭郭年第134
494号)により金等の貴金属メッキを処理することに
より、プリティン材の特定部分を高精度で以つで貴金属
メツキナ処理可能となる。
分メッキ手段(例えば特願昭郭年第125783号、I
l!!願昭泌年第134493号、%願昭郭年第134
494号)により金等の貴金属メッキを処理することに
より、プリティン材の特定部分を高精度で以つで貴金属
メツキナ処理可能となる。
次に、逆メッキの他の実施例について説明する。
これ祉、被逆メツキ材51の素地金属が銅又は銅合金の
場合、そこにメッキされた錫等の卑金輌メッキ層52t
−剥離する金属剥離原理、塩化第2鉄及び塩酸等の混合
溶液を主剤としたものである。
場合、そこにメッキされた錫等の卑金輌メッキ層52t
−剥離する金属剥離原理、塩化第2鉄及び塩酸等の混合
溶液を主剤としたものである。
部分逆メツキ装置品は、第6図に示す構成でるる。
剥離パターンに対応する透孔ヌが穿設されたマスク団と
、マスクE13を装着することにより密閉される外套管
シと、外套管Sに連通し且つ内部を負圧にする吸引ボン
プリと、外套管%内に於いて前記透孔ヌと対応して配設
されたノズル団とから成り、このノズル郭から前記金属
剥離液を加圧噴射するようにしである。
、マスクE13を装着することにより密閉される外套管
シと、外套管Sに連通し且つ内部を負圧にする吸引ボン
プリと、外套管%内に於いて前記透孔ヌと対応して配設
されたノズル団とから成り、このノズル郭から前記金属
剥離液を加圧噴射するようにしである。
該ノズル扇には、バルブ9及び流量調整弁ωを介して剥
離液タンク61ヲ連結し、又、′パルプ9Fiタイマー
Cによシ制御可能としである。
離液タンク61ヲ連結し、又、′パルプ9Fiタイマー
Cによシ制御可能としである。
−−一方繭記外套管おの座部に、は、排液弁63を介し
てリザーバタンク況に連結し、ノズル郭がら噴射した使
用済の剥離液ヲリザーパタン久蘭に貯留可能としである
。
てリザーバタンク況に連結し、ノズル郭がら噴射した使
用済の剥離液ヲリザーパタン久蘭に貯留可能としである
。
上記リザーバタンク況は、送液ポン1品を介して前記剥
離液タンク61に接続し、剥離液をここに環流するよう
にしてあり、又、剥離液タンク61内の液量會一定値に
保持するためのリターンパイプ66を、この剥離液タン
ク61に接続しである。
離液タンク61に接続し、剥離液をここに環流するよう
にしてあり、又、剥離液タンク61内の液量會一定値に
保持するためのリターンパイプ66を、この剥離液タン
ク61に接続しである。
以上の構成に於いて、前記タイマーCで設定された一定
時間だけ、ノズル団から金属剥離11[を噴射すると金
属剥離液φの塩酸(aCl)が錫(8n)を溶かし、8
nO12となる。
時間だけ、ノズル団から金属剥離11[を噴射すると金
属剥離液φの塩酸(aCl)が錫(8n)を溶かし、8
nO12となる。
この5n012が第1鉄イオンを還元し第1鉄イオンと
なるが、この時放出された電子によって錫はイオン化さ
れ金属剥離液中にイオンとなって溶は出す。
なるが、この時放出された電子によって錫はイオン化さ
れ金属剥離液中にイオンとなって溶は出す。
このLうに、錫が急速に溶は出して被逆メツキ材51の
錫メッキ9社が溶解されるから、マスク5の透孔飄で規
制される範囲内だけ錫が剥離する。
錫メッキ9社が溶解されるから、マスク5の透孔飄で規
制される範囲内だけ錫が剥離する。
勿論、剥離した部分には前記の如き貴金属の部分メッキ
を処理すれば良い。
を処理すれば良い。
狗、リザーバタンク蘭に回収され次剥離液は、定期的に
交換して剥離能力を維持させる。
交換して剥離能力を維持させる。
又、マスク5は、前記したメツキレジス)M剥離のマス
クと同様Qll様を採ることができる。
クと同様Qll様を採ることができる。
次に、微小部分酸洗いについて説明する。
前記した如くメッキの前処理として必要な酸洗い処理の
際、真に必要な部分のみを酸洗い処理した方のが設備的
にも好ましい。本実施例に係る微小部分酸洗い装置は、
前記実施例の部分逆メッキ装置と同じ構成で良い。
際、真に必要な部分のみを酸洗い処理した方のが設備的
にも好ましい。本実施例に係る微小部分酸洗い装置は、
前記実施例の部分逆メッキ装置と同じ構成で良い。
但し、金属剥離剤の代シに希硫酸(HC!17等の強酸
性液を用いるが、この希硫酸等をノズルからマスクを介
して被メッキ材の特定部分に噴射し、この被メッキ材の
表面を化学的に溶解するので、電源等は不要で多る。
性液を用いるが、この希硫酸等をノズルからマスクを介
して被メッキ材の特定部分に噴射し、この被メッキ材の
表面を化学的に溶解するので、電源等は不要で多る。
従って、酸洗い処理は、単に温度、時間、強酸性液の流
速等を制御し、又、使用済の液体1末、吸引装置によっ
て強制排除されるから、狭隘な、マスク乃至ノズル閣に
於いても液体が滞留する惧れは全く無く、他めて正確な
微小部分酸洗い処理が連続的に行なえる。
速等を制御し、又、使用済の液体1末、吸引装置によっ
て強制排除されるから、狭隘な、マスク乃至ノズル閣に
於いても液体が滞留する惧れは全く無く、他めて正確な
微小部分酸洗い処理が連続的に行なえる。
勿論マスクの形1!1は、前記レジスト膜剥離手段と同
じ態様のものt用−いることが可能でるる。
じ態様のものt用−いることが可能でるる。
以上の15にして必要な微小部分面積のみを鐵洗いする
乙とで、メツキライン等の生産タクトの周期が計れる上
、メッキ処場設匈が小部化できること、又酸洗い処理装
置全体の負荷が軽減できる等の効果が得られる。
乙とで、メツキライン等の生産タクトの周期が計れる上
、メッキ処場設匈が小部化できること、又酸洗い処理装
置全体の負荷が軽減できる等の効果が得られる。
次に、微小部分脱脂について説明する。
仁れも前記した如く、メツ!?前処理として脱脂工程t
61peとするが、真に必要な部分のみ脱脂すれに良い
。
61peとするが、真に必要な部分のみ脱脂すれに良い
。
この手段としては、前記鄭公達メツΦ装置と同じ装wL
會用いるが、金属剥離剤の代りに荀性ソーダ(NaOH
)’lr主成分とする電解脱脂Wiを使用する。
會用いるが、金属剥離剤の代りに荀性ソーダ(NaOH
)’lr主成分とする電解脱脂Wiを使用する。
この場合は、メッキ等と同様に電源を必要とするが、ノ
ズル及び被メッキ材(被脱脂材)の両電極共極性を特定
せずいづれかを十極又は−極とし、他方をその逆極性と
して電圧を印加すれば良い、。
ズル及び被メッキ材(被脱脂材)の両電極共極性を特定
せずいづれかを十極又は−極とし、他方をその逆極性と
して電圧を印加すれば良い、。
又、他の手段としては、苛性ンーーダ(NaOH)tl
−主成分とする浸漬脱脂液を用いるものである。
−主成分とする浸漬脱脂液を用いるものである。
この場合W1化学的反応を利用した脱脂であるため電源
は不要である。
は不要である。
以上の部分脱脂手段の作用効果は、前記微小部分酸洗い
と同じでらるため、その説明を省略する。
と同じでらるため、その説明を省略する。
以上の如く、本゛発明によれば、処理パターンに対応し
た透孔が穿設されたマスクと、マスクの装着によシ密閉
可能な外套管と、外套管内に配設し且つマスクに対向す
るノズルと、外套管内金負正にする吸引ポンプ等を具備
し、ノズルにはタンクを連結して、このタンクから、レ
ジメ)J[剥離用の溶液や一金属剥離剤や、酸洗い処理
液或いは脱脂処理液をノズルに加圧供給する工うにしで
あるから、次の工う3な効果が得られる。
た透孔が穿設されたマスクと、マスクの装着によシ密閉
可能な外套管と、外套管内に配設し且つマスクに対向す
るノズルと、外套管内金負正にする吸引ポンプ等を具備
し、ノズルにはタンクを連結して、このタンクから、レ
ジメ)J[剥離用の溶液や一金属剥離剤や、酸洗い処理
液或いは脱脂処理液をノズルに加圧供給する工うにしで
あるから、次の工う3な効果が得られる。
(1)メツキレシスト膜を塗布した被メッキ物の必要な
位置に、マスクの透孔で決定される微小形態のレジスト
膜剥離部を、滲みの無い状態で正確に形成することが可
能てあ夛、又使用横の溶液及びガス等を速やかに強制排
出して、高速で連続的にレジスト膜を剥離し高度の生産
性を得ることができる。
位置に、マスクの透孔で決定される微小形態のレジスト
膜剥離部を、滲みの無い状態で正確に形成することが可
能てあ夛、又使用横の溶液及びガス等を速やかに強制排
出して、高速で連続的にレジスト膜を剥離し高度の生産
性を得ることができる。
(2)表面を卑金楓等でメッキされた例えばプリティン
材等の必要な位置に、マスクの透孔で決定される微小形
態のメッキ剥離部を正確に形成して、そこに貴金属等他
種のメッキ処理を可能とし、卑金輌メッキ面のうち真に
必要な箇所のみに貴金輌メッキを用いると云う極めて合
理的であり、低廉性に富むものである。
材等の必要な位置に、マスクの透孔で決定される微小形
態のメッキ剥離部を正確に形成して、そこに貴金属等他
種のメッキ処理を可能とし、卑金輌メッキ面のうち真に
必要な箇所のみに貴金輌メッキを用いると云う極めて合
理的であり、低廉性に富むものである。
又、使用済の金楓剥離剤やガス等は速やかに強制排除さ
れるから、高度の処理速度で以って連続処理が可能とな
り、生産性が高い。
れるから、高度の処理速度で以って連続処理が可能とな
り、生産性が高い。
0)メッキ処理の前工程で酸洗い処理ず°る際、被メッ
キ物の真に一必賛な箇所に、マスクの透孔ア決定される
微小面−槓に亙って酸洗い処理が行なえ、又、使用済の
酸洗い処理篇は強制排除されるので連続処理が可能であ
り、メツキラインの生産タクトの同期が取れる上、メッ
キ設備が小型化となり、且つ排液処理装置の負荷も少な
い。
キ物の真に一必賛な箇所に、マスクの透孔ア決定される
微小面−槓に亙って酸洗い処理が行なえ、又、使用済の
酸洗い処理篇は強制排除されるので連続処理が可能であ
り、メツキラインの生産タクトの同期が取れる上、メッ
キ設備が小型化となり、且つ排液処理装置の負荷も少な
い。
(4)メッキ処理の前工程で脱脂処理する際、被メッキ
物の真に必要な箇所に、マスクの透孔で決定される微小
面積の脱脂処理が行なえ、使用済の脱脂処理液の強制排
除による連続高速度処理・が可能どなり、メツキライン
の生産タクトの同期が取れるばかりか、メーツキ設備も
小型化となり、且つ排液処理装置の負荷が軽減される。
物の真に必要な箇所に、マスクの透孔で決定される微小
面積の脱脂処理が行なえ、使用済の脱脂処理液の強制排
除による連続高速度処理・が可能どなり、メツキライン
の生産タクトの同期が取れるばかりか、メーツキ設備も
小型化となり、且つ排液処理装置の負荷が軽減される。
(5)各処理に際して必要とする設備は、簡素化された
構成であり、耐久性と信頼性を有し且つ廉価に設置及び
維持することが可能である。
構成であり、耐久性と信頼性を有し且つ廉価に設置及び
維持することが可能である。
各図は本発明の実施例に係るもので、第1図はメツキレ
シスト膜部分剥離装置の構成金示す説明図、第2図は同
上装置に於けるマスクの実施態様金示す要部縦断面図、
第3図は同上マスクの平面図、@4図は同じく他の実施
態様に係るマスクの要部縦断面図、第5図Fi部分逆メ
ッキ装置の構成を示す説明図、第6図は部分逆メツキ装
置の他の実施例の構成を示す説明図である。 6 、況、54・・・透・孔 4、犯、55・・・マスク 5.40.58・・・ノズル 6.36.56・・・外套管 10 、37 、57・・・吸引ポンプ12・・・ミキ
サー 14・・・溶剤タンク 16・・・液体タンク 18・・・混合液分離タンク n・・・水タンク 24・・・水平溝 δ・・・縦溝 葛、64・・・リザーバタンク 69・・・メインタンク 61・・・剥m液タンク
シスト膜部分剥離装置の構成金示す説明図、第2図は同
上装置に於けるマスクの実施態様金示す要部縦断面図、
第3図は同上マスクの平面図、@4図は同じく他の実施
態様に係るマスクの要部縦断面図、第5図Fi部分逆メ
ッキ装置の構成を示す説明図、第6図は部分逆メツキ装
置の他の実施例の構成を示す説明図である。 6 、況、54・・・透・孔 4、犯、55・・・マスク 5.40.58・・・ノズル 6.36.56・・・外套管 10 、37 、57・・・吸引ポンプ12・・・ミキ
サー 14・・・溶剤タンク 16・・・液体タンク 18・・・混合液分離タンク n・・・水タンク 24・・・水平溝 δ・・・縦溝 葛、64・・・リザーバタンク 69・・・メインタンク 61・・・剥m液タンク
Claims (20)
- (1)被表面処理材の特定微小面積をマスクで囲繞し被
処理部を決定するマスキング手段と、マスキングにエリ
密閉空間を形成し且つこの密閉空間内に於いて特定微小
面積に対し表面処理液をノズルする手段と、強制排除さ
れた表面処理at密閉空間内から排出する手段と、密閉
空間から排出された使用済の表面処理液を再生し前記ノ
ズルに環流する手段とから成る微小部分表面処理方法。 - (2)表面処理液を噴射するノズル及び、被表面処理材
を夫々所定極性の電極とし、且つ両電極間に直流電圧を
印加して電解表面処理をするようにした仁と會特−とす
る特許請求の範囲第1項記載の微小部分表面処理方法。 - (3)被表面処理材はメツキレシスト膜とし、又表面処
理液は例えば、ラッカー溶剤等のレジスト膜剥離溶剤と
し、且つこの溶剤にはこれより高粘度の液体を混合して
所望の粘性を付与し、メツキレシスト膜を特定部分だけ
剥離するようにしたこと1*微とする特許請求の範囲第
1項記載の微小部分表面処理方法。 - (4)被表面処理材は銅又は銅合金の素地に卑金属メッ
キを処理した素材でるり、表面処理液は塩化第2鉄及び
塩酸等の金属剥離電解液とし、上記卑金属を部分的に剥
離するようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の微小部分表面処理方法。 - (5)表面処理液は希硫酸等の強酸性液とし、被表面処
理材の特定微小面積を酸洗いするようにしたことf:特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の微小部分表面処理
方法。 - (6)被表面処理材は表面に卑金属をメッキした例えば
プリティン材等でl)、表面処理液は苛性ソーダ等の電
解液とし、上記卑金属を部分的に逆メッキするようにし
たことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の微小部
分表面処理方法。 - (7)表面処理液は苛性ノーダ等を主成分とする電解脱
脂液とし、被表面処理材の特定微小面積を脱脂するよう
にしたことを特徴とする特許請求の範囲w、2項記載の
微小部分表面処理方法。 - (8)表面処理gは苛性ソーダ等を主剤とし九浸漬脱脂
液とし、被表面処理材の特定微小面積を脱脂するように
したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の微小
部分表面処理方法。 - (9)被処理形態に対応する透孔が穿設されたマスクと
、このマスクの装着により密閉される外套管と、外套管
内にマスクの透孔と対向配設されたノズルと、外套管内
を負圧にする吸引機構とを具備し、且つノズルには表面
処理液が充填され九タンクを連結し、外套管には使用済
の表面処理液を収納する容器を連結し、タンクと該容器
の間には表面処理液を再生してタンクに送給する機構を
介装して成る微小部分表面処理装置。 - (10) 、ノズルと被表面処理材を夫々所定極性の電
極とし、且つ両電極に直流電源を接続して、電解表面処
理を―■能とじ友ことを特徴とする特t’i請求・・範
囲第9項記載の微小部分前(3)処理装置。 - (11)レジスト膜剥離用の溶液を充填するタンクと、
該溶液の粘it−高める液体を充填するタンクの両方に
連結されたミキサーを、前記ノズルに接続し次ことを特
徴とする特許請求の範囲第9項記載の微小部分表面処理
装置。 - (12)マスクには、透孔の周縁接線方向に外部と連通
し外気を導入する水平溝を任意数形成し、ノズルから噴
射される液体に尋人外気による偶力を作用せしめるよう
にしたことを特徴とする特許請求の範囲wJ9項又は第
10項のいづれかに記載した微”小部分表面処理装置。 - (13)マスクには、透孔の近傍にノズルと平行な縦溝
を任意数形成し、透孔近傍に於ける液体の淀みを尋人外
気により強制排除するようにしたこと全特徴とする特許
請求の範囲第9項又は第10項のいづれかに記載した微
小部分表面処理装置。 - (14)ノズルに接続した表面処理液充填タンクには、
金属剥離電解液を充填し、外套管にはりデーパタンクt
l−接続し、このりデーパタンクと前記金属剥離電解液
充填タンクの間に、フィルタ及びポンプ等の再生及び送
給機構を配設したこと全特徴とする特許請求の範囲第1
0項記載の微小部分表面処理装置。 - (15)ノズル及び被表面処理材の両電極間には、電源
及びタイマーを介装し、表面処理用電解液の電解処理作
用を制御するようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第10項乃至第14項のいづれかに記載した微小部分
表面処理装置。 - (16)ノズルには、流蓋調節弁及びバルブ等管弁して
表面処理液充填用タンクを連結し、このタンクには塩化
第2鉄及び塩酸等の混合液を主剤とした金属剥離液を充
填し、又外套管にはりデーパタンクを連結し、とのリザ
ーバタンクと前記タンクの間にポンプ等の送給機構を介
装した特許請求の範囲第9項記載の微小部分表面処理装
置。 - (17)ノズルに接続したバルブを、タイマーにより制
御する工うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第1
66項記載微小部分表面処理装置。 - (18)表面処理液充填タンクには、強酸性Q會光填し
、被表面処理材の特定微小面積を酸洗い処理するように
したことを特徴とする特許請求の範囲第10項及び第1
2項又は第13項若しくは第15項のいづれかに記載し
た微小部分表面処理装置。 - (19)表面処理液充填タンクには、苛性ソーダ等を主
成分とする電解脱脂液を充填し、被表面処理材の特定微
小面積を脱脂処理するj51cしたこと全特徴とする特
許請求の範囲第10項及び第12項又は第13項若しく
は第15項のいづれかに記載し次微小部分表面処理装置
。 - (20)表面処理液充填タンクには、苛性ソーダ等を主
成分とする浸漬脱脂液を充填し、被表面処理材の特定微
小面積を脱脂処理するようにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第9項及び第12項又tま1Ii13項のい
づれかに記載した微小部分表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184698A JPS5887294A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 微小部分表面処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184698A JPS5887294A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 微小部分表面処理方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887294A true JPS5887294A (ja) | 1983-05-25 |
| JPS627279B2 JPS627279B2 (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=16157809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56184698A Granted JPS5887294A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 微小部分表面処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887294A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105457860A (zh) * | 2014-09-25 | 2016-04-06 | 苏斯微技术光刻有限公司 | 涂覆衬底的方法和涂覆设备 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5095414U (ja) * | 1973-12-31 | 1975-08-09 | ||
| JPS5274536A (en) * | 1975-11-17 | 1977-06-22 | Schering Ag | Process and apparatus for selectively plating metals |
| JPS56102590A (en) * | 1979-08-09 | 1981-08-17 | Koichi Shimamura | Method and device for plating of microarea |
-
1981
- 1981-11-18 JP JP56184698A patent/JPS5887294A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS56102590A (en) * | 1979-08-09 | 1981-08-17 | Koichi Shimamura | Method and device for plating of microarea |
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| CN105457860A (zh) * | 2014-09-25 | 2016-04-06 | 苏斯微技术光刻有限公司 | 涂覆衬底的方法和涂覆设备 |
| JP2016104475A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-06-09 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングSuss MicroTec Lithography GmbH | 基板を被覆する方法および被覆装置 |
| US10688524B2 (en) | 2014-09-25 | 2020-06-23 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Method for coating a substrate and coating device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS627279B2 (ja) | 1987-02-16 |
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