JPS5887725A - 座標検出装置 - Google Patents
座標検出装置Info
- Publication number
- JPS5887725A JPS5887725A JP56185771A JP18577181A JPS5887725A JP S5887725 A JPS5887725 A JP S5887725A JP 56185771 A JP56185771 A JP 56185771A JP 18577181 A JP18577181 A JP 18577181A JP S5887725 A JPS5887725 A JP S5887725A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- switch
- electrodes
- detection
- circuit
- Prior art date
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- Pending
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- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
α)発明の技術分野
本発明はマトリックス状に電極を配設した多数の電極交
点の特定交点を指示し、指示の有無によって電極におけ
る容量変化をもたらし、該容量変化を検出して指示点の
位置を検出する座標検出装置に関するものである。
点の特定交点を指示し、指示の有無によって電極におけ
る容量変化をもたらし、該容量変化を検出して指示点の
位置を検出する座標検出装置に関するものである。
(2)発明の背景
情報入力装置の形成、方式は種々提案されているが、座
標を検出して所望の情報を入力する装置が近年提案され
ている。その−例としてはCRT表示装置等の表示面前
面に位置を指示する透明な検出バネyを設け、表示面に
表示された所望とする情報に対応するバネy上の指示点
を指示することにより情報を入力するものがある。
標を検出して所望の情報を入力する装置が近年提案され
ている。その−例としてはCRT表示装置等の表示面前
面に位置を指示する透明な検出バネyを設け、表示面に
表示された所望とする情報に対応するバネy上の指示点
を指示することにより情報を入力するものがある。
(8)従来技術と問題点
このような検出バネ〜を有する座標検出装置の一例を第
1図に示す。検出バネ1vPNは薄板状のガマス板上に
X電極XI−Xn、Y電極7l−ynを設は喪ものであ
る。X電極とY電極との各交差する領域は接触部TCH
を構成している。各X電極XI−XnKはX方向ノタッ
チ検出部X−TCH8−A!各電極に対応して接続され
、同様に各Y [W yl−5Q’IKもY方向のタッ
チ検出部Y−TCH8が接続されているうこのタッチ検
出部X−TCHS 、 Y−TCH8は各電極にお、け
る静電容量の変化を検出するものであり、例えば操作者
がX電極x1とY[極ylとの交点における接触部TC
HK触手することによって指示したものと仮定すると、
電Wxx+yxは触手以前の静電容量とその値が異なる
ととKなる。
1図に示す。検出バネ1vPNは薄板状のガマス板上に
X電極XI−Xn、Y電極7l−ynを設は喪ものであ
る。X電極とY電極との各交差する領域は接触部TCH
を構成している。各X電極XI−XnKはX方向ノタッ
チ検出部X−TCH8−A!各電極に対応して接続され
、同様に各Y [W yl−5Q’IKもY方向のタッ
チ検出部Y−TCH8が接続されているうこのタッチ検
出部X−TCHS 、 Y−TCH8は各電極にお、け
る静電容量の変化を検出するものであり、例えば操作者
がX電極x1とY[極ylとの交点における接触部TC
HK触手することによって指示したものと仮定すると、
電Wxx+yxは触手以前の静電容量とその値が異なる
ととKなる。
タッチ検出部X−TCH8、Y−TCHSは静電容量の
値に変化があったことを検出した場合にその出力が10
′となるものとすると、この例の場合、電極XI、 y
lに対応するタッチ検出部の出力のみが10#とがり、
他の検出部の出力は11′となる。これによって指示さ
れた接触部の位置が検出されたこととなる、 ところで、導体である電極を互いに隣接交差するように
配設すると、第2図に示すようにxH電極間yt電極間
は隣接容量0x−x、 CV−yが存在し、X電極とY
電極との間には対向容量0X−yが存在することとなる
。したがって、今、電[XLと電極y1との交点に設定
された接触部TCHXi−y1 に触手した場合に前記
対向容量、隣接容量によって、xl極xi−1、xi−
H、Y電極yi−1゜yi+1も電極xi、yiの影響
を受けることになる、し九がって当然のことながらタッ
チ検出部X−TCH8゜Y−TCHSも影響を受け、本
来触手していない電極に対応するタッチ検出部が、あた
かも指示されたごとく検出されるという欠点を有してい
る。この九め本発明者等は非検出状態にある電極が検出
状態にある電極に静電容量による悪影響を及ぼさないよ
うに制御するよう構成したものを先に提案し九、すなわ
ち、電極を選択的にアース接続するスイッチ手段を各電
極に対応して設け、タッチ検出部によって検出状態にあ
る電極を除く他の電極を前記スイッチ手段によってアー
ス接続するようにしたもので、これについて第8図を用
いて簡単に説明する、第8図はその原理を説明するブロ
ック図である。
値に変化があったことを検出した場合にその出力が10
′となるものとすると、この例の場合、電極XI、 y
lに対応するタッチ検出部の出力のみが10#とがり、
他の検出部の出力は11′となる。これによって指示さ
れた接触部の位置が検出されたこととなる、 ところで、導体である電極を互いに隣接交差するように
配設すると、第2図に示すようにxH電極間yt電極間
は隣接容量0x−x、 CV−yが存在し、X電極とY
電極との間には対向容量0X−yが存在することとなる
。したがって、今、電[XLと電極y1との交点に設定
された接触部TCHXi−y1 に触手した場合に前記
対向容量、隣接容量によって、xl極xi−1、xi−
H、Y電極yi−1゜yi+1も電極xi、yiの影響
を受けることになる、し九がって当然のことながらタッ
チ検出部X−TCH8゜Y−TCHSも影響を受け、本
来触手していない電極に対応するタッチ検出部が、あた
かも指示されたごとく検出されるという欠点を有してい
る。この九め本発明者等は非検出状態にある電極が検出
状態にある電極に静電容量による悪影響を及ぼさないよ
うに制御するよう構成したものを先に提案し九、すなわ
ち、電極を選択的にアース接続するスイッチ手段を各電
極に対応して設け、タッチ検出部によって検出状態にあ
る電極を除く他の電極を前記スイッチ手段によってアー
ス接続するようにしたもので、これについて第8図を用
いて簡単に説明する、第8図はその原理を説明するブロ
ック図である。
X[FMXiはpツ+検出部X−T(JS K接Mすし
ており、かつ電極xiとタッチ検出部X−TCH3の中
間点とアース間にスイッチSWが接続されている。タッ
チ検出部X−TCHSは電極xiにおける静電容量の変
化を検出して、該電極x1が指示されたかどう、かを検
出するために、共振回路、スフイア回路SL、モノステ
ープμ回路MMを備えティる。コンデンサCaとコイN
Laとが並列接続されたLC並列共振回路は発振器O3
Cの周期的信号によって共振状態にあるものと仮定する
と、そのインピーダンスは無限大であるためスライス回
路SLには発振器O8Cの出力と略同等の値を有する信
号が入力する。スライス回路SLは基準電圧VRによっ
て入力信号をスライスするので、電圧VRを共振時に入
力する信号よりわずかに小さく設定すれば、回路SLは
バ〃ス状の信号をモノステープル回路MMに出力する。
ており、かつ電極xiとタッチ検出部X−TCH3の中
間点とアース間にスイッチSWが接続されている。タッ
チ検出部X−TCHSは電極xiにおける静電容量の変
化を検出して、該電極x1が指示されたかどう、かを検
出するために、共振回路、スフイア回路SL、モノステ
ープμ回路MMを備えティる。コンデンサCaとコイN
Laとが並列接続されたLC並列共振回路は発振器O3
Cの周期的信号によって共振状態にあるものと仮定する
と、そのインピーダンスは無限大であるためスライス回
路SLには発振器O8Cの出力と略同等の値を有する信
号が入力する。スライス回路SLは基準電圧VRによっ
て入力信号をスライスするので、電圧VRを共振時に入
力する信号よりわずかに小さく設定すれば、回路SLは
バ〃ス状の信号をモノステープル回路MMに出力する。
したがってモノステープル回路MMはその出力が11′
となる。
となる。
次に人体等が電極x1に接触すると、共振回路の共振条
件が変化するので、そのインピーダンスは′減少し、も
ってスライス回路SLに入力する信号の値は抵抗Rと共
振回路の分圧比によって定まる値となる。基準電圧VR
O値をこの電圧値よりも大きく設定すれば、回路SLの
出力は’O’、したがって回路MMの出力も50′とな
り、電極x1が指示されれば10′、指示されなければ
11′の出力によ、つて指示の有無が検出可能となる。
件が変化するので、そのインピーダンスは′減少し、も
ってスライス回路SLに入力する信号の値は抵抗Rと共
振回路の分圧比によって定まる値となる。基準電圧VR
O値をこの電圧値よりも大きく設定すれば、回路SLの
出力は’O’、したがって回路MMの出力も50′とな
り、電極x1が指示されれば10′、指示されなければ
11′の出力によ、つて指示の有無が検出可能となる。
一方、電極Xi以外の電極がタッチ検出部によって検出
状態にあるときは、スイッチSWをオンにし、電極x1
をアース接続する。これによって仮に電極x1に触手し
ていた場合にも隣接電極間との静電容量Csによって生
ずる検出しようとしている電極には悪影響を与えること
がなく彦る。
状態にあるときは、スイッチSWをオンにし、電極x1
をアース接続する。これによって仮に電極x1に触手し
ていた場合にも隣接電極間との静電容量Csによって生
ずる検出しようとしている電極には悪影響を与えること
がなく彦る。
上記構成の検出装置に用いるスイッチとして、リレース
イッチ等6機械スイッチが考えられる力;、このような
機械スイッチではスイッチ手段が遅いため、トランジス
タを用いた高速スイツチンク゛回路が考えられるが、第
8図に示したスイ゛ソチSWを単にトランジスタスイッ
チに置換えるだけでは、次に述べる第4図、第5図につ
いて説明するような問題が生ずる。
イッチ等6機械スイッチが考えられる力;、このような
機械スイッチではスイッチ手段が遅いため、トランジス
タを用いた高速スイツチンク゛回路が考えられるが、第
8図に示したスイ゛ソチSWを単にトランジスタスイッ
チに置換えるだけでは、次に述べる第4図、第5図につ
いて説明するような問題が生ずる。
第1図扛)はトランジスタスイッチとしてnチャンネI
vMO8FETを用いた例で、Gはゲート電極でスイッ
チ制御端子、Sはソース、Dはドレイン。
vMO8FETを用いた例で、Gはゲート電極でスイッ
チ制御端子、Sはソース、Dはドレイン。
θはアース電位または基準電位とする。その他の記号は
拵、8図と同様とする。
拵、8図と同様とする。
上記MO3FETの模式概要接続を第4図(至)に示す
。
。
このように接続し念場合の等価回路を第4図(c) K
示す。この図かられかるようK MO3FKTがオフ状
態のとき基板PとドレインDとの間にダイオードD1が
構成されているため、スイッチ制御端子Gからの制御電
位が負電位になった場合、すなわちMOSFET y、
イッチswがオフ状態すなわちスイッチSWをオフにし
念場合、第4図(a)の発振器。scの出力■6が負電
圧レペμではドレインDの端子−1ffイオー)’ D
i ヲ通してアースレベ/L/#cクランプされる念め
、Ca、Laから構成される並列共振回路に加わる波形
VOut〜は第415!!1(e)K示すような半波の
波形VSHになり、良好な正弦波Veが印加されず共振
状態が得られなくなり、共振回路のインピーダンスが低
下するため、スライス回路SLに発振器の出力veの値
よりかなり小さ々値が゛印加されることになる、この丸
めスイッチswのオン/オフ比がとれなくなシ、非指示
の座標の検出が国論となる欠点がある。
示す。この図かられかるようK MO3FKTがオフ状
態のとき基板PとドレインDとの間にダイオードD1が
構成されているため、スイッチ制御端子Gからの制御電
位が負電位になった場合、すなわちMOSFET y、
イッチswがオフ状態すなわちスイッチSWをオフにし
念場合、第4図(a)の発振器。scの出力■6が負電
圧レペμではドレインDの端子−1ffイオー)’ D
i ヲ通してアースレベ/L/#cクランプされる念め
、Ca、Laから構成される並列共振回路に加わる波形
VOut〜は第415!!1(e)K示すような半波の
波形VSHになり、良好な正弦波Veが印加されず共振
状態が得られなくなり、共振回路のインピーダンスが低
下するため、スライス回路SLに発振器の出力veの値
よりかなり小さ々値が゛印加されることになる、この丸
めスイッチswのオン/オフ比がとれなくなシ、非指示
の座標の検出が国論となる欠点がある。
次に第5図(a)はトランジスタスイッチトシてパイボ
ーヲトランジスタを用いた例で、Bはベースでスイッチ
制御端子、Eはエミッタでアース電位eまたは基準電位
とする。その他の記号は第3図。
ーヲトランジスタを用いた例で、Bはベースでスイッチ
制御端子、Eはエミッタでアース電位eまたは基準電位
とする。その他の記号は第3図。
第4図と同様とする。
上記のような回路構成においてもコレクタCの端子が負
電位になるとベースBとコレクタC間に構成されるダイ
オードD1を通して1なる電流経路e −B −Cが構
成され、トランジスタがオフの場合に発振器O8Cの出
力■8が正弦波であってもVOutが正弦波とならず、
共振回路Reが非共振となりインピーダンスが低下する
ためMOSFETをスイッチトランジスタとして用いた
場合と同様スフイヌ回路SLに発振器の出力Vsよりか
なり小さな値が印加されることになり、スイッチswの
オン/オフ比がとれなくなり非指示座標点の検出が因業
となる欠点がある。
電位になるとベースBとコレクタC間に構成されるダイ
オードD1を通して1なる電流経路e −B −Cが構
成され、トランジスタがオフの場合に発振器O8Cの出
力■8が正弦波であってもVOutが正弦波とならず、
共振回路Reが非共振となりインピーダンスが低下する
ためMOSFETをスイッチトランジスタとして用いた
場合と同様スフイヌ回路SLに発振器の出力Vsよりか
なり小さな値が印加されることになり、スイッチswの
オン/オフ比がとれなくなり非指示座標点の検出が因業
となる欠点がある。
(4)発明の目的
本発明はかかる点Kllみ力され念もので、検出電極の
み所定レベルの電圧を出力することができ他の電極社ア
ースレペ/I/にクフンプするよう構成した検出電極と
非検出電極とを順次切替えるスイッチに高速トランジス
タスイッチを用いた場合に前記のよう々誤検出をさける
トランジスタスイッチの回路を提供せんとするものであ
る。
み所定レベルの電圧を出力することができ他の電極社ア
ースレペ/I/にクフンプするよう構成した検出電極と
非検出電極とを順次切替えるスイッチに高速トランジス
タスイッチを用いた場合に前記のよう々誤検出をさける
トランジスタスイッチの回路を提供せんとするものであ
る。
(5)発明の構成
本発明は非検出状轢にある電極が検出状aKある!l!
極に静電容量結合によって悪影響を及ぼさないように制
御することを基本とするもので、電極を選択的にアース
接続するトランジスタスイッチを各電極に対応して設け
、タッチ検出部によって検出状態にある電極を除く他の
電極を前記トランジスタスイッチによってアース接続す
るように構成し、しかもスイッチのオン・オフ切替工時
の信号出力の変化範囲を大きくなるよう構成したところ
を特徴とする。
極に静電容量結合によって悪影響を及ぼさないように制
御することを基本とするもので、電極を選択的にアース
接続するトランジスタスイッチを各電極に対応して設け
、タッチ検出部によって検出状態にある電極を除く他の
電極を前記トランジスタスイッチによってアース接続す
るように構成し、しかもスイッチのオン・オフ切替工時
の信号出力の変化範囲を大きくなるよう構成したところ
を特徴とする。
(6)発明の実施例
第6図〜第12図を用いて本発明による座標検出装置に
ついて詳細に説明する。なお第6図以下の図において第
1図〜第5図までと同等機能部については同一符号を付
して説明する。
ついて詳細に説明する。なお第6図以下の図において第
1図〜第5図までと同等機能部については同一符号を付
して説明する。
第6図は本発明の詳細な説明する回路図である、す危わ
ちxt極X1はタッチ検出部X−TCT(Sに接続され
ており、トランジスタスイッチSWがNwIx’lとタ
ッチ検出部X−’rcH3の接続点に設けられたCa、
Laからなる並列共振回路と並列にコンデンサCを介し
てアースまたは基準電位に接続されたことが本発明の特
徴である。
ちxt極X1はタッチ検出部X−TCT(Sに接続され
ており、トランジスタスイッチSWがNwIx’lとタ
ッチ検出部X−’rcH3の接続点に設けられたCa、
Laからなる並列共振回路と並列にコンデンサCを介し
てアースまたは基準電位に接続されたことが本発明の特
徴である。
なお本発明の座標検出装置においてコンデンサCの容量
は、発振器O8Cと共振回路間に接続した抵抗Pに対し
てR>>1/ l jwc lの関係になるよう選ぶこ
とが必要で、これはトランジスタスイッチSWがオン、
すなわち電極xiを接地する場合、発振器O8Cの出力
VOutをほぼ○レベルに設定することができるよう和
するためである。なおωは発振器O8Cの出力Vsの角
周波数である。
は、発振器O8Cと共振回路間に接続した抵抗Pに対し
てR>>1/ l jwc lの関係になるよう選ぶこ
とが必要で、これはトランジスタスイッチSWがオン、
すなわち電極xiを接地する場合、発振器O8Cの出力
VOutをほぼ○レベルに設定することができるよう和
するためである。なおωは発振器O8Cの出力Vsの角
周波数である。
上記のトランジスタスイッチSWがオンのときのスイッ
チSW近傍の等価回路は第7図に示すようにな9コンデ
ンサCの一方のW、極は電極Xj−K、他方は接地電位
に接続される。
チSW近傍の等価回路は第7図に示すようにな9コンデ
ンサCの一方のW、極は電極Xj−K、他方は接地電位
に接続される。
次にトランジスタスイッチSWがオフの時、すなわちタ
ッチ検出部X−TCH3が検出状態のときは第8図に示
すようにダイオードD1の一方の電極はコンデンサCを
介して電[xiK接続され、他方の電極は接地電位eK
接続される。このため従来の第4図、第5図の場合のよ
うに発振器oscの出力が負電位になった場合でも出力
VOutは接地電位にならず共振回路には正弦波が印加
され、共振状態が得られ正常なスイッチswのオン・オ
フ比が得られるようになる。
ッチ検出部X−TCH3が検出状態のときは第8図に示
すようにダイオードD1の一方の電極はコンデンサCを
介して電[xiK接続され、他方の電極は接地電位eK
接続される。このため従来の第4図、第5図の場合のよ
うに発振器oscの出力が負電位になった場合でも出力
VOutは接地電位にならず共振回路には正弦波が印加
され、共振状態が得られ正常なスイッチswのオン・オ
フ比が得られるようになる。
第9図はトランジスタスイッチSW15gオフノドきの
各端子での電圧vs、 VOut、およびトランジスタ
の両端間、すなわちダイオードD1の両端の電圧VDの
波形を示す。
各端子での電圧vs、 VOut、およびトランジスタ
の両端間、すなわちダイオードD1の両端の電圧VDの
波形を示す。
以上説明したような回路構成にすることにょシ通常のT
TI、−ICのオープンコレクタ、MO8ICノオープ
ンドレインあるいは8ステートエC等で高速のスイッチ
ング動作が得られる。
TI、−ICのオープンコレクタ、MO8ICノオープ
ンドレインあるいは8ステートエC等で高速のスイッチ
ング動作が得られる。
次に検出回路のコンパレータSLをC−MO8工C等で
構成する時も第10図のように容量Cを介して結合すれ
ばよい。このことは0MO8ICの入力に保護用のダイ
オードdが入力端子と接地間に接続されているためであ
る。
構成する時も第10図のように容量Cを介して結合すれ
ばよい。このことは0MO8ICの入力に保護用のダイ
オードdが入力端子と接地間に接続されているためであ
る。
第11図は本発明によるトランジスタスイッチSWを用
いた座標検出装置の全体を示すブロック図である。第1
の方向例えばX方向に伸びるように配設された複数本の
電極x1〜x4はX電極群を構成し、第2の方向Y方向
に伸びるように配設された複数本の電極y1〜y4はY
電極群を構成する、各電極x1〜X4.71−74に対
応してコンデンサCを介してトランジスタースイッチS
W1〜SWsが設けられている。該スイッチ5Wl−3
Wsは検出[極に対応して選択的にアースに接続される
。また各検出部に対応してその出力信号(ゞ1’、’0
’)を一時的に記憶するためのラッチL l−L sが
設けられ、X方向のラッチL5〜L8はエンコーダX−
ENCに、Y方向のラッチLINL4は工ンコ′−ダY
−ENCにそれぞれ入力している。
いた座標検出装置の全体を示すブロック図である。第1
の方向例えばX方向に伸びるように配設された複数本の
電極x1〜x4はX電極群を構成し、第2の方向Y方向
に伸びるように配設された複数本の電極y1〜y4はY
電極群を構成する、各電極x1〜X4.71−74に対
応してコンデンサCを介してトランジスタースイッチS
W1〜SWsが設けられている。該スイッチ5Wl−3
Wsは検出[極に対応して選択的にアースに接続される
。また各検出部に対応してその出力信号(ゞ1’、’0
’)を一時的に記憶するためのラッチL l−L sが
設けられ、X方向のラッチL5〜L8はエンコーダX−
ENCに、Y方向のラッチLINL4は工ンコ′−ダY
−ENCにそれぞれ入力している。
第12図は電極走査のための走査回路の一例を示ス。パ
〜ス発生器PGはカウンタCNTに接続され、カウンタ
CNTの出力はスイッチデコーダ5W−DECおよびラ
ッチデコーダL−DECに入力している。スイッチデコ
ーダ5W−DECはカウンタCNTの内容をデコードし
てスイッチSW1〜SWs を順次走査するものであシ
、順次1つの出力端子のみに′″1′が出力される6
11′が送出され九端子に相当するトランジスタスイッ
チSWのみオフ状態にあり、10′の端子に相当するト
ランジスタスイッチはオン状類になるよう接続される。
〜ス発生器PGはカウンタCNTに接続され、カウンタ
CNTの出力はスイッチデコーダ5W−DECおよびラ
ッチデコーダL−DECに入力している。スイッチデコ
ーダ5W−DECはカウンタCNTの内容をデコードし
てスイッチSW1〜SWs を順次走査するものであシ
、順次1つの出力端子のみに′″1′が出力される6
11′が送出され九端子に相当するトランジスタスイッ
チSWのみオフ状態にあり、10′の端子に相当するト
ランジスタスイッチはオン状類になるよう接続される。
ラッチデコーダL−DECはタッチ検出部の出力情報を
ラッチするタイミングをラッチL1〜L8に対して制御
するものでア沙、カウンタCNTO内容に応じて唯1つ
の端子にのみ11′を順次出力する。
ラッチするタイミングをラッチL1〜L8に対して制御
するものでア沙、カウンタCNTO内容に応じて唯1つ
の端子にのみ11′を順次出力する。
次に動作について簡単に述べる。便宜上16個の接触部
のうち、接触部TCHxl−yxに触手したものとして
説明する、先ずカウンタCNTが計数を開始し、その内
容をスイッチデコーダ5W−DECがデコードしてスイ
ッチSW1に相当する端子のみが0′となるので、電極
y1に相当するスイッチSWIはオフ状態になり、タッ
チ検出部Y−TCH8により検出対象とされる。しかし
y2〜y4゜X 1−X 8に相当する端子の出力信号
は′″0′のため、スイッチSWg−SWsはオンされ
ている。したがってt極y1すなわちタッチ検出部Y−
TCH3によって検出状態にある電極を除く他のvK、
極X1〜X4.i 〜y4はスイツf SW2〜SW4
. SW5 N5Wsを介してアースに接続される。
のうち、接触部TCHxl−yxに触手したものとして
説明する、先ずカウンタCNTが計数を開始し、その内
容をスイッチデコーダ5W−DECがデコードしてスイ
ッチSW1に相当する端子のみが0′となるので、電極
y1に相当するスイッチSWIはオフ状態になり、タッ
チ検出部Y−TCH8により検出対象とされる。しかし
y2〜y4゜X 1−X 8に相当する端子の出力信号
は′″0′のため、スイッチSWg−SWsはオンされ
ている。したがってt極y1すなわちタッチ検出部Y−
TCH3によって検出状態にある電極を除く他のvK、
極X1〜X4.i 〜y4はスイツf SW2〜SW4
. SW5 N5Wsを介してアースに接続される。
接触部TCHx1〜71に触手されているから、タッチ
検出部y−Tcu”sは前述のようにして触手されてい
ることを検出するので、その出力は′0′とな9、その
情報社ラッチデコーダL −DECの出力に制御されて
ラッチL1に記憶されるが、他のラッチL2〜L4.L
5〜Lsは対応するタッチ検出部の出力を記憶すること
がない。
検出部y−Tcu”sは前述のようにして触手されてい
ることを検出するので、その出力は′0′とな9、その
情報社ラッチデコーダL −DECの出力に制御されて
ラッチL1に記憶されるが、他のラッチL2〜L4.L
5〜Lsは対応するタッチ検出部の出力を記憶すること
がない。
次にカウンタCNTが歩進して、スイッチデコーダ5W
−DECがスイッチSW2に相当する端子のみが10′
となり、ラッチデコーダはラッチL2に相当する端子の
みが1′となる。したがってスイッ゛チSW2はオフ状
態となり検出状態とされ、他のスイッチ、SWl、 S
Wa〜sw8はオン状態となる。この結果電極XI、X
2.X3.!4,71.y3゜y4がスイッチSWを介
してアースに!!’続されるので、接触部TCHXI〜
y1に触手されているために電極XI、ylが有してい
る静電容量Csは検出しようとしている電極y2に悪影
響を及ぼすことがなくその出力は11′となる。
−DECがスイッチSW2に相当する端子のみが10′
となり、ラッチデコーダはラッチL2に相当する端子の
みが1′となる。したがってスイッ゛チSW2はオフ状
態となり検出状態とされ、他のスイッチ、SWl、 S
Wa〜sw8はオン状態となる。この結果電極XI、X
2.X3.!4,71.y3゜y4がスイッチSWを介
してアースに!!’続されるので、接触部TCHXI〜
y1に触手されているために電極XI、ylが有してい
る静電容量Csは検出しようとしている電極y2に悪影
響を及ぼすことがなくその出力は11′となる。
以上のようにしてすべての電極Xl−X4,71〜y4
の走査が全て終了すると、各電極の検出結果はラッチL
1〜L8に記憶され、X方向の座標位置xi、Y方向の
座標位置y1は各エンコーダX−ENC,Y−ENCよ
シ出力される。
の走査が全て終了すると、各電極の検出結果はラッチL
1〜L8に記憶され、X方向の座標位置xi、Y方向の
座標位置y1は各エンコーダX−ENC,Y−ENCよ
シ出力される。
尚、前記実施例では検出電極、非検出電極を切替えるス
イッチとしてMOS )フンジスタを例;で説明したが
、これの代りにパイボーフトランジスタを用いても同様
の高速読出しを可能ならしめる。
イッチとしてMOS )フンジスタを例;で説明したが
、これの代りにパイボーフトランジスタを用いても同様
の高速読出しを可能ならしめる。
また接触部に対して人体が直接接触することによって指
示する例について述べたが、一端をアース接続したコン
デンサの他端をペン形式として接触させることにより接
触部を指示してもよい。
示する例について述べたが、一端をアース接続したコン
デンサの他端をペン形式として接触させることにより接
触部を指示してもよい。
またタッチ検出部は共振回路の共振現象を利用して、指
示の状態を検出するものの他に、他の方式、例えば平衡
回路によって静電容量の値を検出するようにしてもよい
。
示の状態を検出するものの他に、他の方式、例えば平衡
回路によって静電容量の値を検出するようにしてもよい
。
(7)発明の詳細
な説明したよう°に本発明によれば、電極を選択的にア
ース接続するスイッチ手段として高速動作が可能なトラ
ンジスタスイッチを用い、かつ検出回路の共振回路と並
列に挿入した前記トランジスタスイッチと検出電極間に
コンデンサを接続したもので、該スイッチを各電極に対
応して設け、タッチ検出部によって検出状態にある電極
を除く他の電極を前記トランジスタスイッチ手段によっ
てアース接続するようにしたものであるから交差する電
極間に存在する対向容量、隣接する電極間に存在する隣
接容重によって、検出状態にある電極が悪影響を受ける
ことがなく、かつ前記コンデンサを介在させたことによ
りスイッチオフ状態すなわち検出状態での信号のオン・
オフの判別が明瞭になt、正確に、かつ高速での検出が
できる。
ース接続するスイッチ手段として高速動作が可能なトラ
ンジスタスイッチを用い、かつ検出回路の共振回路と並
列に挿入した前記トランジスタスイッチと検出電極間に
コンデンサを接続したもので、該スイッチを各電極に対
応して設け、タッチ検出部によって検出状態にある電極
を除く他の電極を前記トランジスタスイッチ手段によっ
てアース接続するようにしたものであるから交差する電
極間に存在する対向容量、隣接する電極間に存在する隣
接容重によって、検出状態にある電極が悪影響を受ける
ことがなく、かつ前記コンデンサを介在させたことによ
りスイッチオフ状態すなわち検出状態での信号のオン・
オフの判別が明瞭になt、正確に、かつ高速での検出が
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は静電容量を利用した座標検出装置の従来例を示
す概要図、第2図は第1図忙おける検出バネyの一部拡
大図、第3図〜第5図は従来の座標検出装置に用いたス
イッチ回路を説明する図、第6図〜第8図は本発明に係
る座標検出回路に用いるスイッチ回路を説明するブロッ
ク図、第9図は本発明のスイッチ回路を用いたときの出
力波形を説明する図、第10図は検出回路KCMO3I
Cを用いたときの本発明の応用例を示すブロック図、第
11図は座標検出装置の全体を示すブロック概要図、第
12図は電極走査回路を示す。 図面において、Xl−X4 、 yl 〜yQj電極、
X−TCH3,Y−TCH3はタッチ検出部、TCH,
TCHxi−yi、 T CHx 1−yl は接触部
、SWt〜swsはスイッチを示す。 第1図 第2図 χ訃 ×i+1 第3閏 第5図 第4図((1) 第4図(b) 第4図(C1 第4図(e) 、9. j 。−Q Lx IL−へへ一第6図 第7図 第8図 第91で 第】O図
す概要図、第2図は第1図忙おける検出バネyの一部拡
大図、第3図〜第5図は従来の座標検出装置に用いたス
イッチ回路を説明する図、第6図〜第8図は本発明に係
る座標検出回路に用いるスイッチ回路を説明するブロッ
ク図、第9図は本発明のスイッチ回路を用いたときの出
力波形を説明する図、第10図は検出回路KCMO3I
Cを用いたときの本発明の応用例を示すブロック図、第
11図は座標検出装置の全体を示すブロック概要図、第
12図は電極走査回路を示す。 図面において、Xl−X4 、 yl 〜yQj電極、
X−TCH3,Y−TCH3はタッチ検出部、TCH,
TCHxi−yi、 T CHx 1−yl は接触部
、SWt〜swsはスイッチを示す。 第1図 第2図 χ訃 ×i+1 第3閏 第5図 第4図((1) 第4図(b) 第4図(C1 第4図(e) 、9. j 。−Q Lx IL−へへ一第6図 第7図 第8図 第91で 第】O図
Claims (1)
- 検出すべき座標位置に対応して規則的に隣接配置した複
数の電極を有し、かつ各電極を周期的信号発振回路に接
続するとともK、各電極対応に、共振回路と、該共振回
路の共振状態の変化に応答するタッチ検出部と、各電極
を選択的に基準電位に接続するスイッチング手段をそな
えてなる座標検出装置において、前記スイッチング手段
を半導体スイッチング素子より構成し、該半導体スイッ
チング素子の一方の端子を基準電位とし、他端を容量素
子を介して前記電極に接続したことを特徴とする座標検
出装置う
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185771A JPS5887725A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 座標検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185771A JPS5887725A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 座標検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887725A true JPS5887725A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16176595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56185771A Pending JPS5887725A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 座標検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887725A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60158721A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-08-20 | インテグレイテツド・タツチ・アレイズ・インコーポレーテツド | キヤパシタンスの変化を感知するタツチセンスアレイシステム |
-
1981
- 1981-11-18 JP JP56185771A patent/JPS5887725A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60158721A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-08-20 | インテグレイテツド・タツチ・アレイズ・インコーポレーテツド | キヤパシタンスの変化を感知するタツチセンスアレイシステム |
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