JPS5889831A - ワイヤボンデイング方法および装置 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法および装置

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JPS5889831A
JPS5889831A JP56187035A JP18703581A JPS5889831A JP S5889831 A JPS5889831 A JP S5889831A JP 56187035 A JP56187035 A JP 56187035A JP 18703581 A JP18703581 A JP 18703581A JP S5889831 A JPS5889831 A JP S5889831A
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JP
Japan
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bonding
laser beam
wire
aluminum
output
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JP56187035A
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English (en)
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Minoru Enomoto
榎本 実
Kazuo Ito
一夫 伊藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はワイヤボンディング方法および装置に関する。
従来、牛導体製品の一造過程においてワイヤボンデ(ン
グを行う場合、たとえばアルミニウムワイヤをボンディ
ングする方式としては超音波振動を用いる方式がある。
ところが、超音波振動によるワイヤボンディング方式は
塑性変形により接合するものであり、ボンディング強度
が比較的弱い上に、超音波振動のため罠比較的長い時間
が要求されるとい5間−がある。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解消し、強度
の大きいワイヤボンデインクを短時間で得ることのでき
るワイヤボンディング方法および装置を提供することK
ある。
この目的を達成するため、本発明はレーザー光を用いて
ワイヤボンディングを行うものである。
以下、本発明を図面に示す一実施例にしたがってさらに
説明する。
第1図は本発明によるワイヤボンディング装置の要部を
示す概略的部分断面図である。
本実施例において、早導体装置のセラミックパッケージ
lOのベレットボンディング部には、シリコン(81)
よりなるペレット12がボンディングされている。この
ベレッ)12の上KyV!/成されたアルミニウム(A
J)の′11極パッド14とセラミックパッケージlO
のアルミニウムまたは金(Au)のメタライズ層よりな
る導電層16とは、アルミニウムワイヤ18をボンディ
ングすることにより互いに電気的に接続される。
前記アルミニウムワイヤ18はポンディ゛ング機構のボ
ンディングアーム20の先端部に設けられたボンディン
グヘッド22の孔24の中にその先端を挿通されている
本実施例はワイヤボンディングのためにレーザー光を用
いるものであり、前記ボンディングヘッド22の中には
、レーザー発振器26から発生されたレーザー光を導く
ための元ファイバ28の先端部が挿通され、該光フティ
バ28の先端面はボンディングヘッド22の下端面で終
端し、骸先端面からレーザー光をボンディング部に照射
するようになっている。レーザー発振器26はたとえば
パルスレーザ−のように、波長の揃ったコヒーレントな
レーザー光を褪生ずるものである。
また、元フグイパ28の途中には、レーザー発振l!2
6から発生されたレーザー光の出力をたとえばアルミニ
ウムワイヤ18の直径の差等に応じて可変調整するため
の出力調整装置30が設けられている。この出力調整装
置30は、たとえば透過率可変フィルタ、偏向板、ある
いはミラーとレンズの組合せのような適当な構iのもの
を用いることができる。
本実施例によれば、アルミニウムワイヤ18と電極パッ
ド14および導電層16とは、レーザー発振器26から
出力調整装置30を経て元ファイバ28中を矢印の如(
通過してボンディングヘッド22り端面からボンディン
グ部上に出力されるレーザー光により互いに溶着される
(第2図参照)。
その場合、レーザー光の出力の大きさは出力調整装置3
0により常に最適な値に可変調整されているので、常に
強力なワイヤボンディングを得ることができる。したが
って、ワイヤボンディングの信頼性が高められる上に、
非常に短時間で能率良くボンディングすることができる
また、たとえば超音波振動によるワイヤボンディング方
式では、m@変形によるボンディングであり、ワイヤの
ネック部が細くなって切れ易くなる傾向がある。一方、
一本実施例のようにレーザー光を用いる場合には、ワイ
ヤは溶着によりボンディングされるので、ボンディング
強度が大きい上に、ワイヤのネック部が細くなって!れ
易くなるというような間■も生じなく、より高い信頼性
が得られる。
なお、本発明はどのような温式のノ(ツケージよりなる
半導体装置のワイヤボンディングにも適用することがで
きる。
以上説明したように、本発明によれば、レーザー光を用
いることにより、信頼性の高いワイヤボンディングを短
時間で能率良く行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるワイヤボンディング装置の一実施
例のIIsを示す概略的部分断面図、第2図はワイヤボ
ンディング終了後の状態を示す部分断面図である。 lO・・・セラミックパッケージ1.12・・・ペレッ
ト、14・・・II極バッド、16・・・導電層、18
・・・アルミニウムワイヤ、20・・・ボンディングア
ーム、22・・・ボンディングヘッド、24・・・孔、
26・・・L/ −4−発揚器、2B、・・光ファイバ
、30・・・出力調整装置。 代理人 弁理士  薄 1)利 準

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ボンディング部にレーザー光を照射することにより
    ワイヤをボンディングするワイヤボンディング方法。 2、レーザー光を発生するレーザー発振器と、レーザー
    光をボンディング部に導びくレーザー光案内手段と、レ
    ーザー光の出力を調整する出力調整手段と、前記レーず
    一光案内手段をボンディングISK保持する保持手段と
    からなるワイヤボンディング装置。
JP56187035A 1981-11-24 1981-11-24 ワイヤボンデイング方法および装置 Pending JPS5889831A (ja)

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JP56187035A JPS5889831A (ja) 1981-11-24 1981-11-24 ワイヤボンデイング方法および装置

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JP56187035A JPS5889831A (ja) 1981-11-24 1981-11-24 ワイヤボンデイング方法および装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5889831A true JPS5889831A (ja) 1983-05-28

Family

ID=16199033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56187035A Pending JPS5889831A (ja) 1981-11-24 1981-11-24 ワイヤボンデイング方法および装置

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JP (1) JPS5889831A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4891333A (en) * 1984-10-09 1990-01-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPH02181451A (ja) * 1989-01-06 1990-07-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワイヤボンディング装置
EP0947281A3 (de) * 1998-03-30 2000-02-09 F & K Delvotec Bondtechnik GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Thermokompressionsbonden
US6501043B1 (en) * 1999-10-22 2002-12-31 Medtronic, Inc. Apparatus and method for laser welding of ribbons

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4891333A (en) * 1984-10-09 1990-01-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPH02181451A (ja) * 1989-01-06 1990-07-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワイヤボンディング装置
EP0947281A3 (de) * 1998-03-30 2000-02-09 F & K Delvotec Bondtechnik GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Thermokompressionsbonden
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