JPS5889838A - 集積回路チツプを試験する装置 - Google Patents
集積回路チツプを試験する装置Info
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- JPS5889838A JPS5889838A JP57195421A JP19542182A JPS5889838A JP S5889838 A JPS5889838 A JP S5889838A JP 57195421 A JP57195421 A JP 57195421A JP 19542182 A JP19542182 A JP 19542182A JP S5889838 A JPS5889838 A JP S5889838A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
&1#飯的な大きさの幾何学的構造の集積回路の佃#4
性は、集積回路が試験されるときに用いられる試駆方法
によって、埃在#′i制限されている。農に、各集積回
路の縁に設けられる外部パ、ドFi回路の電気的接続を
可能にするような顕gtf#A酌な寸法であり、一方数
十万個もの回路中の節目L1それらが幾何学的I11成
であることの理由カーら物理的に受は入れ難いものとさ
れている。従って、試験は、その周辺に節目を有する回
路0人/出力部分の信号を検出することによって行うと
いう方法に制限窟れている。それ故、回路の内部の節目
は直接に試験できなく、現在の方法で得られた試駆結果
の!軸性は制限さ゛れてしまう、現在の、集積回路の製
造技術で電子ビームを用いた実用的な使用法の一つは電
子ビームによって写真石版マスクの島田や輪郭の限定な
どを行なうことである。このようなシステムは公知でお
り、その多くは、Eビームの移1により前記マスクの軸
郭t−限定したり、ビデオ又は除極緑管シヌテムによ)
空白部を生じでせたりする技術を含んでいる。
性は、集積回路が試験されるときに用いられる試駆方法
によって、埃在#′i制限されている。農に、各集積回
路の縁に設けられる外部パ、ドFi回路の電気的接続を
可能にするような顕gtf#A酌な寸法であり、一方数
十万個もの回路中の節目L1それらが幾何学的I11成
であることの理由カーら物理的に受は入れ難いものとさ
れている。従って、試験は、その周辺に節目を有する回
路0人/出力部分の信号を検出することによって行うと
いう方法に制限窟れている。それ故、回路の内部の節目
は直接に試験できなく、現在の方法で得られた試駆結果
の!軸性は制限さ゛れてしまう、現在の、集積回路の製
造技術で電子ビームを用いた実用的な使用法の一つは電
子ビームによって写真石版マスクの島田や輪郭の限定な
どを行なうことである。このようなシステムは公知でお
り、その多くは、Eビームの移1により前記マスクの軸
郭t−限定したり、ビデオ又は除極緑管シヌテムによ)
空白部を生じでせたりする技術を含んでいる。
概略的に貰えは、スループットと信頼性の高さとの両者
が望まれている*雑な内部節目の試ht−行うための先
行技術として実用的なものは見当らなかった。この発明
は、・複雑な集積回路の内S節目の試験をする萬速処理
の知能的プローブに関するものである。
が望まれている*雑な内部節目の試ht−行うための先
行技術として実用的なものは見当らなかった。この発明
は、・複雑な集積回路の内S節目の試験をする萬速処理
の知能的プローブに関するものである。
前記プローブは試餉建れる節目の数を最小とし、一方試
験結果の細軸性は最大とするように、回路の欠陥を鯉も
指示できるような前記内部節目の数を限定して、知能的
に選択することができる。tiJ記グログローブ験中に
集積回路のデザイン及び動作を!!解する人工的な知能
を有し、この知能は前記グローブと関連して設けられた
プログラムコンビエータにおいて実施化される。
験結果の細軸性は最大とするように、回路の欠陥を鯉も
指示できるような前記内部節目の数を限定して、知能的
に選択することができる。tiJ記グログローブ験中に
集積回路のデザイン及び動作を!!解する人工的な知能
を有し、この知能は前記グローブと関連して設けられた
プログラムコンビエータにおいて実施化される。
史に、この発明は、集積回路の周辺パッドを鋤かゼる手
板と、前記コンビエータ−の制御で前記集軸回路に適尚
な回路ノ童イアスクロック信号汲ひ試駆傷号を供給する
手段とt有している。
板と、前記コンビエータ−の制御で前記集軸回路に適尚
な回路ノ童イアスクロック信号汲ひ試駆傷号を供給する
手段とt有している。
^1Jit4ノローブは前記コンビ島−夕によって選択
され友前記内部節目に対して電子ビーム會集中して照射
し、この節目から放出される二次電子t−ts出する電
子ビーム装置を好ましく有している。前記グローブは、
史に、順次、求められた試験結果に基づ〈計算によって
実時間でIK験するための連続する節目を選択する手1
lILを有することができる。前記回・路の選択された
内部節目ターの動作との間で定まる電子ビームの動きは
マイクロセコ゛ンド又はミリセコンドの範囲内で決めら
れる。前記コンビエータ−で実行される回路の知能的理
解は回路のデザインと、最も陣害の生じる恐れのある回
路の節目を演算で求めるためのコンピューターで一処理
される回路の模擬的で、統計豹な演算によって得られた
演算結果とから得られる。
され友前記内部節目に対して電子ビーム會集中して照射
し、この節目から放出される二次電子t−ts出する電
子ビーム装置を好ましく有している。前記グローブは、
史に、順次、求められた試験結果に基づ〈計算によって
実時間でIK験するための連続する節目を選択する手1
lILを有することができる。前記回・路の選択された
内部節目ターの動作との間で定まる電子ビームの動きは
マイクロセコ゛ンド又はミリセコンドの範囲内で決めら
れる。前記コンビエータ−で実行される回路の知能的理
解は回路のデザインと、最も陣害の生じる恐れのある回
路の節目を演算で求めるためのコンピューターで一処理
される回路の模擬的で、統計豹な演算によって得られた
演算結果とから得られる。
この発明の電子ビームによる試験は好ましくは、金−の
内部接着が集積回路上に写真石版技術で行なわれた後で
且つ&層されるガラス層が配置される前に直ちに実行さ
れることである。
内部接着が集積回路上に写真石版技術で行なわれた後で
且つ&層されるガラス層が配置される前に直ちに実行さ
れることである。
金1#4によって定まる単一の節目に集中−されたとき
、電子ビームは、−次電子ビームの電子・が働突する金
属節目の電位によりて定まる束を有する二次電子ビーム
t−b生させる。゛好ましい検出器は、二次放出電子束
を検出し、コンビエータ−で試験中の前記節目の電圧を
検知して、記憶させる。
、電子ビームは、−次電子ビームの電子・が働突する金
属節目の電位によりて定まる束を有する二次電子ビーム
t−b生させる。゛好ましい検出器は、二次放出電子束
を検出し、コンビエータ−で試験中の前記節目の電圧を
検知して、記憶させる。
この発明の他の実施−例で、前記コンピューターは、試
験における次のステッff決めるため前記検出された内
部節目の電圧に対し、再び動作を行う。前記法のステッ
プは、回路の°欠V&を指示するために最も該当する次
の節目をコンビ。
験における次のステッff決めるため前記検出された内
部節目の電圧に対し、再び動作を行う。前記法のステッ
プは、回路の°欠V&を指示するために最も該当する次
の節目をコンビ。
異−ターによって選択することができる。#A、llI
4によって集軸回路の全てが良好であるとの決意は、元
号な数の選択された節目が、特別な許容1差と91軸f
tもって欠陥はないということを試1によって判断され
た後において行なわれる。
4によって集軸回路の全てが良好であるとの決意は、元
号な数の選択された節目が、特別な許容1差と91軸f
tもって欠陥はないということを試1によって判断され
た後において行なわれる。
この発明の利点の1つは、前記知能グローブは前記内部
節目のいずれに対しても容量的な負it−加えlいし又
、損傷したりすることもない。
節目のいずれに対しても容量的な負it−加えlいし又
、損傷したりすることもない。
四時に、仙記ノロープは、サブマイクロメーターの直性
を有し、細単に設置することができる。
を有し、細単に設置することができる。
削配jIO目は高速で選択され且つ試験されるので、従
来の試験方法に代え高シヌテムスループット1r有する
胸造ラインでの本発明の使用はコスト的に有利であり一
着に信軸性が高いものである・以下図11を参照して、
この発明の一実施カについて説明する。
来の試験方法に代え高シヌテムスループット1r有する
胸造ラインでの本発明の使用はコスト的に有利であり一
着に信軸性が高いものである・以下図11を参照して、
この発明の一実施カについて説明する。
第1図に示すように、この発明の知能グローブは電子ビ
ーム発生器10と、なかんずく偏向コイklA&+12
bt有するビーム位fit 1lllt御ハードウエア
12と、二次電子放出検出器14と、電圧対比ビデオデ
ータハードウェアJ6とを含んでいる。サテライトコン
ピューター18は、前記ビーム位飯ノ・−ドウエフ12
と電圧対比ハードウェア16と音制御する。セントラル
コンピューター20は試験中の集&回路テッグ22が知
能的理解を実行するよう指示を与える。
ーム発生器10と、なかんずく偏向コイklA&+12
bt有するビーム位fit 1lllt御ハードウエア
12と、二次電子放出検出器14と、電圧対比ビデオデ
ータハードウェアJ6とを含んでいる。サテライトコン
ピューター18は、前記ビーム位飯ノ・−ドウエフ12
と電圧対比ハードウェア16と音制御する。セントラル
コンピューター20は試験中の集&回路テッグ22が知
能的理解を実行するよう指示を与える。
前記ビーム・発生器10からの電子ビーム24は前記テ
ラf22に向は照射され、二次電子放出26を発生させ
、この二次電子放出26は検出器14で検出される。前
記集積回路テッグ22−は前記サテライトコンビエータ
−18によって制御される回路バイアス及び入力信号ノ
・−−ドウエアによって動作させられる番前記−路バイ
アスハードウエア28はクロック信号と試11(6号と
酌配集板1回路220周辺に沿って配置された複数の胸
辺金属ノ譬、ドめ自適°当などれ゛かに供給されるバイ
アス電圧とを発生する。前記集積回って描き出された後
、直ちに試駆される。前記金輌ラインは前記セントラル
コンビエーター20が連続したvc紐によって独立した
個々の節目を選択することができるような複数の節目3
2を弔している。公知の技術を用いて、前記雀挑ノ量タ
ーンは前記ビニム位置制御、ハードウェア12に対して
前記集軸回路22の幾伺学的輌10し、録する手段とし
て働く。
ラf22に向は照射され、二次電子放出26を発生させ
、この二次電子放出26は検出器14で検出される。前
記集積回路テッグ22−は前記サテライトコンビエータ
−18によって制御される回路バイアス及び入力信号ノ
・−−ドウエアによって動作させられる番前記−路バイ
アスハードウエア28はクロック信号と試11(6号と
酌配集板1回路220周辺に沿って配置された複数の胸
辺金属ノ譬、ドめ自適°当などれ゛かに供給されるバイ
アス電圧とを発生する。前記集積回って描き出された後
、直ちに試駆される。前記金輌ラインは前記セントラル
コンビエーター20が連続したvc紐によって独立した
個々の節目を選択することができるような複数の節目3
2を弔している。公知の技術を用いて、前記雀挑ノ量タ
ーンは前記ビニム位置制御、ハードウェア12に対して
前記集軸回路22の幾伺学的輌10し、録する手段とし
て働く。
前菖し、セントラルコンビ艷−ターが試験されるべき物
別な節目を確認すると、前記ノfツド30の過当などれ
かにクロック91号、バイアス電圧及びiICし信号を
供給する丸め回路バイアス入力信号ハードウェア28を
動作させ、前記特別な選択された節目32上に集中させ
るため前記ビーム位fk’−fl!ij@バーVウエー
アをして電子ビーム24′t−前記節目32に向かわせ
る。いくつかの電子は前記節目32から放出され、二次
電子放出26とされる。前記二次電子放出261fi検
出益14によって検知される。この検出°器14Fi前
記二次電子放出26で得られる。11子の束に比例する
出力電圧を発生する。前記電子の束と前記検出器14に
よって発生された出力電圧は前記選択されたtIJ月3
2の電位に比例する。
別な節目を確認すると、前記ノfツド30の過当などれ
かにクロック91号、バイアス電圧及びiICし信号を
供給する丸め回路バイアス入力信号ハードウェア28を
動作させ、前記特別な選択された節目32上に集中させ
るため前記ビーム位fk’−fl!ij@バーVウエー
アをして電子ビーム24′t−前記節目32に向かわせ
る。いくつかの電子は前記節目32から放出され、二次
電子放出26とされる。前記二次電子放出261fi検
出益14によって検知される。この検出°器14Fi前
記二次電子放出26で得られる。11子の束に比例する
出力電圧を発生する。前記電子の束と前記検出器14に
よって発生された出力電圧は前記選択されたtIJ月3
2の電位に比例する。
従って、前記ハードウェア16は前記検出器J4からの
電圧信号、を前記節目32の実際の電圧に従−った数値
に変換する。前記サテライトコンピューター18はセン
トラルコンビエーター20にこの数値データを送出する
。前記セントラルコンビエーター20は試瓢内容tlj
l!するため前記集&回路22の動作と性能を決める記
tlla情報を処理する。
電圧信号、を前記節目32の実際の電圧に従−った数値
に変換する。前記サテライトコンピューター18はセン
トラルコンビエーター20にこの数値データを送出する
。前記セントラルコンビエーター20は試瓢内容tlj
l!するため前記集&回路22の動作と性能を決める記
tlla情報を処理する。
通包知られていることであるが、もし、前記節目32t
−例えは+5がルトの正電位に上昇さぜると前記検出器
J4に到達する二次放出電子の数は比例して、減少する
。一方、もし、他の節目32Iが例えば−5がルトにな
−るよう選択されると、前記二次放出電子の来社負電位
の値に比例して増加する。このように、二次−放出電子
の束は選択された節目における負電圧の増加に従って増
加する。
−例えは+5がルトの正電位に上昇さぜると前記検出器
J4に到達する二次放出電子の数は比例して、減少する
。一方、もし、他の節目32Iが例えば−5がルトにな
−るよう選択されると、前記二次放出電子の来社負電位
の値に比例して増加する。このように、二次−放出電子
の束は選択された節目における負電圧の増加に従って増
加する。
前記セントツルコンビエータ−20ilt第2図20は
入力ソフトウェア40の形で回路の明細を記憶する。前
記試験明細は、処理ソフトウェア42で処理され、記t
l&t44に記憶される・^+1i+c記憶装flL4
4からの試験明細は、試験明細送出ソフ、トウエア46
に−介し、データリンクソフトウェア48とデータリン
クハードウェア50とを通じ、拡散して送出される。前
記試験明細はソフトウェアと回路デザインを決めるデー
タ、前記集私回路の各層のマスクの幾何学的形状及び例
えは回路性能のコンビエータ擬似から得られる性能デー
タとを含ませることができる。災に、試IIA明細は、
擬似と行なわれた試験結果からの回路性能に基づいて最
も回路の欠rt指示する節目を含む節目グルーft−1
1にすることのできる統計的なソフトウェアを含むこと
もできる・ 前記サテライトコンビエータ−18によって、前記ハー
ドウェア16から出力された試験結果は、前記データリ
ンク501f介し、前記セントラルコンピエータ20に
送出され、受けとシ及び記憶ソフトウェア52によって
受けとられそして記憶され、次て記憶装置54に記憶さ
れる。
入力ソフトウェア40の形で回路の明細を記憶する。前
記試験明細は、処理ソフトウェア42で処理され、記t
l&t44に記憶される・^+1i+c記憶装flL4
4からの試験明細は、試験明細送出ソフ、トウエア46
に−介し、データリンクソフトウェア48とデータリン
クハードウェア50とを通じ、拡散して送出される。前
記試験明細はソフトウェアと回路デザインを決めるデー
タ、前記集私回路の各層のマスクの幾何学的形状及び例
えは回路性能のコンビエータ擬似から得られる性能デー
タとを含ませることができる。災に、試IIA明細は、
擬似と行なわれた試験結果からの回路性能に基づいて最
も回路の欠rt指示する節目を含む節目グルーft−1
1にすることのできる統計的なソフトウェアを含むこと
もできる・ 前記サテライトコンビエータ−18によって、前記ハー
ドウェア16から出力された試験結果は、前記データリ
ンク501f介し、前記セントラルコンピエータ20に
送出され、受けとシ及び記憶ソフトウェア52によって
受けとられそして記憶され、次て記憶装置54に記憶さ
れる。
前記試験結果は処理ソフトウェア66によって処理され
る。
る。
第3図に示すように、前記′サテライトコンピューター
18はデークリ6ンクハードウエア6゜とデータリンク
ツ2トウエアロ2と゛を介して前記セントラルコンビー
ー)−に接続される。前−1セントラルコンビエーター
における前記送出ソフトウェア46によって伝送される
。・試験明細は試験明#受は入れソフトウェア64によ
って前記サテライトコンビエータ丙にml)入れられ、
油路試験システム実行ソフトウェア66によって処理さ
れるべき命令t−発住する。その結来、前記実行ソフト
ウ五アロ6II′i回路バイアス及び16号データ出力
ソフトウェア68、ビーム位置出力ソフトウニ7yo及
び電圧灼比データ入カッ7トウエア72によって得られ
た指令を発生する。
18はデークリ6ンクハードウエア6゜とデータリンク
ツ2トウエアロ2と゛を介して前記セントラルコンビー
ー)−に接続される。前−1セントラルコンビエーター
における前記送出ソフトウェア46によって伝送される
。・試験明細は試験明#受は入れソフトウェア64によ
って前記サテライトコンビエータ丙にml)入れられ、
油路試験システム実行ソフトウェア66によって処理さ
れるべき命令t−発住する。その結来、前記実行ソフト
ウ五アロ6II′i回路バイアス及び16号データ出力
ソフトウェア68、ビーム位置出力ソフトウニ7yo及
び電圧灼比データ入カッ7トウエア72によって得られ
た指令を発生する。
前記回路バイアス汲び信号データ出力ソフトウエア68
は前配画路バイアス及び傷号ノ・−ドウエア28t−1
,て、適当なりロック信号、バイアス電圧及び記憶装置
44に記憶された試験明細によって最初から限定されて
いる試験信号を発生せしめる。前記ビーム位置出力ソフ
トウェア70は前記ビーム位置制御ハードウェア12t
して、記憶装置44に記憶された試1lI8A細に従っ
て選択された節目32に電子ビーム24を照射せしめる
。
は前配画路バイアス及び傷号ノ・−ドウエア28t−1
,て、適当なりロック信号、バイアス電圧及び記憶装置
44に記憶された試験明細によって最初から限定されて
いる試験信号を発生せしめる。前記ビーム位置出力ソフ
トウェア70は前記ビーム位置制御ハードウェア12t
して、記憶装置44に記憶された試1lI8A細に従っ
て選択された節目32に電子ビーム24を照射せしめる
。
前記電圧対比データ入力ソフトウェア72は前記電圧対
比ビデオデータ受は入れノ・−ドウエアJ6からのデー
タを入力する・次いで、前記データは電圧対比データ変
換ソフトウェア74によってシステム全体のソフトウェ
アに適用できるフォーマットに変換される。そこで前記
データは試験及び結果データ送出ソフトウェア26に利
用さ、れる、前記実行ソフトウェア66は前記送出ソフ
トウェア76によって得られた試験結果r−夕を前記デ
ータリンクソフトウェア62に伝送させることができる
。・前記送出ソフトウェア76によって送出された試験
結果の前記セントラルコンビエーター20における入力
と記憶は受は入れ及び記憶ノ・−ドウエアー52によっ
て制御される。試験結果は前記セントラルコンビエータ
ー20の処理ソフトウェア66・に伝送される。
比ビデオデータ受は入れノ・−ドウエアJ6からのデー
タを入力する・次いで、前記データは電圧対比データ変
換ソフトウェア74によってシステム全体のソフトウェ
アに適用できるフォーマットに変換される。そこで前記
データは試験及び結果データ送出ソフトウェア26に利
用さ、れる、前記実行ソフトウェア66は前記送出ソフ
トウェア76によって得られた試験結果r−夕を前記デ
ータリンクソフトウェア62に伝送させることができる
。・前記送出ソフトウェア76によって送出された試験
結果の前記セントラルコンビエーター20における入力
と記憶は受は入れ及び記憶ノ・−ドウエアー52によっ
て制御される。試験結果は前記セントラルコンビエータ
ー20の処理ソフトウェア66・に伝送される。
この発明の一実施例において、前記サテライトコンビニ
−ターJJlti入力された現に今得られfc試験結果
に応答して実時間で試験シーケンスを変更することを決
定し得る。前記ビーム位置出力ソフトウェア20を制御
する前記ビーム位置演算ソフトウェア69Fi現に今得
られた試験結果に応答して試験するための新ら・たな節
目に対する続いて行なわれる選択動作t−実行する+m
69&t−含んでい為、前記位置選択手段69aは前記
送出ソフトウェア76から直接試験結果を受けと9、異
なる回路節目をアドレス指定してビーム位titom算
管変更する仁とかで−この医書は前記実行ソフトウェア
66の制御のもとて前記受は入れソフトウェア64から
の試駆明細に従って好ましくは行なわれる。
−ターJJlti入力された現に今得られfc試験結果
に応答して実時間で試験シーケンスを変更することを決
定し得る。前記ビーム位置出力ソフトウェア20を制御
する前記ビーム位置演算ソフトウェア69Fi現に今得
られた試験結果に応答して試験するための新ら・たな節
目に対する続いて行なわれる選択動作t−実行する+m
69&t−含んでい為、前記位置選択手段69aは前記
送出ソフトウェア76から直接試験結果を受けと9、異
なる回路節目をアドレス指定してビーム位titom算
管変更する仁とかで−この医書は前記実行ソフトウェア
66の制御のもとて前記受は入れソフトウェア64から
の試駆明細に従って好ましくは行なわれる。
この発明の他の実施例では、試験によって選択された内
S節目32のシーケンスは前記送出ソフトウェア76に
よって送出された期待されマイクロ秒又はミリセコンド
の単位の短かい時間で実行され、その結果単一の集積回
路22に対する全試りは重大な遅れは生じないと理解さ
れるべきである。実時間での試験シーケンスの変更は、
試験結果の信頼性を減少することなくして試駆されるべ
き実際の細目の数t−減少するよう設計できると考えら
れている。公知の技術を用いて、実時間試販シーケンス
変更手段69aを設けるための1つの方法はもし、ある
節目における検出電圧が許容誤差を越えるとアドレス指
定されるべき変更シーケンスの対象となる節目を特定す
る指令と共に試験されるべき各節目毎に予定された電圧
と許容誤差を前記コンビ具−タフ8内にプログラムする
ことである。、変更試賑シーケンスで試験されるべき各
節目毎に、更に他の変更試駆シーケンスにおける電圧と
許容−1か前記コンピュータ18にプログラムされる。
S節目32のシーケンスは前記送出ソフトウェア76に
よって送出された期待されマイクロ秒又はミリセコンド
の単位の短かい時間で実行され、その結果単一の集積回
路22に対する全試りは重大な遅れは生じないと理解さ
れるべきである。実時間での試験シーケンスの変更は、
試験結果の信頼性を減少することなくして試駆されるべ
き実際の細目の数t−減少するよう設計できると考えら
れている。公知の技術を用いて、実時間試販シーケンス
変更手段69aを設けるための1つの方法はもし、ある
節目における検出電圧が許容誤差を越えるとアドレス指
定されるべき変更シーケンスの対象となる節目を特定す
る指令と共に試験されるべき各節目毎に予定された電圧
と許容誤差を前記コンビ具−タフ8内にプログラムする
ことである。、変更試賑シーケンスで試験されるべき各
節目毎に、更に他の変更試駆シーケンスにおける電圧と
許容−1か前記コンピュータ18にプログラムされる。
多くの電圧値と、許容誤差値と、lRJ!試験シーケン
スの数が試験される節目の数に対応して前記コンビエー
タ18にプログラムされ、その結果最初の試1シーケン
スに全て置き代えて前記コンビエータ18内にロジック
トリーを形層すると考えられる。前記節目のいくつかが
、許容誤差を越えた電圧値を有していることが検出され
ると前記実時間試験シーケンス変更手段69’aは前記
ロジックトリーによって定められた亀き代え試験シーケ
ンスのいずれか一つt実行する。この技術は、′−/ス
・冬ム分析の通常の知−緑と公知のグラゲラミンク技術
を用いて集積回路試験技術者のル導に基ずき、熟練した
プログラマ−によって実施される・ 第4図に示すように、ビーム位置制御ノ・−とウェア1
2は、前記サテライトコンビエータJ8からの共通信号
を受けるために゛接続されたコンピューターインターフ
ェイス80と前記電子ビーム発生器10を制御するアナ
ログ電子ノ・−ドウエア82とを含んでいる。前記電子
ビーム発生NIOは電子発生源84、電子ビーム2゛2
t−空にする手段86、ビーム集束コラム88、伽′向
コイルJja、JJb及び真空システム92に含まれて
いる水平移動X−Yステージ90を含んでいる・前記シ
ステム19Jt;!前記振払回路を真空状態に維持して
いる。前記アナログ電子ハードウェア82#i前記−偏
向コイル12 a a J J bと前記電子ビームを
空にする手段86を直接制御する。
スの数が試験される節目の数に対応して前記コンビエー
タ18にプログラムされ、その結果最初の試1シーケン
スに全て置き代えて前記コンビエータ18内にロジック
トリーを形層すると考えられる。前記節目のいくつかが
、許容誤差を越えた電圧値を有していることが検出され
ると前記実時間試験シーケンス変更手段69’aは前記
ロジックトリーによって定められた亀き代え試験シーケ
ンスのいずれか一つt実行する。この技術は、′−/ス
・冬ム分析の通常の知−緑と公知のグラゲラミンク技術
を用いて集積回路試験技術者のル導に基ずき、熟練した
プログラマ−によって実施される・ 第4図に示すように、ビーム位置制御ノ・−とウェア1
2は、前記サテライトコンビエータJ8からの共通信号
を受けるために゛接続されたコンピューターインターフ
ェイス80と前記電子ビーム発生器10を制御するアナ
ログ電子ノ・−ドウエア82とを含んでいる。前記電子
ビーム発生NIOは電子発生源84、電子ビーム2゛2
t−空にする手段86、ビーム集束コラム88、伽′向
コイルJja、JJb及び真空システム92に含まれて
いる水平移動X−Yステージ90を含んでいる・前記シ
ステム19Jt;!前記振払回路を真空状態に維持して
いる。前記アナログ電子ハードウェア82#i前記−偏
向コイル12 a a J J bと前記電子ビームを
空にする手段86を直接制御する。
前−記7ナロダ電子ハードウェア82は又前記電子発生
@84と前記ビーム集束コラム88とを順11に制御す
る電子源及びコラム制御94を動作させる。前記7ナロ
ダ電子ハードウエア82はステージ制%96を介して前
記XYステージ90を制御し、真空側t419Bを介し
て前記真空゛システム92を制御する。
@84と前記ビーム集束コラム88とを順11に制御す
る電子源及びコラム制御94を動作させる。前記7ナロ
ダ電子ハードウエア82はステージ制%96を介して前
記XYステージ90を制御し、真空側t419Bを介し
て前記真空゛システム92を制御する。
前記ビームを空にする手段86は電子ビーム24を周期
的に遮断するよう動作しその結果前記電子ビームは短時
間の突発的な照射が行なわれる。前記ビームを空による
手段861riクロック信号と前記回路バイアス及び入
力信号ノ・−ドウエア2′8によって供給される試駆信
号に同期して一動作させることができ、それによりて前
記節目32が特別な電圧の値にあるとき、前記選択され
た節目32からの二次電子放出26/dこれらの時間に
おいてのみ生することになる。このような方法で前記検
出器フ4からの信号#i匍号/ノイズ比を高めるための
前記受は入れハードウェア1シによって試料の板を−越
えて軸分される。又電子ビーム1キロボルトの単位の低
ビーム加速電圧を使用して前記電子ビーム発生器10か
ら発生される。電子ビームか短かいノfルスーで照射さ
れる期間において前記低電圧供給如J作は前記選択され
た節目32の上に堆積された電荷の全量を最小の値とす
る・このことは前記選択され九節目32の夫々が非常に
低い静電容量を有しているという理由から重大な利益で
あると言える。試験が行なわれてる期間に導入された電
荷の量を最小にするということは前記節目が容量的に負
荷が掛からないということでおる。このことは従来の試
験方法が避けて通れな声り良問1lt−解決したことに
なる・−例として補記ビーム電流は0.1ナノアンペア
であり、前記ビーム/譬ルス期間Fil!イクロセコイ
ドであり、一方選択された節rAFio。1ピコフアラ
ツドの静電容量を有する。結果として得られる電圧変化
はJV−IT/Cで表わされるような1ミリがルトであ
る。ここでJvは電圧変化であり、■はビーム電流であ
り、Tは電子ビーム扼・臂ルスーであり、Cは節目か有
する靜1に容量であ−る。好ましくは、電子ビーム発生
器JOは電子発生源84、前記プランカー86、偏向及
び集束コイル12、前記X−Yステージ90、前記真空
システム92及び前記各部に対しての制御部94.96
.911’lf有し、夫々は商品化され、これら技術分
野の専問家に゛よく知られているケンブリッジ815O
N走査電子顕微鏡において実施されている。゛前記制御
コンビエーター20と前記サテライトコンビエータ−は
夫々好ましくはデジタルイクイップメントb−/レイシ
曹ンPDP・11/34ξニコンピエーターが用いられ
る。
的に遮断するよう動作しその結果前記電子ビームは短時
間の突発的な照射が行なわれる。前記ビームを空による
手段861riクロック信号と前記回路バイアス及び入
力信号ノ・−ドウエア2′8によって供給される試駆信
号に同期して一動作させることができ、それによりて前
記節目32が特別な電圧の値にあるとき、前記選択され
た節目32からの二次電子放出26/dこれらの時間に
おいてのみ生することになる。このような方法で前記検
出器フ4からの信号#i匍号/ノイズ比を高めるための
前記受は入れハードウェア1シによって試料の板を−越
えて軸分される。又電子ビーム1キロボルトの単位の低
ビーム加速電圧を使用して前記電子ビーム発生器10か
ら発生される。電子ビームか短かいノfルスーで照射さ
れる期間において前記低電圧供給如J作は前記選択され
た節目32の上に堆積された電荷の全量を最小の値とす
る・このことは前記選択され九節目32の夫々が非常に
低い静電容量を有しているという理由から重大な利益で
あると言える。試験が行なわれてる期間に導入された電
荷の量を最小にするということは前記節目が容量的に負
荷が掛からないということでおる。このことは従来の試
験方法が避けて通れな声り良問1lt−解決したことに
なる・−例として補記ビーム電流は0.1ナノアンペア
であり、前記ビーム/譬ルス期間Fil!イクロセコイ
ドであり、一方選択された節rAFio。1ピコフアラ
ツドの静電容量を有する。結果として得られる電圧変化
はJV−IT/Cで表わされるような1ミリがルトであ
る。ここでJvは電圧変化であり、■はビーム電流であ
り、Tは電子ビーム扼・臂ルスーであり、Cは節目か有
する靜1に容量であ−る。好ましくは、電子ビーム発生
器JOは電子発生源84、前記プランカー86、偏向及
び集束コイル12、前記X−Yステージ90、前記真空
システム92及び前記各部に対しての制御部94.96
.911’lf有し、夫々は商品化され、これら技術分
野の専問家に゛よく知られているケンブリッジ815O
N走査電子顕微鏡において実施されている。゛前記制御
コンビエーター20と前記サテライトコンビエータ−は
夫々好ましくはデジタルイクイップメントb−/レイシ
曹ンPDP・11/34ξニコンピエーターが用いられ
る。
前記二次放出電子検出器14はジャーマン2エデラルリ
ノ譬デリツクにおけるシーメンスA。
ノ譬デリツクにおけるシーメンスA。
G、によって開発された検出プローブが用いられる。こ
の検出グローブは、ヒエーエルパッノ1の走査電子順微
鏡検査第1巻1979年発行の第285頁−第318頁
第5図(290頁)K記載されている。前記シーメンス
検出器グローブは又2アゼ力ス着の1走査電子ビーム!
四−フVLSIテ、グエレクtロニクス1981年7月
14日発行の第105頁−第112頁第5図(1o9J
j)に記載されている。前記位置制御ハードウェアJ2
によりて前記チ、グ22上の%定の位置に前記ビーム2
4t−正確に照射することは前記チラノ220表面形状
に対し、前記ビーム位置制御ハードウェアJ2によって
電子ビームに録を行うことで可能とされている。前1+
、電子ビーム記録は通常知られている技術である。電子
ビーム記録O好ま、しい方法は前記テ。
の検出グローブは、ヒエーエルパッノ1の走査電子順微
鏡検査第1巻1979年発行の第285頁−第318頁
第5図(290頁)K記載されている。前記シーメンス
検出器グローブは又2アゼ力ス着の1走査電子ビーム!
四−フVLSIテ、グエレクtロニクス1981年7月
14日発行の第105頁−第112頁第5図(1o9J
j)に記載されている。前記位置制御ハードウェアJ2
によりて前記チ、グ22上の%定の位置に前記ビーム2
4t−正確に照射することは前記チラノ220表面形状
に対し、前記ビーム位置制御ハードウェアJ2によって
電子ビームに録を行うことで可能とされている。前1+
、電子ビーム記録は通常知られている技術である。電子
ビーム記録O好ま、しい方法は前記テ。
f2xの表面上の予め定められ九位置に正確に配置され
た図示されてないか非常に小さな整列マークを使用する
ことである。前記マークは基本部材と異なる数の原子番
号を有する例えば金により禍成される・前記ビーム24
の照射方向は、ビームが前記整列マークに衝央すると正
確に記録される。二次放出電子の束はビーム24か前記
整列マークKli突するときにはいつで4前記整列マー
ク部材の異なる原子番号が原因で変更され、このi−り
材に対するビームの記録を信号化して行う電子の束の変
更は前記コンピュータ18.20によって記録される。
た図示されてないか非常に小さな整列マークを使用する
ことである。前記マークは基本部材と異なる数の原子番
号を有する例えば金により禍成される・前記ビーム24
の照射方向は、ビームが前記整列マークに衝央すると正
確に記録される。二次放出電子の束はビーム24か前記
整列マークKli突するときにはいつで4前記整列マー
ク部材の異なる原子番号が原因で変更され、このi−り
材に対するビームの記録を信号化して行う電子の束の変
更は前記コンピュータ18.20によって記録される。
試験信号と、試販中に前記ラッグ2211C供給される
クロック信号を受けた前記中にする手段86の同期、動
作は既に知られていた。このような技術は前記テップ2
2における実動作状態が擬似化されているので1ダイナ
ミツク試験”と呼ぶことができる。しかしながら、この
発F!#は又、一定電圧が前記パッド30の全てに供給
され、その結果実動作状態の擬似化が行なわれないよう
な静的試験を行うこと本できる。
クロック信号を受けた前記中にする手段86の同期、動
作は既に知られていた。このような技術は前記テップ2
2における実動作状態が擬似化されているので1ダイナ
ミツク試験”と呼ぶことができる。しかしながら、この
発F!#は又、一定電圧が前記パッド30の全てに供給
され、その結果実動作状態の擬似化が行なわれないよう
な静的試験を行うこと本できる。
この発明は、又どんな知能選択をも行なわずに、前記チ
ラノ22における任意に選゛ばれた一路節目の非常に多
くの―に対しても試験の丸めに使用されることができる
。例えば、まれな例ではあるが、前記回路テラfxzの
はとんど全ての回路節目に対する試験をも行なうことか
できる・ この発明Fi特に上述しない他の実施例をも包含する0
例えにル−プが試験中の集積回路の内部節目を照明する
た°め前記電子ビーム発生器JOに代えて使用されるこ
とができる0節目電圧を検出するため、液晶層100は
集積回路の表面上に一時的に配置され、この液晶層10
0によってレーザビームの反射の強さがビームによって
アドレス謹定されたその下の節目の電圧を推示する。こ
の発明の好ましい実施例で行なわれる電子ビーム検出の
場合においては、前記液晶Nl110・0から反射され
たレーデビームはこのレーザビームによってアドレス孔
定された真下の節目の近傍から放出された放射線として
検出される。 − 上述したこの発明の知能グロー デシ2テムは低価格で
桑株回路の内sj1目を試験するための自由競走商業ラ
インにおいて最初の実用的に使−用されると信じられて
いる。前記コンビ晶−タ−″J s # J o#i全
自動化を計った龜のである。
ラノ22における任意に選゛ばれた一路節目の非常に多
くの―に対しても試験の丸めに使用されることができる
。例えば、まれな例ではあるが、前記回路テラfxzの
はとんど全ての回路節目に対する試験をも行なうことか
できる・ この発明Fi特に上述しない他の実施例をも包含する0
例えにル−プが試験中の集積回路の内部節目を照明する
た°め前記電子ビーム発生器JOに代えて使用されるこ
とができる0節目電圧を検出するため、液晶層100は
集積回路の表面上に一時的に配置され、この液晶層10
0によってレーザビームの反射の強さがビームによって
アドレス謹定されたその下の節目の電圧を推示する。こ
の発明の好ましい実施例で行なわれる電子ビーム検出の
場合においては、前記液晶Nl110・0から反射され
たレーデビームはこのレーザビームによってアドレス孔
定された真下の節目の近傍から放出された放射線として
検出される。 − 上述したこの発明の知能グロー デシ2テムは低価格で
桑株回路の内sj1目を試験するための自由競走商業ラ
インにおいて最初の実用的に使−用されると信じられて
いる。前記コンビ晶−タ−″J s # J o#i全
自動化を計った龜のである。
前記小さなビームの径と位置決めハードウェアIdta
記ビームとプローツt−1平方、センナメートルより小
さい領域において−単に直ちに位置決めさせる。前記e
−ムの短かいII?ルヌ期間は試験中の回路の重い容量
負荷を避け、一方、試験信号と試験中の一路に供給され
るクロック信号とビームの同期は検出された電圧信号の
信号に対するノイズ比を高めることができる。
記ビームとプローツt−1平方、センナメートルより小
さい領域において−単に直ちに位置決めさせる。前記e
−ムの短かいII?ルヌ期間は試験中の回路の重い容量
負荷を避け、一方、試験信号と試験中の一路に供給され
るクロック信号とビームの同期は検出された電圧信号の
信号に対するノイズ比を高めることができる。
第1図は、この発明の知能グローブ試験システムを説明
するためのブロックダイヤグラム、第2図′は、第1図
に示すセントラルコンビ&−ターの**i素t素読−説
明ブロックダイヤグラム、第3図は第1図に示すサテラ
イトコンビ為−ターの栴成l!素を&明する′プロ、ク
ダイヤグラム及び第4図は第1図に示すビーム位置制御
ハードウェアをhqするブロックダイヤグラムである。 10・・・電子ビーム発生器、28・・・回路バイアス
及び入力信号バードウ;ア、14・・・検出協。 、 出願人代理人 −弁理士 鈴 江 武 彦、F
ig、 3゜ Fig、 4゜
するためのブロックダイヤグラム、第2図′は、第1図
に示すセントラルコンビ&−ターの**i素t素読−説
明ブロックダイヤグラム、第3図は第1図に示すサテラ
イトコンビ為−ターの栴成l!素を&明する′プロ、ク
ダイヤグラム及び第4図は第1図に示すビーム位置制御
ハードウェアをhqするブロックダイヤグラムである。 10・・・電子ビーム発生器、28・・・回路バイアス
及び入力信号バードウ;ア、14・・・検出協。 、 出願人代理人 −弁理士 鈴 江 武 彦、F
ig、 3゜ Fig、 4゜
Claims (1)
- 徊数の内部節目の内、選択された一つの節目上ビームで
照らし出す手段と;外部との接続のためKしけられるI
Il数のノ臂ッドの内、選択されたパッドに対して選択
された信号を同時に供給するための手段と;及び前記節
目の近傍から放□出きれた放射線ott−検出し、前記
放射線量から=aされた節目の電位t&する手段とより
成る集&回路チ、ゾt−試験する装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US32039281A | 1981-11-12 | 1981-11-12 | |
| US320392 | 1981-11-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889838A true JPS5889838A (ja) | 1983-05-28 |
Family
ID=23246206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57195421A Pending JPS5889838A (ja) | 1981-11-12 | 1982-11-09 | 集積回路チツプを試験する装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0081295A1 (ja) |
| JP (1) | JPS5889838A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3335671A1 (de) * | 1983-09-30 | 1985-04-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur lokalisierung von zeitkritischen vorgaengen im innern einer getakteten elektronischen schaltung |
| DE3437550A1 (de) * | 1984-10-12 | 1986-04-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur fehleranalyse an integrierten schaltungen |
| US4695794A (en) * | 1985-05-31 | 1987-09-22 | Santa Barbara Research Center | Voltage calibration in E-beam probe using optical flooding |
| JPH0646550B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1994-06-15 | 株式会社東芝 | 電子ビ−ム定位置照射制御方法および電子ビ−ム定位置照射制御装置 |
| US4706019A (en) * | 1985-11-15 | 1987-11-10 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Electron beam test probe system for analyzing integrated circuits |
| GB8600711D0 (en) * | 1986-01-13 | 1986-02-19 | Jones R H | Testing electrical chip |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4065212A (en) * | 1975-06-30 | 1977-12-27 | International Business Machines Corporation | Inspection tool |
-
1982
- 1982-11-08 EP EP82305943A patent/EP0081295A1/en not_active Withdrawn
- 1982-11-09 JP JP57195421A patent/JPS5889838A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0081295A1 (en) | 1983-06-15 |
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