JPS5889873A - 半導体圧力変換器 - Google Patents

半導体圧力変換器

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Publication number
JPS5889873A
JPS5889873A JP56188615A JP18861581A JPS5889873A JP S5889873 A JPS5889873 A JP S5889873A JP 56188615 A JP56188615 A JP 56188615A JP 18861581 A JP18861581 A JP 18861581A JP S5889873 A JPS5889873 A JP S5889873A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
silicon
pressure transducer
bonded
stem
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56188615A
Other languages
English (en)
Inventor
Norio Matsuda
松田 典朗
Osamu Ina
伊奈 治
Takahide Kawamura
河村 敬秀
Takao Akatsuka
赤塚 隆夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Toyota Jidosha Kogyo KK
NipponDenso Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp, Toyota Jidosha Kogyo KK, NipponDenso Co Ltd filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to JP56188615A priority Critical patent/JPS5889873A/ja
Publication of JPS5889873A publication Critical patent/JPS5889873A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/50Devices controlled by mechanical forces, e.g. pressure

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特に自動車の吸気マニホールド圧検出用に好
適な半導体圧力変換器に係り、特に耐環境性に優れたハ
ンダ接着構造に関する。
(1) 半導体圧力変換器の構造は、第1図に代表的に示される
如く、圧力導入t%%イブ6と一体化された金属ステム
3に、金属ステム3の熱歪を緩和する目的で所望の熱膨
張係数を有する材質で出来た台座2を、この台座2に設
けた穴2Aが前記バイブロの穴と一致するようにして接
着剤8により接着し、さらにシリコンダイヤフラム1を
前記台座2上に、この台座2の穴2Aをふさぐように接
着剤7により接着している。前記シリコンダイヤフラム
1には拡散等により歪ゲージIAが形成されており、歪
ゲージIAは図示しない電気配線を介してボンディング
ワイヤ4により、−ハーメチックシール9により電気的
に絶縁されたリードビン5に接続している。キャップ1
0を前記ステム3に嵌′合し、その外周部13を接着ま
たは溶接している。
絶対圧型圧力変換器を構成する場合は、前記キャンプl
Oに設けである通気穴11を通常は真空槽内においても
封じる侍とにより真空室12を形成する−これらの構造
は従凍でも、本発明でも同様であるが、前記接着剤7.
8として、従来はガラ(2) ス、Au−3i共晶、ハンダ、シリコーンゴム等が各々
の目的に合せて使われているのが一般的である。
ところが、自動車用圧力変換器、特に吸気マニホールド
圧力を検出する場合に於ては、吸気マニホールド雰囲気
、使用温度範囲、振動等の環境条件に耐えることが要求
され、さらにコスト的な制約もある。そこで、耐環境性
にすぐれ、低コストの自動車用圧力変換器を提供するた
めには、上記従来構造において接着剤7.8を要求に合
ったものにする必要が生じてきた。
本発明の目的−は、吸気マニホールド雰囲気に関し耐食
性のあるハンダを選定し、ハンダ接着による高信頼性、
低コストの自−車用半導体圧力変換器を提供することに
ある。
以上の目的を達成するために、本発明では鉛pbを蒼有
しない錫Sn系ハンダを接着剤として採用することにし
た。以下S’n系ハンダ核用理由について実験結果を示
し説明する。自動車の吸気マニホールド雰囲気は一般に
ガン。リン、還流排気ガス(3) (EGR)−、エンジンオイル、湿気及び空気の混合状
態であり、これ等ガス中の有害成分とハンダ組織の関裸
に於て、ガソリンが酸化して生成する有機酸、つまりガ
ソリン成分中には例えばヘキセンC6Hn、KプセンC
7Ht4、オクテン011H1b等の炭化水素が混在し
ており、活性なものは酸素と反応しギ酸、酢酸等を生成
するもの、によりハ゛ンダが腐食することが考えられる
。第2図は、オクテンを酸化させて作った実験試液に、
一定形状のハンダ試料片を浸漬し加速腐食試験Iした結
果”であり、この結果よりpbを含有しないSn系ハン
ダ(特性(ニ))が耐食性に優れていることがわかる。
なお、図中特性(イ)、はハンダとしてPb2.5Sn
の場合、特性(ロ)はPb−60Snの場合、特性(ハ
)はP−b−90Snの場合、特性(ニ)は本発明に係
りS n −2S b 、 S n −5Sb。
Sn  10Auなどpbを含有しないSn系ハンダの
場合を示している。
以下、pbを含有しな&>Sn系ハンダを半導体圧力変
換器の接着剤とした場合の実施例について(4) 第1図で説明する。なお、前述した従来構造の説明と重
複するところは省略する。シリコン台座2の両面および
シリコンダイヤフラム1の接着面にはあらかじめNlメ
ッキによるメタライズ層を形成してあり、前記シリコン
台座と、表面にNiメッキしたF e −N i合金(
この場合F e −42Ni)ステム3をハンダ(本例
では5n−2Sb)8により気密接着し、またシリコン
台!2とシリコンダイヤフラム1をハンダ(S n −
2S b) 7で気密接着している。前記ステム3と、
表面にNiメッキしたキャンプ(この場合鉄製)10を
嵌合し、その周辺部13を気密的に溶接している。さら
に本実施例では、真空槽内で通気穴11をハーンダ(P
b−603n)により気密的に封じることにより真空室
12を形成し、絶対正形圧力変換器とした。
、以上の如く構成された絶対圧型圧力変換器の出力は長
時間に安定であり、また通称ラジフロと呼ばれる方法で
気密試験を実施した結果 1x 1o−’!“/sec、at謡以下のリークレー
トが得(5) られており、接着剤として採用したハンダで真空室の気
密が保てることが実証できた。更に、自動車のエンジン
ルームに上記圧力変換器を取−り付け、吸気マニホール
ドと圧力変換器の注力導入バイブロをゴムホースで配管
した状態でso、ooo−走行後に於ても真空室の気密
性に異常はなく、正常に作動しており前記マニホールド
雰囲気に触れるハンダ表面の腐食も発生していないこ・
とが確かめられている。、ちなみに、同時に前記条件に
て走行したpbを含有するハンダ(Pb−2,53n)
で接着した圧力変換器では、前記雰囲気に触れるハンダ
表面が変質し白色の生成物が発生しており、分析の結果
前記生成物はハンダ中の、Pbが腐食してできたPbの
酸化物(PbCO)、2PbCC)3・Pb(OH)謙
 等)であった。
次に、シリコンダイヤフラムlとシリコン台座2をハン
ダ7で接着する構造に於て、シリコンの熱膨張係数(2
,6xlO−’1:/’c)に比ベハンダの熱膨張係数
は約1桁大きく、この熱膨張係数の差による影響を前記
シリコンダイヤフラムは機械(6) 的歪として検出してしまい圧力変換器の精度が得られな
いという問題が発生するが、本実施例に於ては、第3図
に示す如くハンダの厚みと出力変化量の関係を実験的に
明らかにし、ハンダ厚みを5〜25μmにコントロール
することにより1%FS(FSはO〜1000100O
absのことで、コルレンジでの変化量が1%以内のこ
とを示す)の精度を。
得ている。
以上、本実施例では接着剤8、接着剤7をハンダ(Sn
−2Sb)で接着しているが、接着剤8を前記ハンダで
接着し、接着剤7を例えばガラスとした構造においても
、また接着剤7を前記パンダで接着し接着剤8を例えば
Au−3i共晶とした構造に於ても前記ハンダの効果が
期待できることは言うまでもない、また、本実施例では
Sn系ハンダ接着剤として5n−2Sbについて説明し
たが、これは特に限定するものではなく例えば5n−2
,5Ag、Sn−ISn−l5b−IA、I G。
(7) 以上の如く本発明では、Sn系ハンダで接着する構造に
する−とにより、吸気マニホールド雰囲気に対し耐食性
を有する構造にでき、かつ接着作業が簡単で量産性のあ
や、低コストの圧力変換器が提供できる。
さらに本発明では、ハンダ接着部の厚みを5〜25μm
にコントロールすることにより、高精度で長時間出力の
安定な圧力変換器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を説明するための半導体圧力変換器の断
面図、第2図はハンダの耐食性実験結果の一例を示す図
、第3図はハンダの厚みと温度サイクル試験(−40℃
(へ)120℃、1cph)100サイクルでの出力変
化量の関係を示す図であ−る。 1・・・シリコンダイヤフラム、2・・・台座、3・・
・ステム、4・・・ボンディングワイヤ、5・・・リー
ドピン、6・・・パイプ、7・・・接着剤、8・・・接
着剤、9・・・ハーメチックシール、10・・・キャッ
プ、11・・・通気穴。 (8)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、シリコンダイヤフラム、このシリコンダイヤフラム
    の熱膨張係数と近似または同一品熱膨張係数を有し前記
    シリコンダイヤフラムを支持する台座、およびこの台座
    を支持するステムを有する半導体圧力変換器において、
    前記シリコンダイヤフラムと前記台座間および前記台座
    と前記ステム関の少なくとも一方の接着には、鉛(P 
    b)  を含有。 しない錫(Sn)系ハンダで接着する構造としたことを
    特徴とする半導体圧力変換器。 2、前記ハンダの厚みを5〜25μme設定したことを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記戦の半導体圧力変換
    器。
JP56188615A 1981-11-24 1981-11-24 半導体圧力変換器 Pending JPS5889873A (ja)

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ID=16226772

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59217864A (ja) * 1983-05-20 1984-12-08 アイジー工業株式会社 パネルを用いた壁の縦目地構造
JPS62266877A (ja) * 1986-05-14 1987-11-19 Fuji Electric Co Ltd 半導体式圧力センサ
EP1677090A1 (de) * 2004-12-30 2006-07-05 Trafag AG Drucksensor

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5337370B1 (ja) * 1970-04-17 1978-10-07
JPS56142431A (en) * 1980-03-10 1981-11-06 Siemens Ag Pressure sensor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5337370B1 (ja) * 1970-04-17 1978-10-07
JPS56142431A (en) * 1980-03-10 1981-11-06 Siemens Ag Pressure sensor

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59217864A (ja) * 1983-05-20 1984-12-08 アイジー工業株式会社 パネルを用いた壁の縦目地構造
JPS62266877A (ja) * 1986-05-14 1987-11-19 Fuji Electric Co Ltd 半導体式圧力センサ
EP1677090A1 (de) * 2004-12-30 2006-07-05 Trafag AG Drucksensor

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