JPS5890729A - Ｘ線マスク製作方法 - Google Patents
Ｘ線マスク製作方法Info
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- JPS5890729A JPS5890729A JP56188803A JP18880381A JPS5890729A JP S5890729 A JPS5890729 A JP S5890729A JP 56188803 A JP56188803 A JP 56188803A JP 18880381 A JP18880381 A JP 18880381A JP S5890729 A JPS5890729 A JP S5890729A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本＠鋼は１μｍ以下の値線パターンの転写に威力を発揮
するＸ１ｉｌｉｌリングラフイの分野におけるＸ線マス
クの作製方法に関するものである。
するＸ１ｉｌｉｌリングラフイの分野におけるＸ線マス
クの作製方法に関するものである。
Ｘ線リングラフィの実用化に奢いて、実用的で十分なマ
スクコントラストを持ったＸ線マスク作＃ｖＬｌｉＩ′
ｔ−確立することが重要なｌ１題の一つであることは論
をまたない。４〜１３Ａの１１Ｌ長の軟Ｘ線が通常よく
用いられるが、この波長領域で十分なマスクコントラス
トを侮るためには、はとんど例外なく用いられるＡｕの
吸収体バター／の場合、〜８０００Ａ以上のＡｕ１Ｚ）
ＩＩＩ厚が必要である。しかもＸ線リングラフィの特長
を生かすために、吸収体パターンの線巾としてはサブ４
クーンが要求される。このような線巾がサブ４クーンで
厚膜の人Ｕｖ）吸収体バター／を形成する技４１ｔ−確
立することは、一つの重要な課題である。この方面の代
機的従来挾術忙説明する。第１図はＡ、吸収体パターン
形成プロセスを示す０例えば１９８０年に発行された刊
行物ジャパニーズ・ジャーナル嗜オグ・アプライド・フ
ィツクス（Ｊｐ、、 ’ ＊ムｐｐｌ Ｐｈｙｓ、）、
図が４１！りている。 （１）（ｌｏｏ）面方位の８１
ワエク戸−１上に、減圧ＣＶＤ法によってａｉＮ 履２
を形成する。メッキベースとなるＡｕＩＩ（１００Ａ厚
）３、厚膜のポリイミド１ｌｌ（１２μｍ厚）４．電子
ビームレジストを頑？Ｘ形成する。電子線織元によって
、必要なレジストパターン５が得られる。（２）ポリイ
ミドｌＩをエツチングするための中間マスクを形成ｒる
ために、Ｔｉ６ｔ−蒸着する。リフトオフプロセスによ
って、レジス）を除去し、Ｉｌｌ 、マスクを形成する
。（３）几Ｆｆｉ、応性スバ、タエ、チングによって、
′ｒＩ をマスクとして、ポリイミドパターン７を形成
丁Ｆ、 １４）ＡｕのＸ線後収体パターン８ｔ−１Ｉｔ
気メ、＋法によって形成する＠ （５）ポリイミドパタ
ーンと、鑵去し、披収坏パターンの無いところのメッキ
ベースであるＡ、 Ｉｌ！をＲ１スバ、タエッチングで
鑵去し、ｊ＆僕にＳ ｉ ｖ７−ｃ／％−の反対ｍｔＫ
ＯＨ（ｇ Ｍ ｖＣ工ってエツチングして、Ｘ線マスク
が光成する。本方床の特徴、工、厚膜のポリイミドパタ
ーンτ７８４し、それを利用して厚膜のＡｕの吸収体パ
ターンを形成する点にある。
スクコントラストを持ったＸ線マスク作＃ｖＬｌｉＩ′
ｔ−確立することが重要なｌ１題の一つであることは論
をまたない。４〜１３Ａの１１Ｌ長の軟Ｘ線が通常よく
用いられるが、この波長領域で十分なマスクコントラス
トを侮るためには、はとんど例外なく用いられるＡｕの
吸収体バター／の場合、〜８０００Ａ以上のＡｕ１Ｚ）
ＩＩＩ厚が必要である。しかもＸ線リングラフィの特長
を生かすために、吸収体パターンの線巾としてはサブ４
クーンが要求される。このような線巾がサブ４クーンで
厚膜の人Ｕｖ）吸収体バター／を形成する技４１ｔ−確
立することは、一つの重要な課題である。この方面の代
機的従来挾術忙説明する。第１図はＡ、吸収体パターン
形成プロセスを示す０例えば１９８０年に発行された刊
行物ジャパニーズ・ジャーナル嗜オグ・アプライド・フ
ィツクス（Ｊｐ、、 ’ ＊ムｐｐｌ Ｐｈｙｓ、）、
図が４１！りている。 （１）（ｌｏｏ）面方位の８１
ワエク戸−１上に、減圧ＣＶＤ法によってａｉＮ 履２
を形成する。メッキベースとなるＡｕＩＩ（１００Ａ厚
）３、厚膜のポリイミド１ｌｌ（１２μｍ厚）４．電子
ビームレジストを頑？Ｘ形成する。電子線織元によって
、必要なレジストパターン５が得られる。（２）ポリイ
ミドｌＩをエツチングするための中間マスクを形成ｒる
ために、Ｔｉ６ｔ−蒸着する。リフトオフプロセスによ
って、レジス）を除去し、Ｉｌｌ 、マスクを形成する
。（３）几Ｆｆｉ、応性スバ、タエ、チングによって、
′ｒＩ をマスクとして、ポリイミドパターン７を形成
丁Ｆ、 １４）ＡｕのＸ線後収体パターン８ｔ−１Ｉｔ
気メ、＋法によって形成する＠ （５）ポリイミドパタ
ーンと、鑵去し、披収坏パターンの無いところのメッキ
ベースであるＡ、 Ｉｌ！をＲ１スバ、タエッチングで
鑵去し、ｊ＆僕にＳ ｉ ｖ７−ｃ／％−の反対ｍｔＫ
ＯＨ（ｇ Ｍ ｖＣ工ってエツチングして、Ｘ線マスク
が光成する。本方床の特徴、工、厚膜のポリイミドパタ
ーンτ７８４し、それを利用して厚膜のＡｕの吸収体パ
ターンを形成する点にある。
しかし・了かり、このような従来技術は次のような欠点
を有している。それは前ｇ＋２）の工程のＴｉのリフト
オフによって中間マスクを形成している点にある。Ｍ２
図ｔもつで詳しくｒ６Ｌｌｉする。す７トオフプｐセス
の成否の鍵は、レジストバター／の形状にあり、それが
逆台形の形状２１でなげればならないとい５ことは一般
によく知られた事実である。垂直壁あるいゼよ台形の形
状の４合は、６要な金Ｊ１４貞パターン２２と阪レジス
トパターンとが壁面でｊすることになり、リフトオフに
よる■レジストパターンの４去がうま（いρ）ない事が
多い。従っで、逆台形の形状を優るということが必須の
条件となる。１子＃ＩＡＩＩＬ光によって逆台形レジス
トパターンを得ようとすることりよ、１４元条件及び４
律条件等に２いて普遍極めて雇用範囲が狭く、１！Ｌ４
的に困蟻度が＾いとｄわざるｔ得ない。これが第ｌの欠
点である。さらに第２図をよく櫨でいると容易に気が付
くことであるが、２１のよ５１ｉ逆台形の形状でめ°る
と、本質的には黴−パターン（特にサグミクｐツバター
ン）Ｏ形成には不同きである。すｒ（わら、逆台形の傭
ばか、リフトオフを十分１’Ｊｌｆｌとするために、あ
る必要な傾斜を持たねばならず、このことは逆台形バタ
ー／の微細化量ζＩＬＬＩｌ ＋ｉτ与んゐ。従つＣ、
サブミクｐンノ（ターンを再現ＮＬ↓く潜るには、す７
オフプロセスは不向さでθろ５と志わルる。ところで、
ｘ４Ｍリングラフィの成犬Ｊ）特長、工、サプミクｐン
／（ターンの転写が命ので容易Ｖこ出来るということで
ある。従りＣ１本メ的サすミクｐンパターンの形成に不
向き１ｉリフトオフブーセスは問題であるとｄわざるｔ
優ない。こＩしが第２の欠点である。
を有している。それは前ｇ＋２）の工程のＴｉのリフト
オフによって中間マスクを形成している点にある。Ｍ２
図ｔもつで詳しくｒ６Ｌｌｉする。す７トオフプｐセス
の成否の鍵は、レジストバター／の形状にあり、それが
逆台形の形状２１でなげればならないとい５ことは一般
によく知られた事実である。垂直壁あるいゼよ台形の形
状の４合は、６要な金Ｊ１４貞パターン２２と阪レジス
トパターンとが壁面でｊすることになり、リフトオフに
よる■レジストパターンの４去がうま（いρ）ない事が
多い。従っで、逆台形の形状を優るということが必須の
条件となる。１子＃ＩＡＩＩＬ光によって逆台形レジス
トパターンを得ようとすることりよ、１４元条件及び４
律条件等に２いて普遍極めて雇用範囲が狭く、１！Ｌ４
的に困蟻度が＾いとｄわざるｔ得ない。これが第ｌの欠
点である。さらに第２図をよく櫨でいると容易に気が付
くことであるが、２１のよ５１ｉ逆台形の形状でめ°る
と、本質的には黴−パターン（特にサグミクｐツバター
ン）Ｏ形成には不同きである。すｒ（わら、逆台形の傭
ばか、リフトオフを十分１’Ｊｌｆｌとするために、あ
る必要な傾斜を持たねばならず、このことは逆台形バタ
ー／の微細化量ζＩＬＬＩｌ ＋ｉτ与んゐ。従つＣ、
サブミクｐンノ（ターンを再現ＮＬ↓く潜るには、す７
オフプロセスは不向さでθろ５と志わルる。ところで、
ｘ４Ｍリングラフィの成犬Ｊ）特長、工、サプミクｐン
／（ターンの転写が命ので容易Ｖこ出来るということで
ある。従りＣ１本メ的サすミクｐンパターンの形成に不
向き１ｉリフトオフブーセスは問題であるとｄわざるｔ
優ない。こＩしが第２の欠点である。
本発明の１的よ、こ・〕よ５；、ｌＥ米の入点を艙云Ｃ
しめて一子一一尤に＝るａ′ｊｔ、栄件反び現９１条件
号ｔよりｖｋｌ（転）し、本質的に微鱗ノくターン形成
に通したｔｒ規ｔｘ−マスク作薬方伝を提供することに
ｊ） ＠ 。
しめて一子一一尤に＝るａ′ｊｔ、栄件反び現９１条件
号ｔよりｖｋｌ（転）し、本質的に微鱗ノくターン形成
に通したｔｒ規ｔｘ−マスク作薬方伝を提供することに
ｊ） ＠ 。
本９６四によＡ、よ、レジス、トに描画された／くター
ンτ曽属濃バター７へと及保し、該金Ｉ１４膜／（ター
／ｌマスクとして４い付機膜パターンτ形成し、ば訂慎
膜パターンを利用してメッキ法によってＸ−吸収体パタ
ーンを形成し、該有愼幌Ｉ（ター／を除去してＸ線マス
ク用の吸収体パターンを優る。
ンτ曽属濃バター７へと及保し、該金Ｉ１４膜／（ター
／ｌマスクとして４い付機膜パターンτ形成し、ば訂慎
膜パターンを利用してメッキ法によってＸ−吸収体パタ
ーンを形成し、該有愼幌Ｉ（ター／を除去してＸ線マス
ク用の吸収体パターンを優る。
Ｘ線マスク作製方法に２いＣ，レジストに描画されたパ
ターンを金属膜パターンへと変換する＠ＶＣ、パターン
ニ／グ１れ化レジストバターｙ金マスクとしＣ、ドライ
エ、チング法によりて、厚い有損膜上全面にあら力）し
め形成されていた金Ｊ！膜を工、チングして、前記金属
膜パ匁−ンを優ることを特徴とｒるＸ線マスク作製方法
が得られる。
ターンを金属膜パターンへと変換する＠ＶＣ、パターン
ニ／グ１れ化レジストバターｙ金マスクとしＣ、ドライ
エ、チング法によりて、厚い有損膜上全面にあら力）し
め形成されていた金Ｊ！膜を工、チングして、前記金属
膜パ匁−ンを優ることを特徴とｒるＸ線マスク作製方法
が得られる。
以下本発明について実施例を示す図面を参照して説明す
る。第３−μ、−実施４ｓを示すＸ線マスクのＡＨ吸収
体バター７形成ブーセス図である。
る。第３−μ、−実施４ｓを示すＸ線マスクのＡＨ吸収
体バター７形成ブーセス図である。
（１）、ｉｉクエノ・−１上に、プラズマＣＶＩ）法に
ぶって膜上にスバ、り蒸着する。ｌ！厚１．２μｍ根度
のポリイミド膜４ｔ−スピン億布し、２５０℃以上の高
温ベーキング処理をする。この工程までは前述した従来
技術と大き（は変らない。厚膜ポリイミド膜全ｍ上ＫＡ
１３６ｔＪＩＫ１０００〜２０００Ａ Ｘ空ＫＭする。
ぶって膜上にスバ、り蒸着する。ｌ！厚１．２μｍ根度
のポリイミド膜４ｔ−スピン億布し、２５０℃以上の高
温ベーキング処理をする。この工程までは前述した従来
技術と大き（は変らない。厚膜ポリイミド膜全ｍ上ＫＡ
１３６ｔＪＩＫ１０００〜２０００Ａ Ｘ空ＫＭする。
λｌｌ上上電子線４元用レジスト、例えはＰＭＭＡをス
ピンＩ！！布し、電子線露光によって必要なレジストパ
ターン５ｔ４る。（２）レジストバターｙ５ｆマスクと
して、反応性スバツタエ、チング（例えｒｉ′ｑｃ＋４
ガスを用いる）によりてＡ１３６を明ＶこよるＪｌｒｍ
のブーセスである。（３）〜（５）ｄ従来技碩と大きく
は変らないのでＷ＆明を省略する。゛新規のプロセスに
ついて峠しく説明する。反応性スバ、タエ、チ／グ等の
ドライエ、チング法によって嶌 有機膜１全−に形成された金属膜をエツチングして、必
要な金属の中間マスクを帰ることが本発明の？＃値であ
る。８ｔＩ記Ａｌｌ［３６″を反応性スバ、タエッチノ
グする摩の必ｌ！なンジストバター７５についてである
が、こ）ｔｌより７トオフ法では必須である避台ノｅパ
ター７を特に必要としない。反応性スバツタエ、チング
１よ、本質的にはレジストパターンマスクｋｆした基板
面に対してほぼ！！！直に入射する反応はイオンによる
エーチングであるから、垂瀘方ＩＱＩ ７）ＴｈりみＣ
レジストパターンで櫨われていない所であれば、そこの
被工、チンダ＊ｔエツチングする。従うて、レジストバ
ター／形状が特に逆台形である必要はなく、適当な形状
のレジストパターンであればよい。すなわち、側面かは
ぼ垂直の形状をしたレジストパターン、あるいは、金属
膜とレジストのエツチング比が十分大きい場合は、側面
がやや外＠に傾斜（台形状）したようなレジストパター
ン（または垂直側面の上部の角がとれてやや円形に近い
ようなレジストパターン）等で十分である。一般にレジ
ストのパターンがほぼ垂直＠間となる工うＫ１１１元条
件、現像条件等を最適化すること、あるいは通常台形状
のパターンが出来やすいことが普通であり、またこのた
めの緒条−件は、逆台形レジストパターンを得るための
諸条件と比べて、はるかにゆるやかである。電子線露光
０Ｊ１１１合も事情は同様であるが、電子４！１露元に
よりてリフトオフ法の九めＯ逆台形し之ストパターンを
得るためのｇ条件は、光学罵光等の他の方法と比べてむ
しろさらに困錐であると言う方が適切である。前述した
ように、反応性スバ、タエッチング法の場オ、逆台形レ
ジストバター７を必要としない。従って新規ブーセスで
は、−子線露光ＶこよりＣレジストパターンを形成する
峰の露光条件及び＃Ｌ潅末件等をより緩和することがで
きる。
ピンＩ！！布し、電子線露光によって必要なレジストパ
ターン５ｔ４る。（２）レジストバターｙ５ｆマスクと
して、反応性スバツタエ、チング（例えｒｉ′ｑｃ＋４
ガスを用いる）によりてＡ１３６を明ＶこよるＪｌｒｍ
のブーセスである。（３）〜（５）ｄ従来技碩と大きく
は変らないのでＷ＆明を省略する。゛新規のプロセスに
ついて峠しく説明する。反応性スバ、タエ、チ／グ等の
ドライエ、チング法によって嶌 有機膜１全−に形成された金属膜をエツチングして、必
要な金属の中間マスクを帰ることが本発明の？＃値であ
る。８ｔＩ記Ａｌｌ［３６″を反応性スバ、タエッチノ
グする摩の必ｌ！なンジストバター７５についてである
が、こ）ｔｌより７トオフ法では必須である避台ノｅパ
ター７を特に必要としない。反応性スバツタエ、チング
１よ、本質的にはレジストパターンマスクｋｆした基板
面に対してほぼ！！！直に入射する反応はイオンによる
エーチングであるから、垂瀘方ＩＱＩ ７）ＴｈりみＣ
レジストパターンで櫨われていない所であれば、そこの
被工、チンダ＊ｔエツチングする。従うて、レジストバ
ター／形状が特に逆台形である必要はなく、適当な形状
のレジストパターンであればよい。すなわち、側面かは
ぼ垂直の形状をしたレジストパターン、あるいは、金属
膜とレジストのエツチング比が十分大きい場合は、側面
がやや外＠に傾斜（台形状）したようなレジストパター
ン（または垂直側面の上部の角がとれてやや円形に近い
ようなレジストパターン）等で十分である。一般にレジ
ストのパターンがほぼ垂直＠間となる工うＫ１１１元条
件、現像条件等を最適化すること、あるいは通常台形状
のパターンが出来やすいことが普通であり、またこのた
めの緒条−件は、逆台形レジストパターンを得るための
諸条件と比べて、はるかにゆるやかである。電子線露光
０Ｊ１１１合も事情は同様であるが、電子４！１露元に
よりてリフトオフ法の九めＯ逆台形し之ストパターンを
得るためのｇ条件は、光学罵光等の他の方法と比べてむ
しろさらに困錐であると言う方が適切である。前述した
ように、反応性スバ、タエッチング法の場オ、逆台形レ
ジストバター７を必要としない。従って新規ブーセスで
は、−子線露光ＶこよりＣレジストパターンを形成する
峰の露光条件及び＃Ｌ潅末件等をより緩和することがで
きる。
また、・又応性スバツタエ、チングの大きな特長は、本
′Ｊｆ１／、Ｉにサブミクａｙｓ巾の微細パターンの形
成に１していることである。従来、数ミクロン以上の、
１１１１１］？Ｌ−持つ坐導体・桑積回路の製造プロセ
スにはケミカル−、チ／グが行われていたが、ケミカル
エツチングの場合はアンダー力、ト等の重大な閲遊点が
あり１本質的に微細パターンの形成には不同きである。
′Ｊｆ１／、Ｉにサブミクａｙｓ巾の微細パターンの形
成に１していることである。従来、数ミクロン以上の、
１１１１１］？Ｌ−持つ坐導体・桑積回路の製造プロセ
スにはケミカル−、チ／グが行われていたが、ケミカル
エツチングの場合はアンダー力、ト等の重大な閲遊点が
あり１本質的に微細パターンの形成には不同きである。
反応性スバ、タエ、チ／グにおいて、１．ｆｉ基板面ズ
ブしてほぼ垂直に人−する反応性イオンの効果が大であ
り、腋工、チ／グ傅のエツチング形状を刷と容易に基板
面に対してほば垂直にすることができる。ρ）つ容易ｖ
ｃ７ンダーカツトの雇いバター／ｌ−４るエツチング条
件を見出すことかでさる。ｖｔりで、反応性スバ、タエ
、チングは不ｔｔｎｔこサグ４りｐンパターンの形成に
適している０則述のように本発明の新規プロセスは、反
応性スバツタエ、チングによって必要な金属の中間マス
クを得る工程を含んでおり、腋エツチング技術の特長を
十分に生かすことができる。すなわち本質的に微細パタ
ーン形成に遍したＸ線マスク作裂プロセスを得ることが
でき、発明の目的を達成できる。
ブしてほぼ垂直に人−する反応性イオンの効果が大であ
り、腋工、チ／グ傅のエツチング形状を刷と容易に基板
面に対してほば垂直にすることができる。ρ）つ容易ｖ
ｃ７ンダーカツトの雇いバター／ｌ−４るエツチング条
件を見出すことかでさる。ｖｔりで、反応性スバ、タエ
、チングは不ｔｔｎｔこサグ４りｐンパターンの形成に
適している０則述のように本発明の新規プロセスは、反
応性スバツタエ、チングによって必要な金属の中間マス
クを得る工程を含んでおり、腋エツチング技術の特長を
十分に生かすことができる。すなわち本質的に微細パタ
ーン形成に遍したＸ線マスク作裂プロセスを得ることが
でき、発明の目的を達成できる。
以上本発明を反応性スバ、タエ、チングを言むプロセス
′を例に説明してきたが、本発明はスバ。
′を例に説明してきたが、本発明はスバ。
タエ、チング、反応性イオンビームエツチング、イオ／
ビームエ、チング等のいわゆる異方性エツチングの可能
なドライエ、チングを含むプロセスに過用しても前述し
たと同様超微細パターン化をもたらしうるものである。
ビームエ、チング等のいわゆる異方性エツチングの可能
なドライエ、チングを含むプロセスに過用しても前述し
たと同様超微細パターン化をもたらしうるものである。
また中間金属涙としてはＡＩ を例にとって説明してき
たが、Ｔｉ、＋Ｓｉ、Ｍ、、Ｃ，等の他の金Ｍｌｌｌヲ
使用した場合も本発明の範囲内であることは言うまでも
ｌよい。
たが、Ｔｉ、＋Ｓｉ、Ｍ、、Ｃ，等の他の金Ｍｌｌｌヲ
使用した場合も本発明の範囲内であることは言うまでも
ｌよい。
さらに本ｍｌ１ｊ１１を通用するならば、第一にＸ線リ
ングラフィの最大の特長である超ａｍパターンサグミク
ロンパターンの転写を可能とするＸ線マス夕を得ること
ができ、第二に＃！敏祷で４痕のムＵの吸収体パターン
ｔ−確実に得ることができるＸ線マスク作表′、ｈ法を
提供でさ、第三に本発明によりるＸ−マスク、高ｉ度し
ジスト反び＊ｉ八へ十数人の範囲の渡統θ収Ｘ縁を放射
する線源との組合せによ、てＸ轍すソグラフィの実用化
・と一段と促進することができる。
ングラフィの最大の特長である超ａｍパターンサグミク
ロンパターンの転写を可能とするＸ線マス夕を得ること
ができ、第二に＃！敏祷で４痕のムＵの吸収体パターン
ｔ−確実に得ることができるＸ線マスク作表′、ｈ法を
提供でさ、第三に本発明によりるＸ−マスク、高ｉ度し
ジスト反び＊ｉ八へ十数人の範囲の渡統θ収Ｘ縁を放射
する線源との組合せによ、てＸ轍すソグラフィの実用化
・と一段と促進することができる。
ン形成プロセスを示す図、第２図はリフトオフプ凶でめ
心。
心。
凶において、１ｒｉ８４りＸ ” ＊ ２は８ｉＮ
膜、３、よメッキペースＪ、４はポリイミド膜、５は電
子繊摘−されたレジストパターン、６はＴム蒸着躾、
７ｒよポリイミドパターン、８ばＸａａ収体ムパター
ン、２１Ｖ′Ｘ艷台形レジストバター／、２２は金属膜
パターン、３６は蒸着Ａ１１ｌｌ、３７は中。
膜、３、よメッキペースＪ、４はポリイミド膜、５は電
子繊摘−されたレジストパターン、６はＴム蒸着躾、
７ｒよポリイミドパターン、８ばＸａａ収体ムパター
ン、２１Ｖ′Ｘ艷台形レジストバター／、２２は金属膜
パターン、３６は蒸着Ａ１１ｌｌ、３７は中。
間マスクとしての人１ｍｌパターンを示ｆ。
拠乙図
Claims (1)
- レジストに痛−ざｊしたパターンを金属膜パターンに度
−し、前記金属膜パターンｆマスクとしＣ厚いｉ砿護パ
ター７を形成し、罰紀有機展パターンで利用してメ、＋
法によってＸ線吸収体パターンを形成し、前記有機膜バ
ター／を除去してＸ線マスク用の吸収体パターンｆ４る
Ｘ線マスク作製方法において、レジスト１（縞−された
パターン金途属膜バター：／ｒｃｆ侠する摩に、厚い奮
機膜上全ｍｌにめらかじの形成された金属膜を工、チン
グしＣ，前１金ＡＩ！パターンを得ることを特徴とする
Ｘ＠マスク作作方方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188803A JPS5890729A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | Ｘ線マスク製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188803A JPS5890729A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | Ｘ線マスク製作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890729A true JPS5890729A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16230071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56188803A Pending JPS5890729A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | Ｘ線マスク製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59213131A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-03 | Toshiba Corp | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| US4939052A (en) * | 1986-02-03 | 1990-07-03 | Fujitsu Limited | X-ray exposure mask |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56188803A patent/JPS5890729A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59213131A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-03 | Toshiba Corp | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| US4939052A (en) * | 1986-02-03 | 1990-07-03 | Fujitsu Limited | X-ray exposure mask |
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