JPS5890734A - 計測用試料台 - Google Patents
計測用試料台Info
- Publication number
- JPS5890734A JPS5890734A JP56188990A JP18899081A JPS5890734A JP S5890734 A JPS5890734 A JP S5890734A JP 56188990 A JP56188990 A JP 56188990A JP 18899081 A JP18899081 A JP 18899081A JP S5890734 A JPS5890734 A JP S5890734A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- board
- gas
- temperature
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体デバイスに関する評価技術に係り、ウ
ェハの状態においても計測が可能であるガスの温度及び
／又は流量の変化により試料の温度変化な生起させる計
測用試料台に関するものである。
ェハの状態においても計測が可能であるガスの温度及び
／又は流量の変化により試料の温度変化な生起させる計
測用試料台に関するものである。
近時、半導体デバイス技術の向上は割目すべきものがあ
る。それに伴い、その評価技術もより高度な方法に移行
しつつある。特に、温度特性、熱非平衡−熱平衡遷移特
性等の評価法はライフタイム或いは欠陥レベル等を定量
的に簡便に計測可能であることにより多用されている。
る。それに伴い、その評価技術もより高度な方法に移行
しつつある。特に、温度特性、熱非平衡−熱平衡遷移特
性等の評価法はライフタイム或いは欠陥レベル等を定量
的に簡便に計測可能であることにより多用されている。
しかし、これらの計測方法なインラインプロセスで採用
する場合、非常に多くの問題が発生する。
する場合、非常に多くの問題が発生する。
例えば、低温特性ケ計測する場合、試料の露結等の問題
が発生し、ウニ・・の状態における評価には採用不可能
であった。
が発生し、ウニ・・の状態における評価には採用不可能
であった。
従来−試料の低温特性の計測は、次の２つの方法により
行なわれていた。その第１は、試料を蒸発窒素ガス内に
七゛ツトする方法、その第２は、試料を液体窒素に浸漬
した金属台にセットする方法である、。
行なわれていた。その第１は、試料を蒸発窒素ガス内に
七゛ツトする方法、その第２は、試料を液体窒素に浸漬
した金属台にセットする方法である、。
しかし、従来技術には、（１）ウエノ・の状態における
計測が不可能である。、（２１（１）の欠点ン除去する
ため、グロビングケ行なう装置ケ付加した場合は、その
装置全体り密閉した容器等に収容し、かつ。
計測が不可能である。、（２１（１）の欠点ン除去する
ため、グロビングケ行なう装置ケ付加した場合は、その
装置全体り密閉した容器等に収容し、かつ。
その容器内に乾燥状態の窒素ケ充満させる必要がある。
以上の欠点？考慮すると従来技術により簡便にウニ・・
の状態におけろ試料の評価はほとんど不可能に近（・。
の状態におけろ試料の評価はほとんど不可能に近（・。
本発明は、上述した従来技術の欠点及び前述した評価法
をウニ・・の状態における試料の評価へ適用することケ
考慮した場合の次の条件、すなわち（１）試料台が液体
窒素の温度（摂氏−１９ｇ）まで冷却可能であり、かつ
、試料の表面の露結及び露結等が防止可能であること。
をウニ・・の状態における試料の評価へ適用することケ
考慮した場合の次の条件、すなわち（１）試料台が液体
窒素の温度（摂氏−１９ｇ）まで冷却可能であり、かつ
、試料の表面の露結及び露結等が防止可能であること。
（２） 試料にタングステン探針等により容易に接触
可能であること。
可能であること。
（３）試料台が雑音等の外乱に強いこと。
（４）試料台が接地に附し十分な絶縁性り有すること。
に鑑みて、試料の露結等？防止し、ウニ・・の状態にお
ける試料の評価な可能にする試料台を提供することな目
的とする。
ける試料の評価な可能にする試料台を提供することな目
的とする。
次に、本発明の一実施例な添付の図面を引用して説明す
る。
る。
第１図において、絶縁体１に試料台２な貫挿する。該試
料台２の胴体下部中央に直流電源によるヒータ３ヶ埋め
込む。上記絶縁体ｌより下部に存在する試料台２０部分
に冷却フィン４ケ形成する。
料台２の胴体下部中央に直流電源によるヒータ３ヶ埋め
込む。上記絶縁体ｌより下部に存在する試料台２０部分
に冷却フィン４ケ形成する。
該冷却フィン４？囲繞するようにらせん状ガスライン５
を設けろ。該ガスライン５は試料台２の中空？成す部分
６に連通し、また、外部の管７に連通する。また、上記
試料台２０犬部分を液体窒素が充填している容器８内に
浸漬する。
を設けろ。該ガスライン５は試料台２の中空？成す部分
６に連通し、また、外部の管７に連通する。また、上記
試料台２０犬部分を液体窒素が充填している容器８内に
浸漬する。
また、上記絶縁体ｌより上部に存在する試料台２０部分
で−かつ、上記絶縁体ｌの近傍に加熱された窒素を通過
させる管９な設ける。そして１、試料台２の最上部の近
傍に真奢ライン１（１−設ける。
で−かつ、上記絶縁体ｌの近傍に加熱された窒素を通過
させる管９な設ける。そして１、試料台２の最上部の近
傍に真奢ライン１（１−設ける。
また、上記試料台２の最上部にガス変流キャップ１１及
び熱電対１２に設ける。
び熱電対１２に設ける。
外部管７を通過した窒素ガスは容器８内に設けたガスラ
イン５ヶ通過し、容器８に充填している散体窒素に接触
し、かつ、その冷却効率？向上させるため゛の冷却フィ
ン４との相乗効果により冷却され、かつ、乾燥状態にな
・る。
イン５ヶ通過し、容器８に充填している散体窒素に接触
し、かつ、その冷却効率？向上させるため゛の冷却フィ
ン４との相乗効果により冷却され、かつ、乾燥状態にな
・る。
窒素ガスは更に試料台２のほぼ中央の中空部６２堰處し
て、第２図に示すように、試料台２０表１ｍと平行な方
向に屈曲し、試料台２の上部全体を瞳うよう（ｌこして
噴出し、試料台２に載置した試料１３ケ冷却し、かつ−
試料１３と大気との接触ケ遮断する。真空ラインＩＯは
試料１３？試料台２により強固に固定するＴこめ、そし
て、熱電対１２は試料１３の温度検出［使用する。
て、第２図に示すように、試料台２０表１ｍと平行な方
向に屈曲し、試料台２の上部全体を瞳うよう（ｌこして
噴出し、試料台２に載置した試料１３ケ冷却し、かつ−
試料１３と大気との接触ケ遮断する。真空ラインＩＯは
試料１３？試料台２により強固に固定するＴこめ、そし
て、熱電対１２は試料１３の温度検出［使用する。
次に、試ｆ４＋３を加熱する場合は、試料台２に設けた
加熱窒素通過管９から加熱かつ、乾燥状態の高温の窒素
ガス？使用する。
加熱窒素通過管９から加熱かつ、乾燥状態の高温の窒素
ガス？使用する。
この高温の窒素カスと低温の窒素ガスとの切り換えのＴ
こめ、中空ｓ６と窒素通過管９との双方に切り換え弁（
図示せず）を設ける。
こめ、中空ｓ６と窒素通過管９との双方に切り換え弁（
図示せず）を設ける。
試料１３の加熱はヒータ３により行なってもよいが、試
料計測器に対する雑音等の混入？考慮しｆこ場合、ヒー
タ３によるときは、電源から雑音等が入りやすいため、
高温ガスケ通過管９から進入させる方がより望ましい。
料計測器に対する雑音等の混入？考慮しｆこ場合、ヒー
タ３によるときは、電源から雑音等が入りやすいため、
高温ガスケ通過管９から進入させる方がより望ましい。
本発明は以上のような構成を有するから、（１）ウェハ
の状態における試料の評価が可能となる。（２）試料台
が液体窒素の温度（摂氏−１９♂）まで冷却可能である
。（３）試料台が雑音信号等の外乱に強い。
の状態における試料の評価が可能となる。（２）試料台
が液体窒素の温度（摂氏−１９♂）まで冷却可能である
。（３）試料台が雑音信号等の外乱に強い。
（４）試料台が接地に対し十分な絶縁性？有する等の効
果がある。
果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例による試料台等を示す断面
図、第２図は同実施例による試料台の一部分を示す拡大
図である。 ｌ・・・絶縁体、２・・・試料台、５・・・らせん状ガ
スライン、６・・・試料台の中空部、８・・・液体窒素
の容器。 ９・・・窒素通過管、１１・・・ガス変流キャップ、１
３・・・試料。 特許出願人 クラリオン株式会社
図、第２図は同実施例による試料台の一部分を示す拡大
図である。 ｌ・・・絶縁体、２・・・試料台、５・・・らせん状ガ
スライン、６・・・試料台の中空部、８・・・液体窒素
の容器。 ９・・・窒素通過管、１１・・・ガス変流キャップ、１
３・・・試料。 特許出願人 クラリオン株式会社
Claims (4)
- （１） 試料台に載置した試料にガスを供給する手段
ケ有し、該ガスの温度及び／又は流量の変化により試料
の温度の変化なさせるように構成したことな％徴とする
計測用試料台。 - （２）前起ガスケ液体ガスにより冷却するように構成し
たこと？特徴とする特許請求の範囲第１項記載の計測用
試料台。 - （３） 前記カス供給手段は高温ガス又は低温ガス２
切り換えて試料に供給するように構成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の計測用試料
台。 - （４） 前記カスが前記試料と大気とを遮断する如く
供給するように構成したこと？特徴とする特許請求の範
囲第１ｇ４乃至第３項の内いずれかに記載の計測用試料
台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188990A JPS5890734A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 計測用試料台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188990A JPS5890734A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 計測用試料台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890734A true JPS5890734A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16233448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56188990A Pending JPS5890734A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 計測用試料台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890734A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5310978A (en) * | 1976-07-19 | 1978-01-31 | Hitachi Ltd | Integrated circuit heating tool |
| JPS53144682A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-16 | Fujitsu Ltd | Testing method of semiconductor devices |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56188990A patent/JPS5890734A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5310978A (en) * | 1976-07-19 | 1978-01-31 | Hitachi Ltd | Integrated circuit heating tool |
| JPS53144682A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-16 | Fujitsu Ltd | Testing method of semiconductor devices |
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