JPH0718957Y2 - 高温超伝導体アニーリング炉用内槽 - Google Patents
高温超伝導体アニーリング炉用内槽Info
- Publication number
- JPH0718957Y2 JPH0718957Y2 JP5248988U JP5248988U JPH0718957Y2 JP H0718957 Y2 JPH0718957 Y2 JP H0718957Y2 JP 5248988 U JP5248988 U JP 5248988U JP 5248988 U JP5248988 U JP 5248988U JP H0718957 Y2 JPH0718957 Y2 JP H0718957Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner tank
- oxygen
- high temperature
- annealing furnace
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、高温超伝導体アニーリング炉用の内槽に関
し、詳しくはBa、Sr、Caなど潮解性物質を含む高温超伝
導体をアニーリングするのに適した内槽に関するもので
ある。
し、詳しくはBa、Sr、Caなど潮解性物質を含む高温超伝
導体をアニーリングするのに適した内槽に関するもので
ある。
（従来の技術） 従来、市販されている高温超伝導体のアニーリング炉33
は、第３図に示すように炉内34に酸素供給口35から酸素
を還流しながら試料を高温加熱する構造となっており、
内部の炉壁36は耐熱性のセラミックファイバーを接着剤
で固めて形成されている。
は、第３図に示すように炉内34に酸素供給口35から酸素
を還流しながら試料を高温加熱する構造となっており、
内部の炉壁36は耐熱性のセラミックファイバーを接着剤
で固めて形成されている。
（考案が解決しようとする問題点） 本考案者は、従来の高温超伝導体用のアニーリング炉に
次のような欠点があることを見出した。
次のような欠点があることを見出した。
アニーリング炉の炉壁の接着剤には吸湿性を有するシリ
カが含まれており、アニーリングを行わない時には、炉
壁は炉内の空気中の湿気（水蒸気）を吸収し、含んでい
る。このため、加熱をして高温になると吸収した湿気を
排出する。その結果、Ba、Sr、Caなど潮解性物質を含む
高温超伝導体が、加熱時に炉壁から排出される湿気（水
蒸気）を吸収し、臨界温度Tcの低下など超伝導特性を劣
化することが判った。
カが含まれており、アニーリングを行わない時には、炉
壁は炉内の空気中の湿気（水蒸気）を吸収し、含んでい
る。このため、加熱をして高温になると吸収した湿気を
排出する。その結果、Ba、Sr、Caなど潮解性物質を含む
高温超伝導体が、加熱時に炉壁から排出される湿気（水
蒸気）を吸収し、臨界温度Tcの低下など超伝導特性を劣
化することが判った。
（問題点を解決するための手段） 上記の問題点を解決するために、本考案は高温超伝導体
アニーリング炉内部に設置される密閉可能な内槽であ
り、この内槽が吸湿性をもたない耐熱性の材料から形成
されており、前記アニーリング炉外部から導かれた清浄
な乾燥酸素を前記内槽内部に供給する酸素供給口を有
し、且つまた上部に酸素排出口を有することを特徴とす
る。
アニーリング炉内部に設置される密閉可能な内槽であ
り、この内槽が吸湿性をもたない耐熱性の材料から形成
されており、前記アニーリング炉外部から導かれた清浄
な乾燥酸素を前記内槽内部に供給する酸素供給口を有
し、且つまた上部に酸素排出口を有することを特徴とす
る。
（作用） 本考案は、吸湿性をもたない耐熱性の材料で形成された
密閉可能な内槽であり、上部に酸素の排出口を設けてい
るため、比重の重い酸素が、比重の軽い内槽内部の空気
中の窒素や水蒸気を上方に押し上げて上部の排出口から
外部に排出するので超伝導試料が高純度の酸素に晒され
ることになる。従って、加熱前に試料の入った内槽内部
の空気中の水蒸気や外側の炉壁から放出される水蒸気を
排出し、酸素を内槽内部に供給しながら試料を高温加熱
するので、炉壁から排出される水蒸気は全く試料に作用
することがなく、高温超伝導特性を劣化することがなく
なる。
密閉可能な内槽であり、上部に酸素の排出口を設けてい
るため、比重の重い酸素が、比重の軽い内槽内部の空気
中の窒素や水蒸気を上方に押し上げて上部の排出口から
外部に排出するので超伝導試料が高純度の酸素に晒され
ることになる。従って、加熱前に試料の入った内槽内部
の空気中の水蒸気や外側の炉壁から放出される水蒸気を
排出し、酸素を内槽内部に供給しながら試料を高温加熱
するので、炉壁から排出される水蒸気は全く試料に作用
することがなく、高温超伝導特性を劣化することがなく
なる。
（考案の効果） 本考案によれば、炉壁から排出される水蒸気に影響され
ることなく、水蒸気の存在しない内槽内で清浄な乾燥酸
素を供給しながら高温超伝導体試料をアニーリングする
ことができるので、Ba、Sr、Caなどを含む高温超伝導体
の特性を劣化することがない。
ることなく、水蒸気の存在しない内槽内で清浄な乾燥酸
素を供給しながら高温超伝導体試料をアニーリングする
ことができるので、Ba、Sr、Caなどを含む高温超伝導体
の特性を劣化することがない。
（実施例） 〔実施例の１〕 第１図は本考案の高温超伝導体アニーリング炉用内槽の
一実施例を断面で示す正面図である。
一実施例を断面で示す正面図である。
高温超伝導体アニーリング炉11の内部に設置した内槽14
は、上蓋15で密閉される。なお、パッキング等での気密
な密閉を施す必要はなく、単に上蓋15を内槽に置くだけ
でよい。内槽14は石英、ジルコニア、アルミナなど吸湿
性をもたない耐熱性の材料から形成される。内槽の上部
・上蓋15にはアニーリング炉外部から導かれた酸素16を
パイプ18を介して酸素供給口17より内槽内部に供給す
る。19は酸素排出口である。
は、上蓋15で密閉される。なお、パッキング等での気密
な密閉を施す必要はなく、単に上蓋15を内槽に置くだけ
でよい。内槽14は石英、ジルコニア、アルミナなど吸湿
性をもたない耐熱性の材料から形成される。内槽の上部
・上蓋15にはアニーリング炉外部から導かれた酸素16を
パイプ18を介して酸素供給口17より内槽内部に供給す
る。19は酸素排出口である。
高温超伝導体試料12の入った内槽14の内部には、最初
（加熱前）、空気が入っているので、供給口17から炉外
で乾燥、清浄に処理した酸素を供給して排出口19より排
出する。高温（900℃）加熱時に炉壁13から排出される
水蒸気は、内槽で遮断され、内部の試料に影響を及ぼす
ことがない。そのため、高温超伝導特性を劣化すること
がない。なお、酸素排出口19より排出された空気及び酸
素更には炉内の水蒸気は、アニーリング炉11上部から図
中矢印によって示される様に炉外に排出される。
（加熱前）、空気が入っているので、供給口17から炉外
で乾燥、清浄に処理した酸素を供給して排出口19より排
出する。高温（900℃）加熱時に炉壁13から排出される
水蒸気は、内槽で遮断され、内部の試料に影響を及ぼす
ことがない。そのため、高温超伝導特性を劣化すること
がない。なお、酸素排出口19より排出された空気及び酸
素更には炉内の水蒸気は、アニーリング炉11上部から図
中矢印によって示される様に炉外に排出される。
〔実施例の２〕 第２図は、本考案の第２の実施例を断面で示す正面図で
あり、実施例の１に基づいて改良した装置である。
あり、実施例の１に基づいて改良した装置である。
高温超伝導体アニーリング炉21の内部において、底23を
有する円筒形状の内槽22は、アルミナなどの吸湿性をも
たない耐熱性の材料で製作し、固定台24上に据え付けら
れている。また、前記内槽22の底23との反対側筒面に
は、内槽を開閉する適度な気密性を有するフランジ形状
の蓋が設けられている。前記蓋を取り外すと、内槽内に
は、超伝導試料26を乗せるアルミナ製の試料台25を装備
しており、前記試料台は内槽内部を上部の試料室と下部
の酸素導入室に分割している。底23の下方には、酸素導
入室に炉外から酸素を供給する供給口28があり、アニー
リング炉21の供給口と酸素供給パイプ27によって連結し
ている。一方、底23の上方には空気、水蒸気、酸素等の
排出口29が設けられている。
有する円筒形状の内槽22は、アルミナなどの吸湿性をも
たない耐熱性の材料で製作し、固定台24上に据え付けら
れている。また、前記内槽22の底23との反対側筒面に
は、内槽を開閉する適度な気密性を有するフランジ形状
の蓋が設けられている。前記蓋を取り外すと、内槽内に
は、超伝導試料26を乗せるアルミナ製の試料台25を装備
しており、前記試料台は内槽内部を上部の試料室と下部
の酸素導入室に分割している。底23の下方には、酸素導
入室に炉外から酸素を供給する供給口28があり、アニー
リング炉21の供給口と酸素供給パイプ27によって連結し
ている。一方、底23の上方には空気、水蒸気、酸素等の
排出口29が設けられている。
高温超伝導体の試料を内槽内の中央部に設置し、内槽の
蓋をし、アニーリング炉の蓋を閉じる。外部から乾燥、
清浄に処理した酸素を内槽に供給しながら電源を入れて
加熱する。炉内温度が上昇すると、アニーリング炉壁か
ら水蒸気が放出されるが、内槽によって遮断されている
ため試料に影響を及ぼすことがない。また、供給される
酸素は、供給口28から入り、内槽の試料台25の下方の酸
素導入室部を流れ、内槽蓋の近傍の間隙から上昇し、試
料の設置されている部屋に入る。供給口から入った酸素
は、空気中の窒素等より比重が重く、加熱前に内槽内に
溜まっていた空気を酸素排出口29から押し出す。従っ
て、試料が900℃の高温で焼鈍される頃には空気や水蒸
気が除去されており、試料は清浄な乾燥酸素に晒される
ことになり、高温超伝導特性を劣化させることがなくな
る。また、酸素は供給口から試料台の下方を流れる経路
が加熱され、試料に接する時には設定温度（例えば900
℃）に近づいているため、試料表面の温度が設定温度よ
り極端に低くすることがない。なお、酸素排出口19より
内槽22から排出された空気及び酸素更には炉内の水蒸気
は、アニーリング炉21上部から図中矢印によって示され
る様に炉外に排出される。
蓋をし、アニーリング炉の蓋を閉じる。外部から乾燥、
清浄に処理した酸素を内槽に供給しながら電源を入れて
加熱する。炉内温度が上昇すると、アニーリング炉壁か
ら水蒸気が放出されるが、内槽によって遮断されている
ため試料に影響を及ぼすことがない。また、供給される
酸素は、供給口28から入り、内槽の試料台25の下方の酸
素導入室部を流れ、内槽蓋の近傍の間隙から上昇し、試
料の設置されている部屋に入る。供給口から入った酸素
は、空気中の窒素等より比重が重く、加熱前に内槽内に
溜まっていた空気を酸素排出口29から押し出す。従っ
て、試料が900℃の高温で焼鈍される頃には空気や水蒸
気が除去されており、試料は清浄な乾燥酸素に晒される
ことになり、高温超伝導特性を劣化させることがなくな
る。また、酸素は供給口から試料台の下方を流れる経路
が加熱され、試料に接する時には設定温度（例えば900
℃）に近づいているため、試料表面の温度が設定温度よ
り極端に低くすることがない。なお、酸素排出口19より
内槽22から排出された空気及び酸素更には炉内の水蒸気
は、アニーリング炉21上部から図中矢印によって示され
る様に炉外に排出される。
第１図は、本考案の第１の実施例を断面で示す正面図、 第２図は、本考案の第２の実施例を断面で示す正面図、 第３図は、従来の高温超伝導体用アニーリング炉を断面
で示す正面図である。 （符号の説明） 11,21,33……高温超伝導体用アニーリング炉、12,26…
…高温超伝導試料、13,30,36……炉壁、14,22……内
槽、15……蓋、16……酸素、17,28,35……酸素供給口、
18,27……酸素供給パイプ、19,29……酸素排出口、20…
…ヒーター、23……底、24……固定台、25……試料台、
31……試料室、32……酸素導入室。
で示す正面図である。 （符号の説明） 11,21,33……高温超伝導体用アニーリング炉、12,26…
…高温超伝導試料、13,30,36……炉壁、14,22……内
槽、15……蓋、16……酸素、17,28,35……酸素供給口、
18,27……酸素供給パイプ、19,29……酸素排出口、20…
…ヒーター、23……底、24……固定台、25……試料台、
31……試料室、32……酸素導入室。
Claims (1)
- 【請求項１】高温超伝導体アニーリング炉内部に設置さ
れる密閉可能な内槽であり、この内槽が吸湿性をもたな
い耐熱性の材料から形成されており、前記アニーリング
炉外部から導かれた酸素を前記内槽内部に供給する酸素
供給口を有し、且つ又上部に酸素排出口を有することを
特徴とする高温超伝導体アニーリング炉用内槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5248988U JPH0718957Y2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 高温超伝導体アニーリング炉用内槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5248988U JPH0718957Y2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 高温超伝導体アニーリング炉用内槽 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158099U JPH01158099U (ja) | 1989-10-31 |
| JPH0718957Y2 true JPH0718957Y2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=31278490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5248988U Expired - Lifetime JPH0718957Y2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 高温超伝導体アニーリング炉用内槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0718957Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-04-19 JP JP5248988U patent/JPH0718957Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01158099U (ja) | 1989-10-31 |
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