JPS589073B2 - タンカケイソシツホゴカン - Google Patents
タンカケイソシツホゴカンInfo
- Publication number
- JPS589073B2 JPS589073B2 JP46071341A JP7134171A JPS589073B2 JP S589073 B2 JPS589073 B2 JP S589073B2 JP 46071341 A JP46071341 A JP 46071341A JP 7134171 A JP7134171 A JP 7134171A JP S589073 B2 JPS589073 B2 JP S589073B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- silicon
- impregnated
- molded body
- tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は例えば熱電対等の測定時に保護管として用い
られる耐スポーリング性炭化珪素質成形体の製造方法に
関する。
られる耐スポーリング性炭化珪素質成形体の製造方法に
関する。
最近熱電対などの保護管として、再結晶炭化珪素に溶融
シリコンを含浸させてその見掛気孔率を１係程度にした
ものの用途が広まっている。
シリコンを含浸させてその見掛気孔率を１係程度にした
ものの用途が広まっている。
これは１５００℃の高温でも変形せず、しかも化学的に
安定なので例えばアルミニウムを主とした溶融金属の測
温用保護管として有効である。
安定なので例えばアルミニウムを主とした溶融金属の測
温用保護管として有効である。
しかし、このものは熱膨脹の異なる２種の成分が緻密に
組合さっているので従来から使用されている鋳鉄製保護
管に比較すると明らかに耐スポーリング性に劣る。
組合さっているので従来から使用されている鋳鉄製保護
管に比較すると明らかに耐スポーリング性に劣る。
従ってシリコンを含浸した炭化珪素質保護管の課題は耐
熱性、耐蝕性等の有効な特性を残したままで高温に対す
る耐スポーリングン性を向上させることにあるとされて
きた。
熱性、耐蝕性等の有効な特性を残したままで高温に対す
る耐スポーリングン性を向上させることにあるとされて
きた。
この発明の目的はかかる要請に応えたもので，炭化珪素
を主成分としこれに溶融シリコンを含浸させて見掛気孔
率を極力小さくした保護管の耐スポーリング性を向上さ
せることにある。
を主成分としこれに溶融シリコンを含浸させて見掛気孔
率を極力小さくした保護管の耐スポーリング性を向上さ
せることにある。
すなわちこの発明は遊離炭素１係以上を含ませた炭化珪
素質の成形体を２１００℃以下の溶融シリコンの下で処
理し、成形体の表面から溶融シリコンを含浸させてシリ
コンのを含浸部分を層状あるいは分散状に形成させるこ
とを特徴とする耐スポーリング性炭化珪素質成形体の製
造方法である。
素質の成形体を２１００℃以下の溶融シリコンの下で処
理し、成形体の表面から溶融シリコンを含浸させてシリ
コンのを含浸部分を層状あるいは分散状に形成させるこ
とを特徴とする耐スポーリング性炭化珪素質成形体の製
造方法である。
一般に炭素は炭化珪素に比べて溶融シリコンに濡れにく
いので、遊離炭素を含む炭化珪素成型体に溶融シリコン
を含浸させるとシリコンは炭化珪素の部分へ選択的に含
浸され、遊離炭素の部分は未含浸の状態で残る。
いので、遊離炭素を含む炭化珪素成型体に溶融シリコン
を含浸させるとシリコンは炭化珪素の部分へ選択的に含
浸され、遊離炭素の部分は未含浸の状態で残る。
また炭化珪素成型体に溶融シリコンを含浸させるとシリ
コンは炭化珪素の部分へ選択的に含浸され、遊離炭素の
部分は未含浸の状態で残る。
コンは炭化珪素の部分へ選択的に含浸され、遊離炭素の
部分は未含浸の状態で残る。
また炭化珪素成型体に遊離炭素が含まれると溶融シリコ
ンが成型体表面から内部へ拡散する速度が著しく小さく
なるので、含浸の処理時間を調節することにより、未含
浸部分を層状に形成させたり、分散状に形成させたりす
ることが容易にできる。
ンが成型体表面から内部へ拡散する速度が著しく小さく
なるので、含浸の処理時間を調節することにより、未含
浸部分を層状に形成させたり、分散状に形成させたりす
ることが容易にできる。
なお、この処理での温度および時間は比較的低温、短時
間とし、温度については２１００℃以下、好ましくは２
０００℃以下、時間については成形体の大きさによって
１律に決し得ないが，繊密炭化珪素品を得る従来法と比
較して明確に短時間とする。
間とし、温度については２１００℃以下、好ましくは２
０００℃以下、時間については成形体の大きさによって
１律に決し得ないが，繊密炭化珪素品を得る従来法と比
較して明確に短時間とする。
遊離炭素の含有率が大きくなるほど溶融シリコンの拡散
速度が小さくなるので遊離炭素の量を調節して含浸の処
理時間を決めることも可能である。
速度が小さくなるので遊離炭素の量を調節して含浸の処
理時間を決めることも可能である。
なお炭化珪素成型体中の遊離炭素量は１〜２０チの範囲
が適当である。
が適当である。
以下実施の態様を図面に基づいて説明する。
第１図および第２図中１は炭化珪素質の保護管本体であ
り、これの内外両側面から溶融シリコンを拡散させて含
浸層２，３を内周および外周に沿って層状に形成してな
る。
り、これの内外両側面から溶融シリコンを拡散させて含
浸層２，３を内周および外周に沿って層状に形成してな
る。
したがってこれら両層２，３に挾まれる如く未含浸部４
が形成されている。
が形成されている。
第３図、第４図に示すものでは保護管１の内外両側面か
ら含浸した溶融シリコンが遊離炭素の少ない所に含浸し
て部分的につながった含浸部５が形成され、未含浸部４
が分散状に残っている。
ら含浸した溶融シリコンが遊離炭素の少ない所に含浸し
て部分的につながった含浸部５が形成され、未含浸部４
が分散状に残っている。
実施例 １
重量割合で粒径８４ミクロンの炭化珪素粉４０部、粒径
４６ミクロンの炭化珪素粉６０部、エチルアルコール７
部を加えて混練した後、これをラバープレスで外径３０
ｎＬ，内径２０ｔＬ，長さ１０００ｍｍの深護管に成型
し２００℃１時間の加熱でフエノールレジンを硬化させ
た。
４６ミクロンの炭化珪素粉６０部、エチルアルコール７
部を加えて混練した後、これをラバープレスで外径３０
ｎＬ，内径２０ｔＬ，長さ１０００ｍｍの深護管に成型
し２００℃１時間の加熱でフエノールレジンを硬化させ
た。
この硬化後に２０００℃の溶融シリコンに１５分間浸漬
してシリコンを含浸させたものの切断面は中心部約１ｍ
ｍが未含浸層として残っていた。
してシリコンを含浸させたものの切断面は中心部約１ｍ
ｍが未含浸層として残っていた。
すなわち第１図の如く形成された。
このように形成された常温の保護管を９００℃の溶融ア
ルミニウム中に５０回繰返し挿入したが、保護管にクラ
ツクや浸蝕等の異常はなかった。
ルミニウム中に５０回繰返し挿入したが、保護管にクラ
ツクや浸蝕等の異常はなかった。
実施例 ２
重量割合で粒径２２１ミクロン炭化珪素粉６０部、粒径
１０ミクロンの炭化珪素粉４０部、力一ボンブランク５
部を混合し、フエノールレジン１０部、エチルアルコー
ル５部を加えて混練した後、これをラバープレスで外径
２０ｍｍ，内径１２ｍｔ，長さ５００ｍｍの保護管に成
型し２００℃で１時間加熱してフェノールレジンを硬化
させた。
１０ミクロンの炭化珪素粉４０部、力一ボンブランク５
部を混合し、フエノールレジン１０部、エチルアルコー
ル５部を加えて混練した後、これをラバープレスで外径
２０ｍｍ，内径１２ｍｔ，長さ５００ｍｍの保護管に成
型し２００℃で１時間加熱してフェノールレジンを硬化
させた。
硬化後の保護管を２１００℃に溶融シリコンに１０分間
浸漬してシリコンを含浸させた。
浸漬してシリコンを含浸させた。
シリコンを含浸した保護管の切断面を顕微鏡で観察する
と０．０５〜０．２ｎｍの大きさの未含浸部分が分散し
ていた。
と０．０５〜０．２ｎｍの大きさの未含浸部分が分散し
ていた。
すなわち第３図の如く形成された。この常温の保護管を
９００℃の溶融アルミニウム中に５０回繰返して挿入し
たが、保護管にはクラツクおよび浸蝕等の異常はなかっ
た。
９００℃の溶融アルミニウム中に５０回繰返して挿入し
たが、保護管にはクラツクおよび浸蝕等の異常はなかっ
た。
以上詳述した如く、この発明は炭化珪素成形体にシリコ
ンの未含浸部分を層状もしくは分散状に形成し、熱衝撃
に対して未含浸部分が膨脹、収縮のクッションとして働
くようにしたから、耐スポーリング性が従来の同材質の
ものに較べて著しく向上するという効果がある。
ンの未含浸部分を層状もしくは分散状に形成し、熱衝撃
に対して未含浸部分が膨脹、収縮のクッションとして働
くようにしたから、耐スポーリング性が従来の同材質の
ものに較べて著しく向上するという効果がある。
かかる炭化珪素保護管は測温管の他に半導体桜散用チュ
ーブ，例えばプロセスチューブ、ライナー管、或いはガ
ス吹込管として有効に利用できる。
ーブ，例えばプロセスチューブ、ライナー管、或いはガ
ス吹込管として有効に利用できる。
また、かかる炭化珪素材はその特異な性質からルツボと
しても利用可能である。
しても利用可能である。
図はこの発明の実施によって得られた保護管を示し、第
１図はシリコンの未含浸部分が含浸層の中央に円環状の
層で形成された炭化珪素保護管の一部切欠した側面図、
第２図は第１図の横断面図、第３図はシリコンの未含浸
部分が含浸層に分散状に形成された炭化珪素保護管の一
部切欠した側面図、第４図は第３図の横断面図である。 １・・・・・・炭化珪素保護管、２・・・・・・含浸層
、３・・・・・・含浸層、４・・・・・・未含浸部、５
・・・・・・含浸部。
１図はシリコンの未含浸部分が含浸層の中央に円環状の
層で形成された炭化珪素保護管の一部切欠した側面図、
第２図は第１図の横断面図、第３図はシリコンの未含浸
部分が含浸層に分散状に形成された炭化珪素保護管の一
部切欠した側面図、第４図は第３図の横断面図である。 １・・・・・・炭化珪素保護管、２・・・・・・含浸層
、３・・・・・・含浸層、４・・・・・・未含浸部、５
・・・・・・含浸部。
Claims (1)
- １ 遊離炭素１係以上を含ませた炭化珪素質の成形体を
２１００℃以下の溶融シリコンの下で処理し、成形体の
表面から溶融シリコンを含浸させてシリコンの未含浸部
分を層状あるいは分散状に形成させることを特徴とする
耐スポーリング性炭化珪素質成形体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP46071341A JPS589073B2 (ja) | 1971-09-14 | 1971-09-14 | タンカケイソシツホゴカン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP46071341A JPS589073B2 (ja) | 1971-09-14 | 1971-09-14 | タンカケイソシツホゴカン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS4837404A JPS4837404A (ja) | 1973-06-02 |
| JPS589073B2 true JPS589073B2 (ja) | 1983-02-18 |
Family
ID=13457689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP46071341A Expired JPS589073B2 (ja) | 1971-09-14 | 1971-09-14 | タンカケイソシツホゴカン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589073B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57209885A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-23 | Toshiba Ceramics Co | Member for low melting point metal melt keeping furnace |
| JPS6212668A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | 東芝セラミツクス株式会社 | 半導体拡散炉の構成部材 |
| JPH0753621B2 (ja) * | 1986-06-12 | 1995-06-07 | 東芝セラミックス株式会社 | 溶融金属用浸漬保護管 |
-
1971
- 1971-09-14 JP JP46071341A patent/JPS589073B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS4837404A (ja) | 1973-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3189477A (en) | Oxidation-resistant ceramics and methods of manufacturing the same | |
| US3951587A (en) | Silicon carbide diffusion furnace components | |
| US3992497A (en) | Pressureless sintering silicon nitride powders | |
| CN105873874B (zh) | 复合材料、热吸收组件和用于生产复合材料的方法 | |
| US3709772A (en) | Thermally insulated composite article | |
| US3367393A (en) | Thermally insulated shell mold and method for making same | |
| GB1488159A (en) | Heater element | |
| KR950014027A (ko) | 이산화규소의 함량이 높은 형체와 그와같은 형체를 생산하는 과정 | |
| US4204769A (en) | Cuvette for flameless atom absorption spectroscopy | |
| He et al. | Mechanical properties and thermal conductivity of lightweight and high-strength carbon-graphite thermal insulation materials | |
| JPH04273990A (ja) | 加熱装置 | |
| US5236638A (en) | Process for producing a shaped body of graphite | |
| JPS589073B2 (ja) | タンカケイソシツホゴカン | |
| US4207672A (en) | Heater element mounting | |
| US3329514A (en) | Refractory body and method of making same | |
| US3189337A (en) | Amorphous silica refractory structures | |
| US3470276A (en) | Method of manufacturing porous riser insulating sleeve | |
| KR880003861A (ko) | 자체지지성 세라믹 복합체 구조물 및 그 제조방법 | |
| KR100520435B1 (ko) | 탄소/탄소 복합재료의 내산화 코팅방법 | |
| JPS6111911B2 (ja) | ||
| Burke et al. | Sintering | |
| JPH10115396A (ja) | 真空断熱構造体用芯材の製造法 | |
| JPS63222027A (ja) | 補強材含有無機発泡体の製造方法 | |
| JP2002181978A (ja) | シュラウド | |
| JPS6117466A (ja) | セラミックス焼結体の製造方法 |