JPS5890744A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5890744A
JPS5890744A JP56191096A JP19109681A JPS5890744A JP S5890744 A JPS5890744 A JP S5890744A JP 56191096 A JP56191096 A JP 56191096A JP 19109681 A JP19109681 A JP 19109681A JP S5890744 A JPS5890744 A JP S5890744A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
layers
functional
functional layer
metal
Prior art date
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Pending
Application number
JP56191096A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Ito
伊藤　博已
Masahito Ohashi
雅人 大橋
Kenji Takayama
健司 高山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP56191096A priority Critical patent/JPS5890744A/ja
Publication of JPS5890744A publication Critical patent/JPS5890744A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/20—Arrangements for cooling
    • H10W40/25—Arrangements for cooling characterised by their materials
    • H10W40/255—Arrangements for cooling characterised by their materials having a laminate or multilayered structure, e.g. direct bond copper [DBC] ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/20—Configurations of stacked chips
    • H10W90/288—Configurations of stacked chips characterised by arrangements for thermal management of the stacked chips

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は軸層構造の半導体装置に係り、特にその熱放
出に関するものである。
オ１図は従来の積層構造の半導体装置を示す断面図であ
り、図において（ｌａ）〜（１ｄ）はシリコン基板、（
２ａ）〜（Ｈａ　）はこれらシリコン基標（ｌａ）〜（
ｌｄ）の間にそれぞれ形成された機ｈビ層で、それ自体
で半導体装置としての一つの機能を有する層である。
この休にシリコン基板（ｌａ）　−（１ｄ）と機能層（
２ａ）〜（８ｃ）が積層された半導体装置において、例
えばシリコン基板（１１）上に形成された機能層（Ｓｌ
ａ）は、その中の半導体素子が動作する時に熱を発生す
るものであり、この熱は半導体装置の外部にはほとんど
放出されず、半導体装置内に熱が閉じこめられるこ七に
なり、装ｄそのものの温度が上杵するものである。
つまり、従来の積層構造の半導体装置は非常に熱の放出
効果が悪く半導体装置の機能そのものを劣化させたりあ
るいけ破損する恐れがありまた熱の発生を抑制する意味
から％機能層（８ａ）〜（２ｃ）に作られる半導体素子
の数もおのずと少数になり、せっかくの積層構造の半導
体装置としてのメリットを半減するものであった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、シリコン基板と機能層との積層構
造における各層間に金属層を設けることによって、より
効率のよい熱放出を行なうとともに、機能層により多く
の半導体素子を作れるようにすることを特徴とする特許
である。
以下この発明の一実施例を第２図に基づいて説明すると
、図において（ｌａ　ｌ〜（ｌｂ　）　ｔ−１シリコン
基板、（２ａ）〜（ｇｏ）は多数の半導体素子が作られ
、それ自体で半導体装置としての一つのｇ能＼を有する
機能層、（８ａ）’〜（ｓｂ）は熱伝導の良い金属から
なる金属層で、シリコン基板（１ａ）と機能層（ｊｌａ
ｌ、シリコン基板（１１））と＋ｈ能層Ｃ２ｂ）、およ
びシリコン基板（ｌｃｌと機能層（２Ｃ）とのそれぞれ
の間Ｆ＋けられ、機能・４　（２ａｌ〜（２Ｃ）からの
発生熱を半導体装置外部に放出するものである。
この様にｉ１１＋’ｆｆｌされた噴層型の半導体装置に
あっては、機能層（＄ｌａｌ〜（ｇｃ）が動作時、つま
りそれらの中に作られた半導体素子が動作して、発生し
た熱は機能層（ｇａ“）〜Ｉｇｃ）それぞれの下部に配
設されたそれぞれの金属層（ｊｌａ）〜（３Ｃ）を介し
て外部に放出されるものであり、これによって半導体装
置自身に熱がこもるのが軽減されるものである。
したがって、半導体装置の機能が発生熱により損なわれ
ることが抑制され、かつ、機能層Ｃ２ａ）′□〜（８ｃ
）それぞれに作られる半導体素子の数も増加できるもの
である。
なお上記実施例では、金属層（８ａ）’〜（８ｃ）のそ
れぞれの側端を装置の端で°途切れシリコン基板１１ａ
１〜（ｌｄｌおよび機能層（２ａｌ　〜（ｇｃ　ｌＯ側
端を同一面にしているがこれら側端よシも外部に突出さ
せても良く、このようにした場合にはさらに熱放出を高
めることができるものである。また金属層（３ａ）〜（
８Ｃ）は、異種の金属を数種類合わせた様なものでもよ
く、さらに金属層（８ａ）〜゛°（８♂）はそれぞれ機
能層（２ａ１〜（８ａ）の下部に設けたが、上部でも良
く、上・下部両者ＫＢけてもよいものである。
また上記実施例では機能層を８層設けたものについて説
明したが、８層でも８層以上にしたものであっても良い
凡のである。・ この発明は以上に述べたように、シリコン基板と機能層
とが積層された半導体装置において、シリコン基板と機
能層との間に金属層を設けたので機能層に作られる半導
体素子が動作時に発生する熱を効率よく外部へ放出でき
、熱による半導体装置の機能の劣化や破損を防ぐことが
でき、また機能層によシ多くの半導体素子を作れるとい
う／ｊ１１来を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の積層型の半導体装置を示す断面図、第２
図はこの発明の一天施例による４ｆｔ層型の半導体装置
を示す新面図である。 −において（ｌａ）〜（Ｉｌｌ）はシリコン基板、（２
ａ１〜（２Ｃ）け′＋ＩＩ能層、（８ａ　３〜ＮＩＣ）
は金属層である。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人　　葛　野　　信　−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. シリコン基板と、多数の半導体素子が作られ、それ自体
    で半導体装置としての一つの機能を有する機能軸とが複
    数積層された積層′型の半導体装置において、積層構造
    における各層間に金属等の熱放出層を設けたことを特徴
    とする半導体装置。
JP56191096A 1981-11-25 1981-11-25 半導体装置 Pending JPS5890744A (ja)

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