JPS5891182A - 錫/鉛の光沢被覆を電着するための酸性の錫/鉛浴 - Google Patents
錫/鉛の光沢被覆を電着するための酸性の錫/鉛浴Info
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Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の要約
電気被蝋による錫/鉛合金の光沢析出層は。
硼弗化水木駿の他に錫塩および鉛塩と、光沢剤と、表面
活性剤とを含有する浴を使用して得られ、ここで光沢剤
としては、一般式 %式% 〔式中、Halは塩素または臭素でLJ)、 Rはフェ
ニル、ナフチルまたはピリジル基であって必誉に応じ塩
素、A索もしくは弗素原子、7〜3個の訳本原子を有す
るアルキルもしくはアルコキシ基、カルボキシおよびヒ
ドロキシ基よシなる群のうちの7〜3個にょシ徽換され
る〕 の−機もしくはそれ以上の芳香族アルデヒドとエビハロ
ヒドリンとの環式反応生成物が使用される。好ましくは
、環式反応生成物は、浴it幽シo、i〜コlo麓で洛
中に含有される。
活性剤とを含有する浴を使用して得られ、ここで光沢剤
としては、一般式 %式% 〔式中、Halは塩素または臭素でLJ)、 Rはフェ
ニル、ナフチルまたはピリジル基であって必誉に応じ塩
素、A索もしくは弗素原子、7〜3個の訳本原子を有す
るアルキルもしくはアルコキシ基、カルボキシおよびヒ
ドロキシ基よシなる群のうちの7〜3個にょシ徽換され
る〕 の−機もしくはそれ以上の芳香族アルデヒドとエビハロ
ヒドリンとの環式反応生成物が使用される。好ましくは
、環式反応生成物は、浴it幽シo、i〜コlo麓で洛
中に含有される。
本発明は、錫/鉛合金の光沢機種を、鉄もしくは銅また
はこれら金属の合金(たとえは青銅もしくは黄銅)のよ
うな基体上に電着させるための酸性の錫/鉛浴に関する
ものである。
はこれら金属の合金(たとえは青銅もしくは黄銅)のよ
うな基体上に電着させるための酸性の錫/鉛浴に関する
ものである。
米riJ特許第3,7ぶり、112号明細書から、錫お
よび錫/鉛鳩をt着するための酸性ガルヴァーニ浴が知
られておシ、これは錫イオンおよび必要に応じ鉛イオン
と、硼弗化水木飯と、2〜30個のアルキレンオキシ基
を壱する表面活性剤トリてのアルコキシル化脂肪蓋アル
キロールアミドと、−極もしくはそれ以上の芳香族アル
デヒド、すなわちそれぞれ−、グーおよびコ、2−ジク
ロルベンズアルデヒドまたはベンズアルデヒド、コ、j
−ジメトキシベンズアルテヒド。
よび錫/鉛鳩をt着するための酸性ガルヴァーニ浴が知
られておシ、これは錫イオンおよび必要に応じ鉛イオン
と、硼弗化水木飯と、2〜30個のアルキレンオキシ基
を壱する表面活性剤トリてのアルコキシル化脂肪蓋アル
キロールアミドと、−極もしくはそれ以上の芳香族アル
デヒド、すなわちそれぞれ−、グーおよびコ、2−ジク
ロルベンズアルデヒドまたはベンズアルデヒド、コ、j
−ジメトキシベンズアルテヒド。
トルイルアルデヒド、シンナムアルデヒド4しくはアニ
スアルデヒドとを含有する。芳香族アルデヒドは芳香族
アミンと組合せて使用されるが、ただし芳香族ハロアル
テヒドはホルムアルデヒドおよびl、λ、≠−トリクロ
ルベンゼンおよび/ま良はアミンと共に使用される。す
なわち、この製許の教示は1%にアミンの不存在下では
アルデヒドが光沢剤として作用しないので、光沢析出層
を得るため芳香族アルデヒドと他の化合物との成る樵の
組合せ物を使用することにある。
スアルデヒドとを含有する。芳香族アルデヒドは芳香族
アミンと組合せて使用されるが、ただし芳香族ハロアル
テヒドはホルムアルデヒドおよびl、λ、≠−トリクロ
ルベンゼンおよび/ま良はアミンと共に使用される。す
なわち、この製許の教示は1%にアミンの不存在下では
アルデヒドが光沢剤として作用しないので、光沢析出層
を得るため芳香族アルデヒドと他の化合物との成る樵の
組合せ物を使用することにある。
O0λ〜/、2 amp / dm2という狭い範囲の
電流密度においては、無光沢の着色した析出層のみが生
成されうる。さらに、不可欠な組合せとして開示されて
いるように芳香族アミンの◎−トルイジンを芳香族アル
デヒドと共に使用すると、劣った性質のこれら析出層が
得られることも見出された。コ、≠−ジクロルベンズア
ルデヒドを他の添加物と共に使用すると、tj amp
/dm”までの電fi密度は無光沢の析出層をもたらす
ことも見出ちれた。 ゛ 付加的光沢剤としてのナフタリン七ノアルデヒドならび
に必景に応じアクリル酸、メタクリル酸およびその低級
アルキルエステルおよびアミドを使用して上記のような
欠点を回避することがドイツ%IFF第2.rot、i
zz号明細膏から知られているが、それぞれ婚および錫
/鉛の光沢析出層の電*t−阻杏しかつ浴の正常な使用
サイクルを妨けるようなタール状酸化生成物が形成され
ることが判明した。
電流密度においては、無光沢の着色した析出層のみが生
成されうる。さらに、不可欠な組合せとして開示されて
いるように芳香族アミンの◎−トルイジンを芳香族アル
デヒドと共に使用すると、劣った性質のこれら析出層が
得られることも見出された。コ、≠−ジクロルベンズア
ルデヒドを他の添加物と共に使用すると、tj amp
/dm”までの電fi密度は無光沢の析出層をもたらす
ことも見出ちれた。 ゛ 付加的光沢剤としてのナフタリン七ノアルデヒドならび
に必景に応じアクリル酸、メタクリル酸およびその低級
アルキルエステルおよびアミドを使用して上記のような
欠点を回避することがドイツ%IFF第2.rot、i
zz号明細膏から知られているが、それぞれ婚および錫
/鉛の光沢析出層の電*t−阻杏しかつ浴の正常な使用
サイクルを妨けるようなタール状酸化生成物が形成され
ることが判明した。
今度、*<ことに、成る柚の環式アセタールを光沢剤と
して使用すれは、これらの欠点が生ぜず、しかも0.0
/ %/ Oamp / dm2という広1i@囲の
低電流密度でも同勢の光沢乃主艷のある錫および錫/鉛
の軟かい析出層を生成させうろことが見出された。
して使用すれは、これらの欠点が生ぜず、しかも0.0
/ %/ Oamp / dm2という広1i@囲の
低電流密度でも同勢の光沢乃主艷のある錫および錫/鉛
の軟かい析出層を生成させうろことが見出された。
本発明によれは、硼弗化水木緻の他に錫塩および鉛塩と
、光沢剤と、懺薗活性剤とt−含有する光沢あるm/鉛
被榎を電層させるための敵性の錫/鉛浴は、光沢剤一般
式 %式% 〔式中、Halは塩素または臭素であシ、Rにフェニル
、ナフチルまたはピリジル基であって必要に応じ塩素、
臭素および弗素原子、7〜3個の炭素原子を禍するアル
キルおよびアルコキシ基、カルボキシおよびヒドロキシ
基よりなる群のうちの7〜3個により置換される〕の一
種もしくはそれ以上の芳香族アルデヒドとエビハロヒド
リンとの環式反応生成物を含有することを特徴とする。
、光沢剤と、懺薗活性剤とt−含有する光沢あるm/鉛
被榎を電層させるための敵性の錫/鉛浴は、光沢剤一般
式 %式% 〔式中、Halは塩素または臭素であシ、Rにフェニル
、ナフチルまたはピリジル基であって必要に応じ塩素、
臭素および弗素原子、7〜3個の炭素原子を禍するアル
キルおよびアルコキシ基、カルボキシおよびヒドロキシ
基よりなる群のうちの7〜3個により置換される〕の一
種もしくはそれ以上の芳香族アルデヒドとエビハロヒド
リンとの環式反応生成物を含有することを特徴とする。
これらの環式アセタールは、ioo〜lコO℃1での温
度のλ−N〜3N硫酸における浴液中で極めて安定であ
る。
度のλ−N〜3N硫酸における浴液中で極めて安定であ
る。
アセタールを製造するのに適するアルデヒドは次のもの
である: 2−)トキシーV−ヒドロキシベンズアルデヒド。
である: 2−)トキシーV−ヒドロキシベンズアルデヒド。
0−メ)キシベンズアルデヒド。
≠−ヒドロキシー3−メトキシペンズアルテヒド。
3、弘−メトキシベンズアルデヒド。
o−クロルベンズアルfk:)’。
λ、4I−ジクロルベンズアルデヒド。
−96−シクロルベンズアルデヒド。
P−クロルベンズアルデヒド。
O−フタルアルデヒド。
/−ナフタリンアルデヒド。
2−ナフタリンアルデヒド。
ピリジン−3−アルデヒド。
添加物の溶解を向上させるため、当分野で知られている
ように、公知の補助溶剤を浴中に使用することができる
。適する溶剤の例はイングロパノール、メタノール、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテルおヨヒエチレン
グリコールモノメチルエーテルならびにエーテル類であ
る。
ように、公知の補助溶剤を浴中に使用することができる
。適する溶剤の例はイングロパノール、メタノール、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテルおヨヒエチレン
グリコールモノメチルエーテルならびにエーテル類であ
る。
本発明の浴中に使用される好適な表面活性剤または乳化
剤は両性、陽イオン性および非イオン性のe面活性剤お
よびその配合物である。特に好適なものは、アルキルフ
ェノール1モル当り約10〜30モルの酸化エチレンと
縮合した特にたとえはノニルフェノールのようなアルキ
ルフェノール類である。
剤は両性、陽イオン性および非イオン性のe面活性剤お
よびその配合物である。特に好適なものは、アルキルフ
ェノール1モル当り約10〜30モルの酸化エチレンと
縮合した特にたとえはノニルフェノールのようなアルキ
ルフェノール類である。
さらに、たとえは芳香族アルデヒドおよびケトンのよう
な他の公知の添加物を、光沢剤として使用される゛アセ
タールと組合せて本屍明の浴中に使用することもできる
。また、たとえはトリクロルベンゼンまたは特にアルカ
リ金抛塩としてのクレゾールスルホン酸のような酸化防
止剤などの物質も使用することができる。
な他の公知の添加物を、光沢剤として使用される゛アセ
タールと組合せて本屍明の浴中に使用することもできる
。また、たとえはトリクロルベンゼンまたは特にアルカ
リ金抛塩としてのクレゾールスルホン酸のような酸化防
止剤などの物質も使用することができる。
本発明の浴中における、それぞれアセタールおよびアセ
タール混合物の濃度は浴/l当90、/−λg、特に0
.弘〜o、tr gである。乳化剤のl!I!lは−2
〜−209/lであり、溶剤の温度はλ〜lO谷it%
である。
タール混合物の濃度は浴/l当90、/−λg、特に0
.弘〜o、tr gである。乳化剤のl!I!lは−2
〜−209/lであり、溶剤の温度はλ〜lO谷it%
である。
参考例1およびコ
次の浴をII4製した:
電気被接を、25℃の温度で/ amp/min、の電
流vli度にてハルセル(Hull oall )を用
いて行なった。鉄板(厚さ0.3 m )の基体を用い
ると、0.0 / % j amp / dm にて
艷のある錫1r出mdf得られ九。
流vli度にてハルセル(Hull oall )を用
いて行なった。鉄板(厚さ0.3 m )の基体を用い
ると、0.0 / % j amp / dm にて
艷のある錫1r出mdf得られ九。
実施例/
次の浴をfII4製した(蓋はy/)):弗化硼木飯錫
l!弗化硼本歌鉛
!硼 1!1!
10硼弗化水索敵 100機械的攪
拌下にJ amp / j m l n、の電流密度を
用いてハルセル中にて電気被嶺を行なった。厚さ0)m
の鉄板の基体を用いると、 0./〜10amp /
dm”にて光沢ある錫析出層が得られた。
l!弗化硼本歌鉛
!硼 1!1!
10硼弗化水索敵 100機械的攪
拌下にJ amp / j m l n、の電流密度を
用いてハルセル中にて電気被嶺を行なった。厚さ0)m
の鉄板の基体を用いると、 0./〜10amp /
dm”にて光沢ある錫析出層が得られた。
実施例λ
錫−鉛浴を次のようにI11#した:
弗化41素皺錫 /j(1/l)弗化硼
素酸鉛 ! s tIRlθ 硼弗化水集絨 io。
素酸鉛 ! s tIRlθ 硼弗化水集絨 io。
この浴i、Jj℃における0、/ 〜j amp/ /
0m1n、の電流密度での電気被檄にょ力厚さ。、J
■の鉄板に光沢ある析出層を4えた。
0m1n、の電流密度での電気被檄にょ力厚さ。、J
■の鉄板に光沢ある析出層を4えた。
実施例3
錫−鉛浴を次のように調製した:
弗化S累板錫 コ□(y/))弗化a
木飯鉛 7.J硼 飯
/j硼硼弗化水酸酸 /
j。
木飯鉛 7.J硼 飯
/j硼硼弗化水酸酸 /
j。
ホルムアルデヒド(還元剤) 7.t Cy
st/z )この浴は、コj’cにおけるθ、oj〜j
amp// Omin、の電流密度での電気波後により
厚さ0、J Mの鉄板に光沢ある錫/鉛合金の析出層を
与えた。
st/z )この浴は、コj’cにおけるθ、oj〜j
amp// Omin、の電流密度での電気波後により
厚さ0、J Mの鉄板に光沢ある錫/鉛合金の析出層を
与えた。
ラント コンパニー、コマンデット
Claims (3)
- (1) 光沢剤として、一般式 %式% 〔式中、Malは塩1gまたは臭素であシ、Rはフェニ
ル、ナフチルまたはピリジル基であって塩素、臭素およ
び弗素原子、7〜3個の炭xi子を有するアルキルおよ
びアルコキシ基、カルボキシおよびヒドロキシ基よシな
る群のうちの7〜3個によ多置換されていてもよい〕 の−極もしくはそれ以上の芳香族アルデヒドとエビハロ
ヒドリンとの環式反応生成物を浴/l当F)0./−2
fiの菫で含有する仁とを特徴とする、硼弗化水素酸i
oo〜isog7tの他に錫塩および鉛t&コQ〜−7
,17//!と、光沢剤0./−λi/lと、懺面活性
剤λ〜コQ11/lとを含有する光沢錫/釦値扱を電動
するための酸性の錫/鉛浴。 - (2)光沢剤として、一般式 〔式中、Halは塩素また線臭素でめシ、Rはフェニル
、ナフチルまたはピリジル基であって塩素、臭素および
弗#C原子、7〜34#の炭素原子を有するアルキルお
よびアルコ中シ基、カルボキシおよびヒドロキシ基より
なる群のうちの7〜3個により11換されていてもよい
〕 の一種もしくはそれ以上の芳香族アルデヒドとエビハロ
ヒドリンとの環式反応生成物を浴/l当シo、i−λ9
の負で含有することを特徴とする。硼弗化水素酸lθ0
〜/zol/1の他に錫塩および鉛塩λ0〜.27.z
I/lと、光沢剤o、i−コII/lと、1&面活性
剤λ〜コ01//lと、#!化化上止剤0.1−/II
/lを含有する光沢錫/鉛被aを電着するための敵性の
錫/鉛浴。 - (3)酸化防止剤としてトリクロルベンゼンま良はクレ
ゾールスルホン酸もしくはそのアルカリ金楓塩を含有す
ることを特徴とする特許請求の範囲Mλ項配紙の錫/鉛
浴。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3001840 | 1980-01-18 | ||
| DE3001840.7 | 1980-01-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891182A true JPS5891182A (ja) | 1983-05-31 |
| JPS6213436B2 JPS6213436B2 (ja) | 1987-03-26 |
Family
ID=6092442
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP462981A Expired JPS5815553B2 (ja) | 1980-01-18 | 1981-01-17 | 錫の光沢被覆を電着するための酸性の錫浴 |
| JP19789382A Granted JPS5891182A (ja) | 1980-01-18 | 1982-11-12 | 錫/鉛の光沢被覆を電着するための酸性の錫/鉛浴 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP462981A Expired JPS5815553B2 (ja) | 1980-01-18 | 1981-01-17 | 錫の光沢被覆を電着するための酸性の錫浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS5815553B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4388161A (en) * | 1981-02-10 | 1983-06-14 | Elektro-Brite Gmbh & Co. Kg | Acid tin bath and tin/lead bath respectively for the electrode-position of lustrous coatings of tin and tin/lead respectively |
| JPS59191196A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-10-30 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
| US5698087A (en) * | 1992-03-11 | 1997-12-16 | Mcgean-Rohco, Inc. | Plating bath and method for electroplating tin and/or lead |
| US7753815B2 (en) | 2007-01-19 | 2010-07-13 | Shimano Components (Malaysia) Sdn. Bhd. | Bicycle chain wheel assembly |
| US11814135B2 (en) | 2022-04-14 | 2023-11-14 | Shimano Inc. | Crank assembly for human powered vehicle |
-
1981
- 1981-01-17 JP JP462981A patent/JPS5815553B2/ja not_active Expired
-
1982
- 1982-11-12 JP JP19789382A patent/JPS5891182A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56139692A (en) | 1981-10-31 |
| JPS6213436B2 (ja) | 1987-03-26 |
| JPS5815553B2 (ja) | 1983-03-26 |
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