JPS5891446A - 軟ｘ線リソグラフイ−用フイルムの製造法 - Google Patents
軟ｘ線リソグラフイ−用フイルムの製造法Info
- Publication number
- JPS5891446A JPS5891446A JP56189521A JP18952181A JPS5891446A JP S5891446 A JPS5891446 A JP S5891446A JP 56189521 A JP56189521 A JP 56189521A JP 18952181 A JP18952181 A JP 18952181A JP S5891446 A JPS5891446 A JP S5891446A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- polyimide
- soft
- glass substrate
- ultraviolet rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Moulding By Coating Moulds (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｌ８１．超ＬＳＩの如き高密度集積回路の製
造の際の軟Ｘ線リソグラフィ一工程に使用するマスク用
フィルムの製造方法に関する。
造の際の軟Ｘ線リソグラフィ一工程に使用するマスク用
フィルムの製造方法に関する。
従来、軟Ｘ線リングラフイー用マスクとしては、支持枠
に固定された軟Ｘ線透過性の支持膜上ＫＡｕ、Ｐ−等の
軟ｘＩｌ吸収性の画情パターンを形成したものが用いら
れて来た。支持枠としては一般に表面平滑なシリコン又
はガラス基板が用いられる。そして、軟ｘｍａ過性の支
持膜材料としては、窒化ケイ素、窒化ボロｙ等の無機′
材料の薄膜あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリ
イミド、ポリバラキシリＶノ等の有機様材料より成る支
持膜は、熱的安定性、耐薬品性等の利点を有するが、軟
ｘｉＩを透過させるため支持膜の厚さが数μｍと薄（非
常にもろく破損し易いという欠点がある。
に固定された軟Ｘ線透過性の支持膜上ＫＡｕ、Ｐ−等の
軟ｘＩｌ吸収性の画情パターンを形成したものが用いら
れて来た。支持枠としては一般に表面平滑なシリコン又
はガラス基板が用いられる。そして、軟ｘｍａ過性の支
持膜材料としては、窒化ケイ素、窒化ボロｙ等の無機′
材料の薄膜あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリ
イミド、ポリバラキシリＶノ等の有機様材料より成る支
持膜は、熱的安定性、耐薬品性等の利点を有するが、軟
ｘｉＩを透過させるため支持膜の厚さが数μｍと薄（非
常にもろく破損し易いという欠点がある。
一方、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド°等の
高分子フィルムは比較的強く、可視光に対己透明である
という利点を有するが、延伸、・１ 法やローラによる引延し法等により製造されているため
に、数μｍの厚さの均一な薄膜を得ることは麹しく、ま
たこれらのフィルムは表面に微細なりラックが入ったり
しており１．微細＊＊を形成する軟Ｘ線リソグラフィー
用フィルムとしては不適当である。
高分子フィルムは比較的強く、可視光に対己透明である
という利点を有するが、延伸、・１ 法やローラによる引延し法等により製造されているため
に、数μｍの厚さの均一な薄膜を得ることは麹しく、ま
たこれらのフィルムは表面に微細なりラックが入ったり
しており１．微細＊＊を形成する軟Ｘ線リソグラフィー
用フィルムとしては不適当である。
これに代る方法として、従来、次のような方法が行なわ
れている。１つは厚さ２０１）μｍ前後の平面性の良い
薄板ガラス基板上にポリイミド等の高分子樹脂溶液を［
株］布した後、熱硬化させ、高分子フィルムを形成し、
このｆｆでは高分子フィルムはｌ１ＩＩ固にガラス基板
に密着しているため１次にガラス基板をフッ酸によりエ
ツチング除去し、高分子フィルム離体を得る方法である
。
れている。１つは厚さ２０１）μｍ前後の平面性の良い
薄板ガラス基板上にポリイミド等の高分子樹脂溶液を［
株］布した後、熱硬化させ、高分子フィルムを形成し、
このｆｆでは高分子フィルムはｌ１ＩＩ固にガラス基板
に密着しているため１次にガラス基板をフッ酸によりエ
ツチング除去し、高分子フィルム離体を得る方法である
。
この方法は表面の平滑なフィルムが得らｎるという利点
な有するが、ガラス基板がＪＯＯμｍ前後と厚いために
エツチング除去に時間を要すること、エツチング除去が
不均一になり易く、その結果フィルムの変形が生じ易い
こと、特殊な製造設備が必要なこと等の欠点を有する。
な有するが、ガラス基板がＪＯＯμｍ前後と厚いために
エツチング除去に時間を要すること、エツチング除去が
不均一になり易く、その結果フィルムの変形が生じ易い
こと、特殊な製造設備が必要なこと等の欠点を有する。
また、他の方法として、ガラス基板表面に離型剤を塗布
した後、高分子フィルムを形成させ。
した後、高分子フィルムを形成させ。
次に高分子フィルムをガラス基板から物理的に剥が丁方
法がある。しかし、この方法も離型剤を用いるため＃ｃ
、ａｍ剤が高分子フィルムに含まれたり、離型剤の形状
が高分子フィルムに転写されたりして、支持膜の特性を
低下させると−いう欠点を有する。
法がある。しかし、この方法も離型剤を用いるため＃ｃ
、ａｍ剤が高分子フィルムに含まれたり、離型剤の形状
が高分子フィルムに転写されたりして、支持膜の特性を
低下させると−いう欠点を有する。
さらに又、別の方法としてガラス基板上にりａム、銀等
の金属薄膜を形成した後に、この上に高分子フィルムを
形成し１次に金属薄膜を薬品で溶解除去して、高分子フ
ィルムを得る方法がある・しかしながら、この方法も蒸
着、スノ（ツタリング等の専用の装置により金属薄膜を
形成する工程が増丁こと、金属薄膜がガラス基板と高分
子フィルムに挾まれているために金属薄膜の除去に非常
に長い時間な要するという欠点を有する・ 本発明は上記の如き従来の方法の欠点な屏消し、極めて
容易な方法により高品質の軟Ｘ線リソグラフィー用フィ
ルムを得る方法を提供てるものである。本発明はガラス
基板に塗布し加熱硬化させた高分子フィルムであるポリ
イミドフィルムが、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリング
した後では時々剥離し易くなることがある点に着目し、
剥離性が向上する原因を、（イ）アルゴンイオンのスパ
ッタリング効果％（ロ）ブラズｉ雰囲気中での熱動ｊｉ
Ｋ、 ラズマの発生による紫外線効果の点から、前記
効果がポリイミド及びポリイミド°とガラスとの界面に
どのよう（影響するかを鋭意研究した結果、紫外線によ
る効果がポリイミドフィルムの剥離性に影響を与えろこ
とを見９傷し、その条件を詳細に検討して本発明を完成
させたものである。
の金属薄膜を形成した後に、この上に高分子フィルムを
形成し１次に金属薄膜を薬品で溶解除去して、高分子フ
ィルムを得る方法がある・しかしながら、この方法も蒸
着、スノ（ツタリング等の専用の装置により金属薄膜を
形成する工程が増丁こと、金属薄膜がガラス基板と高分
子フィルムに挾まれているために金属薄膜の除去に非常
に長い時間な要するという欠点を有する・ 本発明は上記の如き従来の方法の欠点な屏消し、極めて
容易な方法により高品質の軟Ｘ線リソグラフィー用フィ
ルムを得る方法を提供てるものである。本発明はガラス
基板に塗布し加熱硬化させた高分子フィルムであるポリ
イミドフィルムが、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリング
した後では時々剥離し易くなることがある点に着目し、
剥離性が向上する原因を、（イ）アルゴンイオンのスパ
ッタリング効果％（ロ）ブラズｉ雰囲気中での熱動ｊｉ
Ｋ、 ラズマの発生による紫外線効果の点から、前記
効果がポリイミド及びポリイミド°とガラスとの界面に
どのよう（影響するかを鋭意研究した結果、紫外線によ
る効果がポリイミドフィルムの剥離性に影響を与えろこ
とを見９傷し、その条件を詳細に検討して本発明を完成
させたものである。
以下、上記の本発明について図面な参照しつつ詳ａに説
明する・ 第１図は本発明による軟Ｘ線リソグラフィー用フィルム
の製造法を示Ｔ図であり、第１図ｉｍｌの如き表面が平
滑なガラス基板１１１上［、ポリイミド系樹脂１！１１
を塗布し、加熱硬化させて、篇１図（ｂｌの如き硬化し
たポリイミド系樹脂フィル＾（２）を形成する。
明する・ 第１図は本発明による軟Ｘ線リソグラフィー用フィルム
の製造法を示Ｔ図であり、第１図ｉｍｌの如き表面が平
滑なガラス基板１１１上［、ポリイミド系樹脂１！１１
を塗布し、加熱硬化させて、篇１図（ｂｌの如き硬化し
たポリイミド系樹脂フィル＾（２）を形成する。
上記において、ポリイミド系樹脂としては、例えばイミ
ド結合により構成されるポリイミド、又アミド結合とイ
ミド結合により構成されるポリアミドイミド、およびエ
ステル結合とイミド結合により構成されるポリエステル
イミドなどが用いられる。
ド結合により構成されるポリイミド、又アミド結合とイ
ミド結合により構成されるポリアミドイミド、およびエ
ステル結合とイミド結合により構成されるポリエステル
イミドなどが用いられる。
上記ボリイ電ト°系樹脂はイミド結合を有し、一般に溶
剤に不溶であるため１本発明において基板上にポリイミ
ド系樹脂のフィルムを設けるためには、ボリア２ツク酸
を後述する溶剤に溶解し基板上ＩＣＩＪＩ布した後１、
加熱も理ｒより脱水閉環してイ２ド結合を持たせる方法
が好ｆ Ｌ ＬＭ。
剤に不溶であるため１本発明において基板上にポリイミ
ド系樹脂のフィルムを設けるためには、ボリア２ツク酸
を後述する溶剤に溶解し基板上ＩＣＩＪＩ布した後１、
加熱も理ｒより脱水閉環してイ２ド結合を持たせる方法
が好ｆ Ｌ ＬＭ。
上記ポリアミドイミド０の前駆体のボ１７アミツクｗ１
は過剰のジアミンから得られるオ”ゴジア電ンとジカル
ボン酸無水物との縮合により合成される。
は過剰のジアミンから得られるオ”ゴジア電ンとジカル
ボン酸無水物との縮合により合成される。
上記ポリエステルイミドの前駆体のポリアミック酸はエ
ステル基を有するジカルボン酸無水−とシアギンとの縮
合により合成さｊる・上記エステル基を有するジカルボ
ン酸無水物はたとえばトリメリット酸と種々のジオール
と力１ら得られる。
ステル基を有するジカルボン酸無水−とシアギンとの縮
合により合成さｊる・上記エステル基を有するジカルボ
ン酸無水物はたとえばトリメリット酸と種々のジオール
と力１ら得られる。
また、上記ポリイミドの前駆体のポリアミック酸はジカ
ルボン酸とジアミンとの縮合により合成される。これら
の−合反応は通常の条件で。
ルボン酸とジアミンとの縮合により合成される。これら
の−合反応は通常の条件で。
−ｆなわち、無水条件下、５ｏｃｔたはそれ以下の温度
で行なわれる。
で行なわれる。
上記でジアミンとしてはたとえば、ｍ−フェニレンシア
ｔ ”＊ Ｐ −’エニレンジアきン。
ｔ ”＊ Ｐ −’エニレンジアきン。
鳳−キシレンジアミン、ｐ−１シレンジアミン、亭 −
一ジアミノジフェニルエーテルｓ ” ％ ”−ジアミ
ノジフェニルメタン、３．３”−ジメチルー亭、４１１
−シア電ノジフェニルメタン、３゜ｊ’、ｊ、 ｊ”−
テトラメチル−１，４Ｅ１−ジアミノジフェニルメタン
、コ、コーピス（４Ｉ−ア２）ｉエニル）フロパン−事
４１１−メチレンジアニリン、ベンジジン ＠ 、
４＋１−シアきノジ７工二ルスルフイド、事、参１−ジ
アミノジフェニルスルホン、ｔ、ｚ−シア２ノナフタレ
ン、３１，７１一ジメチルベシジジン％３，３１−ジメ
トキシベンジジン、コ、クービス（β−アミノ−ｔ＠ｒ
ｔ−ブチル）トルエン、ビス（ターβ−アミノ−ｔ＠ｒ
ｔ−”ｊチルフェニル）エーテル％／％ クービス（Ｊ
−メチル−亭−アミノペンチル）ベンゼンなどが用いら
れる。
一ジアミノジフェニルエーテルｓ ” ％ ”−ジアミ
ノジフェニルメタン、３．３”−ジメチルー亭、４１１
−シア電ノジフェニルメタン、３゜ｊ’、ｊ、 ｊ”−
テトラメチル−１，４Ｅ１−ジアミノジフェニルメタン
、コ、コーピス（４Ｉ−ア２）ｉエニル）フロパン−事
４１１−メチレンジアニリン、ベンジジン ＠ 、
４＋１−シアきノジ７工二ルスルフイド、事、参１−ジ
アミノジフェニルスルホン、ｔ、ｚ−シア２ノナフタレ
ン、３１，７１一ジメチルベシジジン％３，３１−ジメ
トキシベンジジン、コ、クービス（β−アミノ−ｔ＠ｒ
ｔ−ブチル）トルエン、ビス（ターβ−アミノ−ｔ＠ｒ
ｔ−”ｊチルフェニル）エーテル％／％ クービス（Ｊ
−メチル−亭−アミノペンチル）ベンゼンなどが用いら
れる。
上記でジオールとしてはヒドロキノン、ビスフェノール
Ａ、ジクａルビスフエノールＡ、テトラクロルビスフェ
ノールＡ、テトラブロムビスフェノールＡ、ビスフェノ
ールＦ、ビスフェノールＡＣＰ、ビスフェノールＬ、ビ
スフェノールＶ、ビスフェノールｇ、ｌ、４１’−ジヒ
ドロフェニルエーテ・ルなどが用いられる。
Ａ、ジクａルビスフエノールＡ、テトラクロルビスフェ
ノールＡ、テトラブロムビスフェノールＡ、ビスフェノ
ールＦ、ビスフェノールＡＣＰ、ビスフェノールＬ、ビ
スフェノールＶ、ビスフェノールｇ、ｌ、４１’−ジヒ
ドロフェニルエーテ・ルなどが用いられる。
また、上記でジカルボン酸無水物としてはピａメリット
酸無水物、２．Ｊ、＆、クーナフタレンテトラカルボン
酸無水物、 Ｊｓ Ｊ’、 参ｓ ｌ’−ジフェニルテ
トラカルボン酸無水物、Ｉ％コ。
酸無水物、２．Ｊ、＆、クーナフタレンテトラカルボン
酸無水物、 Ｊｓ Ｊ’、 参ｓ ｌ’−ジフェニルテ
トラカルボン酸無水物、Ｉ％コ。
！、１−ナフタレンテトラカルボン酸無水物、Ｊ、Ｊ’
、 Ｊ、 Ｊ’−ジフェニルテトラカルボン酸無水物、
チオフエンーー、 Ｊ、４１、ｊ−テトラカルボン酸無
水物％コ、コービス（３，ダーピスカルボキシフエニ′
ル）１０２７１ｍ水物ｓ ｓ％４１− ジカルボキシフ
ェニルスルホン無水物、ペリレン−Ｊ、４１．デ、１０
−テトラカルボン酸Ｉ水物、ビス（’ｓ、参−ジカルポ
キシフ、エニル）エーテル無水物、Ｊ、ｊ’、１％１１
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物などが用いら
れる。
、 Ｊ、 Ｊ’−ジフェニルテトラカルボン酸無水物、
チオフエンーー、 Ｊ、４１、ｊ−テトラカルボン酸無
水物％コ、コービス（３，ダーピスカルボキシフエニ′
ル）１０２７１ｍ水物ｓ ｓ％４１− ジカルボキシフ
ェニルスルホン無水物、ペリレン−Ｊ、４１．デ、１０
−テトラカルボン酸Ｉ水物、ビス（’ｓ、参−ジカルポ
キシフ、エニル）エーテル無水物、Ｊ、ｊ’、１％１１
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物などが用いら
れる。
上記のジアミノ、ジオールおよびジカルボン酸無水物は
耐熱性の点からいずれも芳香族系の化合物が好ましい。
耐熱性の点からいずれも芳香族系の化合物が好ましい。
ボリア電ツク酸を基材上に塗布するには、ボリア電ツク
酸をジメチル７オルムアミド、ジメチルアセドアｆト０
．ジメチルスルフオ命シト。
酸をジメチル７オルムアミド、ジメチルアセドアｆト０
．ジメチルスルフオ命シト。
Ｎ−メチルピロリドンなどの溶剤に溶解してａＯ／〜参
０嘔溶液とし、該Ｓ＊を刷毛塗り法、浸漬法、スピンナ
ー塗布等の回転値布法、スプレー＠などにより自布する
ことができる。
０嘔溶液とし、該Ｓ＊を刷毛塗り法、浸漬法、スピンナ
ー塗布等の回転値布法、スプレー＠などにより自布する
ことができる。
塗布膜厚は１〜！μｍが逼する。加熱硬化条件は、必要
に応じて７０〜ｌ０ＤＣ，３０分間予備乾燥して溶剤を
留去後ＪＯＯ〜コｓｏＣ，ｓｏ〜ム０分間の熱処理を行
うことにより、ポリイミド系樹脂のフィルムを加熱硬化
させる。次に又ガラス基板（１１としては、剥離時に若
干の可撓性を必要とするため、ガラス厚１ｏｏＮｊＯＯ
μｍが適する０次に、第７図１ｃｌ Ｖｃ示す如く、加
熱硬化させたポリイミド系樹脂のフィルム（２１に紫外
線（４）を照射てる。紫外線（４）は通常の紫外線及び
遠紫外線が使用でき、波長コＳＯ〜ｌ！ｌ１７ｎｍの光
が適用でき、ガラス面側から全面照射てるのが好適だが
、フィルム面側からの照射も可能である。照射時間は紫
外線（４）の使用波長、強度、及び加熱硬化条件により
若干異なるが１例えば３１０〜４１ｋＯｔｓｍの連続波
長、放射照度ｌ！−（＊０１ｖ＊ｍにて測定）の紫外線
を用いた場合には、コｏ −４１θ分間の照射時間が適
切である。
に応じて７０〜ｌ０ＤＣ，３０分間予備乾燥して溶剤を
留去後ＪＯＯ〜コｓｏＣ，ｓｏ〜ム０分間の熱処理を行
うことにより、ポリイミド系樹脂のフィルムを加熱硬化
させる。次に又ガラス基板（１１としては、剥離時に若
干の可撓性を必要とするため、ガラス厚１ｏｏＮｊＯＯ
μｍが適する０次に、第７図１ｃｌ Ｖｃ示す如く、加
熱硬化させたポリイミド系樹脂のフィルム（２１に紫外
線（４）を照射てる。紫外線（４）は通常の紫外線及び
遠紫外線が使用でき、波長コＳＯ〜ｌ！ｌ１７ｎｍの光
が適用でき、ガラス面側から全面照射てるのが好適だが
、フィルム面側からの照射も可能である。照射時間は紫
外線（４）の使用波長、強度、及び加熱硬化条件により
若干異なるが１例えば３１０〜４１ｋＯｔｓｍの連続波
長、放射照度ｌ！−（＊０１ｖ＊ｍにて測定）の紫外線
を用いた場合には、コｏ −４１θ分間の照射時間が適
切である。
次に紫外線を照射したポリイミド系樹脂のクー！−
イルム（３１を物理的に剥か丁ことにより、表面平滑で
ピンホールやクラック、タワずのない十分な張力のある
軟Ｘｌｓマスク用ポリイミド系樹脂のフィルムが得られ
る。ポリイミド系樹脂のフィルムを物理的に剥が丁に際
しては、第ａ図Ｉｌ＋に示す如く、軟Ｘ線透過部分を除
いたシリコン等の支持枠（５１を接着剤層（６１ｖ介し
て紫外線を照射したポリイミド系樹脂のフィルム１３１
ＷＣ貼り合せた後、物理的に剥がしてｇコ図１ｂｌの
如く均一なポリイミド系樹脂のフィルムを得る方法が望
ましい。
ピンホールやクラック、タワずのない十分な張力のある
軟Ｘｌｓマスク用ポリイミド系樹脂のフィルムが得られ
る。ポリイミド系樹脂のフィルムを物理的に剥が丁に際
しては、第ａ図Ｉｌ＋に示す如く、軟Ｘ線透過部分を除
いたシリコン等の支持枠（５１を接着剤層（６１ｖ介し
て紫外線を照射したポリイミド系樹脂のフィルム１３１
ＷＣ貼り合せた後、物理的に剥がしてｇコ図１ｂｌの
如く均一なポリイミド系樹脂のフィルムを得る方法が望
ましい。
更Ｋまた１本発明によればムＵ等の如き軟ＸＩＩ吸収性
の画情パターンをガラス基板上のボリイ電ド系樹脂のフ
ィルム上に形成した後に、紫外線を照射し１次に物理的
に剥が丁ことにより、第３図の如き画情パターン（７）
を有するフィルムを得ることも可能である。
の画情パターンをガラス基板上のボリイ電ド系樹脂のフ
ィルム上に形成した後に、紫外線を照射し１次に物理的
に剥が丁ことにより、第３図の如き画情パターン（７）
を有するフィルムを得ることも可能である。
以下実施例により本発明な説明する。
実施例１
表面平滑な厚さコ−００μｍのガラス基板゛上にＮ−／
チルーコービロリドンとＮｄ−ジメチルアセトアミドの
！対ｌの混合溶媒によるポリイミド樹脂の前駆体３憾溶
液をスピンナー塗布し。
チルーコービロリドンとＮｄ−ジメチルアセトアミドの
！対ｌの混合溶媒によるポリイミド樹脂の前駆体３憾溶
液をスピンナー塗布し。
９０Ｃ，３０分子備乾燥して、厚さ３μｍの均一なポリ
イミドフィルムを得た。次１１ｃ２！ｒＯｃ％Ｊｏ分加
熱し、ボリイ電ドフイルムを硬化すせり後、このフィル
ムにキセノンランプにより放射照度／ ｊｐ＃Ｍ（４１
ｔ） ｊｑｍ）で３０分間、紫外線を照射した０次に、
軟Ｘ線透過部分を円状に取除いた厚さ３００μｍのシリ
コンの支持枠をエポキシ薯着剤を介して紫外線を照射し
たボリイ電ト０フィルムに貼り合せ、フィルムとシリコ
ン枠とを強固Ｋ１１着せしめる。
イミドフィルムを得た。次１１ｃ２！ｒＯｃ％Ｊｏ分加
熱し、ボリイ電ドフイルムを硬化すせり後、このフィル
ムにキセノンランプにより放射照度／ ｊｐ＃Ｍ（４１
ｔ） ｊｑｍ）で３０分間、紫外線を照射した０次に、
軟Ｘ線透過部分を円状に取除いた厚さ３００μｍのシリ
コンの支持枠をエポキシ薯着剤を介して紫外線を照射し
たボリイ電ト０フィルムに貼り合せ、フィルムとシリコ
ン枠とを強固Ｋ１１着せしめる。
次にガラスの端面よりポリイミドを物理的に剥が丁と、
シリコン枠上に一定の張力をもつ均一な膜面のポリイミ
ドフィルムが得られた。
シリコン枠上に一定の張力をもつ均一な膜面のポリイミ
ドフィルムが得られた。
実施例コ
実施例１と同様にして、ガラス基板上にポリイミド樹脂
前駆体溶剤をスピンナー塗布しＪｏＣＪＯ分間乾燥して
厚８よｊμｍの均一なボリイ２ドフイルムを得た０次に
コｊＯＣ％３０分加熱シテホリイ２ドフイルムを硬化さ
せた後、ボリイｚト°フィルム上に真空蒸着法によりＡ
ｎを３ｏｏｏＸの厚８に設けた。次ＫＡｔｔ−上にフォ
トレジストＡＺ−ＩＳ！ｒＯを本ｏｏｏＸの厚さにスピ
ンナー塗布し、９０Ｃ１３０分プレヘークした後、所望
のｌ１ｍ／＜ターンを有するフォトマスクを前記フォト
レジストに密着し紫外線露光し、専用の現ｇ１ｔセ現書
することにより、フォトレジストの微細ノ（ターンを得
た。次に圧カニＸ ／ ｆ′Ｔｏｒｒ、出力１０（Ｎで
Ａｒガスにより、フォトレジストをマスクとしてム−を
７０分間スパッタエツチングした援′、専用の剥膜液に
よりフォトレジストを除去して、ボリイ２ドフイルム上
にＡＩの微細パターンを有するガラスエ板を得た。次に
、このフィルム膜に超高圧水銀灯により放射強度コｏｐ
Ｗｌｄ、 ｃ＊０１ｍｍ）で１０分間紫外線を照射した
。次に、パターン有効部分を円形に取除いたシリコン支
持枠をシアノアクリレート接着剤を介して前記ポリイミ
ド０フイルムに貼り合せ、フィルムとシリコン支持枠を
強固に接着せしめた。次に、ガラス端面よりポリイミド
フィルムを物理的に剥が丁と、シリコン枠上ＫＡｕの微
細パターンを有する表面平滑で一定の張力を有するポリ
イミドフィルムが得られた。
前駆体溶剤をスピンナー塗布しＪｏＣＪＯ分間乾燥して
厚８よｊμｍの均一なボリイ２ドフイルムを得た０次に
コｊＯＣ％３０分加熱シテホリイ２ドフイルムを硬化さ
せた後、ボリイｚト°フィルム上に真空蒸着法によりＡ
ｎを３ｏｏｏＸの厚８に設けた。次ＫＡｔｔ−上にフォ
トレジストＡＺ−ＩＳ！ｒＯを本ｏｏｏＸの厚さにスピ
ンナー塗布し、９０Ｃ１３０分プレヘークした後、所望
のｌ１ｍ／＜ターンを有するフォトマスクを前記フォト
レジストに密着し紫外線露光し、専用の現ｇ１ｔセ現書
することにより、フォトレジストの微細ノ（ターンを得
た。次に圧カニＸ ／ ｆ′Ｔｏｒｒ、出力１０（Ｎで
Ａｒガスにより、フォトレジストをマスクとしてム−を
７０分間スパッタエツチングした援′、専用の剥膜液に
よりフォトレジストを除去して、ボリイ２ドフイルム上
にＡＩの微細パターンを有するガラスエ板を得た。次に
、このフィルム膜に超高圧水銀灯により放射強度コｏｐ
Ｗｌｄ、 ｃ＊０１ｍｍ）で１０分間紫外線を照射した
。次に、パターン有効部分を円形に取除いたシリコン支
持枠をシアノアクリレート接着剤を介して前記ポリイミ
ド０フイルムに貼り合せ、フィルムとシリコン支持枠を
強固に接着せしめた。次に、ガラス端面よりポリイミド
フィルムを物理的に剥が丁と、シリコン枠上ＫＡｕの微
細パターンを有する表面平滑で一定の張力を有するポリ
イミドフィルムが得られた。
第１図＋１１、ｌｂｌ、 Ｉｃ）は、本発明による軟Ｘ
＠リングラフイー用フィルムの製造法の各工程を模式的
に示す断面図、第一図ｉａＬ ｉｂｌは１本発明におい
て得られたポリイミド系樹脂のフィルムを所定の別な支
持枠に移て一例な示す模式的断面図であり、第３図は本
発明によって得られた軟ＸＪＩリソグラフィー用マスク
の一例を示す模式的断面図である。 （１１・・・・・・・ガラス基板 （２）・・・００ボリイＺド系樹脂のフィルム（３）０
・・・−−紫外線照射したポリイミド系樹脂のフィルム
＋４１．＠・・・・・・紫外線 （５１・１・・・・・支持枠 （６）・・・−・・−接着剤 （７）・・・・・・・ムｌ 特許出願人 大日本印刷株式会社 代理人 弁理士 小 西 淳 美
＠リングラフイー用フィルムの製造法の各工程を模式的
に示す断面図、第一図ｉａＬ ｉｂｌは１本発明におい
て得られたポリイミド系樹脂のフィルムを所定の別な支
持枠に移て一例な示す模式的断面図であり、第３図は本
発明によって得られた軟ＸＪＩリソグラフィー用マスク
の一例を示す模式的断面図である。 （１１・・・・・・・ガラス基板 （２）・・・００ボリイＺド系樹脂のフィルム（３）０
・・・−−紫外線照射したポリイミド系樹脂のフィルム
＋４１．＠・・・・・・紫外線 （５１・１・・・・・支持枠 （６）・・・−・・−接着剤 （７）・・・・・・・ムｌ 特許出願人 大日本印刷株式会社 代理人 弁理士 小 西 淳 美
Claims (1)
- 表面平滑なガラス基板上にボリイ電ド系樹脂のフィルム
を形成し、次に該フィルムに紫外線を照射し、しかる後
前記フィルムを基板から分離せしめるこΣＶ＠黴とする
軟Ｘ線リソグラフィー用フィルムの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189521A JPS5891446A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 軟ｘ線リソグラフイ−用フイルムの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189521A JPS5891446A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 軟ｘ線リソグラフイ−用フイルムの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891446A true JPS5891446A (ja) | 1983-05-31 |
| JPS6325931B2 JPS6325931B2 (ja) | 1988-05-27 |
Family
ID=16242673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56189521A Granted JPS5891446A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 軟ｘ線リソグラフイ−用フイルムの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891446A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230044351A (ko) | 2020-07-29 | 2023-04-04 | 도요보 가부시키가이샤 | 플렉시블 전자 디바이스의 제조 방법 |
-
1981
- 1981-11-26 JP JP56189521A patent/JPS5891446A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230044351A (ko) | 2020-07-29 | 2023-04-04 | 도요보 가부시키가이샤 | 플렉시블 전자 디바이스의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6325931B2 (ja) | 1988-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4636403A (en) | Method of repairing a defective photomask | |
| FR2533840A1 (fr) | Ameliorations apportees aux procedes et aux appareils permettant la decoration de surfaces des revetements traites par bombardement electronique et appliques sur des substrats sensibles aux rayonnements | |
| US4837123A (en) | Mask structure for lithography, method of preparation thereof and lithographic method | |
| JPH05315630A (ja) | 可撓性のある薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JPH11237732A (ja) | 巻上げに好適な構造のドライフィルム・フォトレジスト | |
| JPH07302668A (ja) | 異方導電性樹脂フィルム状成形物の製法 | |
| JPH10235784A (ja) | ポリイミド系フレキシブル印刷回路用基板の製造方法及びカバーレイフィルムの製造方法 | |
| CN110739397B (zh) | 一种柔性显示器基板、其制备方法及其应用 | |
| JPS6325931B2 (ja) | ||
| JPS6240458A (ja) | 薄膜パタ−ンの露光方法 | |
| JPS5964245A (ja) | 静電チヤツク | |
| JP2925103B2 (ja) | 表面平滑な絶縁層の形成方法 | |
| JPH0423819B2 (ja) | ||
| JP3429897B2 (ja) | ペリクルの製造方法 | |
| EP1369003A1 (en) | Transfer printing | |
| JPS6025104A (ja) | 透明導電性膜を有する基体及びその製造方法 | |
| JP3429898B2 (ja) | ペリクルの製造方法 | |
| JPH0750239A (ja) | 軟ｘ線転写用マスクの製造法 | |
| JPS5940645A (ja) | 軟ｘ線転写用マスク | |
| JP2002116313A (ja) | 反射シート及びそれを用いたリフレクター | |
| JP2013061447A (ja) | 光学素子 | |
| JPS6052571A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2003014781A (ja) | プローブ基板及びその製造方法 | |
| JPS5940644A (ja) | 軟ｘ線転写用マスク及びその製造法 | |
| JP3456755B2 (ja) | 反射板およびそれを用いたストロボ用反射傘 |