JPS5893871A - マグネトロンスパッター用ターゲットの製造方法 - Google Patents
マグネトロンスパッター用ターゲットの製造方法Info
- Publication number
- JPS5893871A JPS5893871A JP19202781A JP19202781A JPS5893871A JP S5893871 A JPS5893871 A JP S5893871A JP 19202781 A JP19202781 A JP 19202781A JP 19202781 A JP19202781 A JP 19202781A JP S5893871 A JPS5893871 A JP S5893871A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- target
- plate
- magnetron sputtering
- cooling plate
- Prior art date
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マグネトロンスパッター用ターゲット及びそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
従来、マグネトロンスパッター用ターゲットを作るには
、ターゲツト板及び冷却板の接合面に予めはんだを被覆
し、これを重ねて加熱し、はんだ付けしていたが、加熱
雰囲気中のガス或いははんだの酸化物によるボイドを無
くすることができなかった。
、ターゲツト板及び冷却板の接合面に予めはんだを被覆
し、これを重ねて加熱し、はんだ付けしていたが、加熱
雰囲気中のガス或いははんだの酸化物によるボイドを無
くすることができなかった。
従って、このターゲットを用いてスパッタリングを行う
と、スパッタ中にターゲツト板が局部的に＃ｌけて破損
したシ、スパッターむらが生じたり、ｔたはんだや冷却
板などの不純物がスパッタされる等の欠陥が生じた。
と、スパッタ中にターゲツト板が局部的に＃ｌけて破損
したシ、スパッターむらが生じたり、ｔたはんだや冷却
板などの不純物がスパッタされる等の欠陥が生じた。
本発明は、かかる欠陥の生じないマグネトロンスパッタ
ー用ターゲット及びその製造方法を提供することを目的
とするものである。
ー用ターゲット及びその製造方法を提供することを目的
とするものである。
かかる目的を達成する為の本発明によるマグネトロンス
パッター用ターゲットは、はんだ溶融槽に浸漬されたタ
ーゲツト板及び冷却板が接合面にのみ酸化物の無いはん
だ層が形成されて、このはんだ層を介して前記両者が接
合され、その他の面は無垢になされていることを特徴と
するものである。
パッター用ターゲットは、はんだ溶融槽に浸漬されたタ
ーゲツト板及び冷却板が接合面にのみ酸化物の無いはん
だ層が形成されて、このはんだ層を介して前記両者が接
合され、その他の面は無垢になされていることを特徴と
するものである。
このマグネトロンスパッター用ターゲットを作る本発明
の製造方法は、第１図に示す如くターゲツト板１及び冷
却板２の接合面１ｍ、２ｍ以外の面１ｂ、２ｂＫＦｉん
だ防止層３ｔ−設けた後、このターゲツト板１及び冷却
板２ｔ−第２図に示す如くはんだ溶融槽４中に離して浸
漬し、両者の接合面１１．２１に溶融はんだ５Ｙｒ濡ら
し、次にターゲツト板ｌ及び冷却板２を第３図に示す如
くその接合面１ｍ、２ｍ同志管合わせた後第４図に示す
如くはんだ溶融槽４から引き上げ、然る後ターゲツト板
ｌ及び冷却板２のはんだ防止層３を除去して第５図に示
すマグネトロンスパッター用ターゲッ）６を作ることを
特徴とするものである。
の製造方法は、第１図に示す如くターゲツト板１及び冷
却板２の接合面１ｍ、２ｍ以外の面１ｂ、２ｂＫＦｉん
だ防止層３ｔ−設けた後、このターゲツト板１及び冷却
板２ｔ−第２図に示す如くはんだ溶融槽４中に離して浸
漬し、両者の接合面１１．２１に溶融はんだ５Ｙｒ濡ら
し、次にターゲツト板ｌ及び冷却板２を第３図に示す如
くその接合面１ｍ、２ｍ同志管合わせた後第４図に示す
如くはんだ溶融槽４から引き上げ、然る後ターゲツト板
ｌ及び冷却板２のはんだ防止層３を除去して第５図に示
すマグネトロンスパッター用ターゲッ）６を作ることを
特徴とするものである。
前記ターゲツト板ＩＫは、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ。
Ｍｏ、Ｗ、Ｂｅ−Ａｕ、Ｃｕ、Ａｕ−８ｉ、Ｎｉ、
ステン１／ス鋼、化合物（例えばＴｉＮ、二硫化Ｍｏ、
シリカ。
ステン１／ス鋼、化合物（例えばＴｉＮ、二硫化Ｍｏ、
シリカ。
アルミナ）等が用いられ、冷却板にはＣｕ、 ステン
レス鋼、Ｔｉ等が用いられ、はんだ溶融槽４中のはんだ
５にはＰｂ−８ｎ、ＰＰｂ−８ｎ−Ａ等が用いられる。
レス鋼、Ｔｉ等が用いられ、はんだ溶融槽４中のはんだ
５にはＰｂ−８ｎ、ＰＰｂ−８ｎ−Ａ等が用いられる。
尚、前記ターゲツト板ＩＫは、はんだ溶融槽４中に浸漬
した際接合面１ａｌｌｌの拡散を防止する為に、予め接
合面１ ａＫＮｉ、Ｃｕ等管めっきしておくと良い。
した際接合面１ａｌｌｌの拡散を防止する為に、予め接
合面１ ａＫＮｉ、Ｃｕ等管めっきしておくと良い。
また、はんだ浴融槽４中にターゲツト板１及び冷却板２
ｆ：浸漬するには縦向きに限らず、斜向き、横向き（水
平）Ｋ等いかなる向きでも良いものである。
ｆ：浸漬するには縦向きに限らず、斜向き、横向き（水
平）Ｋ等いかなる向きでも良いものである。
さらにターゲツト板１及び冷却［２は、はんだ溶融槽４
中で動かしたシ、振動させても良く、またはんだ５を攪
拌しても良いものである。
中で動かしたシ、振動させても良く、またはんだ５を攪
拌しても良いものである。
またターゲツト板１及び冷却板２の接合面１ｍ。
２ａ同志を合わせる際、第３図の鎖線に示す如く下端同
志を合わせた後徐々に上方を合わせていくと、例え溶融
はんだ５中に酸化物が混入していても接合面１ ａ 、
２ａの間から酸゛化物を追い出して合わせると七がで
きるので、接合面１ａ、２ａ間のけんだ層５ａ中に酸化
物が決して入ることがない。
志を合わせた後徐々に上方を合わせていくと、例え溶融
はんだ５中に酸化物が混入していても接合面１ ａ 、
２ａの間から酸゛化物を追い出して合わせると七がで
きるので、接合面１ａ、２ａ間のけんだ層５ａ中に酸化
物が決して入ることがない。
さらＫｔた溶融はんだ５上に油例えば菜種油を浮してお
くと、溶融はんだ５の酸化を防止できるので甚だ都合良
い本のである。
くと、溶融はんだ５の酸化を防止できるので甚だ都合良
い本のである。
前記本発明のマグネトロンスパッター用ターゲットの製
造方法によれば、ターゲツト板１と冷却板２の各々の接
合面がはんだ溶融槽４中ではんだ５に完全に濡らされ、
この状態のｔｔＦｉんだ溶融槽４中でターゲツト板１と
冷却板２の接合面１ａ。
造方法によれば、ターゲツト板１と冷却板２の各々の接
合面がはんだ溶融槽４中ではんだ５に完全に濡らされ、
この状態のｔｔＦｉんだ溶融槽４中でターゲツト板１と
冷却板２の接合面１ａ。
２Ｍ同志が合わされるので、この接合面１ａ。
２ｍ同志の間のはんだ層５ａ中には酸化物が生成されず
、従ってはんだ層５ａＫボイドの無いターゲット６が得
られるものである。
、従ってはんだ層５ａＫボイドの無いターゲット６が得
られるものである。
次に本発明による効果を明瞭ならしめる為にその具体的
な実施例と従来例について説明する。
な実施例と従来例について説明する。
第１５！ｉＫ示す如＜Ｐｔよ〕成ゐ厚さ３Ｍ、縦３７０
ｍ、横１２０ｍ５＋のターゲツト板ｌ及びステンレス鋼
より成る肉厚３Ｎ、接合面２Ｍ＠が縦３８０Ｕ、横１２
０ｍ５．背面側が縦４００ｍ＠横１６０ Ｍ、総厚４３
謔、内部の冷却水流通部分の厚さ３７諺。
ｍ、横１２０ｍ５＋のターゲツト板ｌ及びステンレス鋼
より成る肉厚３Ｎ、接合面２Ｍ＠が縦３８０Ｕ、横１２
０ｍ５．背面側が縦４００ｍ＠横１６０ Ｍ、総厚４３
謔、内部の冷却水流通部分の厚さ３７諺。
縦３７４ ｍ 、横１５４■の冷却板２の各接合面１ａ
２ａ以外の面ｘｂ、２ｂＫポリイミドテープをシリコン
糊付けしてはんだ防止層３を設けた螢、このターゲツト
板１及び冷却板２の接合面１ ｍ 、 ２．ａにフラッ
クスを塗布して第２図に示す如くはんだ溶融槽４中Ｋ
１ ｃｍ以上の間隔を存して接合面１ａ。
２ａ以外の面ｘｂ、２ｂＫポリイミドテープをシリコン
糊付けしてはんだ防止層３を設けた螢、このターゲツト
板１及び冷却板２の接合面１ ｍ 、 ２．ａにフラッ
クスを塗布して第２図に示す如くはんだ溶融槽４中Ｋ
１ ｃｍ以上の間隔を存して接合面１ａ。
２ａｔ対向させて浸漬し、接合面１ａ、２ａＫ！融けん
だ５を濡らす。そして３分間経過後はんだ溶融槽４中よ
りターゲツト板１及び冷却板２を引き上げて、接合面１
ａ、２ａの溶融けんだ５の濡れを確認し、溶融はんだ５
のされていない部分があれば再度フラックスを塗布して
浸漬し、これを繰返す、接合面１ｍ、２ａに完全に溶融
はんだ５が濡れているのが確認された々らばはんだ１１
融槽４中で第３図に示す如く接合面１ｍ、２ｍ同志管合
わせた後第４図に示す如くはんだ溶融槽４中から引き上
げ、然る後ターゲツト板１及び冷却板２のけんだ防止層
を除去して第５図に示すマグネトロンスパッター用ター
ゲット６を得食。
だ５を濡らす。そして３分間経過後はんだ溶融槽４中よ
りターゲツト板１及び冷却板２を引き上げて、接合面１
ａ、２ａの溶融けんだ５の濡れを確認し、溶融はんだ５
のされていない部分があれば再度フラックスを塗布して
浸漬し、これを繰返す、接合面１ｍ、２ａに完全に溶融
はんだ５が濡れているのが確認された々らばはんだ１１
融槽４中で第３図に示す如く接合面１ｍ、２ｍ同志管合
わせた後第４図に示す如くはんだ溶融槽４中から引き上
げ、然る後ターゲツト板１及び冷却板２のけんだ防止層
を除去して第５図に示すマグネトロンスパッター用ター
ゲット６を得食。
実施例と同一材質、同一寸法のターゲツト板１及び冷却
＠２の接合面１１及び２ａＫ予めはんだ金被覆し、これ
を重ねて加熱し、はんだ付してマグネトロンスパッター
用ターゲッ）ｔ−得た。
＠２の接合面１１及び２ａＫ予めはんだ金被覆し、これ
を重ねて加熱し、はんだ付してマグネトロンスパッター
用ターゲッ）ｔ−得た。
然して前述の如く得られた実施例及び従来のマグネトロ
ンスパッター用ターゲットをＸ＊ａ過してターゲツト板
１と冷却板２との間のはんだ層を砿察した処、従来例の
マグネトロンスパッター用ターゲットにおける社んだ層
には面積で２０嘔のボイドがあったのに対し、実施例の
マグネトロンスパッター用ターゲットにおけるはんだ層
にはボイドが皆無であった。
ンスパッター用ターゲットをＸ＊ａ過してターゲツト板
１と冷却板２との間のはんだ層を砿察した処、従来例の
マグネトロンスパッター用ターゲットにおける社んだ層
には面積で２０嘔のボイドがあったのに対し、実施例の
マグネトロンスパッター用ターゲットにおけるはんだ層
にはボイドが皆無であった。
以上詳記した通〕本発明のマグネトロンスパッター用タ
ーゲットは、ターゲツト板と冷却板との間のはんだ層に
酸化物によるボイドが無いので、スパッタリングを行っ
た際、スパッタ中にターゲツト板が局部的に溶けて破損
するようなことけなく、またスパッターむらが生じたり
、はんだや冷却板などの不純物がスパッタされ石ような
こと２５にない等の優れた効果がある。
ーゲットは、ターゲツト板と冷却板との間のはんだ層に
酸化物によるボイドが無いので、スパッタリングを行っ
た際、スパッタ中にターゲツト板が局部的に溶けて破損
するようなことけなく、またスパッターむらが生じたり
、はんだや冷却板などの不純物がスパッタされ石ような
こと２５にない等の優れた効果がある。
また本発明のマグネトロンス／＜ツター用ターゲットの
製造方法によれば、上記の如き優れた効果の６ｘマグネ
トロンスノくツター用ターゲットを容易にしかも確実に
得ることができるという優れた効果がある。
製造方法によれば、上記の如き優れた効果の６ｘマグネ
トロンスノくツター用ターゲットを容易にしかも確実に
得ることができるという優れた効果がある。
第１図乃至第５図は本発明によるマグネトロスパッター
用ターゲットの製造方法の工程管示す図である。 １・・・・・・ターゲット板、１ｇ・・・・・・接合面
、１ｂ・・・・・・接合面以外の面、２・・・・・・冷
却板、２ＪＩ・・・・・・接合面、２ｂ・・・・・・接
合面以外の面、３・・・・・・けんだ防止層、４・・・
・・・はんだ溶融槽、５・・・・・・溶融はんだ、６・
・・・・・マクネトロンスノくツター用ターケツＦ。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第１図 第２図 第３図 第４図 ↑ 第５図
用ターゲットの製造方法の工程管示す図である。 １・・・・・・ターゲット板、１ｇ・・・・・・接合面
、１ｂ・・・・・・接合面以外の面、２・・・・・・冷
却板、２ＪＩ・・・・・・接合面、２ｂ・・・・・・接
合面以外の面、３・・・・・・けんだ防止層、４・・・
・・・はんだ溶融槽、５・・・・・・溶融はんだ、６・
・・・・・マクネトロンスノくツター用ターケツＦ。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第１図 第２図 第３図 第４図 ↑ 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 だ １）はんφ溶融槽に浸漬されたターゲツト板及び冷却板
が接合面にのみ酸化物の無いはんだ層が形成されて、こ
のはんだ層を介して前記両者が接合され、その他の面は
無垢になされていることｔ１％黴とするマグネトロンス
パッター用ターゲット。 ２）ターゲツト板及び冷却板の接合面以外の面ＫＦｉん
だ防止層を設けた後、このターゲツト板及び冷却板を離
してはんだ溶融槽に浸漬し、両者の接合面にはんだを濡
らし、次にターゲツト板及び冷却板の接合面を合わせた
後はんだ溶融槽から引き上け、然る後ターゲツト板及び
冷却板のはんだ防止層管除去することを特徴とするマグ
ネトロンスパッター用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19202781A JPS5893871A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | マグネトロンスパッター用ターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19202781A JPS5893871A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | マグネトロンスパッター用ターゲットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893871A true JPS5893871A (ja) | 1983-06-03 |
| JPS649396B2 JPS649396B2 (ja) | 1989-02-17 |
Family
ID=16284372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19202781A Granted JPS5893871A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | マグネトロンスパッター用ターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893871A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5230462A (en) * | 1992-07-08 | 1993-07-27 | Materials Research Corporation | Method of soldering a sputtering target to a backing member |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP19202781A patent/JPS5893871A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5230462A (en) * | 1992-07-08 | 1993-07-27 | Materials Research Corporation | Method of soldering a sputtering target to a backing member |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS649396B2 (ja) | 1989-02-17 |
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