JPS589576B2 - ハクマクヨウリヨウソシノ セイゾウホウホウ - Google Patents

ハクマクヨウリヨウソシノ セイゾウホウホウ

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Publication number
JPS589576B2
JPS589576B2 JP48109561A JP10956173A JPS589576B2 JP S589576 B2 JPS589576 B2 JP S589576B2 JP 48109561 A JP48109561 A JP 48109561A JP 10956173 A JP10956173 A JP 10956173A JP S589576 B2 JPS589576 B2 JP S589576B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
thin film
trimming
capacitive element
upper electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP48109561A
Other languages
English (en)
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JPS5060759A (ja
Inventor
高橋憲治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP48109561A priority Critical patent/JPS589576B2/ja
Publication of JPS5060759A publication Critical patent/JPS5060759A/ja
Publication of JPS589576B2 publication Critical patent/JPS589576B2/ja
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  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電子部品などに用いられる薄膜容量素子の静
電容量を調節する新規なトリミング方法?含む薄膜容量
素子の製造方法に関するものである。
電子部品として用いられる薄膜容量素子は薄膜回路用な
どに使用されるが、この容量素子はSiOSiO,Zn
Sなどを誘電体の材料に使用して形成される。
蒸着法で薄膜容量素子を基板上に形成するに当って基板
の温度、蒸着速度、蒸着槽内の真空度などの制御が一般
に容易でないために誘電体薄膜の膜厚を制御して常に設
計通りの容量値をもつ薄膜容量素子を製造することは甚
だ困難である1そこで普通はあらかじめ所望の容量値よ
り幾分大きい容量値となるように容量素子を形成してお
き、その後で所望の容量値になるように電極の一部を剥
離して容量を所望の値に合わせていたものである。
しかしこの方法では電極の面積を直接変化させるため容
量値を精密にトリミングするための加工作業が難かしく
、削りすぎなどによる不良品を出してしまうことが多い
それを防ぐために微細なパターンを多く使用して作業を
行い易くすることも考えられるが、実際にはトリミング
中に誘電体が損傷したり、電極間が短絡したりするおそ
れがあり、いずれにしても容量値の変化は段階的になり
、連続的に微少量づつトリミングすることは不可能であ
る。
この発明はこのような欠点を除去するためになされたも
のであって、薄膜容量素子の主電極に陽極酸化できる物
質からなるトリミング用電極を接続し、このトリミング
用電極を陽極酸化して微細なトリミングを行ない所望の
容量値とする薄膜容量素子の製造方法である。
すなわち薄膜容量素子の誘電体薄膜を挾んで対向する上
下電極の内上部電極と前記誘電体薄膜との両方にまたが
って上部電極の延長部分となるようなトリミング用電極
を陽極酸化できる金属で予め形成し、このトリミング用
電極を陽極酸化することによって連続的に電極面積を変
化させ薄膜容量素子の容量を所望の値とするものである
以下図面を参照してこの発明の方法を説明する。
第1図、第2図に示すように石英製の基板11上に蒸着
法で下部電極12を形成して、この電極12上に誘電体
薄膜13を形成し、次いでこの薄膜13上に上部電極1
4を形成する。
さらにこの上部電極14上と前記誘電体薄膜13との両
方にまたがるように陽極酸化できる金属でトリミング用
電極15を形成する。
このようにして下部電極、誘電体薄膜、上部電極および
上部電極と誘電体薄膜とにまたがり上部電極の延長部分
となるように形成されたトリミング用電極とから構成さ
れた薄膜容量素子が形成される。
電解液を入れる容器として絶縁体からなる有底の箱の底
面の一部を切抜いたものを使用する。
この底面の開孔がトリミング用電極上にくるように容器
を配置する。
容器内に電解液を充たし、液に浸されてかつ前記トリミ
ング用電極の端部に対向するように陰極板を配設する。
陽極板は前記容器の外側において前記トリミング用電極
に当接させて配置する。
この状態で陽極板と陰極板との間に直流電圧を印加する
とトリミング用電極は陽極酸化作用をうけて固縁部から
酸化物となり、トリミング用電極の金属の形で残る部分
の誘電体薄膜に接する側の面積が徐々に減少するから薄
膜容量素子が所望の容量値となったところでトリミング
を停止させる。
実施例、第1図、第2図に示すようにアルミナ基板11
をよく洗浄して清浄にし、Crを200Å、次いでAu
を1500λの厚さに蒸着して下部電極12を形成し、
この下部電極の上に誘電体のSiOを蒸着法によって1
500人の厚さに蒸着して誘電体薄膜13を形成し、パ
ターニングしてほぼ所望の容量値とする。
次いでCrを200人、Auを1500人の厚さに蒸着
して上部電極14を形成する。
誘電体薄膜13と上部電極14とにまたがってAlを1
000人の厚さに蒸着して上部電極の延長部分となるト
リミング用電極15を形成する。
第3図に示すように、上述のように形成された薄膜容量
素子のトリミング用電極15の上に電解液を入れる容器
21を配置する。
この容器21は硬質ゴムのような絶縁物からなる有底の
箱状体で,この底部には電解液がトリミング用電極15
に接触するための開孔22が設けられている。
図示のように容器21を配置し、容器内に硫酸と硝酸と
の混合水溶液を入れ、白金からなる陰極板23をトリミ
ング用電極15の端部の上方に電解液に浸して配設する
陽極板24は容器の外側において図示のように前記トリ
ミング用電極15に接触させる。
陽極板24と陰極板23との間に直流電源Eから電圧を
印加してトリミング用電極15を陽極酸化する。
トリミング用電極15は陽極酸化されてもその見掛けの
体積は変らないが、陰極板23に対向する端部に近いほ
ど著しく酸化されて行く。
したがって容量素子の下部電極12に対向してトリミン
グ用電極を含んだ上部電極全体の金属部分の面積が時間
の経過とともに連続的に小さくなって行くので、容量素
子の容量を測定しながら陽極酸化をすすめて行き、容量
素子が所望値になったとき陽極酸化を停止する。
このようにして所望の容量値を有する薄膜容量素子が形
成される。
このようにこの発明の方法によれば、電極の剥離や切断
を行なうことなく、陽極酸化することのできるA[やT
iやNbなとでトリミング用電極を形成して、このトリ
ミング用電極を端部から陽極酸化して行き、容量素子の
上下電極間の対向面積を連続して変化させるので、微細
な容量素子の容量の調節ができ、かつ容量の変化をモニ
ターしながら連続的にトリミングを行なえるのできわめ
て能率的である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の方法を実施するための薄膜容量素子
の概略を示す平面図、第2図は第1図を2−2面にて切
断して示す断面図、第3図はこの発明の方法を実施する
ため陽極酸化を施す状態の概要を示す説明図である。 11・・・・・・基板、12・・・・・・下部電極、1
3・・・・・・誘電体薄膜、14・・・・・・上部電極
、15・・・・・・トリミング用電極、21・・・・・
・電解液溶器、23・・・・・・陰極板、24・・・・
・・陽極板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 基板上に下部電極を形成する工程と、この下部電極
    上に誘電体薄膜を形成する工程と、この誘電体薄膜上に
    上部電極を形成する工程と、この上部電極と誘電体薄膜
    との両方にまたがって上部電極の延長部分となるように
    陽極酸化できる金属からなるトリミング用電極を形成す
    る工程と、このトリミング用電極を陽極酸化して薄膜容
    量素子の静電容量が所望値となるようにトリミングする
    工程とを有することを特徴とする薄膜容量素子の製造方
    法。
JP48109561A 1973-09-28 1973-09-28 ハクマクヨウリヨウソシノ セイゾウホウホウ Expired JPS589576B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP48109561A JPS589576B2 (ja) 1973-09-28 1973-09-28 ハクマクヨウリヨウソシノ セイゾウホウホウ

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JP48109561A JPS589576B2 (ja) 1973-09-28 1973-09-28 ハクマクヨウリヨウソシノ セイゾウホウホウ

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JPS5060759A JPS5060759A (ja) 1975-05-24
JPS589576B2 true JPS589576B2 (ja) 1983-02-22

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JP48109561A Expired JPS589576B2 (ja) 1973-09-28 1973-09-28 ハクマクヨウリヨウソシノ セイゾウホウホウ

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JP (1) JPS589576B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60167868U (ja) * 1984-04-17 1985-11-07 株式会社 桜製作所 圧力調整弁
JPS614084U (ja) * 1984-06-13 1986-01-11 エヌテ−シ−工業株式会社 電動弁

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60167868U (ja) * 1984-04-17 1985-11-07 株式会社 桜製作所 圧力調整弁
JPS614084U (ja) * 1984-06-13 1986-01-11 エヌテ−シ−工業株式会社 電動弁

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JPS5060759A (ja) 1975-05-24

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