JPS5895933A - サ−ジ吸収素子 - Google Patents

サ−ジ吸収素子

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Publication number
JPS5895933A
JPS5895933A JP19491781A JP19491781A JPS5895933A JP S5895933 A JPS5895933 A JP S5895933A JP 19491781 A JP19491781 A JP 19491781A JP 19491781 A JP19491781 A JP 19491781A JP S5895933 A JPS5895933 A JP S5895933A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
zno
varistor
surge
microgap
Prior art date
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Pending
Application number
JP19491781A
Other languages
English (en)
Inventor
寛一 立花
栄一 渋沢
宗像 和美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Mining and Cement Co Ltd
Mitsubishi Industries Cement Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Mining and Cement Co Ltd
Mitsubishi Industries Cement Co Ltd
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Mining and Cement Co Ltd, Mitsubishi Industries Cement Co Ltd filed Critical Mitsubishi Mining and Cement Co Ltd
Priority to JP19491781A priority Critical patent/JPS5895933A/ja
Publication of JPS5895933A publication Critical patent/JPS5895933A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ZnO系バリスタのみで生じる漏れ電流を極
小にすることができ、しかもZnO系バリスタと同様の
サージ応答特性を有するサージ吸収素子に関する。
ZnO系バリスタは、ZnOt−主成分としBi!’s
、BaO等の微量成分を添加して均一に混合し、加圧成
形後空気中において温度800〜1500℃で焼結する
ことKよって得られた焼結体に一対の電極を形成し、こ
の電極にリードIIIを接続し要談、全体を樹脂で被覆
した奄のである。ZnO系バリスタは電圧〜電R11i
l性における非直線性が極めて大きく、バリメタの電圧
〜電流特性を、I=kV”  で表わしたとき、通常の
バリスタではα=3〜7であるのに対し、ZnO系バリ
スタFiff=25〜50、さら[50以上のものもあ
るなどすぐれた非直線性を示すことが知られており、そ
の特性を利用してサージ吸収等(使用されている。
しかし、ZnO系バリスタは、上記電圧〜電流特性にお
ける大きな非直線性のために電圧が印加されると漏れ電
流が流れ、常時電電を印加したままで長時間使用に供さ
れた場合、電圧〜電R’lli性の劣化が進行し、つい
vcFi破壊に至り短絡状態となって熱暴走する危険が
ある。
本発明は、ZnO系バリスタの優れ友サージ応答特性を
なんら阻害することなく、他方漏れ電流を極小に阻止し
て上記危険性を解消し、ZnO系バリスタの劣化を防止
し九サージ吸収素子を提供することを目的とするもので
ある。
本発明は上記目的を達成するために種々研究の結果開発
されたもので、10〜100IRnのマイクロギャップ
を有しAr + Ne等の不活性ガスを封入した放電管
とZnO系バリスタとを直列に接続して構成したサージ
吸収素子である。
】0〜100 pmのマイクロギャップを有するガス入
り放電管は、絶縁体表面に導電性薄膜を付着させ、鎖導
電性薄膜に10〜100 /jmのマイクロギャップを
形成し、このマイクロギャップによって薄膜を複数個に
分割し、この分割された両端の導電性薄jlKそれぞれ
電#!、を固着し、この電極にそれぞれ電線全電気的に
接続させ、かつこの電極間を絶縁性被覆材で被覆し、そ
の中K Ar + Ne等の不活性ガスを封入してなる
放電管である。
第1図は本発明の実施例を示す等価回路であって、1t
flO〜100I!mのマイクロギャップを有するガス
入り放電管、2はZnO系バリスタである。
以下、第1図に示したサージ吸収素子の実施例において
、マイクロギャップを有するガス放電管として放電開始
電圧が220vのものを使用し、ZnO系バリスタとし
てバリスタ電圧220vのものを使用したサージ吸収素
子の両端A、Hに電圧を印加した場合を例にあげて本発
明の作用効果を説明する。
第1図に示すサージ吸収素子の両端A、BKAC100
v電圧を印加し九とき漏れ電流値Fi0.057μAと
なる。一方バリスタ電圧220vのZnO系ノくリスク
のみにAC100Vを印加したときの漏れ電流値は29
.16μAとなる。
従って、バリスタ電圧220■のZnO系ノくリスクに
、lθ〜1,00μmのマイクロギャップを有し放電開
始電圧220vのガス入シ放電管を直列接続することに
よシ、バリスタ電圧220VのZnO系バリスタの漏れ
電流を2/1000 程度に極めて小さくすることがで
きる。
次に、第1図のサージ吸収素子の両端A、Bに直流電圧
全印加し、直流放電開始電圧Vst−測定すると、V〜
工特性図は第2図のようになる。
第2図よシ、第1図のサージ吸収素子の見かけ上の直流
放電開始電圧は440vであシ、第1図のサージ吸収素
子に使用したZnO系ノクリスリスノ(リスク電圧22
0vと、10〜100μmのマイクロギャップを有する
ガス入プ放電管の直流放電開始電圧220vとの和罠な
っている。
ZnO系バリスタのみに直流電圧を印加した場合のV〜
工特性図は第3図に示した。
また、10〜100μmのマイクロギャップを有し直流
放電開始電圧が220vのガス入り放電管のV−I特性
図は第4図の通りである。第4図より、160Vでグロ
ー放電が起きていることがわかる。
また第1図に示すサージ吸収素子の両端A、BK直流電
圧を印加したとき、220V(ZnO系バリスタのバリ
スタ電圧)から380 V (ZnO系バリスタのバリ
スタ電圧と、マイクロギャップ放電管のグロー放電電圧
との和)の範囲で第5図に示すような発振現象が見られ
、上記のように、見かけ正直流放電開始電圧FiZnO
系バリスタのバリスタ電圧と10〜100μmのマイク
ロギャップ1有するガス入り放電管の直流放電開始電圧
の略和となる。
次にサージ応答特性について説明する。本発明のサージ
吸収素子、10〜100/ffiのマイクロギャップを
有するガス入り放電管、ZnO系バリスタにそれぞれ時
間0.1μ3 間で3 KV立ち上りのサージ電圧を印
加したときのy−を特性図は、それぞれ第6図、第7図
、第8図の通りである。
図から、サージ電圧を印加した場合の放電開始電圧は、
いずれの場合も同じ1.2 KVとなることがわかる。
また、第6図、第8図より、本発明のサージ吸収素子に
サージ電圧を印加した時のサージ応答特性はZnO系バ
リスタのみにサージ電圧を印加したときのサージ応答特
性と同様となる。
本発明は以上のように、znO系ノクリスリス優れ九非
直線性を利用したサージ吸収素子に常時電圧全印加して
おくような場合に、ZnO系ノ(リスクの漏れ電流を極
めて小さくしてZnO系)(リスクの劣化全防止し、一
方ZnO系)(リスクの有するサージ特性を阻害しない
ので、すぐれたサージ吸収素子として用いることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の等価回路図、第2図。 第3図、第4図はそれぞれ第1図のA−B、C〜B、A
〜Cに直流電圧を印加したときのV〜I4I性図、第5
図は第2図で220v〜380VO範囲で発振塊象を示
すV−を特性図、第6図、第7図。 第8図は0.1.μ8間で3 KVの立上りのサージ電
圧を第1図のA〜B、A〜C2C〜BK印加したときの
V〜を特性図である。 1・・マイクロギャップ式放電管 2・・ZnO系バリスタ、A、B、C・・・各端子第1
図 S  第4図 時間t(Ps)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 10〜100PTRのマイクロギャップ管有しAr
    tNe等の不活性ガスを封入した放電管とZnO系バリ
    スタとを直列Km続してなるサージ吸収素子。
JP19491781A 1981-12-03 1981-12-03 サ−ジ吸収素子 Pending JPS5895933A (ja)

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