JPS5896422A - スイツチ回路 - Google Patents
スイツチ回路Info
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- JPS5896422A JPS5896422A JP19543181A JP19543181A JPS5896422A JP S5896422 A JPS5896422 A JP S5896422A JP 19543181 A JP19543181 A JP 19543181A JP 19543181 A JP19543181 A JP 19543181A JP S5896422 A JPS5896422 A JP S5896422A
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- JP
- Japan
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- transistor
- signal
- emitter
- transistors
- transmission
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
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- Electronic Switches (AREA)
- Dc Digital Transmission (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、信号の伝送を制御するスイッチ回路に関す
る。
る。
たとえば、集積回路等において、@1図に示すように、
信号伝送路lの入力端子1−1から出力端子1−2への
信号の伝送を制御する方式として、従来、伝送路1にバ
イポーラトランジスタ2を接続するようにした回路が用
いられている。
信号伝送路lの入力端子1−1から出力端子1−2への
信号の伝送を制御する方式として、従来、伝送路1にバ
イポーラトランジスタ2を接続するようにした回路が用
いられている。
第1図の回路において、入力端子1−1に信号を加えて
、トランジスタ2をオフ状態とすると、信号は入力端子
1−1から出力端子1−2へ伝送され、トランジスタ2
をオン状態にすると、信号は出力端子1−2には伝送さ
れない。しかるに。
、トランジスタ2をオフ状態とすると、信号は入力端子
1−1から出力端子1−2へ伝送され、トランジスタ2
をオン状態にすると、信号は出力端子1−2には伝送さ
れない。しかるに。
上述の従来のスイッチ回路のトランジスタを集積回路で
構成したとき、コレクタと基板との間の寄生ダイオード
によって、たとえば、負極性の信号を出力端子へ伝送で
きないという欠点があった。
構成したとき、コレクタと基板との間の寄生ダイオード
によって、たとえば、負極性の信号を出力端子へ伝送で
きないという欠点があった。
即チ、スイッチ回路としてのトランジスタを、第2図に
示すような集積回路で構成した場合について説明する。
示すような集積回路で構成した場合について説明する。
第2図において、3はP形基板、4はN層にてなるN影
領域、5はP+層にて成るベース、6は+ N 層にてなるエミッタ、7はN十層にてなるコレクタ
である。
領域、5はP+層にて成るベース、6は+ N 層にてなるエミッタ、7はN十層にてなるコレクタ
である。
上記の回路において、P形の基板3とN十層にてなるコ
レクタ7との間に寄生ダイオード8が形成され、かつ、
基板3は接地されるので、入力端子1−1に負電圧が印
加されるとトランジスタ2がオフ状態であっても寄生ダ
イオード8を通して信号が基板側へ流れて出力端子1−
2には所望の信号が得られない。
レクタ7との間に寄生ダイオード8が形成され、かつ、
基板3は接地されるので、入力端子1−1に負電圧が印
加されるとトランジスタ2がオフ状態であっても寄生ダ
イオード8を通して信号が基板側へ流れて出力端子1−
2には所望の信号が得られない。
この発明は、上述の欠点を解消するためになされたもの
で、伝送路Iこおける信号の伝送をスイッチスる伝送制
御用のスイッチングトランジスタの他に、スイッチング
用の)ランジスタを組み合わせて、上記伝送制御用のト
ランジスタに形成された寄生ダイオードによる影響を受
けないようにして、伝送しようとする信号が正・負に変
化するものであっても、該信号の伝送を正確に制御でき
るスイッチ回路を提供することを目的とする。
で、伝送路Iこおける信号の伝送をスイッチスる伝送制
御用のスイッチングトランジスタの他に、スイッチング
用の)ランジスタを組み合わせて、上記伝送制御用のト
ランジスタに形成された寄生ダイオードによる影響を受
けないようにして、伝送しようとする信号が正・負に変
化するものであっても、該信号の伝送を正確に制御でき
るスイッチ回路を提供することを目的とする。
以下に、この発明の一実施例を、第3図ととも1こ説明
する。
する。
な°お、第3図において、第1図1こおけるスイッチ回
路の構成部分と等価な部分には同一符号を付して説明す
る。
路の構成部分と等価な部分には同一符号を付して説明す
る。
第3図において、NPN形のトランジスタを用いた第1
I第2および第4のトランジスタ2.11゜および13
と、PNP形のトランジスタを用いた第3のトランジス
タ12とは、第2図に示すトランジスタと同様の公知の
方法で、シリコンのP形基板(図示しない)上に、集積
して形成したものである。
I第2および第4のトランジスタ2.11゜および13
と、PNP形のトランジスタを用いた第3のトランジス
タ12とは、第2図に示すトランジスタと同様の公知の
方法で、シリコンのP形基板(図示しない)上に、集積
して形成したものである。
第1のトランジスタ2のエミッタは接地され、そのコレ
クタは第2のトランジスタ11のコレクタに接続される
とともに、第2のトランジスタ11のエミッタは、入力
端子1−1と出力端子1−2と番こ接続された伝送路1
に接続される。また、第2トランジスタ11のエミッタ
ーベースには、第1抵抗15が接続されるとともに、該
ベースは第2抵抗16を介して第3のトランジスタ12
のコレクタに接続されている。
クタは第2のトランジスタ11のコレクタに接続される
とともに、第2のトランジスタ11のエミッタは、入力
端子1−1と出力端子1−2と番こ接続された伝送路1
に接続される。また、第2トランジスタ11のエミッタ
ーベースには、第1抵抗15が接続されるとともに、該
ベースは第2抵抗16を介して第3のトランジスタ12
のコレクタに接続されている。
第3のトランジスタ12のエミッタは、正の所定の直流
電圧の電源17と接続されている。また。
電圧の電源17と接続されている。また。
第3のトランジスタ12のベースは、第3抵抗18を介
して第4のトランジスタ13のコレクタに接続されると
ともに、第4のトランジスタ13はエミッタ接地されて
いる。
して第4のトランジスタ13のコレクタに接続されると
ともに、第4のトランジスタ13はエミッタ接地されて
いる。
さらに、第1のトランジスタ2のベースに第4抵抗19
が接続されるとともに、第4のFランジメタ13のベー
スに第5抵抗20が接続され、両抵抗19と20の他端
は、共通接続された制御端子21を介して、当該スイッ
チ回路の制御用の図示しない制御信号発生回路に接続さ
れている。この制御信号発生回路は、上記伝送路1の入
力端子1−1に印加された信号の出力端子1−2への伝
送を阻止するときには、正の所定電圧、たとえば。
が接続されるとともに、第4のFランジメタ13のベー
スに第5抵抗20が接続され、両抵抗19と20の他端
は、共通接続された制御端子21を介して、当該スイッ
チ回路の制御用の図示しない制御信号発生回路に接続さ
れている。この制御信号発生回路は、上記伝送路1の入
力端子1−1に印加された信号の出力端子1−2への伝
送を阻止するときには、正の所定電圧、たとえば。
0.8v以上のハイレベル信号′″H#を上記制御端子
21に印加し、一方、上記入力端子1−1に印加された
信号を出力端子1−2に伝送するときには、たとえば、
0.3 V以下のローレベル信号1L#を、上記制御端
子21に印加するよ・うになっている。
21に印加し、一方、上記入力端子1−1に印加された
信号を出力端子1−2に伝送するときには、たとえば、
0.3 V以下のローレベル信号1L#を、上記制御端
子21に印加するよ・うになっている。
なお、第1乃至@5抵抗15.16,18,19゜20
は、ともに、上述した第1乃至第4のトランジスタが集
積回路として形成されているP形基板(図示しない)上
に、公知の方法で形成されたN影領域に、P形の不純物
を拡散して形成されている。そして、これ等の抵抗15
,16.18.19゜20のうち、少なくとも、第1乃
至第3抵抗、15゜16.18は、第2図に示す一分離
層10と同様の分離層(図示しない)により包囲するよ
うにする。このようにして、各抵抗15,16.18に
、寄生のPN接合部が形成されないようにすることか好
ましい。
は、ともに、上述した第1乃至第4のトランジスタが集
積回路として形成されているP形基板(図示しない)上
に、公知の方法で形成されたN影領域に、P形の不純物
を拡散して形成されている。そして、これ等の抵抗15
,16.18.19゜20のうち、少なくとも、第1乃
至第3抵抗、15゜16.18は、第2図に示す一分離
層10と同様の分離層(図示しない)により包囲するよ
うにする。このようにして、各抵抗15,16.18に
、寄生のPN接合部が形成されないようにすることか好
ましい。
また、第1乃至第4のトランジスタ2゜11゜12゜1
3と、第1乃至第5抵抗15゜16.18゜19.20
と伝送路1間の電気接続用の線路、および、該伝送路1
は、第3図に示す電極9と同様に、AI!専の金属を、
公知の蒸着法で蒸着して形成した接続線により、互いに
、上述したように、電気的に接続されている。
3と、第1乃至第5抵抗15゜16.18゜19.20
と伝送路1間の電気接続用の線路、および、該伝送路1
は、第3図に示す電極9と同様に、AI!専の金属を、
公知の蒸着法で蒸着して形成した接続線により、互いに
、上述したように、電気的に接続されている。
つぎに、上述のこの発明に係るスイッチ回路の動作を説
明する。
明する。
電源17からは、少なくとも1v以上の正の直流電圧が
出力され、かつ、制御端子21は、当該スイッチ回路の
制御用の図示しない制御信号発生回路に接続されている
。
出力され、かつ、制御端子21は、当該スイッチ回路の
制御用の図示しない制御信号発生回路に接続されている
。
伝送路1の入力端子1−1に、たとえば、正の3vの伝
送しようとする信号Sが印加され、がっ、制御端子21
に伝送指令用のローレベル信号″″L#か印加されると
、第1のトランジスタ2のベースはローレベルとなり、
該トランジスタ2はオフとされる。また、第4のトラン
ジスタ13のベースもローレベルとなり、該トランジス
タ13もオフとされる。
送しようとする信号Sが印加され、がっ、制御端子21
に伝送指令用のローレベル信号″″L#か印加されると
、第1のトランジスタ2のベースはローレベルとなり、
該トランジスタ2はオフとされる。また、第4のトラン
ジスタ13のベースもローレベルとなり、該トランジス
タ13もオフとされる。
上記入力端子1−1に印加された正の伝送信号Sは、第
1抵抗15を介して第2のトランジスタ11のベースに
印加される。この正電圧信号は、へニスコレクタ間の順
方向のPN接合部を介して・第1のトランジスタ2のコ
レクタに印加されるが、このトランジスタ2において、
コレクターペース間は逆方向であるので、該トランジス
タ2のコレクターエミッタ間の耐圧以下であれば、この
トランジスタ2はオフ状態に維持される。
1抵抗15を介して第2のトランジスタ11のベースに
印加される。この正電圧信号は、へニスコレクタ間の順
方向のPN接合部を介して・第1のトランジスタ2のコ
レクタに印加されるが、このトランジスタ2において、
コレクターペース間は逆方向であるので、該トランジス
タ2のコレクターエミッタ間の耐圧以下であれば、この
トランジスタ2はオフ状態に維持される。
一方、上述の第2のトランジスタ11のベースに印加さ
れた電圧は、第2抵抗16を介して、第3のトランジス
タ12のコレクタに印加される。
れた電圧は、第2抵抗16を介して、第3のトランジス
タ12のコレクタに印加される。
さらに1、この正電圧は、該トランジスタ12のコしフ
タ−ベース間の順方向のPN接合部、および第3抵抗1
8を介して、第4のトランジスタ13ノコレクタに印加
される。この状態で、トランジスタ13のコレクターエ
ミッタ間の耐圧以下であれば、このトランジスタ13は
オフ状態に維持される。
タ−ベース間の順方向のPN接合部、および第3抵抗1
8を介して、第4のトランジスタ13ノコレクタに印加
される。この状態で、トランジスタ13のコレクターエ
ミッタ間の耐圧以下であれば、このトランジスタ13は
オフ状態に維持される。
上述のように、各トランジスタ2゜11.12゜13は
オフであるので、伝送路1の入力端子1−1に印加され
た正信号Sは、接地側へ流れることなく、正しく、出力
端子1−2に伝送される。
オフであるので、伝送路1の入力端子1−1に印加され
た正信号Sは、接地側へ流れることなく、正しく、出力
端子1−2に伝送される。
なお、制御端子21に、ハイレベル信号ゞH#が印加さ
れた場合には、第1および第4のトランジスタ2および
13は、ともに、オンとされる。よって、第1のトラン
ジスタ2のコレクタに印加された正信号Sは、そのエミ
ッタを通して接地点に流れ、したがって、上記信号Si
t、接続点O5第2のトランジスタ11のエミッタとコ
レクタ、および第1のトランジスタ2のコレクタとエミ
ッタを介して接地点に流出し、この信号Sの出力端子1
−2への伝送が確実に阻止される。
れた場合には、第1および第4のトランジスタ2および
13は、ともに、オンとされる。よって、第1のトラン
ジスタ2のコレクタに印加された正信号Sは、そのエミ
ッタを通して接地点に流れ、したがって、上記信号Si
t、接続点O5第2のトランジスタ11のエミッタとコ
レクタ、および第1のトランジスタ2のコレクタとエミ
ッタを介して接地点に流出し、この信号Sの出力端子1
−2への伝送が確実に阻止される。
つぎに、伝送路1の入力端子1−1に、たとえば負の一
3vの信号Sが印加され、かつ、制御端子21にロー・
ベル信号″L#が印加されると、上述したと同様にして
、第1および第4のトランジスタ2および13が、とも
に、オフとされる。
3vの信号Sが印加され、かつ、制御端子21にロー・
ベル信号″L#が印加されると、上述したと同様にして
、第1および第4のトランジスタ2および13が、とも
に、オフとされる。
よって、上記入力端子1−1に印加された負信号Sは、
第1抵抗15を介して第2のトランジスタ11のベース
に印加されるが、この負信号に対しては、トランジスタ
11のベース−コレクタ間は逆方向であり、該トランジ
スタ11のコレクターエミッタ間は遮断状態とされる。
第1抵抗15を介して第2のトランジスタ11のベース
に印加されるが、この負信号に対しては、トランジスタ
11のベース−コレクタ間は逆方向であり、該トランジ
スタ11のコレクターエミッタ間は遮断状態とされる。
一方、上述の第2のトランジスタ11に印加された負信
号は、第2抵抗16を介して、第3のトランジスタ12
のコレクタに印加されるが、この負信号に対して、この
トランジスタ12のコレクターベース間は逆方向であり
、該トランジスタ12は遮断状態とされる。よって、第
3図において、破線で示すように、第1および第4のト
ランジスタ2および13のコレクタと、接地されたエミ
ッタとの間に、たとえ、寄生ダイオード8.8が形成さ
れていても、上記伝送路1の入力端子1−1に印加され
た負信号は、上述の第2および第3のトランジスタ11
および12の遮断動作により、何ら影響を受けることな
(、出力端子1−2に、正しく伝送される。
号は、第2抵抗16を介して、第3のトランジスタ12
のコレクタに印加されるが、この負信号に対して、この
トランジスタ12のコレクターベース間は逆方向であり
、該トランジスタ12は遮断状態とされる。よって、第
3図において、破線で示すように、第1および第4のト
ランジスタ2および13のコレクタと、接地されたエミ
ッタとの間に、たとえ、寄生ダイオード8.8が形成さ
れていても、上記伝送路1の入力端子1−1に印加され
た負信号は、上述の第2および第3のトランジスタ11
および12の遮断動作により、何ら影響を受けることな
(、出力端子1−2に、正しく伝送される。
なお、制御端子21に、伝送阻止指令用のハイレベル信
号″″H#が印加された場合には、第1および第4のト
ランジスタ2および13は、ともに、オンとされる。よ
って、伝送路1の入力端子1−1から第1抵抗15を介
して第2のトランジスタ11のベースに印加された負信
号は、該トランジスタ11のベースからエミッタに向け
て流れ、該)ランジスタ11はオンとされる。したがっ
て、接地点から、第1のトランジスタ2のエミッタとコ
レクタ、第2のトランジスタ11のコレクタとエミッタ
を介して電流が流れ、即ち、該トランジスタ11のエミ
ッタと伝送路1との接続4点Oの電位は、はソ零とされ
、入力端子1−1に印加された負信号Sの出力端子1−
2への伝送が確実に駆出される。
号″″H#が印加された場合には、第1および第4のト
ランジスタ2および13は、ともに、オンとされる。よ
って、伝送路1の入力端子1−1から第1抵抗15を介
して第2のトランジスタ11のベースに印加された負信
号は、該トランジスタ11のベースからエミッタに向け
て流れ、該)ランジスタ11はオンとされる。したがっ
て、接地点から、第1のトランジスタ2のエミッタとコ
レクタ、第2のトランジスタ11のコレクタとエミッタ
を介して電流が流れ、即ち、該トランジスタ11のエミ
ッタと伝送路1との接続4点Oの電位は、はソ零とされ
、入力端子1−1に印加された負信号Sの出力端子1−
2への伝送が確実に駆出される。
なお、上述したこの発明に係るスイッチ回路において、
第4図に示すように、第1、第2および第4のトランジ
スタ2.11、および13を、NPN形と逆極性のPN
P形のスイッチングトランジスタを用いるとともに、第
3のトランジスタを、PNP形と逆極性のNPN形のス
イッチングトランジスタを用いるようにしてもよい。こ
の場合も、伝送路1の入力端子1−1に、正の伝送信号
が印加され、かつ、制御端子21に伝送指令用のローレ
ベル信号′″L#が印加された際に、第1および第(第
3図に示すものと逆方向接続されたもの)により、不要
に、第2および第3のトランジスタ11および12がオ
ンとされ、上記伝送信号が、不要に、・第2および第1
のトランジスタ11および2を介して、接地点に流出す
ることを、確実に防止することができる。
第4図に示すように、第1、第2および第4のトランジ
スタ2.11、および13を、NPN形と逆極性のPN
P形のスイッチングトランジスタを用いるとともに、第
3のトランジスタを、PNP形と逆極性のNPN形のス
イッチングトランジスタを用いるようにしてもよい。こ
の場合も、伝送路1の入力端子1−1に、正の伝送信号
が印加され、かつ、制御端子21に伝送指令用のローレ
ベル信号′″L#が印加された際に、第1および第(第
3図に示すものと逆方向接続されたもの)により、不要
に、第2および第3のトランジスタ11および12がオ
ンとされ、上記伝送信号が、不要に、・第2および第1
のトランジスタ11および2を介して、接地点に流出す
ることを、確実に防止することができる。
また、第3図および$4図ζこ示す各実施例のスイッチ
回路において、第2のトランジスタ11のエミッタを伝
送路1の入力端子1−1と接続するとともに、第1のト
ランジスタ2のエミッタを開放状頓にして、該エミッタ
を、伝送路1の出力端子1−2とするようにしてもよい
。このように、した場合も、上述したと同様、寄生ダイ
オード8による信号伝送の誤動作を確実に防止すること
ができる。
回路において、第2のトランジスタ11のエミッタを伝
送路1の入力端子1−1と接続するとともに、第1のト
ランジスタ2のエミッタを開放状頓にして、該エミッタ
を、伝送路1の出力端子1−2とするようにしてもよい
。このように、した場合も、上述したと同様、寄生ダイ
オード8による信号伝送の誤動作を確実に防止すること
ができる。
以上に説明したことから明らかなように、この発明によ
れば、2つの同じ導電型のトランジスタを直列接続して
、両トランジスタをオン或いはオフとすることにより信
号の伝送を制御するようにしたものであるから、一方の
トランジスタに寄生ダイオードがあり、かつ、伝送すべ
き信号か正・負に変化するものであっても、寄生ダイオ
ードにより伝送信号が接地側に流れることなく、正確に
信号の伝送を詔こなうことができる6
れば、2つの同じ導電型のトランジスタを直列接続して
、両トランジスタをオン或いはオフとすることにより信
号の伝送を制御するようにしたものであるから、一方の
トランジスタに寄生ダイオードがあり、かつ、伝送すべ
き信号か正・負に変化するものであっても、寄生ダイオ
ードにより伝送信号が接地側に流れることなく、正確に
信号の伝送を詔こなうことができる6
第1図は、従来の信号伝送制御用のスイッチ回路図、第
2図は、第2図のスイッチ回路のNPN形トランジスタ
の構造を説明するための図、第3図は、この発明の一実
施例を示すスイッチ回路図、第4図は、この発明の他の
実施例を示すスイッチ回路図である。 1・・・・・・信号の伝送路、 1−1・・・・・・入
力端子、1−2・・・・・・出力端子、 2・・・・・
・信号伝送制御用の第1のトランジスタ、 8.8・・
・・・・寄生ダイオード、 11・・・・・・第2の
トランジスタ、 12・・・・・・第3のトランジス
タ、 13・・・・・・第4のトランジスタ、 15・
・・・・・第1抵抗、 16・・・・・・第2抵抗、1
7・・・・・・電源、 18・・・・・・第3抵抗、
19・・・・・・第4抵抗、 20・・・・・・第5抵
抗、 21・・・・・・制御端子、 S・・・・・・正
の伝送信号、 S′・・・・・・負の伝送信号、 0・
・・・・・接続点。 特許出願人 株式会社リコー 第1因 第2図
2図は、第2図のスイッチ回路のNPN形トランジスタ
の構造を説明するための図、第3図は、この発明の一実
施例を示すスイッチ回路図、第4図は、この発明の他の
実施例を示すスイッチ回路図である。 1・・・・・・信号の伝送路、 1−1・・・・・・入
力端子、1−2・・・・・・出力端子、 2・・・・・
・信号伝送制御用の第1のトランジスタ、 8.8・・
・・・・寄生ダイオード、 11・・・・・・第2の
トランジスタ、 12・・・・・・第3のトランジス
タ、 13・・・・・・第4のトランジスタ、 15・
・・・・・第1抵抗、 16・・・・・・第2抵抗、1
7・・・・・・電源、 18・・・・・・第3抵抗、
19・・・・・・第4抵抗、 20・・・・・・第5抵
抗、 21・・・・・・制御端子、 S・・・・・・正
の伝送信号、 S′・・・・・・負の伝送信号、 0・
・・・・・接続点。 特許出願人 株式会社リコー 第1因 第2図
Claims (1)
- (1) 同L4電形の2つのトランジスタのコレクタ
を共通に接続するとともに、一方のトランジスタのエミ
ッタを、伝送すべき信号の人。出力端子に接続し、かつ
他方のトランジスタのエミッタを接地し、両トランジス
タをオフとしたとき、出力端子から信号を取り出し、オ
ンとしたとき信号の伝送を阻止することを特徴とするス
イッチ回路。 (21同L[電形の2つのトランジスタのコレクタを共
通に接続するとともに、一方のトランジスタのエミッタ
を、伝送すべき信号の入力端子に接続するとともに、他
方のトランジスタのエミッタを出力端子に接続して、両
トランジスタをオンとしたとき出力端子から信号を取り
出し、オフとしたとき信号の伝送を阻止することを特徴
とするスイッチ回路0
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19543181A JPH0612871B2 (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | スイッチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19543181A JPH0612871B2 (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | スイッチ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5896422A true JPS5896422A (ja) | 1983-06-08 |
| JPH0612871B2 JPH0612871B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=16340946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19543181A Expired - Lifetime JPH0612871B2 (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | スイッチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612871B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4631419A (en) * | 1982-12-28 | 1986-12-23 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Transistor switch and driver circuit |
-
1981
- 1981-12-03 JP JP19543181A patent/JPH0612871B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4631419A (en) * | 1982-12-28 | 1986-12-23 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Transistor switch and driver circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0612871B2 (ja) | 1994-02-16 |
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