JPS5896780A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- JPS5896780A JPS5896780A JP56195910A JP19591081A JPS5896780A JP S5896780 A JPS5896780 A JP S5896780A JP 56195910 A JP56195910 A JP 56195910A JP 19591081 A JP19591081 A JP 19591081A JP S5896780 A JPS5896780 A JP S5896780A
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- layer
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光電変換機能をもった層（以後、光電変換機
能層という）とこれに接触するように設けられた二種類
の相異なる材料でつくられた一対の電極とを有する光電
変換素子に関するものであり、とくに光のエネルギーを
電力に変換する光起電力を発生する能力をもった素子に
関するものである。
能層という）とこれに接触するように設けられた二種類
の相異なる材料でつくられた一対の電極とを有する光電
変換素子に関するものであり、とくに光のエネルギーを
電力に変換する光起電力を発生する能力をもった素子に
関するものである。
従来、このような光電変換素子としてたとえば、メロシ
アニン系の色素を用いその両側にアルミニウム電極と銀
電極をとりつけた光起電力素子の例がり、 Ｌ、 Ｍｏ
ｒａｌ、ａｔ、 ａＱ 、ムｐｐＱ、 Ｐｈｙｇ、 Ｌ
ｅｔｔ、 ３２（８）。
アニン系の色素を用いその両側にアルミニウム電極と銀
電極をとりつけた光起電力素子の例がり、 Ｌ、 Ｍｏ
ｒａｌ、ａｔ、 ａＱ 、ムｐｐＱ、 Ｐｈｙｇ、 Ｌ
ｅｔｔ、 ３２（８）。
４９５ （１９７８）、 などに記載されている。こ
の構造を第１図に示す。１はガラス基板、２はアルミニ
ウム電極、３は銀電極、４は光電変換機能層である。
の構造を第１図に示す。１はガラス基板、２はアルミニ
ウム電極、３は銀電極、４は光電変換機能層である。
ところが、これらの光起電力素子はエネルギー変換効率
が低く、実用化するためには多くの問題点をかかえてい
る。このことは、主に光起電力素子の光照射下における
短絡電流の値が小さいことに起因している。
が低く、実用化するためには多くの問題点をかかえてい
る。このことは、主に光起電力素子の光照射下における
短絡電流の値が小さいことに起因している。
ここで、光照射下における短絡電流Ｉｓｃは次の式で表
される。
される。
■８ＣＣｃηＬθτ／Ｔ ・・・・・・・・・
（１）η：量子収率 Ｌ：光量 ｅ：電荷素置 τ：キャリア寿命 Ｔ：キャリアのトランジットタイム 第１式において、η、τは光電変換機能層に関する量で
あり、Ｔは主として光電変換機能層とこれに接触する一
対の電極とのそれぞれの界面および光電変換機能層の導
電率に関した量である。□一方、このような光起電力素
子が光照射によって電気的なエネルギーを発生するため
には、電極Ｅ、、Ｅ２および光電変換機能層ＰＴを構成
する材料の仕事関数”（Ｅｌ）ｌ”（Ｅ２）およびＷ（
ＰＴ）の間に Ｗ（Ｅｌ）＜Ｗ（ＰＴ）＜Ｗ（Ｅ２） ・川・・（２
）なる関係が満足されていなければならない。ここで、
仕事関数の値の小さい方の電極をＥい 値の大きい方の
電極をＥ２とした。以後もこの規約を用いる。
（１）η：量子収率 Ｌ：光量 ｅ：電荷素置 τ：キャリア寿命 Ｔ：キャリアのトランジットタイム 第１式において、η、τは光電変換機能層に関する量で
あり、Ｔは主として光電変換機能層とこれに接触する一
対の電極とのそれぞれの界面および光電変換機能層の導
電率に関した量である。□一方、このような光起電力素
子が光照射によって電気的なエネルギーを発生するため
には、電極Ｅ、、Ｅ２および光電変換機能層ＰＴを構成
する材料の仕事関数”（Ｅｌ）ｌ”（Ｅ２）およびＷ（
ＰＴ）の間に Ｗ（Ｅｌ）＜Ｗ（ＰＴ）＜Ｗ（Ｅ２） ・川・・（２
）なる関係が満足されていなければならない。ここで、
仕事関数の値の小さい方の電極をＥい 値の大きい方の
電極をＥ２とした。以後もこの規約を用いる。
ここにおいて、光起電力素子が高い変換効率で作動する
ためにはＷ（］Ｅ２） Ｗ（Ｅｌ）の値が大きいほど
よく、この値が素子の開放起電力の値を決定する。この
ために、電極Ｅ１の材料としてアルミニウムやガリウム
、電極Ｅ２の材料として銀や金属酸化物半導体などの材
料が用いられている。
ためにはＷ（］Ｅ２） Ｗ（Ｅｌ）の値が大きいほど
よく、この値が素子の開放起電力の値を決定する。この
ために、電極Ｅ１の材料としてアルミニウムやガリウム
、電極Ｅ２の材料として銀や金属酸化物半導体などの材
料が用いられている。
また、色素を中心とする幅広い種類の有機半導体物質の
仕事関数は、上記のような二種類の電極材料の仕事関数
の値の中間の値を示すことが知られており、第２式の関
係式をみたす光電変換機能層の材料として広く用いられ
ている。
仕事関数は、上記のような二種類の電極材料の仕事関数
の値の中間の値を示すことが知られており、第２式の関
係式をみたす光電変換機能層の材料として広く用いられ
ている。
ところが、以上のような従来の光電変換素子において、
光電変換機能層と電極との電気的な接触状態が問題とさ
れることはほとんどなく、したがってこれを改善する試
みもほとんどなされなかった。とくに、仕事関数の大き
い方の電極材料に銀や銅などの重金属を用いる場合、空
気中の水分や酸素もしくは光電変換機能層との界面に存
在する有機物などと錯化合物などの複雑な物質を形成し
やすぐ、光電変換層との電気的な接触が悪くなると考え
られる。これらの材料を電極に用いた光電変換素子が高
い光電変換効率を示さないのは、主にこのような事情に
起因するものと思われる。それにもかかわらず、一般に
これらの重金属元素は仕事関数の値が大きく、これらを
電極材料として用いれば、高い開放起電力による光電変
換効率の向上が図り得る。
光電変換機能層と電極との電気的な接触状態が問題とさ
れることはほとんどなく、したがってこれを改善する試
みもほとんどなされなかった。とくに、仕事関数の大き
い方の電極材料に銀や銅などの重金属を用いる場合、空
気中の水分や酸素もしくは光電変換機能層との界面に存
在する有機物などと錯化合物などの複雑な物質を形成し
やすぐ、光電変換層との電気的な接触が悪くなると考え
られる。これらの材料を電極に用いた光電変換素子が高
い光電変換効率を示さないのは、主にこのような事情に
起因するものと思われる。それにもかかわらず、一般に
これらの重金属元素は仕事関数の値が大きく、これらを
電極材料として用いれば、高い開放起電力による光電変
換効率の向上が図り得る。
これらの考察に基づいて、本発明はとくに仕事関数の大
きい方の側の電極と光電変換機能層との電気的接触状態
を良好にすることを図り、これによって高い光電変換効
率をもつ光電変換素子を提供するものである。以下に本
発明の詳細な説明する。
きい方の側の電極と光電変換機能層との電気的接触状態
を良好にすることを図り、これによって高い光電変換効
率をもつ光電変換素子を提供するものである。以下に本
発明の詳細な説明する。
本発明の光電変換素子は、仕事関数の異なった二種類の
金属もしくは合金から成る電極に、、Ｅ２と、その間に
はさまれた光電変換機能層ＰＴとをもち、かつ、電極Ｅ
２と光電変換機能層ＰＴとの間に重金属不活性化剤を有
することを特徴とじている。
金属もしくは合金から成る電極に、、Ｅ２と、その間に
はさまれた光電変換機能層ＰＴとをもち、かつ、電極Ｅ
２と光電変換機能層ＰＴとの間に重金属不活性化剤を有
することを特徴とじている。
第２図に本発明の光電変換素子の構成を示す。
６はガラス基板、６は仕事関数の小さい側の電極、７は
仕事関数の大きい側の電極、８は光電変換機能層、９は
重金属不活性化剤層である。
仕事関数の大きい側の電極、８は光電変換機能層、９は
重金属不活性化剤層である。
ここで、電極Ｅｌ ｒ Ｅ２および光電変換機能層ＰＴ
を構成する材料の仕事関数” （Ｌ ）、Ｗ（ＩＣ２）
およびＷ（ＰＴ）の間には第２式に示す関係が満足され
なければならない。ここで、電極Ｅ２を構成する材料は
仕事関数の値が大きい重金属類もしくはこれらを主成分
とする合金が有用であり、重金属不活性化剤はこれらの
重金属もしくはその合金の変質もしくは腐蝕を防ぐ作用
をもち、電極と光電変換材料層との電気的接触を良好に
する働きをする。本発明において用いられる重金属不活
性化剤がこのような効果をもつことは広く知られている
が、たとえば、接点の接触抵抗を低減させる目的で接点
材料に対して用いられる他に、このような重金属不活性
化剤の用途は少なく、とくに本発明におけるような光電
変換素子に対して重金属不活性化剤を適用した構成は従
来に例をみない。
を構成する材料の仕事関数” （Ｌ ）、Ｗ（ＩＣ２）
およびＷ（ＰＴ）の間には第２式に示す関係が満足され
なければならない。ここで、電極Ｅ２を構成する材料は
仕事関数の値が大きい重金属類もしくはこれらを主成分
とする合金が有用であり、重金属不活性化剤はこれらの
重金属もしくはその合金の変質もしくは腐蝕を防ぐ作用
をもち、電極と光電変換材料層との電気的接触を良好に
する働きをする。本発明において用いられる重金属不活
性化剤がこのような効果をもつことは広く知られている
が、たとえば、接点の接触抵抗を低減させる目的で接点
材料に対して用いられる他に、このような重金属不活性
化剤の用途は少なく、とくに本発明におけるような光電
変換素子に対して重金属不活性化剤を適用した構成は従
来に例をみない。
ここで、光電変換機能層の形態と重金属不活性化剤の存
在についてさらに詳しく説明する。光電変換機能層は、
主に薄膜形態で用いることが多いが、この場合にたとえ
ば、光電変換機能層の上に重金属不活性化剤を蒸着によ
ってとりつけ、その上にさらに、電極材料を蒸着するこ
とができる。
在についてさらに詳しく説明する。光電変換機能層は、
主に薄膜形態で用いることが多いが、この場合にたとえ
ば、光電変換機能層の上に重金属不活性化剤を蒸着によ
ってとりつけ、その上にさらに、電極材料を蒸着するこ
とができる。
また、単に光電変換機能層の中に混合するだけでも目的
を達成することができる。
を達成することができる。
次に本発明において効果の大きかった金属と重金属不活
性化剤との組合せを列挙する。金属としては、銅、銀、
金、クロム、モリブデン、タングステン、鉄、コバルト
、ニッケル、ルテニウム。
性化剤との組合せを列挙する。金属としては、銅、銀、
金、クロム、モリブデン、タングステン、鉄、コバルト
、ニッケル、ルテニウム。
ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム。
白金およびそれらを主成分とする合金から成る群が挙げ
られる。これらのうちで金や白金族元素などのいわゆる
貴金属は普通表面の変質や腐食などの変化は認められな
いが、これらに対しても効果がみられた。また、重金属
不活性化剤としては、イミダゾールまたはチアゾールあ
るいはトリアゾールもしくはそれらの誘導体が有効であ
ることがわかった。このなかでもとりわけ、２−メルカ
プトベンズイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾ
ールあるいは３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，２
，４−トリアゾール、４−（Ｎ−サリチロイル）アミノ
−１，２，３−）リアゾール、６−（Ｎ−サリチロイル
）アミノ−１，２，３−トリアゾールもしくは下の式で
表されるメチレン基の数が２から１８までの１，１ｏ−
ビス（（Ｎ−サリチロイル）アミン〕アルカン゛ジアミ
ドがきわめてすぐれた効果を発揮することがわかった。
られる。これらのうちで金や白金族元素などのいわゆる
貴金属は普通表面の変質や腐食などの変化は認められな
いが、これらに対しても効果がみられた。また、重金属
不活性化剤としては、イミダゾールまたはチアゾールあ
るいはトリアゾールもしくはそれらの誘導体が有効であ
ることがわかった。このなかでもとりわけ、２−メルカ
プトベンズイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾ
ールあるいは３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，２
，４−トリアゾール、４−（Ｎ−サリチロイル）アミノ
−１，２，３−）リアゾール、６−（Ｎ−サリチロイル
）アミノ−１，２，３−トリアゾールもしくは下の式で
表されるメチレン基の数が２から１８までの１，１ｏ−
ビス（（Ｎ−サリチロイル）アミン〕アルカン゛ジアミ
ドがきわめてすぐれた効果を発揮することがわかった。
このような光電変換機能層と仕事関数の高い方の電極Ｅ
２との間に重金属不活性化剤を有する本発明の光電変換
素子は、重金属不活性化剤を有しない従来の型の光電変
換素子に比べて高い変換効率を示す。これは第１式にお
いてキャリアのトランジットタイムを短縮することによ
ると思われる短絡電流の増加と高い開放起電力とによる
ものである。
２との間に重金属不活性化剤を有する本発明の光電変換
素子は、重金属不活性化剤を有しない従来の型の光電変
換素子に比べて高い変換効率を示す。これは第１式にお
いてキャリアのトランジットタイムを短縮することによ
ると思われる短絡電流の増加と高い開放起電力とによる
ものである。
なお、光電変換機能層を構成している材料がｐ型半導体
であるか、ｎ型半導体であるかにしたがって、光電変換
機能層と電極Ｅ２の電気的な接触のしかたはそれぞれオ
ーム型もしくはショットキー型の接触になる。真性半導
体の場合はこれらの中間的な接触をすると思われる。本
発明の光電変換素子は、これらの材料の差すなわち、光
電変換機能層の伝導形態がホール伝導か電子伝導のいず
れであるかの差異によらず、すぐれた性能を示した。
であるか、ｎ型半導体であるかにしたがって、光電変換
機能層と電極Ｅ２の電気的な接触のしかたはそれぞれオ
ーム型もしくはショットキー型の接触になる。真性半導
体の場合はこれらの中間的な接触をすると思われる。本
発明の光電変換素子は、これらの材料の差すなわち、光
電変換機能層の伝導形態がホール伝導か電子伝導のいず
れであるかの差異によらず、すぐれた性能を示した。
さらに、光電変換機能層に用いる材料として、たとえば
、フタロシアニン顔料、シアニン系色素、メロシアニン
系色素、スクアリリウム系色素などを中心とする有機系
色素が良好な結果を与えた。
、フタロシアニン顔料、シアニン系色素、メロシアニン
系色素、スクアリリウム系色素などを中心とする有機系
色素が良好な結果を与えた。
また仕事関数の低い方の電極の材料としてたとえば、ア
ルミニウムやガリウムなどを用いれば、高い光電変換効
率を達成することができる。
ルミニウムやガリウムなどを用いれば、高い光電変換効
率を達成することができる。
以上のような光電変換素子は外部回路と接続することに
よって光起電力素子やフォトダイオードなどの広範囲の
光電変換素子として使用することができる。
よって光起電力素子やフォトダイオードなどの広範囲の
光電変換素子として使用することができる。
以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１
ガラス基板上にアルミニウムの半透明膜電極を真空蒸着
によってと９つけ、その上に、以下の式で表されるメロ
シアニン色素をクロロホルム溶液をスピナーコーティン
グすることによって、約６００人の膜厚になるようにと
りつけた。
によってと９つけ、その上に、以下の式で表されるメロ
シアニン色素をクロロホルム溶液をスピナーコーティン
グすることによって、約６００人の膜厚になるようにと
りつけた。
２ｈ５
クロロホルムを十分に蒸発させた後、１，２゜３−ベン
ゾトリアゾールを真空蒸着によってその上にとりつけた
後、さらにその上に銅の半透明電極を真空蒸着によって
とりつけた。
ゾトリアゾールを真空蒸着によってその上にとりつけた
後、さらにその上に銅の半透明電極を真空蒸着によって
とりつけた。
同様にして１．２．３−ベンゾトリアゾールの代わりに
２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプトベ
ンゾチアゾール、３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１
，２，４−トリアゾール、４−（Ｎ−サリチロイル）ア
ミノ−１，２，３−トリアゾール、６−（Ｎ−サリチロ
イル）アミノ−１，２，３−” −
トリアゾールまたは１．１０−ビス（（Ｎ−サリチロイ
ル）アミン〕デカンジアミドを用いて光起電力素子をつ
くった。これらの素子の構成は第２図と同様である。
２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプトベ
ンゾチアゾール、３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１
，２，４−トリアゾール、４−（Ｎ−サリチロイル）ア
ミノ−１，２，３−トリアゾール、６−（Ｎ−サリチロ
イル）アミノ−１，２，３−” −
トリアゾールまたは１．１０−ビス（（Ｎ−サリチロイ
ル）アミン〕デカンジアミドを用いて光起電力素子をつ
くった。これらの素子の構成は第２図と同様である。
比較例として、１．２．３−ベンゾトリアゾールなどを
とりつけない光起電力素子を同様にしてつくった。これ
らの素子を５０ ｍＷ／ｃ４ の強度の太陽光によっ
て照射して、開放起電力Ｖ。０ と短絡電流１１１０と
を測定した。結果を第１表に示す。
とりつけない光起電力素子を同様にしてつくった。これ
らの素子を５０ ｍＷ／ｃ４ の強度の太陽光によっ
て照射して、開放起電力Ｖ。０ と短絡電流１１１０と
を測定した。結果を第１表に示す。
（以下余白）
第１表 光起電力素子の出力特性
実施例２
実施例１と全く同様にしてアルミニウム半透明電極とメ
ロシアニン色素薄膜とをとりつけた。この後、３−（Ｎ
−サリチロイル）アミノ−１，２゜４−トリアゾールを
真空蒸着によってとりつけた後、さらにその上に真空蒸
着によっておのおの別々に銅、銀、金、クロム、モリブ
デン、タングステン゛、鉄、コバルト、ニッケル、パラ
ジウムおよび白金電極をとりつけた。比較例として３−
（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，２，４−トリアゾー
ルをとりつけない光起電力素子を同様にしてつくった。
ロシアニン色素薄膜とをとりつけた。この後、３−（Ｎ
−サリチロイル）アミノ−１，２゜４−トリアゾールを
真空蒸着によってとりつけた後、さらにその上に真空蒸
着によっておのおの別々に銅、銀、金、クロム、モリブ
デン、タングステン゛、鉄、コバルト、ニッケル、パラ
ジウムおよび白金電極をとりつけた。比較例として３−
（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，２，４−トリアゾー
ルをとりつけない光起電力素子を同様にしてつくった。
これらの素子を実施例１と同じ条件で太陽光照射し、開
放起電力ＶＯＣと短絡電流工ｓｃとを測定した。結果を
第２表に示す。
放起電力ＶＯＣと短絡電流工ｓｃとを測定した。結果を
第２表に示す。
（以下余白）
第２表 光起電力素子の出力特性
また、１０時間の太陽光照射によって、実施例１と２の
光起電力素子は開放起電力、短絡電流の値がともに低下
しなかった。これらのことがらかかるように実施例１と
２の光起電力素子はすぐれた光電変換特性を有している
ことがわかる。
光起電力素子は開放起電力、短絡電流の値がともに低下
しなかった。これらのことがらかかるように実施例１と
２の光起電力素子はすぐれた光電変換特性を有している
ことがわかる。
第１図は従来の光電変換素子の縦断面図、第２図は本発
明の光電変換素子の縦断面図である。 １．６・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・アルミ
ニウム電極、３・・・・・・銀電極、４，８・・・・・
・光電変換機能層、６・・・・・・仕事関数の小さい側
の電極、７・・・・・・仕事関数の大きい側の電極、９
・・・・・・重金属不活性化剤層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 、？
明の光電変換素子の縦断面図である。 １．６・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・アルミ
ニウム電極、３・・・・・・銀電極、４，８・・・・・
・光電変換機能層、６・・・・・・仕事関数の小さい側
の電極、７・・・・・・仕事関数の大きい側の電極、９
・・・・・・重金属不活性化剤層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 、？
Claims (6)
- （１）電極ＥＴ＋Ｅ２ とその間にはさまれた光電変
換機能層ＰＴとをもち、Ｅ、、ＥｚおよびＰＴを構成す
る材料の仕事関数Ｗ（Ｅ＋）、Ｗ（Ｅｚ）およびｗ（ｐ
’ｒ ）との間に ”（Ｌ）＜Ｗ（ＰＴ）＜Ｗ（Ｅｚ） なる関係を有し、かつ、電極Ｅ２と光電変換機能層ＰＴ
との間に重金属不活性化剤を有することを特徴とする光
電変換素子。 - （２）前記電極Ｅ２を構成する材料が銅、銀、金。 クロム、モリフデン、タングステン、鉄、コバルト、二
、ケル、ルテニウム＋ ローフ ’） ム、 ハ、。 ジウム、オスミウム、イリジウム、白金およびそれらを
主成分とする合金から成る群から選ばれた一つである特
許請求の範囲第１項記載の光電変換素子。 - （３）前記重金属不活性化剤がイミダゾール、チアゾー
ル、トリアゾールもしくはそれらの誘導体のうちの少な
くとも一つを含む特許請求の範囲第１項もしくは第２項
に記載の光電変換素子。 - （４） イミダゾール誘導体が２−メルカプトベンズ
イミダゾールである特許請求の範囲第３項記載の光電変
換素子。 - （５） チアゾール誘導体が２−メルカプトベンゾチ
アゾールである特許請求の範囲第３項記載の光電変換素
子。 - （６）トリアゾール誘導体が３−（Ｎ−サリチロイル）
アミノ−１，２，４−トリアゾール、４−（Ｎ−サリチ
ロイル）アミノ−１，２，３−）リアゾール、５−（Ｎ
−サリチロイル）アミノ−１，２，３−トリアゾールお
よびメチレン基の数が２から１８までのどれかである１
、１゜−ビス（（Ｎ−サリチロイル）アミンコアルカン
ジアミドおよび１，２．３−ベンゾトリアゾールのうち
の１つである特許請求の範囲第３項記載の光電変換素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56195910A JPS5896780A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56195910A JPS5896780A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5896780A true JPS5896780A (ja) | 1983-06-08 |
Family
ID=16349014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56195910A Pending JPS5896780A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5896780A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61202481A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 有機太陽電池 |
| JPH01310578A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4635554Y1 (ja) * | 1968-08-29 | 1971-12-07 |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP56195910A patent/JPS5896780A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4635554Y1 (ja) * | 1968-08-29 | 1971-12-07 |
Cited By (2)
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