JPS5896794A - レーザビーム画像形成装置 - Google Patents
レーザビーム画像形成装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シー１ｆダイオード（以下、１−１〕と記す
）の出力レーザビームを変調し、これを像保持体面に照
射し、画像を形成り−る１ノ一リ゛ビーム画像形成装置
等に使用づるためのＬＤ光出力安定化方法及びその装置
に関するものである。
）の出力レーザビームを変調し、これを像保持体面に照
射し、画像を形成り−る１ノ一リ゛ビーム画像形成装置
等に使用づるためのＬＤ光出力安定化方法及びその装置
に関するものである。
１１〕の光用ツノは、供給電流が閾値１ｔｌ＋を越１と
急激に増加する。この急激な増加を示す＠域のある電流
１ノベルで１１）を駆動しているが、閾値［［１１は、 ｌ ｔｌｃｃ ｅｘ１＋ （Ｔ’ ／ −ｌ” ｃ
）但し、ＴＣ；特性混成 τ示さねるように、Ｌ Ｄの１Ｉｉ２度１に依存してい
る。このため、ＬＤを定電流駆動している場合でも、１
Ｏの温度［が十Ｍ Ｆｌるど光出力は減少し、温度が下
がると逆に光出力は増大する。温度がＭ ’Ｔ” した
場合、Ｌ−Ｄ出力（光出力）が最大定格を越える可能性
があるので、従来よりＬＤの使用に際しては、ＬＤを保
護りると同日に安定な出力を（ｑるために、定出力駆動
（以下ＡＰＯど配り）を行っている。△ｌ） Ｃどは、
［１）出力を検出し、それが基準値と 致するようにＬ
Ｄの駆動電流レベルを一定（こりる制御方式ｒある。
急激に増加する。この急激な増加を示す＠域のある電流
１ノベルで１１）を駆動しているが、閾値［［１１は、 ｌ ｔｌｃｃ ｅｘ１＋ （Ｔ’ ／ −ｌ” ｃ
）但し、ＴＣ；特性混成 τ示さねるように、Ｌ Ｄの１Ｉｉ２度１に依存してい
る。このため、ＬＤを定電流駆動している場合でも、１
Ｏの温度［が十Ｍ Ｆｌるど光出力は減少し、温度が下
がると逆に光出力は増大する。温度がＭ ’Ｔ” した
場合、Ｌ−Ｄ出力（光出力）が最大定格を越える可能性
があるので、従来よりＬＤの使用に際しては、ＬＤを保
護りると同日に安定な出力を（ｑるために、定出力駆動
（以下ＡＰＯど配り）を行っている。△ｌ） Ｃどは、
［１）出力を検出し、それが基準値と 致するようにＬ
Ｄの駆動電流レベルを一定（こりる制御方式ｒある。
ところ１・、へト）０をか（Ｊていても、１１）の自己
加熱により温度がに昇し、これにより閾値１１１】が］
−昇して、Ｌ、 Ｄの寿命は蔦しく低下づる。
加熱により温度がに昇し、これにより閾値１１１】が］
−昇して、Ｌ、 Ｄの寿命は蔦しく低下づる。
ぞこで、ＬＤのバイアス電流と編成が常に一定偵になる
ように制ｉ！Ｉ］するという方法も考えられている。し
かし、この方法は、温度を一定に保つのに正負の電源を
用いて加熱・冷却するものであり１回路構成が複雑にな
るという問題がある。
ように制ｉ！Ｉ］するという方法も考えられている。し
かし、この方法は、温度を一定に保つのに正負の電源を
用いて加熱・冷却するものであり１回路構成が複雑にな
るという問題がある。
本発明の１］的は、容易に安定な光用りが冑られると共
に１．１〕の寿命の低下を阻１トシ得るレーザダイオー
ド光出力安定化方法及びその装置を提供することにある
。
に１．１〕の寿命の低下を阻１トシ得るレーザダイオー
ド光出力安定化方法及びその装置を提供することにある
。
この目的を達成する本発明の方法は、レーク”ダイオー
ドの光出力強度が一定レベルとなるように走査開始時点
でシー１１ダイオードの駆動電流レベルを決定すると共
に、前記レーザダイオードのｔｌｉｉ度を検出し、その
温度が設定温度１０Ｊ：り高いときは、前記レーザダイ
オード光冷ム１］器にＪ、り冷却するように１ノだこと
を特徴としたものであり、又、本発明装置は、レーリ゛
ダ仁トドと一体化されでなる熱良導体に設りられた電了
冷１１器ど、該電子冷却器に取り付番プられたレーク“
ダイオードの温度を間接的に検知する感熱素子ど、前記
レーザダイオードの光出力強度が一定レベルとなるよう
に走査開始時点でレーザダイオードの駆動？Ｉｉ流レ流
化ベル定する制御手段を具備したことを特徴どしたもの
である。
ドの光出力強度が一定レベルとなるように走査開始時点
でシー１１ダイオードの駆動電流レベルを決定すると共
に、前記レーザダイオードのｔｌｉｉ度を検出し、その
温度が設定温度１０Ｊ：り高いときは、前記レーザダイ
オード光冷ム１］器にＪ、り冷却するように１ノだこと
を特徴としたものであり、又、本発明装置は、レーリ゛
ダ仁トドと一体化されでなる熱良導体に設りられた電了
冷１１器ど、該電子冷却器に取り付番プられたレーク“
ダイオードの温度を間接的に検知する感熱素子ど、前記
レーザダイオードの光出力強度が一定レベルとなるよう
に走査開始時点でレーザダイオードの駆動？Ｉｉ流レ流
化ベル定する制御手段を具備したことを特徴どしたもの
である。
以下図面を用い−（本発明の詳細な説明Ｊる。
第１図は本発明に係るレーザダイオードの光出力安定化
方法を実施した装置の一実施例の主要部を示す概略構成
図である。図において、１はへ１〕０回路、２は△ＰＣ
回路１ ｔ： Ｊ：り駆動されるＬＤ、３はり、 Ｄ
２及び後記感熱素子とに一体化された熱良導体８に設置
：Ｊらね１１）２の温度を冷Ｎ１するための電子冷却器
で、ペルチ１素子に７とが用いられる。ペルヂｌ素子は
ＰＮ接合された半導体素子の一種で、電流の方向により
加熱又は冷却の作用をなＪものであるが、本発明では冷
却作用のみ行わけている。４は］−０２と一体化された
熱良導体８に取り付１ノらねた感熱索子で、熱良導体８
を介してＩＪ）２の渇瑣丁を検知し、電気信号に変換し
て送出づるものである。５は増幅器で、感熱素子４の出
ツノを適宜増幅して温度制御回路６に導いている。温度
制御回路（３は、あらかじめ設定された温度１ｏの値と
増幅器５より与えられるＩＤ２の濡１’ｆＴの値どを比
較し、Ｔ＞Ｔ’ＯｔｒらペルヂＪ率了３を駆動づるよう
になっており、［、Ｄ２の温度がＴＯ以下になるよう動
作り−る。Ｔ；≦−［０になるど温度レディ信号（”
Ｈ”レベル信置）を送出し、制御回路７は、像形成動作
可能状態と判定し、１−Ｄ２を含め各部を適宜に駆動す
るものである。
方法を実施した装置の一実施例の主要部を示す概略構成
図である。図において、１はへ１〕０回路、２は△ＰＣ
回路１ ｔ： Ｊ：り駆動されるＬＤ、３はり、 Ｄ
２及び後記感熱素子とに一体化された熱良導体８に設置
：Ｊらね１１）２の温度を冷Ｎ１するための電子冷却器
で、ペルチ１素子に７とが用いられる。ペルヂｌ素子は
ＰＮ接合された半導体素子の一種で、電流の方向により
加熱又は冷却の作用をなＪものであるが、本発明では冷
却作用のみ行わけている。４は］−０２と一体化された
熱良導体８に取り付１ノらねた感熱索子で、熱良導体８
を介してＩＪ）２の渇瑣丁を検知し、電気信号に変換し
て送出づるものである。５は増幅器で、感熱素子４の出
ツノを適宜増幅して温度制御回路６に導いている。温度
制御回路（３は、あらかじめ設定された温度１ｏの値と
増幅器５より与えられるＩＤ２の濡１’ｆＴの値どを比
較し、Ｔ＞Ｔ’ＯｔｒらペルヂＪ率了３を駆動づるよう
になっており、［、Ｄ２の温度がＴＯ以下になるよう動
作り−る。Ｔ；≦−［０になるど温度レディ信号（”
Ｈ”レベル信置）を送出し、制御回路７は、像形成動作
可能状態と判定し、１−Ｄ２を含め各部を適宜に駆動す
るものである。
この制御回路７としては、マイク１−１プ［ルッリなど
が使用される。ぞの後り、 Ｄ ２の自己加熱等のため
”ｒ ＞ −ｒ ｏどなっても、−１”ｏＪ、り少し＾
い温度Ｔｏ１１以下である間は像形成動作状態を可能と
し、湿度レア゛イ信号を制御回路７に送出し、ベルチェ
素子３の動作による温度低下を持つ。
が使用される。ぞの後り、 Ｄ ２の自己加熱等のため
”ｒ ＞ −ｒ ｏどなっても、−１”ｏＪ、り少し＾
い温度Ｔｏ１１以下である間は像形成動作状態を可能と
し、湿度レア゛イ信号を制御回路７に送出し、ベルチェ
素子３の動作による温度低下を持つ。
第２図は前記△ＰＣ回路１の実施例の説明図τ゛、２１
は１−Ｄ２の出力の一部を取り出して光出力強度を検出
するフォトダイオード等の光検出器、２２は光検出器２
１の出りを増幅ヴる増幅器、２３は基準電圧Ｖｒｅｆと
増幅器２２の出力どの差をとり、これを適宜に増幅して
出力する差動増幅器、２４は差動増幅器２３の出力をり
゛ンブリングしホールトリ′るサンプルホールド回路で
ある。サンプルホールド回路２４は、制御回路７より与
えられるリンプルホールド信号Ｓ ／ Ｈに同期して作
動するように’Ｊっでいる。
は１−Ｄ２の出力の一部を取り出して光出力強度を検出
するフォトダイオード等の光検出器、２２は光検出器２
１の出りを増幅ヴる増幅器、２３は基準電圧Ｖｒｅｆと
増幅器２２の出力どの差をとり、これを適宜に増幅して
出力する差動増幅器、２４は差動増幅器２３の出力をり
゛ンブリングしホールトリ′るサンプルホールド回路で
ある。サンプルホールド回路２４は、制御回路７より与
えられるリンプルホールド信号Ｓ ／ Ｈに同期して作
動するように’Ｊっでいる。
２５はＬ ｆ）ドライバで、リンプルホールド回路２４
の出ノＪ電圧に対応した電流レベルで１−０２を駆動づ
るもので、この駆動ＷＩ流は変調信号（画情報に基づく
ＯＮ・ＯＦＦ信号）に応じてＯＮ −ＯＦ’ Ｆさねる
。
の出ノＪ電圧に対応した電流レベルで１−０２を駆動づ
るもので、この駆動ＷＩ流は変調信号（画情報に基づく
ＯＮ・ＯＦＦ信号）に応じてＯＮ −ＯＦ’ Ｆさねる
。
このような閉ループのＡ １３０回路において、増幅器
２２の増幅率を適宜に選定することにより、差動増幅器
２３の２つの入力信号の差が零になるよう／； ｔ−Ｄ
２の一定レベルの光出力が得られる。ここで傷ナンプ
ルホールド回路２４を設【ｊたことは次の五うな叩出か
らである。ｌ／ −１７プリンタのような平均レベルが
一定ではない不規則な変調信号で駆動させるｌ−Ｃの光
出力強度は、像形成期間中にＡＰＣ制御を行っても常に
での光出力強度が一定レベルに制御される保ｚｉ１はな
い。従って、ｌ−Ｄ温度が（よとんど変化しないような
１主走査あるいは１頁走査の期間中において、しかも画
情報出力レーザビームの像保持体への照射動作前の走査
開始時期に前もって光Ｂ１カレベルを自動調節して固定
してあく必競がある。そこで、サンプルホールド回路２
７Ｉを股（プて走査開始時期に駆動電流レベルを決定し
、その電流１ノベルがその走査完了まで＃ｌｌ梢さねる
ようにして、一定光出力の変調ビームを冑ることがて゛
きるようにしたわＩＪである。
２２の増幅率を適宜に選定することにより、差動増幅器
２３の２つの入力信号の差が零になるよう／； ｔ−Ｄ
２の一定レベルの光出力が得られる。ここで傷ナンプ
ルホールド回路２４を設【ｊたことは次の五うな叩出か
らである。ｌ／ −１７プリンタのような平均レベルが
一定ではない不規則な変調信号で駆動させるｌ−Ｃの光
出力強度は、像形成期間中にＡＰＣ制御を行っても常に
での光出力強度が一定レベルに制御される保ｚｉ１はな
い。従って、ｌ−Ｄ温度が（よとんど変化しないような
１主走査あるいは１頁走査の期間中において、しかも画
情報出力レーザビームの像保持体への照射動作前の走査
開始時期に前もって光Ｂ１カレベルを自動調節して固定
してあく必競がある。そこで、サンプルホールド回路２
７Ｉを股（プて走査開始時期に駆動電流レベルを決定し
、その電流１ノベルがその走査完了まで＃ｌｌ梢さねる
ようにして、一定光出力の変調ビームを冑ることがて゛
きるようにしたわＩＪである。
このような構成の本発明装置によれば、１＋走査又は１
頁走査毎の初期段階に［−Ｄ２の光出力強度レベルを基
準値に対応し／、Ｔ一定レベルに自動調節して固定りる
。この場合、０シ１．、 Ｉ） ２の温度１が゛「０よ
り高い場合は温度制御回路６の作用によりペルチ「素Ｔ
！−３が作動し、冷ムＩＪ動作が行われて、Ｌ１〕２の
温度をＴｏまで下げる。
頁走査毎の初期段階に［−Ｄ２の光出力強度レベルを基
準値に対応し／、Ｔ一定レベルに自動調節して固定りる
。この場合、０シ１．、 Ｉ） ２の温度１が゛「０よ
り高い場合は温度制御回路６の作用によりペルチ「素Ｔ
！−３が作動し、冷ムＩＪ動作が行われて、Ｌ１〕２の
温度をＴｏまで下げる。
Ｌ、 Ｄ ２の温度が１０に制御されＩ：後、１ＶＩｌ
ｌｔ１１回路７は温度制御回路６より与えられる’ｔＦ
＝Ａ ＩＧｔレディ１１；号パ１じを検知し、画情報出
力にプルづく像形成動作可能状態になったことを知り像
形成動作に入る。１．、 Ｄ ２が自己加熱にょ−ノτ
氾Ｉ′ｆ、、ｌ臂しＪ：うとしでも、これにより、はぼ
温度下０においで［Ｉ）２を一定出力レベルで駆動する
ことがテキる。尚、この場合の設定潤度Ｔｏはほば２０
−３０’Ｃに設定し１．、、 Ｄ ２のλを命の低下を
阻什している。
ｌｔ１１回路７は温度制御回路６より与えられる’ｔＦ
＝Ａ ＩＧｔレディ１１；号パ１じを検知し、画情報出
力にプルづく像形成動作可能状態になったことを知り像
形成動作に入る。１．、 Ｄ ２が自己加熱にょ−ノτ
氾Ｉ′ｆ、、ｌ臂しＪ：うとしでも、これにより、はぼ
温度下０においで［Ｉ）２を一定出力レベルで駆動する
ことがテキる。尚、この場合の設定潤度Ｔｏはほば２０
−３０’Ｃに設定し１．、、 Ｄ ２のλを命の低下を
阻什している。
ところで、上Ｊの実施例で゛は１１）２の光出力を直接
監視して光出力強度を一定レベルに制御したが、これに
限らり゛、光用カ一定ての温度と駆動電流１（１どの関
係に基づき先出）Ｊを制御ａするように１ノー（も」−
い。第３図は光出力 定での温度Ｔど駆動電流［ｄの関
係を示づ図である。
監視して光出力強度を一定レベルに制御したが、これに
限らり゛、光用カ一定ての温度と駆動電流１（１どの関
係に基づき先出）Ｊを制御ａするように１ノー（も」−
い。第３図は光出力 定での温度Ｔど駆動電流［ｄの関
係を示づ図である。
この関係に基づきある温度下に対Ｊる電流１ｄを求めて
、イの電流２でｌ−０２を駆動すれば常に一定レベルの
光出力が得られることがわかる。 第４図はこの方式を
実現するための実施例を示す説明図で、４１はベルチェ
素子３と一体化した熱良導体８を介してＬＤ２の温度を
測り電圧信号に変換して出力する測温回路、４２は関数
発生器で、第５図の〈イ）に示すような測温回路４１の
出力Ｖｓを第５図の（ロ）に示すような非線形の温度・
電圧特性に変換するものである。第５図の（ロ）に示す
曲線自体は丁度第３図の曲線に一致するようになってい
る。
、イの電流２でｌ−０２を駆動すれば常に一定レベルの
光出力が得られることがわかる。 第４図はこの方式を
実現するための実施例を示す説明図で、４１はベルチェ
素子３と一体化した熱良導体８を介してＬＤ２の温度を
測り電圧信号に変換して出力する測温回路、４２は関数
発生器で、第５図の〈イ）に示すような測温回路４１の
出力Ｖｓを第５図の（ロ）に示すような非線形の温度・
電圧特性に変換するものである。第５図の（ロ）に示す
曲線自体は丁度第３図の曲線に一致するようになってい
る。
４３は加算器で、関数発生器４２の出力ｖＯにオフヒツ
ト電圧ＶＯＳを加算して出力するもので、その出力Ｖの
温度Ｔに対する関係は第５図の（ハ）に示すようになっ
ており、これは第３図の関係と相似となるようになって
いる。Ｌ［）ドライバ２５は加算器４３の出力Ｖに比例
する電流レベルでＬＤ２を駆動する。これにより、ＬＤ
２の温度Ｔを求めそれに応じて自動的に駆動電流レベル
を変え、一定の光出力を得ることができる。 尚、関数
発生器４２としては、周知のアノ゛［１ノ式のダイオー
ド折れ線近似回路、或いはディジタル式の折れ線近似回
路を使用できることは勿ｖ２（゛ある。
ト電圧ＶＯＳを加算して出力するもので、その出力Ｖの
温度Ｔに対する関係は第５図の（ハ）に示すようになっ
ており、これは第３図の関係と相似となるようになって
いる。Ｌ［）ドライバ２５は加算器４３の出力Ｖに比例
する電流レベルでＬＤ２を駆動する。これにより、ＬＤ
２の温度Ｔを求めそれに応じて自動的に駆動電流レベル
を変え、一定の光出力を得ることができる。 尚、関数
発生器４２としては、周知のアノ゛［１ノ式のダイオー
ド折れ線近似回路、或いはディジタル式の折れ線近似回
路を使用できることは勿ｖ２（゛ある。
以上説明したように、本発明によれば、ＩＤの光出力強
度レベルを走査の初１！１１段階で一定にしておくと共
に、ｌ−１〕の温度が設定温Ｉｆ Ｔ Ｏ以１−のとぎ
には冷Ｍ１装置を作動させてＴｏ以１・に制御し、１−
【）の温度がＴＯ以下の状態においてはじめて一形成動
作を実行させるようにしでいるので、［（）の寿命低下
を１１トシながら安定な〜定光出力で像形成を行うこと
ができる。叉、加熱用電源を用いる必要がないため、構
成が簡単になる。
度レベルを走査の初１！１１段階で一定にしておくと共
に、ｌ−１〕の温度が設定温Ｉｆ Ｔ Ｏ以１−のとぎ
には冷Ｍ１装置を作動させてＴｏ以１・に制御し、１−
【）の温度がＴＯ以下の状態においてはじめて一形成動
作を実行させるようにしでいるので、［（）の寿命低下
を１１トシながら安定な〜定光出力で像形成を行うこと
ができる。叉、加熱用電源を用いる必要がないため、構
成が簡単になる。
第１図は本発明に係るシー１アダイＡ−ド光出り安定化
方法を実施１ノた装置の一実施例を示す概略的構成図、
第２図は△ＰＧ回路の実施例の説明図、第３図は光出力
レベル一定でのＬ Ｄの温度・電流狛ｆ１図、第４図は
本発明による装置の要部の他の実施例を示ｔ Ｓｔ明図
、第５図は第４図にＪｌ； ＩＪる６部の信号の特性図
て゛ある。 １・・・ＡＰＣ回路 ２・・川、１〕３・・・電子
冷却器 ４・・・感熱象イ５．２２・・・増幅器
６・・・温度制御回路７・・・制御回路 ２１・・・光検知器 ２３・・・差動増幅器２４・
・・サンプルホールド回路 ２５・・・ＩＤドライバ ４１・・・測温回路４２・・
・関数発生器 ４３・・・加算器特許出願人 小西
六写真−■業株代金召代 理 人 弁即十
月 島 睦 泊篤 （イ） ■ （ハ） ５図 （ロ）
方法を実施１ノた装置の一実施例を示す概略的構成図、
第２図は△ＰＧ回路の実施例の説明図、第３図は光出力
レベル一定でのＬ Ｄの温度・電流狛ｆ１図、第４図は
本発明による装置の要部の他の実施例を示ｔ Ｓｔ明図
、第５図は第４図にＪｌ； ＩＪる６部の信号の特性図
て゛ある。 １・・・ＡＰＣ回路 ２・・川、１〕３・・・電子
冷却器 ４・・・感熱象イ５．２２・・・増幅器
６・・・温度制御回路７・・・制御回路 ２１・・・光検知器 ２３・・・差動増幅器２４・
・・サンプルホールド回路 ２５・・・ＩＤドライバ ４１・・・測温回路４２・・
・関数発生器 ４３・・・加算器特許出願人 小西
六写真−■業株代金召代 理 人 弁即十
月 島 睦 泊篤 （イ） ■ （ハ） ５図 （ロ）
Claims (8)
- （１） レーザダイオードの光出力強度が一定１ノベル
となるように走査開始時点でレーザダイオードの駆動電
流レベルを決定すると」（に、前記レーザダイオードの
濃度を検出し、−での氾磨が設定湯度ＴＯより高いとき
は、前記レーザダイオードを電子冷却器により冷却する
ようにしたことを特徴とＪるレーザダイオードの光出力
安定化方法。 - （２） 前記光出力強度を一定レベルに仕る方法として
、レーザダイオードのモニタ出力が基準値と一致するよ
うにレーリ゛ダイオード駆動電流レベルを決定すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の１ノーザダイ
オードの光出力安定化方法。 - （３） 前記光出力強度を一定レベルにする７Ｊ法どじ
−（、レーリ”ダイオードの温度を検出し、先出／Ｊ強
度一定にΔ３（Ｊる温度・駆動電流の関係に基づき、前
記渇曵（灼する駆動電流レベルを決定するようにしたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１ ＩＮ記載のレーザ
ダイオードの光出力安定化方法。 - （４） 前記設定温度１０が２０・〜３０℃であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のシー１ｆダイ
Ａ−ドの光出力安定化方法。 - （５） ＠配電子冷却器がペルチェ素子であることを特
徴とする特ｒ１請求の範囲第１項記載のレーザダイオー
ドの先出ノ〕安定化方法。 - （６） レーリ”ダイオードと一体化されてなる熱良導
体に設（）られた電子冷却器と、該電子冷却器に取り（
＝Ｊ ｔ）られたシー１アダイＡ−ドの温度を間接的に
検知する感熱素子と、前記１７−リ”ダイオードの先出
ツノ強度が一定レベルとなるように走査開始時点でレー
ザダ・イＡ−ドの駆動電流レベルを決定する制御手段を
具備したことを特徴とするレーザダィＡ−ドの光出力安
定化Ｋｌ。 - （７） 前記制御手段を、前記レーザダイオードの光出
力の一部を検出して基準ｔｉｎに 致するように駆動電
流レベルを決定する手段としたことを特徴とする特訂請
求の範囲第０項記載のレーザダイオードの光出力安定化
装置、１ - （８） 前記制御手段を、レーザダイオードの売出ノｊ
強度一定での温度・駆動電流の関係を記憶し、この関係
に基づきレーＩＪ’ダイＡ−ドのｍ度に対して駆動電流
レベルを決定する手段どしたことを特徴とする特ｉｉ′
Ｆ請求の範囲第６項記載のレーザダイオードの光出力安
定化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19612781A JPS5896794A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | レーザビーム画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19612781A JPS5896794A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | レーザビーム画像形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5896794A true JPS5896794A (ja) | 1983-06-08 |
| JPH021383B2 JPH021383B2 (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=16352688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19612781A Granted JPS5896794A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | レーザビーム画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5896794A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622271U (ja) * | 1985-06-20 | 1987-01-08 | ||
| JPH0312379A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | メタライズペースト |
| JP2013122073A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Kinki Univ | 薄膜形成装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5336188A (en) * | 1976-09-16 | 1978-04-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5453979A (en) * | 1977-10-07 | 1979-04-27 | Canon Inc | Temperature control unit of semiconductor laser element |
| JPS5690583A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-22 | Ricoh Co Ltd | Stabilizing device of output for semiconductor laser |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP19612781A patent/JPS5896794A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5336188A (en) * | 1976-09-16 | 1978-04-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5453979A (en) * | 1977-10-07 | 1979-04-27 | Canon Inc | Temperature control unit of semiconductor laser element |
| JPS5690583A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-22 | Ricoh Co Ltd | Stabilizing device of output for semiconductor laser |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622271U (ja) * | 1985-06-20 | 1987-01-08 | ||
| JPH0312379A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | メタライズペースト |
| JP2013122073A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Kinki Univ | 薄膜形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH021383B2 (ja) | 1990-01-11 |
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