JPS5897052A - メモリ−性感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はメモリー性感光体、さらに詳しくは、改良され
たメモリー性能をもつ電子写真用のメモリー性感光体に
関するものである。

電子写真による複写工程は、■感光体への帯電、■原稿
画像な介しての露光、■トナー粒子による現像、■複転
写体への転写の４工程から成って居り、多数枚の転写を
行う時にはこの工程の■がら■をくり返し反覆する方法
が一般的な方法として採用されて（・る。

これに対し、多数枚の転写を行う方法として■の原稿画
像を介しての露光を行なうとこれが半永久的に記憶され
る現象を利用し、一旦露光した後帯室→トナー現像→転
写のくり返しによる多数枚転写が考えられている。

この様なシステムは露光工程の省略に伴う転写時間の短
縮、露光に伴う感光体の劣化防止などの点から興味がも
たれている。

この様な目的で開発された複写方法、及びこれに使用す
る感光体として特開昭５１−１３２４２゜特開昭５１−
１３２４５の様な酸化亜鉛感光体を用いる例、また特開
昭５２−４８３９のようなロイコ色素と２．４．７−ド
リニトロー９−フルオレノンからなるメモリー性感光体
も知られている。更に、特開昭５０−８６３４７では導
電性支持体上に光導電性層（ポリＮビニルカルバゾール
層）を設け、この光導電性層の表面をハロゲン化ケト化
合物及び／又はハロゲン化アシル化合物を含有する溶液
で処理してなるメモリー性感光体が、また、特開昭５０
−８６３４８では導電性支持体上に光導電性層（ポ＋）
Ｎビニルカルバゾール層ンを設け、この光導電性層の表
面を脂肪族ハロゲン化炭化水素で処理したメモリー性感
光体が知られている。

しかし、この様なメモリー性感光体は感度が低く強い光
源での長時間の露光を必要とし、又、メモリー性も弱く
、数百枚の多数複写に耐えることができない、又、感光
体の再使用性（一度記憶された画像を消去し、別の画像
を記憶させる）も悪く数回の再使用で感光体が劣化して
しまうなどの問題がある。

本発明者らはメモリー性に優れ、再使用性に優れたメモ
リー性感光体を得ることを目的として鋭意研究に努めた
結果、フタロシアニン顔料を使用した多層系感光体がこ
の目的に合致することを発見し、今回の発明に到達した
。

すなわち、本発明は、導電性支持体と、前記導電性支持
体上に設けたフタロシアニン層、さらにフタロシアニン
層の上に設けた脂肪族ハロゲン化炭化水素、ハロゲン化
アシル化合物、ハロゲン化ケト化合物、水素供与性化合
物の少なくとも１種を含むポリビニルカルバゾール層か
らなることを特徴とするメモリー性感光体である。この
様にして構成されたメモリー性感光体は従来のメモリー
性感光体が高々１００回程度のメモリー性、すなわち多
数枚転写性しがないに対し、５００回以上の転写性を示
し又、再使用性も５０回以上のものが得られる。

以下、本発明の詳細な説明する。本発明の導電性支持体
としては、アルミニウム、ニッケルノような金属板、金
属蒸着フィルム、導電処理紙のような導電性基板が使用
される。

導電性支持体上にフタロシアニン層を設けるが、本発明
において使用できるフタロシアニンとしては、メタルフ
リーフタロシアニン、マグネシウムフタロシアニン、鉛
フタロシアニン、バナジウムフタロシアニン、クロムフ
タロシアニン、アルミニウムフタロシアニン、鉄フタロ
シアニン、コバルトフタロシア二ノ、ニッケルフタロシ
アニンなどの無金属フタロシアニン、金属フタロシアニ
ン及ヒハロゲン化、スルホン化フタロシアニン誘導体な
どが挙げられ、、又、その結晶形も特に制限されること
なく、α型、β型、γ型、δ型、ε型。

χ（クシイ）型、π型、ρ型、ｘ（エックス）型の各種
の結晶型が採用される。これらの内で特に望ましいのは
α−メタルフリーフタロシアニンであるが本発明に於て
α−メタルフリーフタロシアニンに制限する必要はな（
・。そしてこのフタロシアニン層の厚さは０．０１μか
ら１０μまでが適当であり００１μ以下ではメモリー性
が弱く、１０μ以上になると、カプリ現象が強くなる。

・このフタロシアニン層は蒸着、あるいは、分散液がら
の塗布乾燥により（必要ならば少量の結合剤と共に）製
膜することができる。この様にして製膜したフタロシア
ニン層の上にポリビニルカルバゾールの膜を設けるが、
このポリビニルカルバゾールに対しポリビニルカルバゾ
ール１００重量部に対し０．０１重量部から１０重量部
の範囲で、脂肪族ハロゲン化炭化水素、ハロゲン化アシ
ル化合物、ハロゲン化ケト化合物、水素供与性化合物の
少なくとも一種を含ませる・含ませる方法としてはポリ
ビニルカルバゾールの溶液を作成する際同時に溶かし込
み均一な溶液が若しくは懸濁液を作成し、塗布乾燥する
。

この際のポリビニルカルバゾールの膜厚は１〜３０μ好
ましくは２〜２０μが望ましく１μ以下ではコントラス
ト不良、３０μ以上では分解能が低下する。

ここで使用する脂肪族ハロゲン化ケ化合物としては四塩
化炭素、トリクロルエタン、四臭化炭素。

クロロホルム、ヘキサクロルプロパン、テトラクロルエ
チレン、ジクロルシフロムエタン、ｙｌ：’）塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン等が使用できる。

ハロゲン化ケト化合物としてクロルアセトン。

ブロムアセトン、ブロムアセトフェノン、トリブロムア
セトフェノンなどが使用できる。

ハロゲン化アシル化合物としてアセチルクロライド、ア
セチルブロマイド、クロルアセチルクロライド、ブロム
アセチルブロマイド、クロルベンゾイルクロライドなど
が使用できる。

又、水素供与性化合物としては有機、無機の酸が使用さ
れ、有機酸として、酢酸、トリクロル酢酸、安息香酸、
フタル酸、テトラブロムフタル酸。

マレイン酸、フェノール、ニトロフェノール、ピクリン
酸、無水フタル酸、無水マレイン醗、臭素化無水マレイ
ン酸などが使用でき、無機酸としては塩酸、硫酸、リン
酸、ホウ酸などが使用できる。

また、導電性支持体とフタロシアニア層の間に絶縁性阻
止層を設けるとメモリー性能は更に改良される。かくし
て、本発明によれば更に、絶縁性阻止層を設けた導電性
支持体と、前記絶縁性阻止層上に設けたフタロシアニン
層と、さらにフタロシアニン層の上に設けた脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素、ハロゲン化アシル化合物、ハロゲン化
ケト化合物、水素供与性化合物の少なくとも１種を含む
ポリビニルカルバゾール層とからなることを特徴とする
メモリー性感光体が提供される。

絶縁性阻止層は接地支持体からの７りロシアニン層に対
する電荷注入を阻止する働きをする、この阻止層は印加
された電圧に耐えるだけの厚さがあれば十分である、例
えば一般の電子写真に際し、印加される電圧は２００〜
１００■であり、これを絶縁するには０．０１μないし
、０１μの酸化アルミニウム層があれば」分である。

金属酸化物を絶縁性阻止層として用いる場合は、既に記
載した金属板等のような導電性物質の表面を水溶液中で
の陽極酸′化のような方法により積極的に酸化するのが
好適である。酸化アルミニウムのような金属酸化物以外
の絶縁材料も使用可能であり、例えばポリカーボネート
樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル
樹脂、などを導電性基板上に塗布することによっても目
的を達することができる。

この様にして得られたメモリー性感光体はこれに画像を
介して露光し、画像を記憶させコロナ帯電を行うと露光
部以外が選択的に帯電される、これをトナー現像し、転
写する、引続き転写を行うにはコロナ帯電、トナー現像
、転写をくり返せばよい。

この様にして記憶された導電性潜倫はこれを消去するこ
ともでき、１５０°Ｃにて数秒加熱すると全く新しい感
光体として再使用することができる。

本発明はすでに述べた通り、導電性支持体上にフタロシ
アニン層と、さらにこの上に脂肪族・・ロゲン化炭化水
素、ノ・ロゲン化アシル化合物、ノ・ロゲン化ケト化合
物、水素供与性化合物の少な（とも１種を含むポリビニ
ルカルノくゾールの層を設けた層構成とするか、あるい
は、前記の導電性支持体の層と７タロシアニン層との間
に更に絶縁性阻止層を設けた層構成とすることにより、
従来のメモリー性感光体では得られなかった高いメモリ
ー性と高感度、更にはくり藍し特性が得られるものであ
る。

この様にして得られたメモリー性感光体はこれの特性を
評価するに次の様な方法が採用された。

■　新しく作成したメモリー性感光体を１５０°Ｃにて
５秒加熱し、感光体をクリーンな状態にする。

■　■で得られたクリーンな状態の感光体を暗所にて５
　ＫＶのコロナ放電を行（・負帯電を行（・その時の帯
電圧を測定する。

■　■で得られたクリーンな状態の感光体を露光後ｓ　
ＫＶのコロナ帯電をくり返し負帯電させコロナ帯電くり
返し１回数による負帯電圧の変化を観測し、先の暗所に
於ける値と比較する。露光後コロナ帯電を行っても帯電
圧が上らないのが理想的なメモリー性感光体であるが、
実際にはコロナ帯電時間、帯電回数が多くなるに従い次
第に上昇し、ついには露光しな（・場合に於ける帯電圧
と同様な電圧まで上昇する。

以下実施例をもって本発明を説明する。

実施例１ ８００番のサンドペーパーで表面を荒らしたアルミニウ
ムシートをシュウ酸２％水溶液中において、通電量１．
６７クーロン／　１ｏ　ｃｍ平方により陽極酸化した。

このアルミシート（厚さ１００μｍ）の酸化表面上にα
−メタルフリーフタロシアニン２ｇを１００ｅＣのジク
ロルエタン溶媒に分散させ、さらに超音波により均一に
分散させた後、アプリケーターにより１〜２μｍ厚のα
−メタルフリーフタロシアニン層を設けた。次に、１．
１．２．２−テトラクロルエタン溶媒に溶解したポリビ
ニルカルバゾールの１０％溶液１００りに、トリクロル
酢酸６０１Ａ９を溶解して得た混合液をアプリケーター
により上記α−メタルフリーフタロシアニン層上に塗布
し、１昼夜暗所において自然乾燥させ、厚さ１０μｍの
ポリビニルカルバゾール層を形成した。

このようにして得られた感光体を１５０°Ｃ９１時間、
乾燥器中で熱エーシングを行い、メモリー性電子写真感
光体を得た。

このようにして得た感光体のメモリー特性を評価するた
めに、まず、感光体を１．５０　’Ｃにおいて５秒間加
熱した後、帯電特性の測定としてＥｌ　ｅｃ　ｔｒ。

５ｔａｔｉｃ　Ｐａｐｅｒ　Ａｎａｌｙｚｅｒ　（Ｓ　
Ｐ　−４２８川口電機社製）を用い、コロナ帯電圧−５
，５ＫＶにより、負帯電を０２５秒間行った後、未露光
時の表面電位を測定した。次に、感光体を再び１５０°
Ｃ，５秒間加熱した後、水銀ランプにより光強度５　ｍ
Ｗ／Ｃｍ２の強度により全面露光を１秒間行った後、前
記と同様にコロナ帯電を行（・、光照射後の表面電位を
測定した。次に、露光は行わず、前記コロナ帯電及び表
面電位の測定をくり返し、コロナ帯電のくり返しによる
表面電位の復帰を測定し、メモリー特性を評価した。測
定結果を第１図に示す。

メモリー特性の評価として、コロナ帯電回数１００回後
における表面帯電位の回復率（光照射後コロナ帯電回数
１００回時の表面帯電位と、１５０’ｃ。

５秒間加熱による熱処理後、未露光の状態で帯電させた
ときの表面帯電位との比）でもって表現すると、本感光
体は０２４であった。

比較例１ α−メタルフリ−フタロ７アニン層を設けな（・以外は
、実施例１と同様に、感光体の作成を行い、トリクロロ
酢酸を含むポリビニルカルノくゾール層が直接、陽極酸
化アルミニウムシート状に積層されたメモリー性電子写
真感光体を得た。この感光体のメモリー特性の評価を、
実施例１と同様に行い、得られた結果を第１図に示す。

コロナ帯電回数１００回における回復率は０．９０であ
った。

比較例２ 実施例１に於けるフタロシアニンのかわりに通常の電子
写真用感光体のキャリアー発生層材料として有名なり占
ロジアンプルーを使用する以外は実施例１と同様に感光
体の作成を行（・、メモリー性電子写真感光体を得た。

この感光体のメモリー特性の評価を実施例１と同様に行
ったところ、コロナ帯電回数１００回における回復率は
、０．８０であった。

実施例２ 実施例１において、陽極酸化処理をほどこしたアルミニ
ウムシートのかわりに、空気中に放置し゛た表面が自然
酸化したアルミニウムシートを使用する以外は実施例１
と同様に行い、メモリー性電子写真感光体を得た。メモ
リー特性の評価を実施例１に従い行った所、コロナ帯電
１００回後の回復率は０．２９であった。

実施例３ 導電性支持体として、ポリエステルフィルム上に、金、
又はバラディラムの薄層を形成させたものの上にそれぞ
れ実施例１と同様にＪフタロシアニン層、ポリビニルカ
ルバゾール層を積層し、電子写真メモリー性感光体を得
た。実施例１と同様な方法でメモリー特性の評価を行っ
たところ、金又はバラディラム金属を電極とした場合に
は、コロナ帯電１００回後の回復率は０．４８であった
。

実施例４ 実施例１にお（・て、トリクロル酢酸を使用するかわり
に、四臭化炭素、ヘキサクロルアセトンをそれｊれ６０
１１９ずつ使用し、メモリー性電子写真感光体をそれぞ
れ得た。メモリー特性を実施例１と同様な方法により測
定したところ、コロナ帯電１００回後の回復率は四臭化
炭素添加の場合、０、２７　、ヘキサクロルアセトン添
加の場合、０．２９であった。

比較例３ ａ−メタルフリーフタロシアニン層ヲ設ケナいｊ：、へ
は、実施例２と同様に感光体の作成を行見・、四史外１
．（真又はヘキサクロルアセトンをそれぞれ、％　Ｊ・
＊モ］ｊ−性電子写真感光体をそれぞれ得た。

戸モリー特性の評価を実施例１と同様に行った所、コロ
ナ帯電１０，０回後の回復率は、四臭化炭素添加の場合
、０９４、ヘキサクロルアセトン添加の場合０．９８で
あった。

実施例５ 実施′？ｌＪｉと同様な処理によって陽極酸化を行った
アルミニウムシート上に、α−銅フタロシアニン１　ε
−銅フタロシアニン、モノクロル−α−銅フタロシアニ
ン、β−銅フタロシアニン各２ｇを、１０　Ｑ　ｃｃの
ジクロルエタン溶媒中に超音波により均一に分散させ、
アプーリケータにより、１〜２μｍ厚のフタロシアニン
層を設け、その上に、実施例１と同じ組成のトリクロロ
酢酸を含むポリビニルカルバゾール層を積層し、それぞ
れ“メモリー性電ゴ写真感光体を得た。メモリー性の評
価を実施例１と同様に行い、得られた結果は、それぞれ
α−銅フタロシアニンが０．３１．　　ε−フタロシア
ニンが０．３４　、モノクロル−α−銅フタロシアニン
が０３６、β−銅フタロシア二ノが０４６であった。

実施例６ 実施例１によって得られたメモリー性電子写真感光体を
、１５０’ｃ、５秒間、熱処理を行った後、光強度５ｍ
Ｗ／ｃｍ２の強度の水銀ランプにより画像露光を１秒間
行った。次に、−５，５ＫＶのコロナ帯電を０．２５秒
間行った後、正極性の電子写真トナーを使って磁気ブラ
シ現像を行い非露光部にトナー像を形成させた後、普通
紙へ転写、熱定着を行い、良好な電子写真複写像を得た
。次（・で、負コロナ帯電・トナー現像・転写の操作を
くり返すのみで、全く像露光せずに、約３００枚の複写
物を得た。この複写物の露光部分である白地部分は、良
好なメモリー保持性のため、トナー付着によるかぶりが
全（生じない良好な複写画像であった。

次いで、上記と同様の熱処理を行うことによって。

潜像を消去し、再度像露光が可能となり、上記複写プロ
セスをくり返すことＫより上記と同数の複写物を得た。

このような熱処理によるメモリー性感光体の再使用回数
は、１００回以上であった。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１及び比較例１で得られた感光体に関し
て測定された、コロナ帯電回数と表面帯電位の回復率と
の関係を示すグラフである。 出願人旭ダウ株式会社 代理人　豊　　１）　善　　雄

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１１導電性支持体と、前記導電性支持体上に設けたフ
   タロシアニン層と、さらにフタロシアニン層の上に設け
   た・脂肪族ハロゲン化炭化水素、ハロゲン化アシル化合
   物、ハロゲン化ケト化合物、水素供与性化合物の少なく
   とも１種を含むポリビニルカルバゾール層とからなるこ
   とを特徴とするメモリー性感光体。 （２）　　絶縁性阻止層を設けた導電性支持体と、前記
   絶縁性阻止層上に設けたフタロシアニン層と、さらにフ
   タロシアニン層の上に設けた脂肪族ノ・ロゲン化炭化水
   素、ノ飄ロゲ／化アシル化合物、ノーロゲン化ケト化合
   物、水素供与性化合物の少なくとも１種を含むポリビニ
   ルカルバゾール層とからなることを特徴とするメモリー
   性感光体。