JPS5897864A - 光トリガサイリスタ - Google Patents
光トリガサイリスタInfo
- Publication number
- JPS5897864A JPS5897864A JP56197339A JP19733981A JPS5897864A JP S5897864 A JPS5897864 A JP S5897864A JP 56197339 A JP56197339 A JP 56197339A JP 19733981 A JP19733981 A JP 19733981A JP S5897864 A JPS5897864 A JP S5897864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- radius
- light guide
- thyristor
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/26—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having three or more potential barriers, e.g. photothyristors
- H10F30/263—Photothyristors
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は主に光を用いてトリガする光トリガサイリス
タに関し、特にエレメントの受光部に光を導くライトガ
イドに関するもので弗る。
タに関し、特にエレメントの受光部に光を導くライトガ
イドに関するもので弗る。
第１図は従来の光トリガサイリスタの構造を示す断面図
である０図において（１）はその表面に受光部（１ａ）
を有する光トリガサイリスタエレメントである。（２）
および（３）は、電極、（４）はパッケージ、（６）は
たとえば指向性のある高出力ＬＥＤの様な光源、（６）
は上記光源（５）の光を光トリガサイリスタに導く光フ
ァイバ。（７）は上記光ファイバ（６）の光を受け、上
記光トリガサイリスタエレメント（１）の受光部（１ａ
）に光を導く上記パッケージ（４）に固定された透明な
一様な径のガラス棒な曲げて作った内部ライトガイドで
ある。
である０図において（１）はその表面に受光部（１ａ）
を有する光トリガサイリスタエレメントである。（２）
および（３）は、電極、（４）はパッケージ、（６）は
たとえば指向性のある高出力ＬＥＤの様な光源、（６）
は上記光源（５）の光を光トリガサイリスタに導く光フ
ァイバ。（７）は上記光ファイバ（６）の光を受け、上
記光トリガサイリスタエレメント（１）の受光部（１ａ
）に光を導く上記パッケージ（４）に固定された透明な
一様な径のガラス棒な曲げて作った内部ライトガイドで
ある。
この光トリガサイリスタをトリガするには、数十ｍ ｗ
という大きな光エネルギーを受光部（１ａ）に入射し
なければならない。そのために、大出力の光源（５）を
用意するのはもちろんでめる力嶋その光を効率よく光ト
リガサイリスタに導びくだめには光ファイバ（６）は、
大開口数で大口径でなければならな込、シかしながら、
開口数にはある程度限度があシ、たとえば、光の伝送損
失が低く、さらに機械的強度の強い石英系の光ファイバ
では現在開口数は０．３が＠度であり、また、伝送損失
および機械的強度が石英よシ劣る多成分系の光ファイバ
でも０．５〜０．６ｓ度である。ゆえに光ファイバ（６
）の直径を大きくしなければならない。−刀先トリガサ
イリスタエレメント（１）上の受光部（ｌａ）は、光ト
リガ感度が、その受光部（Ｉｇ）の面積とｄｖ／ｄｔ耐
量の積に比例するのでその光トリガ感度を保ちなからｄ
ｖ／ｄｔ酎量をよ耐するためには、受光部（１ａ）の径
はできるだけ小さい方がよい。
という大きな光エネルギーを受光部（１ａ）に入射し
なければならない。そのために、大出力の光源（５）を
用意するのはもちろんでめる力嶋その光を効率よく光ト
リガサイリスタに導びくだめには光ファイバ（６）は、
大開口数で大口径でなければならな込、シかしながら、
開口数にはある程度限度があシ、たとえば、光の伝送損
失が低く、さらに機械的強度の強い石英系の光ファイバ
では現在開口数は０．３が＠度であり、また、伝送損失
および機械的強度が石英よシ劣る多成分系の光ファイバ
でも０．５〜０．６ｓ度である。ゆえに光ファイバ（６
）の直径を大きくしなければならない。−刀先トリガサ
イリスタエレメント（１）上の受光部（ｌａ）は、光ト
リガ感度が、その受光部（Ｉｇ）の面積とｄｖ／ｄｔ耐
量の積に比例するのでその光トリガ感度を保ちなからｄ
ｖ／ｄｔ酎量をよ耐するためには、受光部（１ａ）の径
はできるだけ小さい方がよい。
従来の光トリガサイリスタでは、その内部ライトガイド
（７）は、径が一定′″Ｑあったために、その径ハ、光
源（δ）の出力と、光トリガサイリスタエレメント（１
）の光トリガ感度およびｄｖ／ｄｔ耐量とのバランスを
見ながら決められていた。ゆえに光源（５）と、光トリ
ガサイリスタエレメント（１）の光トリガ感度が決まっ
てしまうと、ある程度以上のｄｖ／ｄｔ耐量が得られず
、光トリガサイリスタの応用範囲が限られるという欠点
を持っていた。
（７）は、径が一定′″Ｑあったために、その径ハ、光
源（δ）の出力と、光トリガサイリスタエレメント（１
）の光トリガ感度およびｄｖ／ｄｔ耐量とのバランスを
見ながら決められていた。ゆえに光源（５）と、光トリ
ガサイリスタエレメント（１）の光トリガ感度が決まっ
てしまうと、ある程度以上のｄｖ／ｄｔ耐量が得られず
、光トリガサイリスタの応用範囲が限られるという欠点
を持っていた。
この発明は、上記の様な従来の光トリガサイリスタの欠
点を除去するためになされたもので、内部ライトガイド
を入射光を集光させて小さな半径よシ出射させる構造に
することにより、サイリスタエレメントの受光部径を小
さくすることができ、ることを利用し、従来とかわらな
い光強度の光源を用いて、従来よＪ）ｄｖ／ｄｉ耐量の
高い光トリガサイリスタを得ることを目的としている。
点を除去するためになされたもので、内部ライトガイド
を入射光を集光させて小さな半径よシ出射させる構造に
することにより、サイリスタエレメントの受光部径を小
さくすることができ、ることを利用し、従来とかわらな
い光強度の光源を用いて、従来よＪ）ｄｖ／ｄｉ耐量の
高い光トリガサイリスタを得ることを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図によって説明する。
第２図はこの発明の一実施例の光トリガサイリスタの内
部ライトガイドを示す側面図である・図において、到は
半径ｒＱの光入射端、ヴ４は半径ｒＯから半径ｒにテー
パー角βで小さくなるテーパ一部。
部ライトガイドを示す側面図である・図において、到は
半径ｒＱの光入射端、ヴ４は半径ｒＯから半径ｒにテー
パー角βで小さくなるテーパ一部。
囮は半径ｒのライトガイドのその中心線が半径几でまげ
られた曲がり部、ｇ鴫は半径ｒの光出射端である。（８
］は入射光線である・ またこのライトガイドは屈折率１ｍｌの透明な物質で出
来ているものとし、ライトガイドのまわ）は屈折率ｌの
ガスで囲まれているものとする。
られた曲がり部、ｇ鴫は半径ｒの光出射端である。（８
］は入射光線である・ またこのライトガイドは屈折率１ｍｌの透明な物質で出
来ているものとし、ライトガイドのまわ）は屈折率ｌの
ガスで囲まれているものとする。
また図において、光入射端ｎの左側の角θは、入射光線
（８）の光入射端ｒＩｌの法線に対する角度である。ま
た本発明一実施例の内部ライトガイドは、第１図の従来
の内部ライトガイド（７）と同様にその入射端りυが、
光ファイバ（６）と、出射端ｔｉ４１が受光部（１ａ）
と結合される様にパッケージ（４）に固定される。
（８）の光入射端ｒＩｌの法線に対する角度である。ま
た本発明一実施例の内部ライトガイドは、第１図の従来
の内部ライトガイド（７）と同様にその入射端りυが、
光ファイバ（６）と、出射端ｔｉ４１が受光部（１ａ）
と結合される様にパッケージ（４）に固定される。
次に本発明の詳細な説明する。角度θで光入射端りυに
入射した光は、θが十分小さければこの内部ライトガイ
ドの屈折率ｒｌｌとまわシのガスの屈折率の差のために
全反射しながらテーパ部ν腸を進む。
入射した光は、θが十分小さければこの内部ライトガイ
ドの屈折率ｒｌｌとまわシのガスの屈折率の差のために
全反射しながらテーパ部ν腸を進む。
そして、１９部り謙を通シ出射端ｔＩ４まで達する。こ
の時内部ライトガイド内部での光の内部ライトガイドと
の反射角はテーパ部（ハ）で小さくなシ、さらに曲）部
（至）でまた小さくなる。入射光が、テーバ部囲および
曲り部（２）内をすべて全反射しながら光出射端（７４
１に達するには、この曲υ部−での反射角が、この内部
ライトガイドとまわシのガスの屈折率で決まる全反射の
臨界角θ（＝ ｔｍ”−Ｌより大きくｔ なければならない、この条件を満すためには、下記の式
を満足する形状であればよい。
の時内部ライトガイド内部での光の内部ライトガイドと
の反射角はテーパ部（ハ）で小さくなシ、さらに曲）部
（至）でまた小さくなる。入射光が、テーバ部囲および
曲り部（２）内をすべて全反射しながら光出射端（７４
１に達するには、この曲υ部−での反射角が、この内部
ライトガイドとまわシのガスの屈折率で決まる全反射の
臨界角θ（＝ ｔｍ”−Ｌより大きくｔ なければならない、この条件を満すためには、下記の式
を満足する形状であればよい。
ここで穴内の記号は第２図と同じものでる’） ｓ ｎ
ｌは内部ライトガイドの屈折率である・ この条件式は、中心軸に対し角度θで光入射端クリに入
射した光が、屈折率ｎ１Ｏ内部ライトガイドへ入った時
、中心軸に対し角度θｉに屈折する時の関係式−θ＝ｎ
−θｉ、および、中心軸に対しθｉでテーパ角βで入口
半径ｒＱ を出口半径ｒのテーパ部に入射し九子午光線
が、中心軸に対しθＯでテーパ部より出てゆく時のθＯ
が最大になる関係式ｒ／ｒｏニー（θｉ＋’）７ｍ（θ
ｏ−’）、および中心軸に対しθＧの２
２ 、 角度で、ライトガイド半径ｒで曲り部中心線半径Ｒの１
９部に、１９部の内側に入射した光が１外側で、その面
の法線に対しθＲで反射する時のθ０とθＲとの関係式
（Ｒ十ｒ）／５ｉｎ（９ｏ−θｏ ）＝ （Ｒ−ｒ ）
／ｓｉｎ ｌｈｔの３式よシθｉおよびθＯを消去し、
へについて解き、それが、屈折率ｎ電の物質の全反射の
臨界角４１ θＣ＝細−細土以上けれｄならないとして不等式を作る
ことによシ導き出せる。
ｌは内部ライトガイドの屈折率である・ この条件式は、中心軸に対し角度θで光入射端クリに入
射した光が、屈折率ｎ１Ｏ内部ライトガイドへ入った時
、中心軸に対し角度θｉに屈折する時の関係式−θ＝ｎ
−θｉ、および、中心軸に対しθｉでテーパ角βで入口
半径ｒＱ を出口半径ｒのテーパ部に入射し九子午光線
が、中心軸に対しθＯでテーパ部より出てゆく時のθＯ
が最大になる関係式ｒ／ｒｏニー（θｉ＋’）７ｍ（θ
ｏ−’）、および中心軸に対しθＧの２
２ 、 角度で、ライトガイド半径ｒで曲り部中心線半径Ｒの１
９部に、１９部の内側に入射した光が１外側で、その面
の法線に対しθＲで反射する時のθ０とθＲとの関係式
（Ｒ十ｒ）／５ｉｎ（９ｏ−θｏ ）＝ （Ｒ−ｒ ）
／ｓｉｎ ｌｈｔの３式よシθｉおよびθＯを消去し、
へについて解き、それが、屈折率ｎ電の物質の全反射の
臨界角４１ θＣ＝細−細土以上けれｄならないとして不等式を作る
ことによシ導き出せる。
なお上記の様にこの式は、１９部（７１の曲シ中心と内
部ライトガイドの中心軸を含む平面内を進む子午光線の
みの関係について考えているが、この場合が１９部つ講
での反射角が最小となるので、この光線のみを考えれば
十分である。
部ライトガイドの中心軸を含む平面内を進む子午光線の
みの関係について考えているが、この場合が１９部つ講
での反射角が最小となるので、この光線のみを考えれば
十分である。
さてこの条件式には、光の入射角θ、内部ライトガイド
の屈折率”ｌ ＋光の入射端ｔＩυと出射端ｆ７４１の
半径比ｒ、）／ｒ ｌテーパ部のテーパ角β、および曲
がシ部−の内部ライトガイド半径ｒとその曲げ半径Ｒの
比ｒ／Ｒの５つの無次元パラメータがあシ、この式を満
足するためには、式よシ、入射角θが小さく、屈折率ｎ
、が大きく、入出射端半径比ｔｏ／ｒが小さく、テーパ
角βが小さく、曲がシ部の内部ライトガイド半径と曲げ
半径比ｒ／Ｒが小さい方がよいことがわかる。
の屈折率”ｌ ＋光の入射端ｔＩυと出射端ｆ７４１の
半径比ｒ、）／ｒ ｌテーパ部のテーパ角β、および曲
がシ部−の内部ライトガイド半径ｒとその曲げ半径Ｒの
比ｒ／Ｒの５つの無次元パラメータがあシ、この式を満
足するためには、式よシ、入射角θが小さく、屈折率ｎ
、が大きく、入出射端半径比ｔｏ／ｒが小さく、テーパ
角βが小さく、曲がシ部の内部ライトガイド半径と曲げ
半径比ｒ／Ｒが小さい方がよいことがわかる。
さてここで、この条件式を用いて形状寸法の一例を求め
て見ることにする。
て見ることにする。
まず、前述の様に、光フテイバ（６）の開口数にはある
限度があるが、内部ライトガイドへの入射角θは、この
開口数によって決まシ、その角度は開口数の逆正弦で表
わされる。ゆえに、入射角θもあまシ大きくはなく、た
とえば、前述の石英系の光ファイバでは、開口数が０．
３の時、入射角θは約１７．５’となる。
限度があるが、内部ライトガイドへの入射角θは、この
開口数によって決まシ、その角度は開口数の逆正弦で表
わされる。ゆえに、入射角θもあまシ大きくはなく、た
とえば、前述の石英系の光ファイバでは、開口数が０．
３の時、入射角θは約１７．５’となる。
次に、内部ライトガイドの屈折率ｎ１は、内部ライトガ
イドにたとえば屈折率の低い石英を用いたとしても約１
．４５程度である。
イドにたとえば屈折率の低い石英を用いたとしても約１
．４５程度である。
また、入出射端半径比ｌａ詐は、前述の様に、光トリガ
感度を保ちなからｄｖ／ｄｔ耐量を高くするために、出
射端半径ｒは小さい方がよく、ここでは−例として、従
来と同じ光トリガ感度を保ちながら４倍のｄｖ／ｄｔ耐
量を得ることを考え、２とする・また、１９部（７僧の
ライトガイド半径ｒと曲げ半径Ｒの比ｒ／Ｒは、曲げ半
径Ｒを従来のものと同じとしても、入出射端半径比ｒ６
／ｒを１以上とすれば、自動的に小さくなる。
感度を保ちなからｄｖ／ｄｔ耐量を高くするために、出
射端半径ｒは小さい方がよく、ここでは−例として、従
来と同じ光トリガ感度を保ちながら４倍のｄｖ／ｄｔ耐
量を得ることを考え、２とする・また、１９部（７僧の
ライトガイド半径ｒと曲げ半径Ｒの比ｒ／Ｒは、曲げ半
径Ｒを従来のものと同じとしても、入出射端半径比ｒ６
／ｒを１以上とすれば、自動的に小さくなる。
従来の内部ライトガイドの曲が９部の最小曲げ半径は、
条件式において、 ｒ／ｒ６ ＝ １およびβ＝０とし
て求められ、その時上記入射角θ＝１７．５°と内部ラ
イトガイド屈折率ｎ、 ＝ １．４５とすれば、内部ラ
イトガイドの半径の約５．８倍以上必要でアリ、これと
同じ曲げ半径比とすれは、咋＝０．０８６となる。
条件式において、 ｒ／ｒ６ ＝ １およびβ＝０とし
て求められ、その時上記入射角θ＝１７．５°と内部ラ
イトガイド屈折率ｎ、 ＝ １．４５とすれば、内部ラ
イトガイドの半径の約５．８倍以上必要でアリ、これと
同じ曲げ半径比とすれは、咋＝０．０８６となる。
以上の条件の元で条件式を満足するためのテーパ角βを
計算すると、６．５度以下であればよいことになる。
計算すると、６．５度以下であればよいことになる。
ゆえに光ファイバ（６）の開口数が０．３である時、従
来と同じ入射端面径を持ち、同じ曲がシ部半径を持つ内
部ライトガイドにおいて、そのテーバ部（ハ）のテーパ
角βを６．５度以下にした時同じ光透過率を持ちながら
出射端面径が従来のものの半分の内部ライトガイドが得
られ、よつで、光トリガサイリスタ（１）の受光部（ｌ
ａ）の面積を１７４にすることができ、ゆえに４倍のｄ
ｖ／ｄｔ耐量を持つ光トリガサイリスタを得ることがで
きる。
来と同じ入射端面径を持ち、同じ曲がシ部半径を持つ内
部ライトガイドにおいて、そのテーバ部（ハ）のテーパ
角βを６．５度以下にした時同じ光透過率を持ちながら
出射端面径が従来のものの半分の内部ライトガイドが得
られ、よつで、光トリガサイリスタ（１）の受光部（ｌ
ａ）の面積を１７４にすることができ、ゆえに４倍のｄ
ｖ／ｄｔ耐量を持つ光トリガサイリスタを得ることがで
きる。
なおこれは−例であり、たとえばテーパ角βをより小さ
くしたり、曲がシ部の曲げ半径Ｒをより大きくすること
により、さらに小さな出射端面径の内部ライトガイドが
得られることは言うまでもない。
くしたり、曲がシ部の曲げ半径Ｒをより大きくすること
により、さらに小さな出射端面径の内部ライトガイドが
得られることは言うまでもない。
また上記条件式は、その値が１よシ太きくなるに従い、
内部での光の最小反射角が大きくなることを意味し、こ
の場合、内部ライトガイドの製作上の誤差等による反射
角の減少に対するマージンとして効果がある。
内部での光の最小反射角が大きくなることを意味し、こ
の場合、内部ライトガイドの製作上の誤差等による反射
角の減少に対するマージンとして効果がある。
上記実施例は、主に光トリガサイリスタの内部ライトガ
イドへの応用例について述べたが、これは他の光を集光
する目的への応用、たとえばレンズ等を用いて光を集光
している様な所への応用ができるのは言うまでもない。
イドへの応用例について述べたが、これは他の光を集光
する目的への応用、たとえばレンズ等を用いて光を集光
している様な所への応用ができるのは言うまでもない。
また内部ライトガイドは一般の光ファイノ（と同じ様に
中央よシ屈折率の低いクラッド層を持つものを用いても
よく、その場合、たとえば）（ツケージ（４）の貫通部
等、内部ライトガイドに高屈折率のしかも光を吸収する
様な物質が接するために生ずる損失を小さくすることが
出来る。
中央よシ屈折率の低いクラッド層を持つものを用いても
よく、その場合、たとえば）（ツケージ（４）の貫通部
等、内部ライトガイドに高屈折率のしかも光を吸収する
様な物質が接するために生ずる損失を小さくすることが
出来る。
また、上記条件式は、内部ライトガイド内を光が全反射
して進む条件で、１１、光源の性質にもよるが実用上は
、１０チ程度低くなっても全入射光の光強度に対するラ
イトガイドからの光のもれによる光強度の低下は少ない
ので、条件式の左辺の値は概略（ｌＯチ程度の精度）で
ｌよシ大きくすることが本発明のねらいとするところで
ある。
して進む条件で、１１、光源の性質にもよるが実用上は
、１０チ程度低くなっても全入射光の光強度に対するラ
イトガイドからの光のもれによる光強度の低下は少ない
ので、条件式の左辺の値は概略（ｌＯチ程度の精度）で
ｌよシ大きくすることが本発明のねらいとするところで
ある。
以上説明のように、光トリガサイリスタにの条件式を満
足するライトガイドを設けたので光トリガ感度を抑える
ことな（ｄｖ／ｄｉ酎量の大耐い
足するライトガイドを設けたので光トリガ感度を抑える
ことな（ｄｖ／ｄｉ酎量の大耐い
第１図は、従来の光トリガサイリスタの示す断面図、第
２図はこの発明の一実施例の光トリガサイリスタに設け
られる内部ライトガイドを示す断面図である。 図において（１）は光トリガサイリスタエレメント、（
１ａ）は受光部、 （２） 、 （３）は電極、（４）
はセラミックパッケージ、（５Ｊは光源、（６）は光フ
ァイバ、（７）は一様直径の内部ライトガイド、ｔｉａ
は本発明一実施例の内部ライトガイドの入射端面、（２
）はテーバ部、つ鶏は曲り部、篩は出射端面な示す。 また記号ｒＱは入射端面半径、ｒは出射端面半径Ｒは曲
シ部曲げ半径、βはテーパ部テーパ角、ｎｌは内部２イ
トガイド屈折率、θは、入射光の入射端面の法線に対す
る入射角、を示す。 なお各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛野信− 手続補正占（自発） ｔ′Ｆ許庁長官殿 １、・１を件の表示 特願昭５１８−１９７８８
９号２ ヅと明の名称 光トリガサイリスタ ３ 補１１：、をする台 事件との関係 特許出願人 ｆｌ：、所 東３＋ｊ都千代［１区丸の内−丁
目２番３号名 称（６０１） 三菱電機株式会社代
表者片由仁八部 、１２代理人 住 所 東京都千代ｆ１１区丸の内二丁目２番
３号５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲、発明の詳細な説明および図面
の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲の欄を別紙のとおり訂正
する。 （２）明細書の第８頁第１９行に「ｒ／ｒｏ＝ＩＪとあ
るのを「ｒｏ／ｒ＝１」と訂正する。 （３）明細書の第９頁第８行に「同じ曲がり部半径」と
あるのを「同じ曲がり部曲げ半径」と訂正する。 （４）明細書の第１１頁第１１行〜１２行に「光トリガ
サイリスタの示す断面図」とあるのを「光トリガサイリ
スタを示す断面図」と訂正する。 ７、 添付書類の目録 補正後の特許請求の範囲を記載した書面１通 以上 特許請求の範囲 光入射端半径ｒ。で、このｒｎより小さな光入射端半径
ｒを有し、テーパ角βで半径ｒ＋＋からｒに小さくなる
テーパ部を有し、曲げ半径Ｒで曲がっている半径ｒの曲
がり部を有し、屈折率がｎ、の透明な材料で作られたラ
イトガイドにおいて、その入射端面の法線に対し、最大
入射角θで光が入射する時、 を満足するライトガイドを備えた光トリガサイリスタ。
２図はこの発明の一実施例の光トリガサイリスタに設け
られる内部ライトガイドを示す断面図である。 図において（１）は光トリガサイリスタエレメント、（
１ａ）は受光部、 （２） 、 （３）は電極、（４）
はセラミックパッケージ、（５Ｊは光源、（６）は光フ
ァイバ、（７）は一様直径の内部ライトガイド、ｔｉａ
は本発明一実施例の内部ライトガイドの入射端面、（２
）はテーバ部、つ鶏は曲り部、篩は出射端面な示す。 また記号ｒＱは入射端面半径、ｒは出射端面半径Ｒは曲
シ部曲げ半径、βはテーパ部テーパ角、ｎｌは内部２イ
トガイド屈折率、θは、入射光の入射端面の法線に対す
る入射角、を示す。 なお各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛野信− 手続補正占（自発） ｔ′Ｆ許庁長官殿 １、・１を件の表示 特願昭５１８−１９７８８
９号２ ヅと明の名称 光トリガサイリスタ ３ 補１１：、をする台 事件との関係 特許出願人 ｆｌ：、所 東３＋ｊ都千代［１区丸の内−丁
目２番３号名 称（６０１） 三菱電機株式会社代
表者片由仁八部 、１２代理人 住 所 東京都千代ｆ１１区丸の内二丁目２番
３号５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲、発明の詳細な説明および図面
の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲の欄を別紙のとおり訂正
する。 （２）明細書の第８頁第１９行に「ｒ／ｒｏ＝ＩＪとあ
るのを「ｒｏ／ｒ＝１」と訂正する。 （３）明細書の第９頁第８行に「同じ曲がり部半径」と
あるのを「同じ曲がり部曲げ半径」と訂正する。 （４）明細書の第１１頁第１１行〜１２行に「光トリガ
サイリスタの示す断面図」とあるのを「光トリガサイリ
スタを示す断面図」と訂正する。 ７、 添付書類の目録 補正後の特許請求の範囲を記載した書面１通 以上 特許請求の範囲 光入射端半径ｒ。で、このｒｎより小さな光入射端半径
ｒを有し、テーパ角βで半径ｒ＋＋からｒに小さくなる
テーパ部を有し、曲げ半径Ｒで曲がっている半径ｒの曲
がり部を有し、屈折率がｎ、の透明な材料で作られたラ
イトガイドにおいて、その入射端面の法線に対し、最大
入射角θで光が入射する時、 を満足するライトガイドを備えた光トリガサイリスタ。
Claims (1)
- 光入射端半径ｒｇで、このｒ６よシ小さな光入射端半径
ｒを有し、テーパ角βで半径ｒ６からｒに小さくなるテ
ーパ部を有し、曲は半径Ｒで曲がっている半径ｒの曲が
９部を有し、屈折率がｎｌの透明な材料で作られたライ
トガイドにおいて、その入射端面の法線に対し、最大入
射角θで光が入射するを満足するライトガイドを備えた
光トリガサイリスタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197339A JPS5897864A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 光トリガサイリスタ |
| CH7122/82A CH661379A5 (de) | 1981-12-07 | 1982-12-07 | Mit licht steuerbarer thyristor. |
| US06/447,598 US4500164A (en) | 1981-12-07 | 1982-12-07 | Light triggered thyristor, including a light guide, whose parameters are related by an equation |
| DE19823245278 DE3245278A1 (de) | 1981-12-07 | 1982-12-07 | Lichtgetriggerter thyristor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197339A JPS5897864A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 光トリガサイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897864A true JPS5897864A (ja) | 1983-06-10 |
Family
ID=16372820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56197339A Pending JPS5897864A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 光トリガサイリスタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4500164A (ja) |
| JP (1) | JPS5897864A (ja) |
| CH (1) | CH661379A5 (ja) |
| DE (1) | DE3245278A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176709A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Nec Corp | Ｃｃｄセンサ |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4944567A (en) * | 1987-11-05 | 1990-07-31 | Allied-Signal Inc. | Fiber optic laser beam delivery system |
| FR2633401B1 (fr) * | 1988-06-24 | 1990-10-05 | Labo Electronique Physique | Dispositif semiconducteur comprenant un guide de lumiere integre qui presente au moins une partie rectiligne et une partie courbe |
| US5553177A (en) * | 1992-01-15 | 1996-09-03 | Ceramoptec Industries, Inc. | Optical fiber device which increases light intensity |
| US5333218A (en) * | 1993-05-24 | 1994-07-26 | General Electric Company | Optical fiber tapered output end preparation for improved high power laser/fiber delivered beam quality |
| JP3369404B2 (ja) * | 1996-06-14 | 2003-01-20 | 三菱電機株式会社 | 光トリガサイリスタ |
| DE19626661A1 (de) * | 1996-07-03 | 1998-01-08 | Asea Brown Boveri | Lichtzündbarer Leistungshalbleiter |
| JPH10239559A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 光伝送装置 |
| US6154477A (en) * | 1997-05-13 | 2000-11-28 | Berkeley Research Associates, Inc. | On-board laser-triggered multi-layer semiconductor power switch |
| DE19826022C1 (de) * | 1998-06-10 | 1999-06-17 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Ansteuerung von Thyristoren |
| WO2008142796A1 (ja) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140144A (ja) * | 1974-04-27 | 1975-11-10 | ||
| JPS561577A (en) * | 1979-06-19 | 1981-01-09 | Toshiba Corp | Light-driving semiconductor device |
| JPS5662379A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-28 | Toshiba Corp | Optical operated semiconductor |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3796881A (en) * | 1972-04-28 | 1974-03-12 | Westinghouse Electric Corp | Encapsulated light activated semiconductor device |
| US4167746A (en) * | 1975-03-03 | 1979-09-11 | General Electric Company | Radiation triggered thyristor with light focussing guide |
| US4131905A (en) * | 1977-05-26 | 1978-12-26 | Electric Power Research Institute, Inc. | Light-triggered thyristor and package therefore |
| IN152332B (ja) * | 1978-08-03 | 1983-12-24 | Westinghouse Electric Corp | |
| US4305640A (en) * | 1978-11-24 | 1981-12-15 | National Research Development Corporation | Laser beam annealing diffuser |
| US4368481A (en) * | 1979-06-19 | 1983-01-11 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Light-driven semiconductor device |
| JPS5949709B2 (ja) * | 1979-10-13 | 1984-12-04 | 三菱電機株式会社 | 光点弧サイリスタ装置 |
-
1981
- 1981-12-07 JP JP56197339A patent/JPS5897864A/ja active Pending
-
1982
- 1982-12-07 CH CH7122/82A patent/CH661379A5/de unknown
- 1982-12-07 DE DE19823245278 patent/DE3245278A1/de active Granted
- 1982-12-07 US US06/447,598 patent/US4500164A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140144A (ja) * | 1974-04-27 | 1975-11-10 | ||
| JPS561577A (en) * | 1979-06-19 | 1981-01-09 | Toshiba Corp | Light-driving semiconductor device |
| JPS5662379A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-28 | Toshiba Corp | Optical operated semiconductor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176709A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Nec Corp | Ｃｃｄセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH661379A5 (de) | 1987-07-15 |
| DE3245278A1 (de) | 1983-07-14 |
| US4500164A (en) | 1985-02-19 |
| DE3245278C2 (ja) | 1990-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW499575B (en) | Back light apparatus | |
| JPS5897864A (ja) | 光トリガサイリスタ | |
| US6312144B1 (en) | Optical system having retro-reflectors | |
| CN115793192A (zh) | 光学透镜组 | |
| JPS6125113A (ja) | 多方向性非像映装置および多方向性非像映システム | |
| EP3130951B1 (en) | Optical fiber assembly, optical coupling device, and optical fiber coupling device | |
| US20240069314A1 (en) | Concentrating lens, photodetector with concentrating lens, concentrating lens unit | |
| JPH02503131A (ja) | 一体成型形コリメータ | |
| JPH0527121A (ja) | 光源装置 | |
| US3196366A (en) | Double end pumped optical maser structure using immersion optics | |
| US20200064569A1 (en) | Optical coupling systems for optically coupling laser diodes to optical fibers | |
| US20140063836A1 (en) | Laser Lighting Device | |
| CN116858504B (zh) | 光轴监测系统 | |
| US12092851B2 (en) | Lighting device with a plurality of light guiding elements with increasing cross-sectional area to reduce divergency | |
| KR930011823B1 (ko) | 광파장 변환장치 | |
| JPS63249811A (ja) | 照明光学装置 | |
| US6469835B1 (en) | Optical collimator with long working distance | |
| CN111913259A (zh) | 一种bosa光器件 | |
| JPS6238685B2 (ja) | ||
| CN221039490U (zh) | 导光元件以及前光模块 | |
| EP3617760A1 (en) | Combiner and laser device | |
| KR101936467B1 (ko) | 비구면 렌즈 | |
| TWI913088B (zh) | 光學透鏡組 | |
| JPS6281614A (ja) | 光結合器 | |
| WO2020019280A1 (zh) | 一种准直器及光学导管连接结构 |