JPS5897908A - Amplifier - Google Patents

Amplifier

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Publication number
JPS5897908A
JPS5897908A JP56197535A JP19753581A JPS5897908A JP S5897908 A JPS5897908 A JP S5897908A JP 56197535 A JP56197535 A JP 56197535A JP 19753581 A JP19753581 A JP 19753581A JP S5897908 A JPS5897908 A JP S5897908A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amplification stage
field effect
output
amplifier
effect transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP56197535A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Sato
剛士 佐藤
Hideyasu Jikou
秀保 慈幸
Kozo Nuriya
塗矢 康三
Akira Sobashima
彰 傍島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS5897908A publication Critical patent/JPS5897908A/en
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は初段に電界効果トランジスタを用いた増幅器に
関するものであり、その目的とするところは直流的な動
作が安定で、かつ低雑音化を図ることができる増幅器を
提供すること゛にある。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to an amplifier using a field effect transistor in the first stage, and its purpose is to provide an amplifier with stable DC operation and low noise. There is something to do.

一般に、初段に電界効果トランジスタを用いた増幅器は
第1図に示すように構成される。第1図において、1は
入力端子、2は出力端子、3,4は電源端子、6,6は
電界効果トランジスタ、7は2段目の増幅回路、8,9
,10.11は上記電界効果トランジスタ5,6のノ(
イアス抵抗、12.13は上記2段目の増幅回路7の出
力側から上記電界効果トランジスタ6のゲート電極への
帰還抵抗である。この増幅器において、上記電界効果ト
ランジスタ5は初段の増幅回路として作用し、上記電界
効果トランジスタ6は上記2段目の増幅回路7の利得が
十分大きく、かつ抵抗12゜13の負帰還のために上記
2段目の増幅回路7の出力端の直流サーボ回路として動
作し、上記出力端子2の直流オフセットを零電位に保つ
ように作用する。
Generally, an amplifier using a field effect transistor in the first stage is constructed as shown in FIG. In FIG. 1, 1 is an input terminal, 2 is an output terminal, 3 and 4 are power supply terminals, 6 and 6 are field effect transistors, 7 is a second stage amplifier circuit, 8 and 9
, 10.11 are the field effect transistors 5 and 6 (
Ias resistance 12.13 is a feedback resistance from the output side of the second stage amplifier circuit 7 to the gate electrode of the field effect transistor 6. In this amplifier, the field effect transistor 5 acts as a first stage amplifier circuit, and the field effect transistor 6 has a sufficiently large gain of the second stage amplifier circuit 7, and because of the negative feedback of the resistor 12. It operates as a DC servo circuit at the output end of the second stage amplifier circuit 7, and acts to keep the DC offset of the output terminal 2 at zero potential.

さて、電界効果トランジスタの飽和ドレイン電流は素子
自体によりばらつきが大きく、温度によっても大きく変
化する。そのため、上述した従来の増幅器では、上記電
界効果トランジスタ6.6の直流ドレイン電流が一定に
なるように動作させるため、設計時においては素子自体
のばらつき、温度特性を考慮し、考えられる最少の飽和
ドレイン電流よりも小さなドレイン電流で動作するよう
に動作点を設定しなければならない。一方、上述した従
来の増幅器は特にオーディオ機器等の用途に使用する場
合が多く、低雑音であることが要求される。雑音レベル
は初段の増幅回路としての電界効果トランジスタ5の相
互コンダクタンスヲlvとしたとき、戸7釦に比例する
ので、低雑音化を図るためには上記電界効果トランジス
タを?lの大きい状態で使用する必要がある。そして、
pmの値はドレイン電流IDのハ盲に比例するので、低
雑音化のだめには上記電界効果トランジスタ6の動作点
を飽和ドレイン電流あるいはその近くの大きな値に設定
する必要がある。
Now, the saturated drain current of a field effect transistor varies widely depending on the device itself, and also changes greatly depending on the temperature. Therefore, in the conventional amplifier described above, in order to operate so that the DC drain current of the field effect transistor 6. The operating point must be set so that the device operates with a drain current smaller than the drain current. On the other hand, the above-mentioned conventional amplifiers are often used particularly in audio equipment and the like, and are required to have low noise. The noise level is proportional to the door button 7 when the mutual conductance of the field effect transistor 5 as the first stage amplifier circuit is taken as lv, so in order to reduce noise, the above field effect transistor should be used. It is necessary to use it in a state where l is large. and,
Since the value of pm is proportional to the drain current ID, in order to reduce the noise, it is necessary to set the operating point of the field effect transistor 6 to a saturated drain current or a large value close to it.

しかしながら、上述した従来の増幅器では、上記電界効
果トランジスタ6.6の動作点を一定に保つ上で、素子
自体のばらつき、温度特性を考慮してドレイン電流を考
えられる最小の飽和ドレイン電流よりも小さく保つとい
う条件が必要であり、そのだめ、実際に使用する場合に
上記電界効果トはその近くの大きな値に設定することは
困難であり、低雑音化を達成することが非常にむずかし
いものであった。
However, in the conventional amplifier described above, in order to keep the operating point of the field effect transistor 6.6 constant, the drain current is set to be smaller than the minimum possible saturated drain current, taking into consideration the variations in the element itself and the temperature characteristics. Therefore, in actual use, it is difficult to set the above-mentioned field effect to a large value close to it, and it is extremely difficult to achieve low noise. Ta.

本発明はこのような従来の欠点を解消するものであり、
電界効果トランジスタを備える第1の増幅段の出力側に
第2の増幅段を設けると共にこの第2の増幅段の出力側
に低域通過形の第3の増幅段を設け、上記第2の増幅段
の出力側より上記電界効果トランジスタのソース電極に
信号を負帰還し、かつ上記第3の増幅段の出力側より上
記第2の増幅段に負帰還を施すと共に、上記電界効果ト
ランジスタのソース電極に直流的な負帰還を施し、上記
第2の増幅段の出力側から出力端子に取り出される出力
の安定化を図り、また上記電界効果トランジスタの動作
点を安定化させるように構成したものである。
The present invention solves these conventional drawbacks,
A second amplification stage is provided on the output side of the first amplification stage including a field effect transistor, and a low-pass third amplification stage is provided on the output side of the second amplification stage, and the second amplification stage A signal is negatively fed back to the source electrode of the field effect transistor from the output side of the stage, and negative feedback is given to the second amplification stage from the output side of the third amplification stage, and the source electrode of the field effect transistor is The device is configured to apply direct current negative feedback to stabilize the output taken out from the output side of the second amplification stage to the output terminal, and also to stabilize the operating point of the field effect transistor. .

以下、本発明の増幅器の実施例について説明する。第2
図は本発明の増幅器の一実施例を示しており、第2図に
・おいて、21.22は第1の増幅段としての電界効果
トランジスタであり、これら電界効果トランジスタ21
.22はそれぞれのソース電極およびドレイン電極が互
に接続されて並列の関係にある。そして、上記電界効果
トランジスタ21.22のドレイン電極は抵抗27を介
して正の電源端子43に接続されており、上記電界効果
トランジスタ21.22のソース電極は負帰還回路を構
成するコンデンサ34および抵抗36を通して接地され
ると共に可変抵抗器29およびコンデンサ33を介して
接地されており、かつ上記可変抵抗器29とコンデンサ
33の接続点をトランジスタ26および抵抗3oを介し
て負の電源端子44に接続されており、そのゲート電極
が入力端子41に接続されている。23は第2の増幅段
としての差動増幅器であり、その逆相入力端が上記電界
効果トランジスタ21,22のドレイン電極に接続され
ており、その同相入力端がコンデンサ32を通して接地
されると共に抵抗28を介して正の電源端子43に接続
されており、かつトランジスタ26および抵抗31を介
して負の電源端子44に接続されており、その出力端が
出力端子42に接続されている。24は低域通過形の第
3の増幅段としての差動増幅器であり、その同相入力端
が上記差動増幅器23の出力端に抵抗37を介して接続
されると共にコンデンサ39を介して接地されており、
その逆相入力端が出力端との間にコンデンサ4oを介し
て接続されると共に抵抗3Bを介して接地されており、
その出力端が上記トランジスタ25.26のベース電極
にそれぞれ接続されている。また、上記第2の増幅段と
しての差動増幅器23の出力端は負帰還回路を構成する
抵抗36を介して上記電界効果トランジスタ21.22
のソース電極に接続されている。。
Embodiments of the amplifier of the present invention will be described below. Second
The figure shows an embodiment of the amplifier of the present invention. In FIG. 2, 21 and 22 are field effect transistors as the first amplification stage,
.. The source electrodes and drain electrodes of the electrodes 22 are connected to each other in a parallel relationship. The drain electrodes of the field effect transistors 21 and 22 are connected to a positive power supply terminal 43 via a resistor 27, and the source electrodes of the field effect transistors 21 and 22 are connected to a capacitor 34 and a resistor that constitute a negative feedback circuit. 36 and is also grounded via a variable resistor 29 and a capacitor 33, and a connection point between the variable resistor 29 and the capacitor 33 is connected to a negative power supply terminal 44 via a transistor 26 and a resistor 3o. The gate electrode is connected to the input terminal 41. Reference numeral 23 designates a differential amplifier as a second amplification stage, whose negative phase input terminals are connected to the drain electrodes of the field effect transistors 21 and 22, and whose common mode input terminals are grounded through a capacitor 32 and connected to a resistor. It is connected to a positive power supply terminal 43 via a transistor 28 and a negative power supply terminal 44 via a transistor 26 and a resistor 31, and its output terminal is connected to an output terminal 42. Reference numeral 24 designates a differential amplifier as a low-pass type third amplification stage, the common mode input terminal of which is connected to the output terminal of the differential amplifier 23 via a resistor 37 and grounded via a capacitor 39. and
Its negative phase input end is connected to the output end via a capacitor 4o and is grounded via a resistor 3B.
The output ends thereof are connected to the base electrodes of the transistors 25 and 26, respectively. Further, the output terminal of the differential amplifier 23 as the second amplification stage is connected to the field effect transistors 21 and 22 via a resistor 36 constituting a negative feedback circuit.
connected to the source electrode of .

ここで、上記トランジスタ25.26等で構成される増
幅器のゲインは等しくなるように設定されており、また
、上記可変抵抗器29は上記抵抗36に比して非常に大
きい抵抗値を有し、上記電界効果トランジスタ21.2
2のドレイン電流を調整するために設けられている。そ
して、上記可変抵抗器29により上記電界効果トランジ
スタ21.22が飽和ドレイン電流で動作するように設
定されている。このように構成すると、入力端子41に
印加された信号は第1の増幅段としての電界効果トラン
ジスタ21.22で増幅され、そのドレイン電極より第
2の増幅段としての差動増幅器23の逆相入力端に加え
られ、この差動増幅器23で増幅されて出力端子42に
取り出される。
Here, the gains of the amplifiers constituted by the transistors 25, 26, etc. are set to be equal, and the variable resistor 29 has a much larger resistance value than the resistor 36, The above field effect transistor 21.2
This is provided to adjust the drain current of 2. The variable resistor 29 sets the field effect transistors 21 and 22 to operate with a saturated drain current. With this configuration, the signal applied to the input terminal 41 is amplified by the field effect transistors 21 and 22 as the first amplification stage, and the signal applied to the input terminal 41 is amplified by the field effect transistors 21 and 22 as the first amplification stage. The signal is applied to the input terminal, amplified by the differential amplifier 23, and taken out to the output terminal 42.

そして、上記第2の増幅段としての差動増幅器23の出
力信号は上記第1の増幅段としての電界効果トランジス
タ21.22のソース電極に負帰還される。一方、上記
第2の増幅段としての差動増幅器23の出力は上記第3
の増幅段としての差動増幅器24の同相入力端に加えら
れ、との差動増幅器24で直流成分が増幅されてトラン
ジスタ26゜26のそれぞれのペース電極に加えられる
ことにより、上記第3の増幅段の出力側より上記第2の
増幅段および上記電界効果トランジスタ21 、22の
ソース電極に直流的な負帰還が施される。
The output signal of the differential amplifier 23 as the second amplification stage is negatively fed back to the source electrodes of the field effect transistors 21 and 22 as the first amplification stage. On the other hand, the output of the differential amplifier 23 as the second amplification stage is
The DC component is applied to the common mode input terminal of the differential amplifier 24 as an amplification stage, and the DC component is amplified by the differential amplifier 24 and applied to each pace electrode of the transistor 26. Negative DC feedback is applied to the second amplification stage and the source electrodes of the field effect transistors 21 and 22 from the output side of the stage.

上述のように構成した増幅器において、いま、温度変化
等によ抄上記電界効果トランジスタ21゜22のソース
電極とゲート電極との間に電位差が発生し、ドレイン電
流が減少したとすると、上記第2の増幅段としての差動
増幅器23の逆相入力端の電位が上昇し、上記出力端子
42の電位が低下し、上記第3の増幅段としての差動増
幅器24の出力が低下し、上記トランジスタ26のエミ
ッタ電位が低下する。そのため、上記電界効果トランジ
スタ21.22はそのソース電極とゲート電極の間の電
位差が零電位となるように制御され、そのドレイン電流
が増加して飽和ドレイン電流で動作するようになる。こ
の時、上記第3の増幅段としての差動増幅器24の出力
が上記トランジスタ26にて1記第2の増幅段としての
差動増幅器の出力端の電位を零電位とするように作用す
る。
In the amplifier configured as described above, if a potential difference occurs between the source electrode and the gate electrode of the field effect transistors 21 and 22 due to a temperature change or the like, and the drain current decreases, then the second The potential at the negative phase input terminal of the differential amplifier 23 as the amplification stage increases, the potential at the output terminal 42 decreases, the output of the differential amplifier 24 as the third amplification stage decreases, and the output of the differential amplifier 24 as the third amplification stage decreases. The emitter potential of 26 decreases. Therefore, the field effect transistors 21 and 22 are controlled so that the potential difference between their source electrodes and gate electrodes becomes zero potential, and their drain currents increase to operate at saturated drain currents. At this time, the output of the differential amplifier 24 serving as the third amplification stage acts on the transistor 26 so that the potential at the output end of the differential amplifier serving as the second amplification stage becomes zero potential.

一方、上記第2の増幅段の出力側の電位が上昇した場合
には上記第3の増幅段としての差動増幅器24の出力が
上昇し、上記トランジスター26のエミッタ電流が増加
するために上記第2の増幅段としての差動増幅器23の
同相入力端の電位が低下し、その出力端の電位を低下す
るように作用する。
On the other hand, when the potential on the output side of the second amplification stage increases, the output of the differential amplifier 24 as the third amplification stage increases, and the emitter current of the transistor 26 increases. The potential at the common-mode input terminal of the differential amplifier 23 serving as the second amplification stage is lowered, and the potential at the output terminal thereof is lowered.

この時、上記第3の増幅段としての差動増幅器24の出
力は上記トランジスタ26にて上記電界効果  ・トラ
ンジスタ21.22のソース電極に加えられることによ
り、上記電界効果トランジスタ21゜22のソース電極
とゲート電極の間の電位差が零となるように作用し、そ
のドレイン電流が飽和ドレイン電流となるように制御さ
れる。
At this time, the output of the differential amplifier 24 as the third amplification stage is applied to the source electrodes of the field effect transistors 21 and 22 by the transistor 26, so that the output is applied to the source electrodes of the field effect transistors 21 and 22. The potential difference between the gate electrode and the gate electrode is zero, and the drain current is controlled to be a saturated drain current.

以上のように本発明によれば、電界効果トランジスタを
有する第1の増幅段と、この第1の増幅段の出力側に接
続した第2の増幅段と、この第2の増幅段の出力側に接
続した低域通過形の第3の増幅段を備え、この第2の増
幅段の出力側より上記電界効果トランジスタのソース電
極に信号の負帰還を施し、上記第3の増幅段の出力側よ
り上記第2の増幅段に負帰還を施すと共に上記電界効果
トランジスタのソース電極に直流的な負帰還を施すよう
にしたので、増幅器自体の出力レベルを零電位に保つこ
とができ、かつ電界効果トランジスタを飽和ドレイン電
流で動作させることができる。
As described above, according to the present invention, there is provided a first amplification stage having a field effect transistor, a second amplification stage connected to the output side of the first amplification stage, and a second amplification stage connected to the output side of the second amplification stage. A low-pass type third amplification stage connected to the second amplification stage is provided, negative feedback of the signal is applied from the output side of the second amplification stage to the source electrode of the field effect transistor, and the output side of the third amplification stage is Since negative feedback is applied to the second amplification stage and direct current negative feedback is applied to the source electrode of the field effect transistor, the output level of the amplifier itself can be maintained at zero potential, and the field effect The transistor can be operated with saturated drain current.

したがって、直流的に安定な動作をし、かつ低雑音化を
図ることができる利点を有するものである。
Therefore, it has the advantage of stable DC operation and low noise.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の増幅器の回路図、第2図は本発明の増幅
器の一実施例を示す回路図である。 21.22・・・・・・電界効果トランジスタ、23゜
24・・・・・・差動増幅器、25,26・・・・・・
トランジスタ、27.2B、29,30,31 .35
,36゜37.3B・・・・・・抵抗、32 、33 
、34 、39 。 40・・・・・・コンデンサ。
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional amplifier, and FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the amplifier of the present invention. 21.22...Field effect transistor, 23゜24...Differential amplifier, 25,26...
Transistor, 27.2B, 29, 30, 31. 35
, 36° 37.3B...Resistance, 32, 33
, 34 , 39 . 40... Capacitor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 電界効果トランジスタを有する第1の増幅段と、この第
1の増幅段の出力側に接続した第2の増幅段と、この第
2の増幅段の出力側に接続した低域通過形の第3の増幅
段を備え、この第2の増幅段の出力側より上記電界効果
トランジスタのソース電極に信号の負帰還を施し、上記
第3の増幅段の出力側より上記第2の増幅段に負帰還を
施すと共に上記電界効果トランジスタのソース電極に直
流的な負帰還を施すように構成してなる増幅器。
a first amplification stage having a field effect transistor; a second amplification stage connected to the output of the first amplification stage; and a third low-pass amplification stage connected to the output of the second amplification stage. negative feedback of a signal is provided from the output side of the second amplification stage to the source electrode of the field effect transistor, and negative feedback is provided to the second amplification stage from the output side of the third amplification stage. 2. An amplifier configured to provide negative direct current feedback to the source electrode of the field effect transistor.
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