JPS5898986A - 薄膜太陽電池 - Google Patents
薄膜太陽電池Info
- Publication number
- JPS5898986A JPS5898986A JP56197860A JP19786081A JPS5898986A JP S5898986 A JPS5898986 A JP S5898986A JP 56197860 A JP56197860 A JP 56197860A JP 19786081 A JP19786081 A JP 19786081A JP S5898986 A JPS5898986 A JP S5898986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- solar battery
- film solar
- aluminum
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発＃ｉＪは１１他にアルζを用＾たアモルファスレリ
コン末陽ｔａＫンいて、アル（電離とアモルファスシリ
コシｃ以下ａ−８１とかく）との間に＾融点並属の層を
形成することにより、太陽ｌｌＬａの歩−９と注龍向ヒ
１１−はかった４膜大陽亀凰に鴎する。
コン末陽ｔａＫンいて、アル（電離とアモルファスシリ
コシｃ以下ａ−８１とかく）との間に＾融点並属の層を
形成することにより、太陽ｌｌＬａの歩−９と注龍向ヒ
１１−はかった４膜大陽亀凰に鴎する。
近年、太陽％ａの低コスト化へのアプローチとして、ａ
−８１に用いた太−電電が非常に注目【集めている。
−８１に用いた太−電電が非常に注目【集めている。
従来のａ−８１薄膜太陽電池の断面構造の１例として、
一方の電離に透明導電膜、−万〇ｔ＊に金属を用いたｔ
のｔ第１−に示す０同凶において、１１にガラス、１２
は透明導電膜で、通常１１ｎＯ１゜工ｎｏ、、 エテ
０（インジウム酸化錫）が用いらルるｏ１友、１３はａ
−８１膜で透用導亀膜備から９層、１層、ｎ層の積層構
造になっている０１４はアルミ１１Ｅ１ｆｋでめるＯ ｆｔ、は矢印Ａの方向から照射場ｎ％ ｘＷｋ電池の電
気的出力は、透明電極１２と金属電極１４とから＊ａ出
す◎ 裏道方法は通常の１フズマ（ＩＶＤ法が一般に用いらｎ
るロアなわち透明導１１Ｊ［１２のついたガラス基＠１
１１真空容器に入ｔＬ２５０〜５００℃に加熱する０こ
の状虐で必要に応じて１３１Ｈ４、ＰＨ，。
一方の電離に透明導電膜、−万〇ｔ＊に金属を用いたｔ
のｔ第１−に示す０同凶において、１１にガラス、１２
は透明導電膜で、通常１１ｎＯ１゜工ｎｏ、、 エテ
０（インジウム酸化錫）が用いらルるｏ１友、１３はａ
−８１膜で透用導亀膜備から９層、１層、ｎ層の積層構
造になっている０１４はアルミ１１Ｅ１ｆｋでめるＯ ｆｔ、は矢印Ａの方向から照射場ｎ％ ｘＷｋ電池の電
気的出力は、透明電極１２と金属電極１４とから＊ａ出
す◎ 裏道方法は通常の１フズマ（ＩＶＤ法が一般に用いらｎ
るロアなわち透明導１１Ｊ［１２のついたガラス基＠１
１１真空容器に入ｔＬ２５０〜５００℃に加熱する０こ
の状虐で必要に応じて１３１Ｈ４、ＰＨ，。
ＢｘＨ−のガスを流しながら、南周改放亀にエリ、ｐ、
ｉ、ｎｏ各ａ−８１ｊｌｌｔ”形ＩＴる〇このめと、真
空源）ｔやスパッタ等にエリアル（１Ｌ砲１４がつけら
ｎる。金属電極としては、反射率が大きいアル（が用い
らｎる０これはａ−８１甲會透惑した光ｔアルミと＆−
８ｉ Ｑ’１に反射場ゼ元の利用効率を高めるためであ
る◎１１たアルｆは蒸着やスパッタがし中子（、得らｎ
た膜の導電率が大きいなどの特徴も備えている〇 第１図では、電極の一方に透明導電Ｉ［を用いた場合に
ついて述べたが、両ｔｍｔ−金属にして、元を入射丁ゐ
万のＩＩＬｌｋ七牛透明にする構造も可能で心る０この
場合にも半透明電極としてアルミが用いられる。
ｉ、ｎｏ各ａ−８１ｊｌｌｔ”形ＩＴる〇このめと、真
空源）ｔやスパッタ等にエリアル（１Ｌ砲１４がつけら
ｎる。金属電極としては、反射率が大きいアル（が用い
らｎる０これはａ−８１甲會透惑した光ｔアルミと＆−
８ｉ Ｑ’１に反射場ゼ元の利用効率を高めるためであ
る◎１１たアルｆは蒸着やスパッタがし中子（、得らｎ
た膜の導電率が大きいなどの特徴も備えている〇 第１図では、電極の一方に透明導電Ｉ［を用いた場合に
ついて述べたが、両ｔｍｔ−金属にして、元を入射丁ゐ
万のＩＩＬｌｋ七牛透明にする構造も可能で心る０この
場合にも半透明電極としてアルミが用いられる。
このようにアルミに電極として利用し中すい材料である
。反面、大きな欠点ｔ−ｆしている◎それに、アルミが
低いｉｉ［（５百数十度℃）で８１と共晶になることで
ろりさらにａ −１！ ｉ甲に拡散しやすいことである
０スパツタや真空蒸着時に光分な熱エネルギーｔもった
アルミの原子が１！−８１表面に飛゛んでくると、その
原子はたや丁（ａ−ｓｉ中に拡散する◎また場付ＫＬつ
てはアルミと共晶【つ（？、ａ ’ｉｋ局部的に奮い
去るためピンホールを生ずる。
。反面、大きな欠点ｔ−ｆしている◎それに、アルミが
低いｉｉ［（５百数十度℃）で８１と共晶になることで
ろりさらにａ −１！ ｉ甲に拡散しやすいことである
０スパツタや真空蒸着時に光分な熱エネルギーｔもった
アルミの原子が１！−８１表面に飛゛んでくると、その
原子はたや丁（ａ−ｓｉ中に拡散する◎また場付ＫＬつ
てはアルミと共晶【つ（？、ａ ’ｉｋ局部的に奮い
去るためピンホールを生ずる。
このような現象が起こる几め太陽電池はリーク電流が増
加したり、おるいはピンホールに起因する両電離関のシ
ョート状態が主じ、光電性能の低下、ならびに歩留りの
低下に４２ら丁、不発明はかかる欠点を除云したもので
ろって、その目的とするところは、アルミ電極のもつ導
電性の長さをいたしつつ、光電性能、ならびに夛−りの
同上１ｔはかることＫある０ 不発明の断面＠ｆＬに第２−に示す、第２−において２
１はガラス基板、２２は透明導１１Ｌ膜、２３扛ａ−８
１膜で透明導ＩＬＩＩｌからｐ層、１層、ｎ層の積層−
造になっている０２４は′１４１１！１点金属腰２５は
７Ｍ％極である。
加したり、おるいはピンホールに起因する両電離関のシ
ョート状態が主じ、光電性能の低下、ならびに歩留りの
低下に４２ら丁、不発明はかかる欠点を除云したもので
ろって、その目的とするところは、アルミ電極のもつ導
電性の長さをいたしつつ、光電性能、ならびに夛−りの
同上１ｔはかることＫある０ 不発明の断面＠ｆＬに第２−に示す、第２−において２
１はガラス基板、２２は透明導１１Ｌ膜、２３扛ａ−８
１膜で透明導ＩＬＩＩｌからｐ層、１層、ｎ層の積層−
造になっている０２４は′１４１１！１点金属腰２５は
７Ｍ％極である。
党扛矢印Ｂの方向から照射さｎる０
本発明のＲ造方法扛透明導１Ｌ属２２のついた力９ ｘ
基＠ ２１ （Ｄ上にａ−８１膜２Ｓｔつける工程１で
は従来の方法と同じで６る０ その後、スパッタまたは電子ビーム蒸着に１１１％１点
金属、たとえば、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、！ｉｆの少な
くとも一つから成るａｒｋつける◎膜厚扛５００ムで光
分でめ９、膜厚１を厚（するために灸時間成ｍＶするこ
とに熱的形１１１Ｋエリ太陽電池の特性劣化′に１ねく
。
基＠ ２１ （Ｄ上にａ−８１膜２Ｓｔつける工程１で
は従来の方法と同じで６る０ その後、スパッタまたは電子ビーム蒸着に１１１％１点
金属、たとえば、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、！ｉｆの少な
くとも一つから成るａｒｋつける◎膜厚扛５００ムで光
分でめ９、膜厚１を厚（するために灸時間成ｍＶするこ
とに熱的形１１１Ｋエリ太陽電池の特性劣化′に１ねく
。
〆に、？ＭＩＩＩａ点金属属上に通常の真空蒸着あるい
はスパッタによりアルｆｋ−１５〜ｔｏ声喝つける０Ｃ
Ｑ）アルミに１層％他としての導電性は充分株たれΦＯ 仁の工うな横這にすることに１９、従来のもののｊｊ）
ｔＬａ−８１が局部的にアル（中へ奮い去らｆＬること
も、ａ−ｉｉ甲へのアル（の拡散ｔも防ぐことかできた
■ 太陽電池の光１性能ならびに歩ｗｐｔ−調べてみると、
いずれ−従来θものに比べてかなりの同上かみられた０ タトエば、２０ ＧＩＩＫ−〕平行平徹ｍｏｍｍ’ｔｔ
つｙラズｖ、ｏ Ｖ Ｄ ｉｉ 鍍にオイテ、＊也＊ｔ
ｔｔｓ （ｌ ０℃。
はスパッタによりアルｆｋ−１５〜ｔｏ声喝つける０Ｃ
Ｑ）アルミに１層％他としての導電性は充分株たれΦＯ 仁の工うな横這にすることに１９、従来のもののｊｊ）
ｔＬａ−８１が局部的にアル（中へ奮い去らｆＬること
も、ａ−ｉｉ甲へのアル（の拡散ｔも防ぐことかできた
■ 太陽電池の光１性能ならびに歩ｗｐｔ−調べてみると、
いずれ−従来θものに比べてかなりの同上かみられた０ タトエば、２０ ＧＩＩＫ−〕平行平徹ｍｏｍｍ’ｔｔ
つｙラズｖ、ｏ Ｖ Ｄ ｉｉ 鍍にオイテ、＊也＊ｔ
ｔｔｓ （ｌ ０℃。
？ｋｌｌｌＪ Ｒ出力” ” ＃ Ｈｌ ヘースノ１
”ｌｋ ’ ”４ ｅ５００ＰＰＭのＰＨ，，５０（Ｊ
ＰＰＭのＢ嘗１１ｓｔ用いて、１−のａ−８１大陽電ａ
＊約１００個作製した０その＊曾、ショート状態となっ
て元起電方が１１ｖ以下の素子がでさるＭ４ｒＬｖＥ米
のものでは約３０９６でめった。一方本発明の電極槽ｆ
ｆ１ｋ用いた素子では８−でろり、非常にか−りか同上
したＯ 箇た上述の条件で作襄し友太陽亀總の曲−因子の千＊＊
は従来の構造のものが５５９６であるのに対し、不発明
の大−電池は６０％で６９、そｎ層伴って変換効率を向
上していた。
”ｌｋ ’ ”４ ｅ５００ＰＰＭのＰＨ，，５０（Ｊ
ＰＰＭのＢ嘗１１ｓｔ用いて、１−のａ−８１大陽電ａ
＊約１００個作製した０その＊曾、ショート状態となっ
て元起電方が１１ｖ以下の素子がでさるＭ４ｒＬｖＥ米
のものでは約３０９６でめった。一方本発明の電極槽ｆ
ｆ１ｋ用いた素子では８−でろり、非常にか−りか同上
したＯ 箇た上述の条件で作襄し友太陽亀總の曲−因子の千＊＊
は従来の構造のものが５５９６であるのに対し、不発明
の大−電池は６０％で６９、そｎ層伴って変換効率を向
上していた。
以上の説明かられかるように、４：発明はａ −８１薄
膜太陽亀池の光亀性乾ならびに歩ｌｉｔり１を向上さ一
ビゼる上で非常に有効である。
膜太陽亀池の光亀性乾ならびに歩ｌｉｔり１を向上さ一
ビゼる上で非常に有効である。
第１−は従来のａ − ８ １薄膜大ｌｉｌｌＩ亀鵡の
断面図、第２図は不発明の断面図でるる◎ ２１・・・・・・ガラス基板 ２２・・・・・・透明導電膜 ２ Ｓ −−−−−−’−ａ − ８ｉ ＩＩ＆２４・
・・・・・Ａ融点嘘属膜 ２５・・・・・・アルイ電極 以 上 出願人 株式会社 劇 訪精工舎 −「 介 第２図
断面図、第２図は不発明の断面図でるる◎ ２１・・・・・・ガラス基板 ２２・・・・・・透明導電膜 ２ Ｓ −−−−−−’−ａ − ８ｉ ＩＩ＆２４・
・・・・・Ａ融点嘘属膜 ２５・・・・・・アルイ電極 以 上 出願人 株式会社 劇 訪精工舎 −「 介 第２図
Claims (1)
- ｔ） 少なくとも一方の電極にアル（ｔ−用＾たアモル
ファスシリコン４編太陽電池において、アルゼ亀億とア
モルファスシリコンとの関ＫＡｍ点金４の、ｇｔ−形成
したことｔ特徴とする薄膜大罎亀−〇２） 、％融点
金トシて、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、ＴＩ、Ｈｆの少な（ｋ ％
一つｔ用いたこと七時黴とする峙許晴求＊Ｓ薦１項記載
の薄膜太陽亀な〇
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197860A JPS5898986A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197860A JPS5898986A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 薄膜太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898986A true JPS5898986A (ja) | 1983-06-13 |
Family
ID=16381529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56197860A Pending JPS5898986A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5898986A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63138324U (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-12 | ||
| JP2007267937A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Heiwa Corp | パチンコ遊技機の入賞装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103370A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Amorphous semiconductor solar cell |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP56197860A patent/JPS5898986A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103370A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Amorphous semiconductor solar cell |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63138324U (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-12 | ||
| JP2007267937A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Heiwa Corp | パチンコ遊技機の入賞装置 |
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