JPS5898996A - 注入形レ−ザ - Google Patents
注入形レ−ザInfo
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- JPS5898996A JPS5898996A JP20749382A JP20749382A JPS5898996A JP S5898996 A JPS5898996 A JP S5898996A JP 20749382 A JP20749382 A JP 20749382A JP 20749382 A JP20749382 A JP 20749382A JP S5898996 A JPS5898996 A JP S5898996A
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- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3428—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers layer orientation perpendicular to the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
不発ＩＰＩＦ！注入形半導体レーデに関し、特に活性層
内に一体的な量子サイズ効果を有する透明導波体を有す
る注入形レーデに関する。このレーデは例えば量子ウェ
ル型である。
内に一体的な量子サイズ効果を有する透明導波体を有す
る注入形レーデに関する。このレーデは例えば量子ウェ
ル型である。
量子ウェルｅへテロ構造（ＱＷＨ）レーデに対して、近
時、多大の関心が寄せられている。Ｂち、とのレーデの
活性領域内の量子効果が、従前の二重へテロ構造注入形
レーデに対して、改善された動作特性を提供するものと
考えられているからである。
時、多大の関心が寄せられている。Ｂち、とのレーデの
活性領域内の量子効果が、従前の二重へテロ構造注入形
レーデに対して、改善された動作特性を提供するものと
考えられているからである。
ＱＶＩ／Ｉｎレーデは、基本的Ｋｔ！、単一層、または
、相異なるパンドゼヤツデ及び届折皐を有して交互して
いる材料の一連の極めて薄いヘテロ構造層からなる多重
層を具備する活性領域含有するヘテロ構造装置からなる
。ＧａＡｓ／Ｇｓ＾１＾Ｓ注入形レーデの場合に注入量
レーデル活性領域は、＾Ａｘ Ｇａ１−ｘＡｓ及びＧａ
Ａｓの多言交互層を具備する。このへテロ構造において
は、＾ＪｘＧ皇１−ｘＡｓ 層（ｘ＃ｉ約０．′３な
いし１．０）は活性領域内に結合障壁を形成し、ＧａＡ
ｓ ！ＩＩはウェルを形成する。−例をあげると、上記
障壁のサイズまたは厚さＬ８ｔｆ約１ＯＡないし５０Ａ
であシ、上記ウェルのサイｉまたは厚さＬ２は約５０Ａ
ないし５０Ａである。ココに、ＬＢ及びＬｚＦｉ、一般
に、５ｏＡに等しいかまたはそれ以下であるが、互込に
比較すると大小がある。
、相異なるパンドゼヤツデ及び届折皐を有して交互して
いる材料の一連の極めて薄いヘテロ構造層からなる多重
層を具備する活性領域含有するヘテロ構造装置からなる
。ＧａＡｓ／Ｇｓ＾１＾Ｓ注入形レーデの場合に注入量
レーデル活性領域は、＾Ａｘ Ｇａ１−ｘＡｓ及びＧａ
Ａｓの多言交互層を具備する。このへテロ構造において
は、＾ＪｘＧ皇１−ｘＡｓ 層（ｘ＃ｉ約０．′３な
いし１．０）は活性領域内に結合障壁を形成し、ＧａＡ
ｓ ！ＩＩはウェルを形成する。−例をあげると、上記
障壁のサイズまたは厚さＬ８ｔｆ約１ＯＡないし５０Ａ
であシ、上記ウェルのサイｉまたは厚さＬ２は約５０Ａ
ないし５０Ａである。ココに、ＬＢ及びＬｚＦｉ、一般
に、５ｏＡに等しいかまたはそれ以下であるが、互込に
比較すると大小がある。
これら量子ウェル・レーデの利点は、キャリヤ（正孔及
び電子）Ｙｒ極めて薄い活性層内に閉込めることにより
、最低エネルギー状態のエネルギー・Ｌ／−ｔルを変化
させてバンドエツジの上方に１ステツプまたは豪数ステ
ップ上昇させること、即ち、最低の閉込められたキャリ
ヤ遷移εをエネルギー・ゼヤツデＥｇ よりも上に移
すことである。
び電子）Ｙｒ極めて薄い活性層内に閉込めることにより
、最低エネルギー状態のエネルギー・Ｌ／−ｔルを変化
させてバンドエツジの上方に１ステツプまたは豪数ステ
ップ上昇させること、即ち、最低の閉込められたキャリ
ヤ遷移εをエネルギー・ゼヤツデＥｇ よりも上に移
すことである。
最近においては、この状態遷移、において７オノン（Ｌ
Ｏ）の助けがあり１これにより、キャリヤが、再結合及
び放射発生の前に転移すべき追加の状態を有するという
ことが発表されて込る。この追加のより低いエネルギー
状態は％ ０１／Ｈレーデからの放射再結合放出におい
て重要であると考えられてｈる・簡単に言うと、７オノ
ン（ＬＯ）遷移が再結合機構におりて助けとなり、物質
差関数（ｍａｔ＠ｒｉａｌ ｄｌｆｆｅｒｅｎｃ＠ｆｕ
ｎｃｔｌｏｎ ） −に基づく間接バンドエツデ状態を
直接／ｆ ｙ ＃Ｐギャップ現象により近く似させる。
Ｏ）の助けがあり１これにより、キャリヤが、再結合及
び放射発生の前に転移すべき追加の状態を有するという
ことが発表されて込る。この追加のより低いエネルギー
状態は％ ０１／Ｈレーデからの放射再結合放出におい
て重要であると考えられてｈる・簡単に言うと、７オノ
ン（ＬＯ）遷移が再結合機構におりて助けとなり、物質
差関数（ｍａｔ＠ｒｉａｌ ｄｌｆｆｅｒｅｎｃ＠ｆｕ
ｎｃｔｌｏｎ ） −に基づく間接バンドエツデ状態を
直接／ｆ ｙ ＃Ｐギャップ現象により近く似させる。
このように１Ｑ’ｌｌＨ＠構は７才ノン援助放射再結合
倉提供し、キャリヤ（電子）を再結合前により低いエネ
ルギーへ散乱させてフォノン及び誘起されたレーデ作用
ｔ−提供する・背景的情報については、フィジカル・レ
ビュー、・レター４；％ 第３５巻、第１４号、第８２
７〜８２９真に所載のアール・ディンゲル（Ｒ，Ｄｌｎ
ｇｌ・）ほかの「極薄＾ｇｘＧａ１−ｘ Ａｓ−ＧａＡ
ｓ−＾ノＸ Ｇ ａ １ □＾＄ヘテロ構造に閉込めら
れたキャリヤの量子状態Ｊ （ＱｕａｎｔｕｍＳｔａｔ
＠ｓ ｏｆ Ｃｏｎｆｉｎ＠ｄ Ｃａｒｒｉｅｒ
ｓ Ｉｎ Ｖｅｒｙ Ｔｈ１ｎ ＡＪＸＧａｌ
−ｘ Ａｓ−ＧａＡｓ−＾ｊｘＧａ１−ｘＡｓ Ｈｅｔ
ｓｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ）（１９７４年９月５０日
）：第３４巻、ＩＥ４号、第２６５〜２６７頁ＫＷｒ叡
のアール・ディー・ドウビス（Ｒ，Ｄ、 ０ｕｐｕｌｓ
）ほかの「金属有機物化学蒸着で成長した単一量子ウ
ェル＾１ｘ−Ｇａ、−ｘＡｓ −ＧａＡｓ ヘテロ構
造ダイオードの連続３００１にレーデ動作Ｊ （Ｃｏｎ
ｔｉｎｕｏｕｓ ５００’にムｓ＠ｒ Ｏｐ＠ｒａｔｉ
ｏｎｏｆ ＄ｌｎｇｌｅ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅ目
＾ｊｘ Ｇａ１−ｘＡｎ −ＧａＡｓＨｅｔｅｒｏｓｔ
ｒｕｃｔｕｒ＠Ｃ）ｌｏｄ＠Ｇｒｏｗｎ ｂｙ Ｍ＠ｔ
ａｌｏｒｇａｎｌｅＣｈ＠ｍ１ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｏｏｓｌｔｌｏｎ ） （１９７９年２月１５日）；
アゲライド・フィシツク・レターズ結、第５４巻、１ｌ
ｌＥ８号、ｇｓｏｚ 〜５０５頁に所載のｘ ３（ａホ
ａニヤツク（Ｎ、 Ｈｏ１ｏｎｙａｋ ）ほかの「７オ
ノン・サイドバンドＭＯ−ＣＶＤｉｌ子ウェル＾ｊｘＧ
ａ １ ＋％＾＠ −ＧａＡｓ ヘテロ構造レーデＪ
（Ｐｈｏｎｏｎ−３ｌｄ＠ｂａｎｄ ＭＯ−ＣＶＤ Ｑ
ｕａｎｔｕｍ−Ｗ＠ｌ Ｉ＾ｊ、 Ｇａ １ 、ｘ＾１
−Ｇ−Ａｓ Ｈｅｔｓｒｏａｔｕｅｔｕｒ＠Ｌａｓ＠ｒ
１ （１９７９年４月１５日）：フィジカルｅレビュ
ー・レターを誌〜第４５巻、第２１号、第１７０３〜１
７ｏ６真に所載のニス・ホＯニヤツクほかの［＾Ｊ、
Ｑｓｌ、。
倉提供し、キャリヤ（電子）を再結合前により低いエネ
ルギーへ散乱させてフォノン及び誘起されたレーデ作用
ｔ−提供する・背景的情報については、フィジカル・レ
ビュー、・レター４；％ 第３５巻、第１４号、第８２
７〜８２９真に所載のアール・ディンゲル（Ｒ，Ｄｌｎ
ｇｌ・）ほかの「極薄＾ｇｘＧａ１−ｘ Ａｓ−ＧａＡ
ｓ−＾ノＸ Ｇ ａ １ □＾＄ヘテロ構造に閉込めら
れたキャリヤの量子状態Ｊ （ＱｕａｎｔｕｍＳｔａｔ
＠ｓ ｏｆ Ｃｏｎｆｉｎ＠ｄ Ｃａｒｒｉｅｒ
ｓ Ｉｎ Ｖｅｒｙ Ｔｈ１ｎ ＡＪＸＧａｌ
−ｘ Ａｓ−ＧａＡｓ−＾ｊｘＧａ１−ｘＡｓ Ｈｅｔ
ｓｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ）（１９７４年９月５０日
）：第３４巻、ＩＥ４号、第２６５〜２６７頁ＫＷｒ叡
のアール・ディー・ドウビス（Ｒ，Ｄ、 ０ｕｐｕｌｓ
）ほかの「金属有機物化学蒸着で成長した単一量子ウ
ェル＾１ｘ−Ｇａ、−ｘＡｓ −ＧａＡｓ ヘテロ構
造ダイオードの連続３００１にレーデ動作Ｊ （Ｃｏｎ
ｔｉｎｕｏｕｓ ５００’にムｓ＠ｒ Ｏｐ＠ｒａｔｉ
ｏｎｏｆ ＄ｌｎｇｌｅ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅ目
＾ｊｘ Ｇａ１−ｘＡｎ −ＧａＡｓＨｅｔｅｒｏｓｔ
ｒｕｃｔｕｒ＠Ｃ）ｌｏｄ＠Ｇｒｏｗｎ ｂｙ Ｍ＠ｔ
ａｌｏｒｇａｎｌｅＣｈ＠ｍ１ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｏｏｓｌｔｌｏｎ ） （１９７９年２月１５日）；
アゲライド・フィシツク・レターズ結、第５４巻、１ｌ
ｌＥ８号、ｇｓｏｚ 〜５０５頁に所載のｘ ３（ａホ
ａニヤツク（Ｎ、 Ｈｏ１ｏｎｙａｋ ）ほかの「７オ
ノン・サイドバンドＭＯ−ＣＶＤｉｌ子ウェル＾ｊｘＧ
ａ １ ＋％＾＠ −ＧａＡｓ ヘテロ構造レーデＪ
（Ｐｈｏｎｏｎ−３ｌｄ＠ｂａｎｄ ＭＯ−ＣＶＤ Ｑ
ｕａｎｔｕｍ−Ｗ＠ｌ Ｉ＾ｊ、 Ｇａ １ 、ｘ＾１
−Ｇ−Ａｓ Ｈｅｔｓｒｏａｔｕｅｔｕｒ＠Ｌａｓ＠ｒ
１ （１９７９年４月１５日）：フィジカルｅレビュ
ー・レターを誌〜第４５巻、第２１号、第１７０３〜１
７ｏ６真に所載のニス・ホＯニヤツクほかの［＾Ｊ、
Ｑｓｌ、。
Ａｓ −ＧａＡｓ 量子ウェルｅヘテロ構造における合
金クラスタ化」（＾ｌ１ｏｙ Ｃ１ｕｓｔ＠ｒｉｎｇ
Ｉｎ＾ｊｘ Ｇａ ｔ １＾ｓ −ＧａＡｓ Ｑｕａｎ
ｔｕｍ−Ｗｅｌｌ Ｈ＠ｔ＠ｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
）（１９８０年１１月２４日）；アプライド・フィシツ
ク・レターズ誌、藁５８巻、謳２号）謳６５〜６５頁に
所載のジェイやジェイ・コールマン（Ｊ、 Ｊ、 Ｃｏ
ｌ・ｍａｎ ）ほかの「高障壁・無クラスタ＾ｊＸ Ｑ
ａ １−Ｘ Ａ ｓ−＾ｊＡｓ−ＧａＡｓ量子ウェル
拳へテロ構つレーデＪ （Ｈｌｇｈ−Ｂａｒｒｉｅｒ
Ｃｌｕｓｔｅｒ−Ｆｒｏｍ＾Ｊ８Ｇ ａ １−ｘ ＾
１１−＾ｊＡｓ −Ｇａ Ａｓ Ｑｕａｎｔｕｍ−
Ｗ＠Ｉ 璽 Ｈ＠ｔ＠ｒＯ−ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌ
ａ５ａ＋ｒ ） （１９Ｂ １年ＩＪ！１１５日）；及
びＩプリュー・ティー・ツアング（ｗ、 Ｔ、τｓａｎ
ｇ）の「分子ビーム・エピタキシで成長した（八ｊＧｍ
）＾＄多重量子ウェル・ヘテロ構造レーデの装置特性」
（０ｓｖｌｃ＠ Ｃｈａｒａｃｔｓｒｌｍｔｌｃｓ
ｏｆ （＾＊Ｇａ）Ａｓ Ｍｕ目ｔｌ −Ｑｕａｎ
ｔｕｍ Ｗｅｌｌ Ｈ＠ｔｓｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒ＠Ｌ
ａｓ＠ｒｓ （ｌｒｏｗｎｂｙ Ｍｏ１ｓｃｕｌａｒ
Ｂｅａｍ Ｅｐｌｔａｘｙ ）等の諸論文を参照された
す。
金クラスタ化」（＾ｌ１ｏｙ Ｃ１ｕｓｔ＠ｒｉｎｇ
Ｉｎ＾ｊｘ Ｇａ ｔ １＾ｓ −ＧａＡｓ Ｑｕａｎ
ｔｕｍ−Ｗｅｌｌ Ｈ＠ｔ＠ｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
）（１９８０年１１月２４日）；アプライド・フィシツ
ク・レターズ誌、藁５８巻、謳２号）謳６５〜６５頁に
所載のジェイやジェイ・コールマン（Ｊ、 Ｊ、 Ｃｏ
ｌ・ｍａｎ ）ほかの「高障壁・無クラスタ＾ｊＸ Ｑ
ａ １−Ｘ Ａ ｓ−＾ｊＡｓ−ＧａＡｓ量子ウェル
拳へテロ構つレーデＪ （Ｈｌｇｈ−Ｂａｒｒｉｅｒ
Ｃｌｕｓｔｅｒ−Ｆｒｏｍ＾Ｊ８Ｇ ａ １−ｘ ＾
１１−＾ｊＡｓ −Ｇａ Ａｓ Ｑｕａｎｔｕｍ−
Ｗ＠Ｉ 璽 Ｈ＠ｔ＠ｒＯ−ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌ
ａ５ａ＋ｒ ） （１９Ｂ １年ＩＪ！１１５日）；及
びＩプリュー・ティー・ツアング（ｗ、 Ｔ、τｓａｎ
ｇ）の「分子ビーム・エピタキシで成長した（八ｊＧｍ
）＾＄多重量子ウェル・ヘテロ構造レーデの装置特性」
（０ｓｖｌｃ＠ Ｃｈａｒａｃｔｓｒｌｍｔｌｃｓ
ｏｆ （＾＊Ｇａ）Ａｓ Ｍｕ目ｔｌ −Ｑｕａｎ
ｔｕｍ Ｗｅｌｌ Ｈ＠ｔｓｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒ＠Ｌ
ａｓ＠ｒｓ （ｌｒｏｗｎｂｙ Ｍｏ１ｓｃｕｌａｒ
Ｂｅａｍ Ｅｐｌｔａｘｙ ）等の諸論文を参照された
す。
また、装置内の透明導波構造に結合する活性領域を有す
る注入形レーデの製作に対して関心μ持たれている・こ
の関心の理由の一つは、伝播放射に対して非吸収性であ
って放射を他の光学的受動装置に効率的に結合させ、こ
れにより、ビーム発散ｔ−蝋少化する受動導波領域内へ
放射を広がらせ〜且つ、レーデ被ポンピンダ活性領域を
レーデ１１ンラー・ファセットから違〈離して閉込めて
ファセット劣化を減少させる一体的導波体を提供するこ
とである・この構想の例としては、ＳＥＥεジャーナル
φオデ・クオン・タム・エレクロニクス誌、第ＱＥ−１
５巻、第８号、第７７５〜７８１頁に所載のエイチ・オ
ー・冒ネｘ （Ｈ，ｏ、 Ｙｏｎ・ｚｕ ）はカッ論文
「＾ｊＧａＡｓ ウィンドー構造レーデ」（＾ｎ＾ｊ
ＧａＡｓ Ｗｉｎｄｙ ＄ｔｒｕｃｔｕｒ＊ Ｌａ５ｅ
ｒ） （１９７９年８月）、及びゼロックス・ディスク
ロージャ・ジャーナル誌、＠４巻、第５号、第６６７頁
（１９７９年９月７１０月）、及び１９８０年１１月６
日出膿の米国特許出願第２０４．４５０’４ＫＷＪ示さ
ｈでいる亀のがあゐ。この構Ｉ！ｉは、ストリツｆ壇設
形ヘテロ構造レーデの集大成に対する示唆となっている
。 ジャーナル噛オプ・アプライド・フィシツク誌、第
５１巷、第４号、第１９０９〜１９１８１に所載のアー
ル・エル・ハートマン（Ｒ，Ｌ、 Ｍａｒｔｍａｎ ）
ほかの論文［（＾Ｊ、Ｇａ）Ａｓ［形ストリップ埋設形
へテロ構造レーデのＣＷ電気光学的特性Ｊ （Ｔｈ＠Ｃ
Ｗ Ｅｌ＠ｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｐ＠ｒ−
ｔＬ＠ａ ｏｌ （＾７．Ｇａ）Ａｓ Ｍｏｄｉｆｉｅ
ｄ−３ｔｒｉｐ ８ｇｒｊｅｄＨｅｔ＊ｒｏｓｔｒｕｃ
ｔｕｒ＊ Ｌａ５ｅｒｓ ）（１９８０年４月））。
る注入形レーデの製作に対して関心μ持たれている・こ
の関心の理由の一つは、伝播放射に対して非吸収性であ
って放射を他の光学的受動装置に効率的に結合させ、こ
れにより、ビーム発散ｔ−蝋少化する受動導波領域内へ
放射を広がらせ〜且つ、レーデ被ポンピンダ活性領域を
レーデ１１ンラー・ファセットから違〈離して閉込めて
ファセット劣化を減少させる一体的導波体を提供するこ
とである・この構想の例としては、ＳＥＥεジャーナル
φオデ・クオン・タム・エレクロニクス誌、第ＱＥ−１
５巻、第８号、第７７５〜７８１頁に所載のエイチ・オ
ー・冒ネｘ （Ｈ，ｏ、 Ｙｏｎ・ｚｕ ）はカッ論文
「＾ｊＧａＡｓ ウィンドー構造レーデ」（＾ｎ＾ｊ
ＧａＡｓ Ｗｉｎｄｙ ＄ｔｒｕｃｔｕｒ＊ Ｌａ５ｅ
ｒ） （１９７９年８月）、及びゼロックス・ディスク
ロージャ・ジャーナル誌、＠４巻、第５号、第６６７頁
（１９７９年９月７１０月）、及び１９８０年１１月６
日出膿の米国特許出願第２０４．４５０’４ＫＷＪ示さ
ｈでいる亀のがあゐ。この構Ｉ！ｉは、ストリツｆ壇設
形ヘテロ構造レーデの集大成に対する示唆となっている
。 ジャーナル噛オプ・アプライド・フィシツク誌、第
５１巷、第４号、第１９０９〜１９１８１に所載のアー
ル・エル・ハートマン（Ｒ，Ｌ、 Ｍａｒｔｍａｎ ）
ほかの論文［（＾Ｊ、Ｇａ）Ａｓ［形ストリップ埋設形
へテロ構造レーデのＣＷ電気光学的特性Ｊ （Ｔｈ＠Ｃ
Ｗ Ｅｌ＠ｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｐ＠ｒ−
ｔＬ＠ａ ｏｌ （＾７．Ｇａ）Ａｓ Ｍｏｄｉｆｉｅ
ｄ−３ｔｒｉｐ ８ｇｒｊｅｄＨｅｔ＊ｒｏｓｔｒｕｃ
ｔｕｒ＊ Ｌａ５ｅｒｓ ）（１９８０年４月））。
前掲のゼロックス・ディスクロージャ・ジャーナル誌に
従来のチー１４１１カツプラが示されている。
従来のチー１４１１カツプラが示されている。
この構造においては、φ形Ｇａ Ａｓの活性領域が、１
９８１年２月４日出願の米国特許出願第２５１．５５６
号において教示されているマスキング法によって、ｎ
：ＭＧａｏ、ｑ＾Ｊ０．１＾Ｓ の透明導波層上に形成
される。
９８１年２月４日出願の米国特許出願第２５１．５５６
号において教示されているマスキング法によって、ｎ
：ＭＧａｏ、ｑ＾Ｊ０．１＾Ｓ の透明導波層上に形成
される。
かかるレーデ装置において活性領域を透明導液体にチー
・臂結合するという構１１１は、このような活性領域と
受動領域または導波体との間の効果的且つ効率的な結合
に対する一つの最も興味ある方法であるが、ことＫは若
干の欠点がある。即ち、第１に、このようなレーデ装置
の製作においては、その方法が分子ビーム・エピタキシ
（Ｍ８Ｅ）であろうと、または金属有機物化学蒸着（Ｍ
Ｏ−ＣＶＯ）であろうと、室または反応器内にアノ譬−
チャ・マスクを導入して成長の途中で活性領域を作るこ
とが必要である。これはＱ＊Ａ／Ａｓ−ＧａＡｓ界面に
重大な影響を与える汚染を導入するものである。
・臂結合するという構１１１は、このような活性領域と
受動領域または導波体との間の効果的且つ効率的な結合
に対する一つの最も興味ある方法であるが、ことＫは若
干の欠点がある。即ち、第１に、このようなレーデ装置
の製作においては、その方法が分子ビーム・エピタキシ
（Ｍ８Ｅ）であろうと、または金属有機物化学蒸着（Ｍ
Ｏ−ＣＶＯ）であろうと、室または反応器内にアノ譬−
チャ・マスクを導入して成長の途中で活性領域を作るこ
とが必要である。これはＱ＊Ａ／Ａｓ−ＧａＡｓ界面に
重大な影響を与える汚染を導入するものである。
アルミニウムは＃素と極めて反応し易く、露出してｂる
透明導波層と結合して欠陥を生じさせるＯ第２に、ｎ形
Ｇ・０．９＾’０．１＾１ 層は、９形活性領域よりも
ゼヤツゾが広い物質であって効率的な透明導波体として
働き、且つ、活性領域に電流を供給する友めに成る程度
のドーピンＩ！ＩＷｔを有するが、仁の導波層がｒ−ピ
ングされてな−かまたはドーピングが極めて軽いと、こ
れら透明領域内の自由キャリヤ吸収が極端に・小さくな
る可能性がある・ 第３に、ｎ形透明導波層は、電位障壁高さが低くなって
いるので、所望の注入キャリヤ（正孔）の閉込めを行な
わない。その結果、レーデ電流しきい値が温度変化に伴
って更に急速に変化する仁とになる。
透明導波層と結合して欠陥を生じさせるＯ第２に、ｎ形
Ｇ・０．９＾’０．１＾１ 層は、９形活性領域よりも
ゼヤツゾが広い物質であって効率的な透明導波体として
働き、且つ、活性領域に電流を供給する友めに成る程度
のドーピンＩ！ＩＷｔを有するが、仁の導波層がｒ−ピ
ングされてな−かまたはドーピングが極めて軽いと、こ
れら透明領域内の自由キャリヤ吸収が極端に・小さくな
る可能性がある・ 第３に、ｎ形透明導波層は、電位障壁高さが低くなって
いるので、所望の注入キャリヤ（正孔）の閉込めを行な
わない。その結果、レーデ電流しきい値が温度変化に伴
って更に急速に変化する仁とになる。
本発明のレーデ構造は、従来のチーａｊ付きカップラ脅
へテロ構造注入形レーデにおけるこれらの欠点を軽減ま
たは除去するものである。
へテロ構造注入形レーデにおけるこれらの欠点を軽減ま
たは除去するものである。
概略説明すると、本発明においては、従来のチー／４付
＊カツプラ・ヘテロ構造レーデから広いＩ４ンｒギャッ
プの透明導波層を除去し、そして、極めて小さい犀さく
例えば５００又以下）を有する活性層を、透明が所望さ
れる領域に設け、これＫより、量子化された電子状態を
１価電子帯における伝導及び正孔状１１において作る。
＊カツプラ・ヘテロ構造レーデから広いＩ４ンｒギャッ
プの透明導波層を除去し、そして、極めて小さい犀さく
例えば５００又以下）を有する活性層を、透明が所望さ
れる領域に設け、これＫより、量子化された電子状態を
１価電子帯における伝導及び正孔状１１において作る。
上記活性層の活性領域はより厚く、そして、上記薄い活
性層領域に結合される。上記活性領域はレーデ作用状態
の下で中ヤリャ再結合を許し、伝播放射−に対して透明
である上記極めて薄い活性層領域を含む光学空洞内の伝
播を支持する。上記の透明性は、これら領域における活
性層が、バンド構造が量子サイズ効果の故に変化させら
れるという程ｆＫ薄いということから生ずる。電子状態
が量子化されると、上記厚い活性領域内で発生した放射
は、バンド構造の変化の故に、上記薄い活性層に吸収さ
れることがない。
性層領域に結合される。上記活性領域はレーデ作用状態
の下で中ヤリャ再結合を許し、伝播放射−に対して透明
である上記極めて薄い活性層領域を含む光学空洞内の伝
播を支持する。上記の透明性は、これら領域における活
性層が、バンド構造が量子サイズ効果の故に変化させら
れるという程ｆＫ薄いということから生ずる。電子状態
が量子化されると、上記厚い活性領域内で発生した放射
は、バンド構造の変化の故に、上記薄い活性層に吸収さ
れることがない。
本発明の他の目的及び特徴は、４１許請求の範囲の記載
及び図面を参照して行なう以下の説明から明らかＫｔｋ
Ｄ、ｔた本発明をよく理解できる・先ず第１図に、上述
した従来のチーＩ４付きカップラ・ヘテロ構造注入形レ
ーデ１０を示す。
及び図面を参照して行なう以下の説明から明らかＫｔｋ
Ｄ、ｔた本発明をよく理解できる・先ず第１図に、上述
した従来のチーＩ４付きカップラ・ヘテロ構造注入形レ
ーデ１０を示す。
レーデｌＯは、順次付着した複数の半導体層。
例えば、ドーピング値、厚さ及び組成を異にするＧ・＾
Ｓ及びＧａＡｊＡｓの半導体層を備えている。基板１２
線例えばｎ形Ｇ・＾Ｓ である、クラッド層１４はｎ形
Ｇ―６、＾Ａ、Ａｓ （例えば＊ １＝＝Ｑ １１４
）であり、透明ま九は受動層はｎ形Ｇａ ｒ −ｙ＾ｔ
ｙＡｓ （例えば＠Ｖ＝０．１）であり、活性領域１８
はｐ形。
Ｓ及びＧａＡｊＡｓの半導体層を備えている。基板１２
線例えばｎ形Ｇ・＾Ｓ である、クラッド層１４はｎ形
Ｇ―６、＾Ａ、Ａｓ （例えば＊ １＝＝Ｑ １１４
）であり、透明ま九は受動層はｎ形Ｇａ ｒ −ｙ＾ｔ
ｙＡｓ （例えば＠Ｖ＝０．１）であり、活性領域１８
はｐ形。
ｎ形またはｒ−ピングなしのＧａＡｌ であり、クラ
ッド層２ Ｏｔｆ ｐ形Ｇ ａ １− 、＾ｔｘＡｓ（
例ふば５Ｘ＝０．４）であり、接点層２２はｐ形または
ｐ 形のＧａＡｓ である、テーパ付きカップラ１９
ａ、活性領域１８内で生じた放射を、より広いパンＰギ
ャップの導波層１６に結合する０層２２上の金属接点２
４は、Ｉンピングされるべき領域、即ち活性領域１８だ
けを覆っている。底部均等Ｃｅ喝υ畠１−χａｔｌｏｎ
） 層２６は他の電極を構成する。
ッド層２ Ｏｔｆ ｐ形Ｇ ａ １− 、＾ｔｘＡｓ（
例ふば５Ｘ＝０．４）であり、接点層２２はｐ形または
ｐ 形のＧａＡｓ である、テーパ付きカップラ１９
ａ、活性領域１８内で生じた放射を、より広いパンＰギ
ャップの導波層１６に結合する０層２２上の金属接点２
４は、Ｉンピングされるべき領域、即ち活性領域１８だ
けを覆っている。底部均等Ｃｅ喝υ畠１−χａｔｌｏｎ
） 層２６は他の電極を構成する。
活性領域２８を越えて導波層１６の諸領域に電流が注入
されるので、放射再結合が生ずることはなく、従って端
部７アセツ）２８における不所値な浸食及び劣化が減少
する。しかし、より広いパンｒａｐヤツデの透明導波層
１６の使用に＠して前述した如き諸欠点がある。これら
欠点は、第２図ないし第５図に示す本発明の注入形レー
デ構造により″−１透明となる。
されるので、放射再結合が生ずることはなく、従って端
部７アセツ）２８における不所値な浸食及び劣化が減少
する。しかし、より広いパンｒａｐヤツデの透明導波層
１６の使用に＠して前述した如き諸欠点がある。これら
欠点は、第２図ないし第５図に示す本発明の注入形レー
デ構造により″−１透明となる。
第２図において、ヘテロ構造注入形レーデ３０は基；１
３２を備えており、該基板上に、選択的形成処理（例え
ばＭＢＥ−ｆｉたはＭＯ−ＣＶＯ）［ｊす、ｎ形Ｇａ１
−ｘＡＡｘＡｓ のクララｒ層３４．ｒ−ピングなし
かまたは極めて僅かＫＰ−ピングした１例ふば３Ｘ １
０ ” ）材料の活性領域３８を有する活性層３６．ｐ
形Ｇａ１−、＾ｔｘＡｓ のり９ツ）Ｆ層４１゜及び
ｐ＋形ＱａＡ＠の接点層４０が順々に付着されている。
３２を備えており、該基板上に、選択的形成処理（例え
ばＭＢＥ−ｆｉたはＭＯ−ＣＶＯ）［ｊす、ｎ形Ｇａ１
−ｘＡＡｘＡｓ のクララｒ層３４．ｒ−ピングなし
かまたは極めて僅かＫＰ−ピングした１例ふば３Ｘ １
０ ” ）材料の活性領域３８を有する活性層３６．ｐ
形Ｇａ１−、＾ｔｘＡｓ のり９ツ）Ｆ層４１゜及び
ｐ＋形ＱａＡ＠の接点層４０が順々に付着されている。
レーデ３０を順方向バイアスするために適当な金層接点
４２及び４４が設けられている。電流閉込めを増進する
ために、イオンオ念社プロトンをインブラントした領域
４６が設けられている。
４２及び４４が設けられている。電流閉込めを増進する
ために、イオンオ念社プロトンをインブラントした領域
４６が設けられている。
レーデ３０を順方向バイアスすると、キャリヤ再結合が
活性領域３８内に生じ、そしてこの領域内に一起された
放射線が番号３９において活性層ｉ６の薄い活性層領域
４７にテーパ結合される。
活性領域３８内に生じ、そしてこの領域内に一起された
放射線が番号３９において活性層ｉ６の薄い活性層領域
４７にテーパ結合される。
従って、光学空洞が端部ファセット４８相互間に形成さ
れ、放射線を伝播する。
れ、放射線を伝播する。
注入形レーデ３０と注入形レーデ１０との間の主要な差
異紘、活性領域４７が極端に薄いということである。即
ち、該領域は電子状態の量子化を提供するのに充分な程
度に薄く、従って放射線再結合が生ずることができない
。この薄い領域４７は量子ウェルを形成する。上記領域
は結晶の有効パンｒエツジを上昇させ、従って、電子は
上記ウェルの底へ移動することができず、成る高いエネ
ルイー状１１Ｋｉｌｔつている。上記活性領域内で発生
した放射線は薄い領域４７に結合する。即ち。
異紘、活性領域４７が極端に薄いということである。即
ち、該領域は電子状態の量子化を提供するのに充分な程
度に薄く、従って放射線再結合が生ずることができない
。この薄い領域４７は量子ウェルを形成する。上記領域
は結晶の有効パンｒエツジを上昇させ、従って、電子は
上記ウェルの底へ移動することができず、成る高いエネ
ルイー状１１Ｋｉｌｔつている。上記活性領域内で発生
した放射線は薄い領域４７に結合する。即ち。
この結合が成るＳ度弱くと本、領域４７はなか。
領域３８に次いで、レーザの最高パンＶギャップ領域で
あるからである。領域４７内で結合した放射線は、量子
サイズ効果によって生ずる・嗜ンド構造の変化に基づく
透明性を経験する。電子状−が量子化されると、上記の
バンド構造の変化があるので、活性領域３８内で発生し
た放射線は、該領域よりも薄い量子９エル領域４？＆Ｃ
１ｋ収されることはない、量子ウェル領域４７内のエネ
ルーー状園は、＠播する放射線に対して励起を生じさせ
るＫは不充分である。
あるからである。領域４７内で結合した放射線は、量子
サイズ効果によって生ずる・嗜ンド構造の変化に基づく
透明性を経験する。電子状−が量子化されると、上記の
バンド構造の変化があるので、活性領域３８内で発生し
た放射線は、該領域よりも薄い量子９エル領域４？＆Ｃ
１ｋ収されることはない、量子ウェル領域４７内のエネ
ルーー状園は、＠播する放射線に対して励起を生じさせ
るＫは不充分である。
活性領域３８の好ましい厚さは約５００Ｘないし１０．
０００Ｘであり、量子ウェル領域４７の厚さは約５ｘ々
いし５００ｘ、好ましく社約５゜Ｘないし２００ｘであ
る０モル分車ｘｌｉ例えば約０．３ないし１．０である
。
０００Ｘであり、量子ウェル領域４７の厚さは約５ｘ々
いし５００ｘ、好ましく社約５゜Ｘないし２００ｘであ
る０モル分車ｘｌｉ例えば約０．３ないし１．０である
。
本発明の構造を図示するためにレーデ構造の側面図だけ
を示しであるが、活性層３６は、領域３８及び４７がレ
ーデ装置の巾一杯に延びるという二次元型であって４．
または三次ｙｃ’Ｗｉであってもよい、即ち、この三次
元蓋においては、領域３８及び４７は、１９８０年１１
月６日出願の米国特許出願８２０４．４５０号に例示さ
れているようなより広いパン−ギャップの材料によって
全面が完全に閉込められたストリップを構成する。
を示しであるが、活性層３６は、領域３８及び４７がレ
ーデ装置の巾一杯に延びるという二次元型であって４．
または三次ｙｃ’Ｗｉであってもよい、即ち、この三次
元蓋においては、領域３８及び４７は、１９８０年１１
月６日出願の米国特許出願８２０４．４５０号に例示さ
れているようなより広いパン−ギャップの材料によって
全面が完全に閉込められたストリップを構成する。
レーデ３０及び他のレーデに対するエピタキシャル成長
法を、二次元１１に対して次に説明する。
法を、二次元１１に対して次に説明する。
エピタキシャル成長は、極めて薄い活性層を含有するに
至るまで進む。例えば、ＭＯ−ＣＶＤｉ珊法においては
１層３４の付着後・ ドーピングなしＧａＡｓ の約
５０Ｘの極めて薄い層を層３４の上に付着する。次に、
細長いア／４−チャを有するマスクを上記薄い活性層上
に置き、そして層３６の成長を継続する。上記マスクは
内部チャネルまたは室を備えており、従って、領域３８
のエビタ中シャル付着の進行中に、テーノ譬付きカップ
ラ領域３９が、上記マスクのアノ譬−チャの形状により
。
至るまで進む。例えば、ＭＯ−ＣＶＤｉ珊法においては
１層３４の付着後・ ドーピングなしＧａＡｓ の約
５０Ｘの極めて薄い層を層３４の上に付着する。次に、
細長いア／４−チャを有するマスクを上記薄い活性層上
に置き、そして層３６の成長を継続する。上記マスクは
内部チャネルまたは室を備えており、従って、領域３８
のエビタ中シャル付着の進行中に、テーノ譬付きカップ
ラ領域３９が、上記マスクのアノ譬−チャの形状により
。
１９８１年２月４日出願の米国特許出願第２５１．５５
６゛号の教示態様に従って形成される。
６゛号の教示態様に従って形成される。
層３６の成長中に、アルミニウム含有の層３４は。
その前に付着した５０Ｘの薄いＧ・八Ｓ 層によって保
護されているので、汚染されない。
護されているので、汚染されない。
三次元型のレーデ構造に対しては、米国特許出願第２０
４．４３０号に記載されているエピタキシャル成長法に
従う、即ち、最初に成長じた薄い活性層は約４００ｘの
厚さを有す、この活性層を前述し友ように引き続いて成
長させ、厚さ約１０００Ｘの活性領域３８を作る０選択
的エツチングによって活性ストリップを形成する。
４．４３０号に記載されているエピタキシャル成長法に
従う、即ち、最初に成長じた薄い活性層は約４００ｘの
厚さを有す、この活性層を前述し友ように引き続いて成
長させ、厚さ約１０００Ｘの活性領域３８を作る０選択
的エツチングによって活性ストリップを形成する。
第３図のレーデ５ｏは１１１２図のシーず３ｏと同様構
造であり、異なる点Ｆｉ、追加の透明導波層５２がある
ことである０層５２は軽くＰ−ピング（３ＸＩＱ
）されており、例えばｎ形Ｇ５１−７＾ＺｙＡｓ か
ら成る１層５２はまた伝播放射に対する透明導波体とし
て働く０層５２社、領域４７及び層５２の組合せからな
る大形の透明導波体へのテーノ母結合を提供し、導波作
用を増進し且つビーム発散を低くする。
造であり、異なる点Ｆｉ、追加の透明導波層５２がある
ことである０層５２は軽くＰ−ピング（３ＸＩＱ
）されており、例えばｎ形Ｇ５１−７＾ＺｙＡｓ か
ら成る１層５２はまた伝播放射に対する透明導波体とし
て働く０層５２社、領域４７及び層５２の組合せからな
る大形の透明導波体へのテーノ母結合を提供し、導波作
用を増進し且つビーム発散を低くする。
導波層５２を設ける代りに、クラッド層３４を通ずるド
ーピング濃度に横方向の勾配を与えてもよく、これＫよ
り、この層の上′部領域の一一ピンダ―縦をその下部領
域【比べて薄くする。
ーピング濃度に横方向の勾配を与えてもよく、これＫよ
り、この層の上′部領域の一一ピンダ―縦をその下部領
域【比べて薄くする。
本発明の注入形レーデは１＋、多重量子ウェル受動領域
からなる活性層を有して・いてもよい。即ち、第４図に
おいて、レーデ６ｏは第２図のレーデ３０と同様構造で
あり、異なる点は、活性層３６における量子ウェル構造
が、ｙ−ピングなしのＧａＡｓ／Ｇａ、−ｙにｔｙＡ
ｓ の交互Ｋｍんだ層５６．１から成っていることで
ある。層３６．１は１例えば、各々が約４ｏＸないし５
０１の厚さである。
からなる活性層を有して・いてもよい。即ち、第４図に
おいて、レーデ６ｏは第２図のレーデ３０と同様構造で
あり、異なる点は、活性層３６における量子ウェル構造
が、ｙ−ピングなしのＧａＡｓ／Ｇａ、−ｙにｔｙＡ
ｓ の交互Ｋｍんだ層５６．１から成っていることで
ある。層３６．１は１例えば、各々が約４ｏＸないし５
０１の厚さである。
領域４７は多重フェル非Ｉンピング領域からなっ−ｃａ
ｂす、活性領域３８及び＊接の多重量子ウェル領域４７
．１の組合せ体はＩンビングされて、シーず作用状態の
下でキャリヤ再結合を提供する。
ｂす、活性領域３８及び＊接の多重量子ウェル領域４７
．１の組合せ体はＩンビングされて、シーず作用状態の
下でキャリヤ再結合を提供する。
第５図にシーては、レーデ６ｏの活性領域ｐは質量され
て、Ｐ−ピング々しＧａＡｓ／ＧａＡｔＡｓの交互層Ｓ
８．、１かもなっており、該交互層は領域４７．１と
共にレーデ６ＯＫ対する活性空洞領域を形成する。活性
領域３８内の量子つニル即ち交互層３８．１は、好まし
くは１層３６．１（厚さ例えば４０Ｘ）に比べて僅かに
大きい厚さく例えば５０ｘ）を有し、導波領域即ち活性
領域４７を伝播放射線に対してより透明ならしめるよう
ｋする。
て、Ｐ−ピング々しＧａＡｓ／ＧａＡｔＡｓの交互層Ｓ
８．、１かもなっており、該交互層は領域４７．１と
共にレーデ６ＯＫ対する活性空洞領域を形成する。活性
領域３８内の量子つニル即ち交互層３８．１は、好まし
くは１層３６．１（厚さ例えば４０Ｘ）に比べて僅かに
大きい厚さく例えば５０ｘ）を有し、導波領域即ち活性
領域４７を伝播放射線に対してより透明ならしめるよう
ｋする。
本発明のシーずにおいて伝播放射線の＊ａｍ洩が生じな
いようＫするためＫは、クラッド層３４及び４１の屈折
率が対称的であることが重畳である。
いようＫするためＫは、クラッド層３４及び４１の屈折
率が対称的であることが重畳である。
これら層の屈折率に５嗟また雌それ以上の差があると％
波が薄い導波領域即ち活性層領域４７から逸出させられ
る可能性がある。これは、レーデ５０に対しては、その
透明導波体が搗かに厚いので、余り大きな問題ではない
、上記両層の屈折率を整合させる際には、＾を含有量及
びドーピング１ｌＩＩｆＬを考慮に入れることが必要で
ある。即ち、これらは伝導型を異にしているからである
。
波が薄い導波領域即ち活性層領域４７から逸出させられ
る可能性がある。これは、レーデ５０に対しては、その
透明導波体が搗かに厚いので、余り大きな問題ではない
、上記両層の屈折率を整合させる際には、＾を含有量及
びドーピング１ｌＩＩｆＬを考慮に入れることが必要で
ある。即ち、これらは伝導型を異にしているからである
。
以上１本発明をその実施例について説明し九が。
当業者には１以上の説明に照らして多くの代替。
変形及び質更が可能である。
例をあげると、ＧａＡｓ／Ｇａ＾ｊＡｓの代りに、他の
既知の組成／合金系１例えば（Ｇａ１ｎ ） （＾ｓＰ
） を用いゐとともできる。ＤＦＢまえはＤ儂Ｒシ
ーデａｍを用いることもできる。薄い活性領域／量子ウ
ェル活性層を、彎曲し九レーデ１！念は導波体ｋ。
既知の組成／合金系１例えば（Ｇａ１ｎ ） （＾ｓＰ
） を用いゐとともできる。ＤＦＢまえはＤ儂Ｒシ
ーデａｍを用いることもできる。薄い活性領域／量子ウ
ェル活性層を、彎曲し九レーデ１！念は導波体ｋ。
もしくは単一基板上に形成したレーデアレイに具備させ
ることもできる。追加のより広いパンｒギャップの層を
薄い活性領域／量子ウェル活性層の両側に付加して大形
の光学空洞領域を形成することもできる。この大形の光
学空洞領域は、パンｒギャップが便化するように屈折高
勾配形とすること亀できる。活性領域を、米国特許出願
第（Ｄ／８０２１３）号の教示に従って極めて薄く作る
こともできる。！４図及び第５図の周期的即を交互量子
ウェル層を特定の組成及び層厚さを持つように設計して
電流しきい値並びに縦モード及び基本横モードの動作を
最適化することもできる。
ることもできる。追加のより広いパンｒギャップの層を
薄い活性領域／量子ウェル活性層の両側に付加して大形
の光学空洞領域を形成することもできる。この大形の光
学空洞領域は、パンｒギャップが便化するように屈折高
勾配形とすること亀できる。活性領域を、米国特許出願
第（Ｄ／８０２１３）号の教示に従って極めて薄く作る
こともできる。！４図及び第５図の周期的即を交互量子
ウェル層を特定の組成及び層厚さを持つように設計して
電流しきい値並びに縦モード及び基本横モードの動作を
最適化することもできる。
また、導電条形の接点４２を１図示のように活性領域上
で終端させる代シにル−プのファーット４８ｔで延長さ
せてもよい。
で終端させる代シにル−プのファーット４８ｔで延長さ
せてもよい。
従って、かかる代替、ｆ形及び変態は、全て。
特許請求の範ｉ！［記載の如き本発明の精神及び範囲内
にある。
にある。
ｔＩｘ１図は従来のへテロ構造注入形レーデの側面図、
槙２図は本発明のへテロ構造注入形レーデの側面図、第
３図は本発明のへテロ構造注入形レーデの他の実施例の
側面図、第４図は本発明のへテロ構造注入形レーデのＩ
！に他の実施例の側面図、１１ＥＳ図紘第４図に示す注
入形レーデの活性領域の変形例の側面図である。 ３２・・・基板、３４．４１・・・クラッド層、３６・
・・活性層、３８・・・活性領域、４７・・・薄い活性
層領域。
槙２図は本発明のへテロ構造注入形レーデの側面図、第
３図は本発明のへテロ構造注入形レーデの他の実施例の
側面図、第４図は本発明のへテロ構造注入形レーデのＩ
！に他の実施例の側面図、１１ＥＳ図紘第４図に示す注
入形レーデの活性領域の変形例の側面図である。 ３２・・・基板、３４．４１・・・クラッド層、３６・
・・活性層、３８・・・活性領域、４７・・・薄い活性
層領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １！） 基体上に付着された複数の相隣接する半導体
層を備え、上記層の一つは活性層であり、且つ、少なく
とも、該活性層に直接ｉ＊＊するクラッド層と比べてよ
り低いバンドギャップ及びより高い屈折率を有しており
、上記活性層は、レーデの横方向端部ファセット相互間
に形成された空洞内におけるキャリヤ再結合を許し且つ
レーザ作動状態の下で伝播する放射ａｔ−支持する活性
領域を有しており、更に、電ｆｌｔを上記活性領域に閉
込める手段を備え、上記活性領域の末端は、上記活性層
と上記活性領域との間の領域が伝播しつつある放射＠に
対する受動導波体として働ように、上記端部７アセツト
まで達しておらず、上記活性層の上記受動導波領域は、
電子状１の量子化に基づく光吸収性となることのないよ
うに１合成透明または量子フェル導波体を形成するのに
充分な薄い層厚さであることを特徴とする注入形レーデ
。 （２） 活性領域が約５００人ないし１０．０００
Ａの範囲内の厚さを有しており、活性層の受動導波領域
が約ＩＡｅいし５００人の範囲内の厚さを有している特
許請求の範囲に１項記載の注入形レーデ。 （３） 活性層の受動導波領域が約５０Ａないし１０
０人の範囲内の好ましｈ厚さを有している特許請求の範
囲菖２項記載の注入形レーデ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US32713681A | 1981-12-03 | 1981-12-03 | |
| US327136 | 1999-03-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898996A true JPS5898996A (ja) | 1983-06-13 |
| JPH0315356B2 JPH0315356B2 (ja) | 1991-02-28 |
Family
ID=23275298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20749382A Granted JPS5898996A (ja) | 1981-12-03 | 1982-11-26 | 注入形レ−ザ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0081956B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5898996A (ja) |
| DE (1) | DE3273383D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01321677A (ja) * | 1988-06-23 | 1989-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型半導体光素子の製造方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0632339B2 (ja) * | 1984-12-18 | 1994-04-27 | キヤノン株式会社 | 半導体レ−ザ |
| US5087587A (en) * | 1986-02-13 | 1992-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Epitaxial growth process for the production of a window semiconductor laser |
| FR2596529B1 (fr) * | 1986-03-28 | 1988-05-13 | Thomson Csf | Guide d'onde optique en materiau semiconducteur, laser appliquant ce guide d'onde et procede de realisation |
| FR2654523B1 (fr) * | 1989-11-13 | 1992-02-28 | France Etat | Amplificateur optique non resonnant a diode laser. |
| JPH0629621A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2815769B2 (ja) * | 1992-12-15 | 1998-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| EP0641049B1 (en) * | 1993-08-31 | 1998-10-28 | Fujitsu Limited | An optical semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| CN103099171A (zh) * | 2012-12-06 | 2013-05-15 | 黄宵 | 一种卤肉配方 |
| CN103190591A (zh) * | 2012-12-13 | 2013-07-10 | 黄宵 | 一种浓香型香料 |
| FR3120473B1 (fr) * | 2021-03-05 | 2023-12-22 | 3Sp Tech | Dispositif opto-électronique à semi-conducteurs |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3978426A (en) * | 1975-03-11 | 1976-08-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Heterostructure devices including tapered optical couplers |
| US4190813A (en) * | 1977-12-28 | 1980-02-26 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Strip buried heterostructure laser |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP20749382A patent/JPS5898996A/ja active Granted
- 1982-12-03 EP EP19820306438 patent/EP0081956B1/en not_active Expired
- 1982-12-03 DE DE8282306438T patent/DE3273383D1/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01321677A (ja) * | 1988-06-23 | 1989-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型半導体光素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0315356B2 (ja) | 1991-02-28 |
| DE3273383D1 (en) | 1986-10-23 |
| EP0081956A1 (en) | 1983-06-22 |
| EP0081956B1 (en) | 1986-09-17 |
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