JPS5899131A - 光学系ガラス材の製造方法 - Google Patents
光学系ガラス材の製造方法Info
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- JPS5899131A JPS5899131A JP19906581A JP19906581A JPS5899131A JP S5899131 A JPS5899131 A JP S5899131A JP 19906581 A JP19906581 A JP 19906581A JP 19906581 A JP19906581 A JP 19906581A JP S5899131 A JPS5899131 A JP S5899131A
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- pipe
- glass pipe
- plasma
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
- C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
- C03B37/01823—Plasma deposition burners or heating means
- C03B37/0183—Plasma deposition burners or heating means for plasma within a tube substrate
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光フアイバ用の母材、ロンドレンズ用の母材な
ど、これら光学系ガラス材をプラズマＣＶＤ法によシ製
造する方法に関する。
ど、これら光学系ガラス材をプラズマＣＶＤ法によシ製
造する方法に関する。
光フアイバ用、ロラーレンズ用などの母材を製造する手
段の１つにプラズマＣＶＤ法がある。
段の１つにプラズマＣＶＤ法がある。
一般的なプラズマＣＶＤ法では、ガラスパイプ内にガラ
ス成分等を含む原料ガスを供給してこれをプラズマ発生
熱により熱分解反応させ、その反応生成物たるスート状
のガラス微粉末を上記ガラスパイプ内周に堆積させると
同時にガラス化してガラス層を形成し、以下、こりして
所定厚のガラス層力Ｓ内周に形成された後のガラスパイ
プを高温の熱処理にニジコラプスして棒状のガラス材（
光フアイバ用、ロンドレンズ用の母材）としている。
ス成分等を含む原料ガスを供給してこれをプラズマ発生
熱により熱分解反応させ、その反応生成物たるスート状
のガラス微粉末を上記ガラスパイプ内周に堆積させると
同時にガラス化してガラス層を形成し、以下、こりして
所定厚のガラス層力Ｓ内周に形成された後のガラスパイ
プを高温の熱処理にニジコラプスして棒状のガラス材（
光フアイバ用、ロンドレンズ用の母材）としている。
このプラズマＣＶＤ法も内付けＣＶＤ法と基本的には変
わりないが、酸水素炎を用いたガラスパイプ外周からの
加熱により前記熱分解反応を行なわせる一般の内付けＣ
ＶＤ法と比べた場合、上記プラズマＣＶＤ法ではガラス
パイプ内のプラズマ発生熱によシ熱分解反応を行なわせ
るので、ガラスパイプを強加熱する必要がなく、これが
１つの特徴となっている０ しかし上記の事項は熱分解反応に限ってのみいえること
であり、実際上、ガラスパイプ内におけるガラス堆積物
のひび割れを阻止してこれら両者を融着させるにはガラ
スパイプの高温化は必要である。
わりないが、酸水素炎を用いたガラスパイプ外周からの
加熱により前記熱分解反応を行なわせる一般の内付けＣ
ＶＤ法と比べた場合、上記プラズマＣＶＤ法ではガラス
パイプ内のプラズマ発生熱によシ熱分解反応を行なわせ
るので、ガラスパイプを強加熱する必要がなく、これが
１つの特徴となっている０ しかし上記の事項は熱分解反応に限ってのみいえること
であり、実際上、ガラスパイプ内におけるガラス堆積物
のひび割れを阻止してこれら両者を融着させるにはガラ
スパイプの高温化は必要である。
これらの事項も含め、プラズマＣＶＤ法でいえることは
、ガラスパイプを高温化する必要があること、ガラスパ
イプ内の長手方向に沿ってガラス層を堆積させるためプ
ラズマ発生装置を同方向へ往復動させる必要があること
、ガラスパイプ内でのプラズマ発生を容易にするためガ
ラスパイプ内を減圧する必要もあることなどであり、こ
れらの条件を満足させなければならない０ ところがガラスパイプ内に単にプラズマを発生させただ
けでは高温のパイプ加熱温度が容易に得られず、また、
ガラスパイプの一点における温度状況をみた場合、プラ
ズマ発生装置が往復動して元の位置へ復帰するまでの間
にその一点の温度は降下してしまうこととなり、再度所
定温度を得るのに時間が−かかるから、プラズマ発生装
置の移動速度は遅速化せざるを得す、したがってプラズ
マ発生装置に依存したガラス層の堆積能率が低下する。
、ガラスパイプを高温化する必要があること、ガラスパ
イプ内の長手方向に沿ってガラス層を堆積させるためプ
ラズマ発生装置を同方向へ往復動させる必要があること
、ガラスパイプ内でのプラズマ発生を容易にするためガ
ラスパイプ内を減圧する必要もあることなどであり、こ
れらの条件を満足させなければならない０ ところがガラスパイプ内に単にプラズマを発生させただ
けでは高温のパイプ加熱温度が容易に得られず、また、
ガラスパイプの一点における温度状況をみた場合、プラ
ズマ発生装置が往復動して元の位置へ復帰するまでの間
にその一点の温度は降下してしまうこととなり、再度所
定温度を得るのに時間が−かかるから、プラズマ発生装
置の移動速度は遅速化せざるを得す、したがってプラズ
マ発生装置に依存したガラス層の堆積能率が低下する。
さらｉこプラズマの発生を容易にするためガラスパイプ
内を所定の真空度とした場合、ガラスパイプは上記の加
熱と真空引きとの双方を受けることになるので潰れが起
シやすく、シたがって潰れを阻止しながらガラスパイプ
を加熱し、真空引きするのは技術的にかなり難しく、シ
かもこの際採用できる加熱温度はガラスパイプの軟化点
以下であるから、目的とする高温加熱も充分に達成でき
ない。
内を所定の真空度とした場合、ガラスパイプは上記の加
熱と真空引きとの双方を受けることになるので潰れが起
シやすく、シたがって潰れを阻止しながらガラスパイプ
を加熱し、真空引きするのは技術的にかなり難しく、シ
かもこの際採用できる加熱温度はガラスパイプの軟化点
以下であるから、目的とする高温加熱も充分に達成でき
ない。
本発明はこの種プラズマＣＶＤ法においてガラスパイプ
の内外周からこれを加熱するといった新たな手段により
上記の問題点を解消しようとするもので、以下その具体
的方法を図示の実施例により説明する。
の内外周からこれを加熱するといった新たな手段により
上記の問題点を解消しようとするもので、以下その具体
的方法を図示の実施例により説明する。
図において、（１）はプラズマＣＶＤ法を実施する際の
サブストレイト（基材）となる石英系または多成分ガラ
ス系、または鉛ガラス系などのガラスパイプ、（２）は
該ガラスパイプ（１）の外周に間隙（３）を残して被せ
られた耐熱性の筒状体であり、この筒状体（２）はガラ
スパイプ＋１１よシも高融点の各種ガラスよりなる。
サブストレイト（基材）となる石英系または多成分ガラ
ス系、または鉛ガラス系などのガラスパイプ、（２）は
該ガラスパイプ（１）の外周に間隙（３）を残して被せ
られた耐熱性の筒状体であり、この筒状体（２）はガラ
スパイプ＋１１よシも高融点の各種ガラスよりなる。
上記におけるガラスパイプ（１）の一端には原料ガス（
気相のガラス原料、気相のドープ剤、キャリアガス）を
供給するための原料供給系（４）が配管手段により連結
されておシ、一方、ガラスパイプ（１）および筒状体（
２）の他端にはこれらの内部を所定の減圧状態にするた
め真空ポンプ等を備えた真空吸引系（５）が上記と同様
に連結されている。
気相のガラス原料、気相のドープ剤、キャリアガス）を
供給するための原料供給系（４）が配管手段により連結
されておシ、一方、ガラスパイプ（１）および筒状体（
２）の他端にはこれらの内部を所定の減圧状態にするた
め真空ポンプ等を備えた真空吸引系（５）が上記と同様
に連結されている。
さらに、上記筒状体（２）の外周にはガラスパイプ（１
）内および間隙（３）内でプラズマを発生させるための
プラズマ発生装置（６）が所定の長手方向へ移動自在に
設けられており、このプラズマ発生装置（６）はマイク
ロ波キャビティによるもの、あるいはｒａｄｉｏ ｆｒ
ｅｑｕｅｎｃｙ （ｒ ｆ ） ：ｌイルを備えたもの
からなっているが、ガラスパイプ（１）内にのみプラズ
マを発生さぜる場合、筒状体（２）は抵抗加熱法などの
外部加熱手段により加熱する。
）内および間隙（３）内でプラズマを発生させるための
プラズマ発生装置（６）が所定の長手方向へ移動自在に
設けられており、このプラズマ発生装置（６）はマイク
ロ波キャビティによるもの、あるいはｒａｄｉｏ ｆｒ
ｅｑｕｅｎｃｙ （ｒ ｆ ） ：ｌイルを備えたもの
からなっているが、ガラスパイプ（１）内にのみプラズ
マを発生さぜる場合、筒状体（２）は抵抗加熱法などの
外部加熱手段により加熱する。
本発明では上記においてプラズマＣＶＤ法を実施するの
であり、これの１例としては原料供給系（４）からガラ
スパイプ（１）内へ所定の原料ガスを供給し、さらに図
示の左右方向へ移動するプラズマ発生装置（６）により
、ガラスパイプ（ｌ）内オよび間隙（３）内にそれぞれ
プラズマＰ１、Ｐ２を発生させる。
であり、これの１例としては原料供給系（４）からガラ
スパイプ（１）内へ所定の原料ガスを供給し、さらに図
示の左右方向へ移動するプラズマ発生装置（６）により
、ガラスパイプ（ｌ）内オよび間隙（３）内にそれぞれ
プラズマＰ１、Ｐ２を発生させる。
ここで原料ガスについて説明すると、気相のガラス原料
としては５ｉＣｔ４、ＳｉＢｒ４、ＳｉＨ４，５ｉＨＣ
１３，５ｉ（ＱＣ２Ｈグ）などが用いられ、かつ、該原
料中にはこれをガラス化した際の所望屈折率や熱的特性
などを得るため、Ｇｅ、Ｐ、Ｂｓ Ｔ ｒ、Ｔａ、Ｚｒ
ｓ Ａｔ％ｓｂなどによる気相のドープ剤（化合物）が
用いられることもアシ、さらにこれら原料、ドープ剤の
キャリアガスとしてはＡｒ％Ｈｅ、Ｎ２などの不活性ガ
ス、あるいは０２ガス、もしくはこれらの混合ガスが用
いられる〇 一方、間隙（３）内もＡ「、あるいは０２などのガスで
置換され、また、プラズマ発生装置（６）がマイクロ波
キャビティによるものであるとき、ガラスパイプ（１）
内および間隙（３）内は真空吸引系（５）を介してはぼ
同等に減圧される。
としては５ｉＣｔ４、ＳｉＢｒ４、ＳｉＨ４，５ｉＨＣ
１３，５ｉ（ＱＣ２Ｈグ）などが用いられ、かつ、該原
料中にはこれをガラス化した際の所望屈折率や熱的特性
などを得るため、Ｇｅ、Ｐ、Ｂｓ Ｔ ｒ、Ｔａ、Ｚｒ
ｓ Ａｔ％ｓｂなどによる気相のドープ剤（化合物）が
用いられることもアシ、さらにこれら原料、ドープ剤の
キャリアガスとしてはＡｒ％Ｈｅ、Ｎ２などの不活性ガ
ス、あるいは０２ガス、もしくはこれらの混合ガスが用
いられる〇 一方、間隙（３）内もＡ「、あるいは０２などのガスで
置換され、また、プラズマ発生装置（６）がマイクロ波
キャビティによるものであるとき、ガラスパイプ（１）
内および間隙（３）内は真空吸引系（５）を介してはぼ
同等に減圧される。
ただし、ｒｆフィルによるプラズマ発生では上記の減圧
状態をとらな１こともらるＯ上述したごとく、ガラスパ
イプ＋１１内へ原料ガスを供給し、かつ、該パイプ（１
）内および間隙（３）内にそれぞれプラズマＰ１、Ｐ！
を発生させた場合、原料ガスはこれらプラズマＰ、、Ｐ
２の発生熱を介して熱分解され、そしてこの際の反応生
成物でちるスート状のガラス微粉末はガラスパイプ（１
１の内周に堆積されると同時にガラス化されて同パイプ
（１）と融着状態になり、これによりガラス層（７）が
形成される。
状態をとらな１こともらるＯ上述したごとく、ガラスパ
イプ＋１１内へ原料ガスを供給し、かつ、該パイプ（１
）内および間隙（３）内にそれぞれプラズマＰ１、Ｐ！
を発生させた場合、原料ガスはこれらプラズマＰ、、Ｐ
２の発生熱を介して熱分解され、そしてこの際の反応生
成物でちるスート状のガラス微粉末はガラスパイプ（１
１の内周に堆積されると同時にガラス化されて同パイプ
（１）と融着状態になり、これによりガラス層（７）が
形成される。
こうしたガラス層（７）は、図示の左右方向へ移動する
プラズマ廃止装置（６）を介しガラスパイプ＋１）の長
手方向にわたって形成され、しかも繰り返し行なわれる
このプラズマＣＶＤ法により可能なかぎシその層厚が増
大される。
プラズマ廃止装置（６）を介しガラスパイプ＋１）の長
手方向にわたって形成され、しかも繰り返し行なわれる
このプラズマＣＶＤ法により可能なかぎシその層厚が増
大される。
以下、所定厚のガラス層（７）が形成された後のガラス
パイプ（１）は筒状体（２）からとシ出され、酸水素炎
などを介したコラプス処理によりその中空部が消去され
て棒状のガラス材となる。
パイプ（１）は筒状体（２）からとシ出され、酸水素炎
などを介したコラプス処理によりその中空部が消去され
て棒状のガラス材となる。
本発明では上記の実施例におい、てガラスパイプ（１）
の内外周にプラズマＰ、％Ｐ、を発生させるようにして
いるから、゛これら２つのプラズマ発生熱によフ原料ガ
スの熱分解とこれにより生じたスート状ガラス微粉末の
ガラス化とが行なえるのはもちろんであるが、こうして
ガラスパイプ（１）を内外から加熱するようにした場合
、当該ガラスパイプ（１）をかなシの高温状態とするこ
とができ、シ友がって上記ガラス化後のガラス層（７）
とガラスパイプｔｌ）との熱融着状態は完全となり、不
完全な融着状態に起因したガラス層（７）のひび割れ防
止、充分高温な熱分解反応であることによる残留塩素ガ
ス成分の低減（すなわちガラス材の特性向上）がはかれ
ることになる。
の内外周にプラズマＰ、％Ｐ、を発生させるようにして
いるから、゛これら２つのプラズマ発生熱によフ原料ガ
スの熱分解とこれにより生じたスート状ガラス微粉末の
ガラス化とが行なえるのはもちろんであるが、こうして
ガラスパイプ（１）を内外から加熱するようにした場合
、当該ガラスパイプ（１）をかなシの高温状態とするこ
とができ、シ友がって上記ガラス化後のガラス層（７）
とガラスパイプｔｌ）との熱融着状態は完全となり、不
完全な融着状態に起因したガラス層（７）のひび割れ防
止、充分高温な熱分解反応であることによる残留塩素ガ
ス成分の低減（すなわちガラス材の特性向上）がはかれ
ることになる。
また、ガラスパイプ（１）の外周に筒状体（２）がある
ため、その分だけ同パイプｍからの放熱が阻止されるこ
とになシ、シかも上記内外加熱によるガラスパイプ（１
）の高速加熱も可能であるから、プラズマ発生装置（６
）の移動速度を早めながら当該プラズマＣＶＤ法が高能
率で実施できる。
ため、その分だけ同パイプｍからの放熱が阻止されるこ
とになシ、シかも上記内外加熱によるガラスパイプ（１
）の高速加熱も可能であるから、プラズマ発生装置（６
）の移動速度を早めながら当該プラズマＣＶＤ法が高能
率で実施できる。
さらにプラズマの発生を容易にする目的でガラスパイプ
［１）内を減圧するとき、間隙（３）内も減圧してガラ
スパイプ（１）内と等圧にすればよく、こうすることに
よシ当該パイプ（１）の潰れが防止できるから、真空状
態での高温加熱も問題な〈実施できる。
［１）内を減圧するとき、間隙（３）内も減圧してガラ
スパイプ（１）内と等圧にすればよく、こうすることに
よシ当該パイプ（１）の潰れが防止できるから、真空状
態での高温加熱も問題な〈実施できる。
その他、筒状体（２）を透明ガラス製としておくことに
より、ガラスパイプ（１）内の堆積状況もよく観察でき
るようになり、その分だけ製造条件の把握、制御が行な
いやすくなる。
より、ガラスパイプ（１）内の堆積状況もよく観察でき
るようになり、その分だけ製造条件の把握、制御が行な
いやすくなる。
つぎに本発明方法の各具体例を説明する。
具体例１
ガラスパイプ（１）としては内径８＋ａ、外径ｌＯ■、
長さｌｒｎの石英ガラス製を用いた。
長さｌｒｎの石英ガラス製を用いた。
筒状体（２）としては内径１４■、外径１６ｍ。
長さ１ｍの石英ガラス“製゛を用いた。
ガラスパイプ（１）内には原料供給用としたその一端か
ら５ｉＣｔ、（供給量ａｍ／ｍ）、ＧｅＣ４（供給量０
．２ω／ｍ）、０□ （供給量５０ω／−）を供給し、
該パイプ他端からの真空吸引により当該パイプＴ１）内
を１０ ｔｏｒｒ に減圧した。
ら５ｉＣｔ、（供給量ａｍ／ｍ）、ＧｅＣ４（供給量０
．２ω／ｍ）、０□ （供給量５０ω／−）を供給し、
該パイプ他端からの真空吸引により当該パイプＴ１）内
を１０ ｔｏｒｒ に減圧した。
上記ガラ４パイプ（１）と筒状体（２）との間隙（３）
にはＡｒ（供給量１０ω／ ｓｗ ）を供給し、この間
隙（３）内も１０ ｔｏｒｒに減圧し九〇プラズマ発生
装置ｔ ＋６）としてはマイクロ波キャビティによるも
のとし、１００Ｗのマイクロ波電力によりプラズマＰ１
％Ｐ２を発生させながら当該装置（６）を約５０ｃｒｎ
左動、右動させ、その移動速度は８ｍ／−とした。
にはＡｒ（供給量１０ω／ ｓｗ ）を供給し、この間
隙（３）内も１０ ｔｏｒｒに減圧し九〇プラズマ発生
装置ｔ ＋６）としてはマイクロ波キャビティによるも
のとし、１００Ｗのマイクロ波電力によりプラズマＰ１
％Ｐ２を発生させながら当該装置（６）を約５０ｃｒｎ
左動、右動させ、その移動速度は８ｍ／−とした。
以上の条件でプラズマＣＶＤ法を２時間実施した。
（の際、ガラスパイプ（１）の温度を放射温度計により
測定したところ、約１１００℃の高温が確認できた。
測定したところ、約１１００℃の高温が確認できた。
また、冷却を待ってガラス層（７）を観察したところ、
同層（７）の亀裂は認められず、さらに残留Ｃｔ量の分
析結果も約２００ ｐｐｍでちり、従来の約半分である
ことが確認できた。
同層（７）の亀裂は認められず、さらに残留Ｃｔ量の分
析結果も約２００ ｐｐｍでちり、従来の約半分である
ことが確認できた。
さらにガラス層堆積後の上記ガラスパイプ（１１を回転
状態としつつ酸水素炎による加熱手段でコラプスして光
フアイバ用母材としたところ、当該母材段階でも泡の発
生がなく、良好なものが得られた。
状態としつつ酸水素炎による加熱手段でコラプスして光
フアイバ用母材としたところ、当該母材段階でも泡の発
生がなく、良好なものが得られた。
なお、この具体例１において、間隙（３）内へのなガス
圧で封じこめても先と同様の効果（１得られた０ 具体例２ ガラスパイプ＋１）としては具体例１と同様のものを用
いた０ 筒状体（２）としては内径１２ｍ、外径１４−のアルミ
ナパイプを用いたＯ ガラスパイプ（１）内へ供給する原料ガスは具体例１と
同じにし、間隙（３）内にはＡｒと０２との混合ガス（
供給量１０ｃａ／ｍ）を供給し、これら各部（１）（３
）内の真空度はいずれも８ ｔｏｒｒとした０ ガラスパイプ（１）内には具体例１と同様の手段でプラ
ズマＰＫを発生させる一方、筒状体（２）はこれの外周
に設けられた筒形の加熱手段（抵抗加熱炉７００℃）に
より加熱した。
圧で封じこめても先と同様の効果（１得られた０ 具体例２ ガラスパイプ＋１）としては具体例１と同様のものを用
いた０ 筒状体（２）としては内径１２ｍ、外径１４−のアルミ
ナパイプを用いたＯ ガラスパイプ（１）内へ供給する原料ガスは具体例１と
同じにし、間隙（３）内にはＡｒと０２との混合ガス（
供給量１０ｃａ／ｍ）を供給し、これら各部（１）（３
）内の真空度はいずれも８ ｔｏｒｒとした０ ガラスパイプ（１）内には具体例１と同様の手段でプラ
ズマＰＫを発生させる一方、筒状体（２）はこれの外周
に設けられた筒形の加熱手段（抵抗加熱炉７００℃）に
より加熱した。
以上の条件でプラズマＣＶＤ法を２時間実施したところ
、具体例１とほぼ同様の好結果が得られた０゜ 具体例３ ガラスパイプ（１）としては内径８ＩＩＩＩ＋１外径１
０■、長さ１ｍの鉛ガラスパイプを用いた。
、具体例１とほぼ同様の好結果が得られた０゜ 具体例３ ガラスパイプ（１）としては内径８ＩＩＩＩ＋１外径１
０■、長さ１ｍの鉛ガラスパイプを用いた。
筒状体（２）としては内径１２ｍ、外径１４ｍ。
長さ１ｍの石英ガラス製とした。
さらにガラスパイプ＋１）内にはＧ ｅ Ｃ＋４．５ｂ
ｃｔ０２を供給し、抵埠加熱炉による筒状体（２）の加
熱温度を３００℃とした他は、具体例２と同様にしてプ
ラズマＣＶＤ法を実施した。
ｃｔ０２を供給し、抵埠加熱炉による筒状体（２）の加
熱温度を３００℃とした他は、具体例２と同様にしてプ
ラズマＣＶＤ法を実施した。
この具体例３の場合、ガラス層（７）の残留Ｃｔ量が３
００ ｐｐｍと若干高くなったが、それでも各具体例に
近似した好結果が得られた０以上説明した通り、本発明
の方法ではガラス成分等を含む原料ガスをガラス７ぐイ
ブ内へ供給し、該ガラスパイプ内の原料ガスをプラズマ
の発生熱により熱分解反応ならびにガラス化してそのガ
ラスパイプ内周ガラス層を堆積させる光学系ガラス材の
製造方法において、上記ガラスパイプの外周には間隙を
残して耐熱性の筒状体を被せておき、ガラスバイブ内の
プラズマ発生熱と、上記間隙内のプラズマ発生熱または
筒状体外周からの加熱手段とにより、ガラスパイプをそ
の内外周から加熱しながら該ガラスパイプ内周にガラス
層を堆積させるようにしているから、サブストレイトで
ちるガラスパイプを充分３、 高温に加熱しながらその
内周に良質のガラス層を堆積させるといったことが簡易
かつ効率よ〈実施でき、また、ガラスバイブ内を減圧す
るに際しても、これの潰れが阻止できる０
００ ｐｐｍと若干高くなったが、それでも各具体例に
近似した好結果が得られた０以上説明した通り、本発明
の方法ではガラス成分等を含む原料ガスをガラス７ぐイ
ブ内へ供給し、該ガラスパイプ内の原料ガスをプラズマ
の発生熱により熱分解反応ならびにガラス化してそのガ
ラスパイプ内周ガラス層を堆積させる光学系ガラス材の
製造方法において、上記ガラスパイプの外周には間隙を
残して耐熱性の筒状体を被せておき、ガラスバイブ内の
プラズマ発生熱と、上記間隙内のプラズマ発生熱または
筒状体外周からの加熱手段とにより、ガラスパイプをそ
の内外周から加熱しながら該ガラスパイプ内周にガラス
層を堆積させるようにしているから、サブストレイトで
ちるガラスパイプを充分３、 高温に加熱しながらその
内周に良質のガラス層を堆積させるといったことが簡易
かつ効率よ〈実施でき、また、ガラスバイブ内を減圧す
るに際しても、これの潰れが阻止できる０
図面は本発明方法の１実施例を示した略示説明図である
。 ＋ｌ） ・・・・・ガラスパイプ （２） ・・・・・筒状体 （３）・９・・書間 隙 （４） ・・・・・原料供給系 （５） ・・・・・真空吸引系 （６） ・・・・・プラズマ発生装置（７） ・−
・ψ・ガラス層 Ｐ、 、Ｐ、 ・・・プラズマ
。 ＋ｌ） ・・・・・ガラスパイプ （２） ・・・・・筒状体 （３）・９・・書間 隙 （４） ・・・・・原料供給系 （５） ・・・・・真空吸引系 （６） ・・・・・プラズマ発生装置（７） ・−
・ψ・ガラス層 Ｐ、 、Ｐ、 ・・・プラズマ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１） ガラス成分等を含む原料ガスをガラスパイプ
内へ供給し、該ガラスパイプ内の原料ガスをプラズマの
発生熱によシ熱分解反応ならびにガラス化してそのガラ
スパイプ内周にガラス層を堆積させる光学系ガラス材の
製造方法において、上記ガラスパイプの外周には間隙を
残して耐熱性の筒状体を被せておき、ガラスパイプ内の
プラズマ発生、熱と、上記間隙内のプラズマ発生熱また
は簡′状体外周からの加熱手段とにより、ガラスパイプ
をその内外周から加熱しながら該ガラスパイプ内周にガ
ラス層を堆積させることを特徴とした光学系ガラス材の
製造方法。 （２） ガラスパイプ内は減圧されてぃ仝特許請求の
範囲第１項記載の光学系ガラス材の製造方法。 （３） ガラスパイプ内は減圧されており、該ガラス
パイプ内と間隙内とはほぼ等圧に保持されている特許請
求の範囲第１項記載の光学系ガラス材の製造方法。 （４）筒状体はガラスパイプよシも融点が高い特許請求
の範囲第１項記載の光学系ガラス材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19906581A JPS5899131A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 光学系ガラス材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19906581A JPS5899131A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 光学系ガラス材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5899131A true JPS5899131A (ja) | 1983-06-13 |
Family
ID=16401519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19906581A Pending JPS5899131A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 光学系ガラス材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5899131A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61222936A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | プラズマｃｖｄ法 |
| NL1020358C2 (nl) * | 2002-04-10 | 2003-10-13 | Draka Fibre Technology Bv | Werkwijze en inrichting ter vervaardiging van optische voorvormen, alsmede de daarmee verkregen optische vezels. |
-
1981
- 1981-12-10 JP JP19906581A patent/JPS5899131A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61222936A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | プラズマｃｖｄ法 |
| NL1020358C2 (nl) * | 2002-04-10 | 2003-10-13 | Draka Fibre Technology Bv | Werkwijze en inrichting ter vervaardiging van optische voorvormen, alsmede de daarmee verkregen optische vezels. |
| WO2003086998A1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-23 | Draka Fibre Technology B.V. | Method and device for manufacturing optical preforms, as well as the optical fibres obtained therewith |
| US7734135B2 (en) | 2002-04-10 | 2010-06-08 | Draka Comteq B.V. | Method and device for manufacturing optical preforms, as well as the optical fibres obtained therewith |
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