JPS5910090B2 - Output driver circuit - Google Patents

Output driver circuit

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JPS5910090B2
JPS5910090B2 JP49023981A JP2398174A JPS5910090B2 JP S5910090 B2 JPS5910090 B2 JP S5910090B2 JP 49023981 A JP49023981 A JP 49023981A JP 2398174 A JP2398174 A JP 2398174A JP S5910090 B2 JPS5910090 B2 JP S5910090B2
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circuit
transistor
drive
transistors
state
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JP49023981A
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明 長永
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高レベル、低レベルおよび高インピーダンスの
3状態の出力を実現する出力ドライバー回路の改良に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in an output driver circuit that realizes three-state outputs: high level, low level, and high impedance.

次に従来の出力ドライバー回路の一例を第1図により説
明する。
Next, an example of a conventional output driver circuit will be explained with reference to FIG.

ここでは各トランジスタはP−チャンネルMOS型とし
て説明するがN−チャンネルMOS型についても電位が
逆転するだけでその説明は同様である。
Here, each transistor will be explained as a P-channel MOS type, but the explanation is the same for an N-channel MOS type, except that the potentials are reversed.

さらに信号の伝達可能な状態を状態A、出力インピーダ
ンスの高い状態を状態Bとする。
Further, state A is a state in which a signal can be transmitted, and state B is a state in which the output impedance is high.

即ち図において、負荷トランジスタQ,および駆動トラ
ンジスタQ1。
That is, in the figure, a load transistor Q and a drive transistor Q1.

がともにエンハンスメント型素子で構成されたインバー
タ回路の駆動はデプレツション型の負荷トランジスタQ
1と直列に接続されたエン・・ンスメント型素子からな
る駆動トランシスタQ2の入力信号INによって動作す
るデブレツション型素子の負荷トランジスタQ3、エン
ハンスメント型素子からなる駆動トランジスタQ. ,
Q,からなる第1の駆動回路及び同じくデプレツショ
ン型素子の負荷トランジスタQ6エンハンスメント型素
子からなる駆動トランジスタQ7tQ8からなる第2の
駆動回路によって行なわれ、図に示すように電圧VDD
,vssが印加されると共に駆動トランジスタQ, ,
Q.には第1の信号Eが印加されるようになっている
The inverter circuit, which is composed of both enhancement-type elements, is driven by a depletion-type load transistor Q.
The load transistor Q3 is a depletion type element operated by the input signal IN of the drive transistor Q2 which is an enhancement type element connected in series with the drive transistor Q2 which is an enhancement type element connected in series with the drive transistor Q2. ,
A first drive circuit consisting of a load transistor Q6, which is also a depletion type element, and a second drive circuit consisting of a drive transistor Q7tQ8, which is also an enhancement type element, and the voltage VDD is increased as shown in the figure.
, vss is applied and the drive transistor Q, ,
Q. A first signal E is applied to.

このような出力ドライバー回路において、状態B、すな
わちインバータ回路を構成するトランジス’) Q9
− Qtoがともにオフ状態となる場合を実現するため
には第1の信号Eを低レベルにしてトランジスタQ9
t Qtoのゲートに印加される電位を高レベルにする
必要がある。
In such an output driver circuit, state B, that is, the transistors forming the inverter circuit') Q9
- In order to realize the case where both Qto are in the off state, the first signal E is set to a low level and the transistor Q9 is turned off.
The potential applied to the gate of tQto needs to be at a high level.

この時第1の駆動回路のトランジスタQ3, Q.のル
ート、第2の駆動回路のトランジスタQ. , Q.の
ルートを通じて定常電流が流れ、さらに入力信号INが
0の時にはトランジスタQ.,Q2のルートにも定常電
流が流れるため消費電流は最大となる。
At this time, transistors Q3, Q. , the transistor Q. of the second drive circuit. , Q. A steady current flows through the route of the transistor Q. When the input signal IN is 0, the transistor Q. , Q2 also flows through the routes, so the current consumption is at its maximum.

状態AにおいてはINの値により第1の駆動回路のトラ
ンジスタQ3,Q4のルート、第2の駆動回路のトラン
ジスタQ6, Q7に定常電流が流れるか、またはトラ
ンジスタQ1,Q2および第2の駆動回路のトランジス
タQ6, Q7のルートのどちらかに電流が流れるかで
あるため、状態Bにおける方が状態Aにおけるよりも多
犬の消費電流が流れることになり、この回路例ではほぼ
2倍となる。
In state A, depending on the value of IN, a steady current flows through the routes of transistors Q3 and Q4 of the first drive circuit and transistors Q6 and Q7 of the second drive circuit, or a steady current flows through the routes of transistors Q1 and Q2 and the routes of transistors Q6 and Q7 of the second drive circuit. Since it depends on which of the routes of the transistors Q6 and Q7 the current flows, more current consumption flows in state B than in state A, and in this circuit example, it is approximately twice as much.

即ち出力インピーダンスの高い状態で消費電流が最大と
なり、この様な回路を複数個使用し、出力端子の数が多
くなると熱の発生とか電源の容量の大形化などの問題が
おこる欠点があった。
In other words, the current consumption is maximum when the output impedance is high, and when multiple such circuits are used and the number of output terminals increases, problems such as heat generation and an increase in the capacity of the power supply occur. .

本発明は前記欠点に鑑みなされたものであり、出力イン
ピーダンス高い状態における消費電流を低減して前記欠
点を除去し、併せて回路特性を更に改善することを目的
としている。
The present invention has been made in view of the above drawbacks, and aims to eliminate the above drawbacks by reducing current consumption in a state where the output impedance is high, and further improve circuit characteristics.

次に本発明の出力ドライバー回路の一実施例を第2図に
より説明する。
Next, one embodiment of the output driver circuit of the present invention will be described with reference to FIG.

ここでは各トランジスタはP−チャンネルMOS型とし
て説明するがNーチャンネルMOS型についても電位が
逆転するだけでその説明は同様である。
Here, each transistor will be explained as a P-channel MOS type, but the explanation is the same for an N-channel MOS type, only that the potentials are reversed.

また信号の伝達可能な状態を状態A、出力インピーダン
スの高い状態を状態Bとし,更にトランジスタは同一付
号で示してある。
Further, the state in which signals can be transmitted is state A, and the state in which the output impedance is high is state B, and transistors are indicated by the same reference numerals.

即ち図において負荷のトランジスタQ9および駆動トラ
ンジスタQ1oがともにエンハンスメント型素子で構成
されたインバータ回路の駆動はデプレツション型の負荷
トランジスタQ1と直列に接続されたエンハンスメント
型素子からなる駆動トランジスタQ2の入力信号INに
よって動作するデプレツション型素子の負荷トランジス
タQ3エンハンスメント型素子からなる駆動トランジス
タQ. , Q,からなる第1の駆動回路及び同じくデ
プレツション型素子の負荷トランジスタQ6、エンハン
スメント型素子からなる駆動トランジスタQ7,Q8か
らなる第2の駆動回路によって行なわれ図に示すように
電圧■DD,■ssが印加されると共に駆動トランジス
タQ, , Q.のゲートには共通の第1の信号Eが印
加され、負荷トランジスタQ3,Q6のゲートには第1
の信号Eを反転した第2の信号Eが印加されるようにな
っている。
That is, in the figure, the inverter circuit in which the load transistor Q9 and the drive transistor Q1o are both made up of enhancement type elements is driven by the input signal IN of the drive transistor Q2 made of an enhancement type element connected in series with the depletion type load transistor Q1. The load transistor Q3 is a depletion type element that operates; the drive transistor Q3 is an enhancement type element; , Q, and a second drive circuit consisting of a load transistor Q6, which is also a depletion type element, and drive transistors Q7 and Q8, which are enhancement type elements, as shown in the figure. ss is applied and the drive transistors Q, , Q. A common first signal E is applied to the gates of the load transistors Q3 and Q6, and the first signal E is applied to the gates of the load transistors Q3 and Q6.
A second signal E, which is an inversion of the signal E, is applied.

このような出力ドライバー回路は、状態Aでは信号の伝
達を速くするためには 負荷トランジスタQ3,Q6の
相互コンダクタンスfimが大きい方がよく、状態Bに
おいてはインバータのトランジスタQ9 e Qtoの
ゲート電位の保持だけでよいという点に着目し、負荷ト
ランジスタQ3,Q.のゲート電位を第1の信号Eを反
転した第2の信号Eによって変化させて消費電流が少な
くする点を特徴とするものである。
In such an output driver circuit, in state A, the mutual conductance fim of the load transistors Q3 and Q6 should be large in order to speed up signal transmission, and in state B, the gate potential of the inverter transistors Q9 e Qto should be maintained. Focusing on the point that only the load transistors Q3, Q. This is characterized in that current consumption is reduced by changing the gate potential of the first signal E by a second signal E obtained by inverting the first signal E.

この実施例では状態Aにおいては消費電流は従来例とほ
ぼ同じであるが状態Bにおいては1/6程度に少なくな
っている。
In this embodiment, the current consumption in state A is almost the same as that of the conventional example, but in state B it is reduced to about 1/6.

この回路における状態AのトランジスタQ3. Q6の
ゲート電位は従来の回路ら比べて低く、gmが大きいの
で同じだけ電流を流すにはトランジスタの寸法を小さく
できるため設計上有利である。
Transistor Q3 in state A in this circuit. Since the gate potential of Q6 is lower than that of conventional circuits and gm is large, the size of the transistor can be reduced to allow the same amount of current to flow, which is advantageous in terms of design.

またそれにともなって第1の信号E、第2の信号Eの信
号線の容量性負荷が小さくなるので信号E,Eの伝達時
間、すなわち状態Aと状態Bとの遷移時間が短かくなる
利点が生じる。
In addition, since the capacitive load on the signal lines for the first signal E and the second signal E is reduced, the transmission time of the signals E and E, that is, the transition time between state A and state B is shortened. arise.

なお■ss,■DDは電源電圧を示すものであってP−
チャンネルMOS型素子の場合では■ss〉■DDであ
る。
Note that ■ss and ■DD indicate the power supply voltage, and P-
In the case of a channel MOS type element, ■ss>■DD.

第4図は本発明の回路を双方向性多入力出力型ドライバ
ーに応用した例であって、この回路図では第2図の回路
は第3図の記号をもって示してある。
FIG. 4 shows an example in which the circuit of the present invention is applied to a bidirectional multiple input/output type driver, and in this circuit diagram, the circuit of FIG. 2 is indicated by the symbols of FIG. 3.

このドライバーにおいては制御信号E1,E2を変化さ
せることにより、次の4通りの状態をとる。
This driver takes the following four states by changing the control signals E1 and E2.

ただし、″0”はレベル、″l”は高レベルである。However, "0" is a level, and "1" is a high level.

?来の回路を使用する場合にはE1=″′0”,E 2
−= ?+ 011で双方向とも状態Bとなり消費電流
が増大となるが、本発明の回路を使用する場合ではE=
゛Q 11 , E2二゛1″またはE1二tl l
ll,E2二41 0 ?+で最大となり、その値は従
来例に比べ173程度にまで減少する。
? When using the previous circuit, E1='''0'', E 2
−=? +011, both directions are in state B and the current consumption increases, but when using the circuit of the present invention, E=
゛Q 11, E22゛1'' or E12tl l
ll,E2241 0? The maximum value is +, and the value decreases to about 173 compared to the conventional example.

−上記より明らかなように、本発明の出力ドライバー回
路においては、同じ出力電流のとれる従来例に比べて消
費電流は数分の1にも減少する。
- As is clear from the above, in the output driver circuit of the present invention, the current consumption is reduced to a fraction of that of the conventional example which can provide the same output current.

状態Aにおいては負荷トランジスタのゲート印加電圧が
低く、相互コンダクタンスが大きいためトランジスタの
寸法を小さくできる。
In state A, the voltage applied to the gate of the load transistor is low and the mutual conductance is large, so the size of the transistor can be reduced.

さらに信号E,Eの容量性負荷が小さくなり、状態Aと
状態Bとの遷移時間が短くなる等の利点があるので実用
に供して極めて有効である。
Further, the capacitive load of the signals E and E is reduced, and the transition time between state A and state B is shortened, so that it is extremely effective in practical use.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の出力ドライバー回路の一例の結線図、第
2図は本発明に係わる出力ドライバー回路の一実施例の
結線図、第3図は第2図の回路を表示する記号図、第4
図は本発明の回路を双方向多入力出力型ドライバーに応
用した場合の結線図である。 Q.,Q2,Q3・・・・・・デプレツション型MOS
トランジスタ、Q2〜Q..(Q3,Q.を除<)・・
・・・・エンハンスメント型MOS}ランジスタ。
FIG. 1 is a wiring diagram of an example of a conventional output driver circuit, FIG. 2 is a wiring diagram of an embodiment of an output driver circuit according to the present invention, and FIG. 3 is a symbolic diagram showing the circuit of FIG. 2. 4
The figure is a wiring diagram when the circuit of the present invention is applied to a bidirectional multiple input/output type driver. Q. , Q2, Q3...Depression type MOS
Transistors, Q2-Q. .. (Excluding Q3 and Q.<)...
...Enhancement type MOS} transistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 第1の負荷トランジスタ及び第1の駆動トランジス
タが第1の回路点を介して直列接続されかつともにエン
ハンスメント型素子で構成されたインバータ回路と、デ
プレツション型の第2の負荷トランジスタ及び互いに並
列接続されたエンハンスメント型の第2及び第3の駆動
トランジスタが第2の回路点を介して直列接続された第
1の駆動回路と、デプレツション型の第3の負荷トラン
ジスタ及び互いに並列接続されたエンハンスメント型の
第4及び第5の駆動トランジスタが第3の回路点を介し
て直列接続された第2の駆動回路とを有し、第3の回路
点が第1の負荷トランジスタ及び第3の駆動トランジス
タの入力端子に、又第2の回路点が第1の駆動トランジ
スタの入力端子に接続され、第5の駆動トランジスタの
入力端子および第1の回路点が夫々入力端子及び出力端
子である出力ドライバー回路に於いて、前記第2及び第
4の駆動トランジスタの入力端子に共通の第1の信号を
印加すると共に前記第2及び第3の負荷トランジスタの
入力端子に第1の信号を反転した第2の信号を共通に印
加するようにしたことを特徴とする出力ドライバー回路
1. An inverter circuit in which a first load transistor and a first drive transistor are connected in series through a first circuit point and both are configured with enhancement type elements, and a second depletion type load transistor and a first drive transistor are connected in parallel with each other. a first drive circuit in which second and third enhancement-type drive transistors are connected in series via a second circuit point; a third depletion-type load transistor and an enhancement-type third load transistor connected in parallel with each other; and a second drive circuit in which the fourth and fifth drive transistors are connected in series through a third circuit point, and the third circuit point is an input terminal of the first load transistor and the third drive transistor. and in the output driver circuit, the second circuit point is connected to the input terminal of the first drive transistor, and the input terminal of the fifth drive transistor and the first circuit point are the input terminal and the output terminal, respectively. , a common first signal is applied to the input terminals of the second and fourth drive transistors, and a second signal obtained by inverting the first signal is commonly applied to the input terminals of the second and third load transistors. An output driver circuit characterized in that the output driver circuit is configured to apply a voltage to the output driver.
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