JPS59101040A - 光ピツクアツプ用ビ−ムシヤツタ− - Google Patents
光ピツクアツプ用ビ−ムシヤツタ−Info
- Publication number
- JPS59101040A JPS59101040A JP57208573A JP20857382A JPS59101040A JP S59101040 A JPS59101040 A JP S59101040A JP 57208573 A JP57208573 A JP 57208573A JP 20857382 A JP20857382 A JP 20857382A JP S59101040 A JPS59101040 A JP S59101040A
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- JP
- Japan
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- shutter
- shutter plate
- semiconductor laser
- permanent magnet
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- Granted
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 102100028292 Aladin Human genes 0.000 description 1
- 101710065039 Aladin Proteins 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Shutters For Cameras (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光ピツクアップ用ビームシャッターに係り
、特に、光ビーム通過孔が穿設されだコの字状の平行板
ばねの垂直板に固定されかつ光ビーム通過孔が穿設され
たシャッタープレートが半導体レーザの射出面の近傍に
該半導体レーザの光軸と直交させて配置されるよう該平
行板ばねの平行板を光ピツクアップハウジングに固定し
、該シャッタープレートを囲繞しているリニア電磁駆動
部の駆動によって、該シャッタープレートをスライドさ
せて該半導体レーザの光ビームを通過させる光ピツクア
ップ用ビームシャッターに関する。
、特に、光ビーム通過孔が穿設されだコの字状の平行板
ばねの垂直板に固定されかつ光ビーム通過孔が穿設され
たシャッタープレートが半導体レーザの射出面の近傍に
該半導体レーザの光軸と直交させて配置されるよう該平
行板ばねの平行板を光ピツクアップハウジングに固定し
、該シャッタープレートを囲繞しているリニア電磁駆動
部の駆動によって、該シャッタープレートをスライドさ
せて該半導体レーザの光ビームを通過させる光ピツクア
ップ用ビームシャッターに関する。
従来の光ピツクアップのビームシャッターは、第１図に
示すように対物レンズＡと９００偏向ミラーＢの間に配
置されている。そうして、ビームシャッターは、第２図
に示すように光ビームを遮断する遮断プレート１、中間
部が光ピツクアップハウジング２内に固定されたピン６
に枢着され光ピツクアップハウジング２内に配置式いる
ととに光ピックアラジノ１ウジング２外に配置されてい
る他端部にローラ４が枢着されている略コ状のシャッタ
ーフレーム５．ビン乙に挿入されるとともに一端がシャ
ッターフレーム５の一端部に固定され他端が光ピックア
ラジノ・ウジフグ２内に固定されているねじりコイルば
ね６から構成されている。そうして、ローラ４はプレー
ヤー（図示せず）に設けられたプレート７に接触し、光
ピックアラジノ・ウジング２はプレート７に沿って移動
する。
示すように対物レンズＡと９００偏向ミラーＢの間に配
置されている。そうして、ビームシャッターは、第２図
に示すように光ビームを遮断する遮断プレート１、中間
部が光ピツクアップハウジング２内に固定されたピン６
に枢着され光ピツクアップハウジング２内に配置式いる
ととに光ピックアラジノ１ウジング２外に配置されてい
る他端部にローラ４が枢着されている略コ状のシャッタ
ーフレーム５．ビン乙に挿入されるとともに一端がシャ
ッターフレーム５の一端部に固定され他端が光ピックア
ラジノ・ウジフグ２内に固定されているねじりコイルば
ね６から構成されている。そうして、ローラ４はプレー
ヤー（図示せず）に設けられたプレート７に接触し、光
ピックアラジノ・ウジング２はプレート７に沿って移動
する。
プレーヤー作動時にはプレート７は光ピツクアップハウ
ジング２側に押され、これに伴い、ローラ４を介してシ
ャッターフレーム５は光ピックアラジノ・ウジフグ２側
に押されてピン６を支点として反時計方向に回転する。
ジング２側に押され、これに伴い、ローラ４を介してシ
ャッターフレーム５は光ピックアラジノ・ウジフグ２側
に押されてピン６を支点として反時計方向に回転する。
したがって、遮断プレート１も回転してビームシャッタ
ーは開となる。光ピックアラジノ）ウジング２が移動し
ても、ローラ４はプレート７に沿って転動するので、ビ
ームシャッターの開状態は保持されている。
ーは開となる。光ピックアラジノ）ウジング２が移動し
ても、ローラ４はプレート７に沿って転動するので、ビ
ームシャッターの開状態は保持されている。
プレーヤー不作動時にはプレート７が元の状態に復帰す
るので、プレート７とローラ４の圧接状態は解除され、
シャッターフレーム５はねじりコイルばね６の復元力に
よって時計方向に回転する。しだがって遮断プレート１
も回転してビームシャッターは閉となる。
るので、プレート７とローラ４の圧接状態は解除され、
シャッターフレーム５はねじりコイルばね６の復元力に
よって時計方向に回転する。しだがって遮断プレート１
も回転してビームシャッターは閉となる。
なお、第１図においてＣは半導体レーザ、Ｄは偏光ビー
ムスプリッタ、Ｅはコリメータレンズ、Ｆば１／４波長
板、Ｇはディスクを示す。
ムスプリッタ、Ｅはコリメータレンズ、Ｆば１／４波長
板、Ｇはディスクを示す。
この従来技術においては、第１図に示すように光ビーム
の径が大きくなっている状態でビームシャッターを動作
させているので、その動作ストロークは大きく、そのた
めスペースロスも大きい。このことは、大型の光ピツク
アップでは別に問題とならないが、小型の光ピツクアッ
プでは大いに問題となる。
の径が大きくなっている状態でビームシャッターを動作
させているので、その動作ストロークは大きく、そのた
めスペースロスも大きい。このことは、大型の光ピツク
アップでは別に問題とならないが、小型の光ピツクアッ
プでは大いに問題となる。
この発明は、このような従来技術の問題点に着目してな
されたもので、シャッタープレートを半導体レーザの射
出面の近傍に配置し、光ピツクアップハウジング内のリ
ニア電磁駆動部の駆動により該シャッタープレートを該
半導体レーザの光軸と直交する方向にスライドさせるこ
とによって、上記問題点を解決することを目的としてい
る。
されたもので、シャッタープレートを半導体レーザの射
出面の近傍に配置し、光ピツクアップハウジング内のリ
ニア電磁駆動部の駆動により該シャッタープレートを該
半導体レーザの光軸と直交する方向にスライドさせるこ
とによって、上記問題点を解決することを目的としてい
る。
以下、この発明を図面に基づいて説明する。
第３図から第６図までは、この発明の一実施例を示す図
である。
である。
まず構成を説明すると、１０はコの字の平行板ばねで、
半導体レーザ１１の光軸’Ｉ １ ａＫ平行な平行板１
０Ａ、ＩＯＢと半導体レーザ１１の光軸１１ａと垂直な
垂直板１００とから構成されている。半導体レーザ１１
の光軸１１ａと垂直板１０Ｃの中心が一致した状態で、
平行板１０、Ａ、１０Ｂの他端が光ピツクアップハウジ
ング１２の内壁１２Ａにビス１３により取り付けられて
いる。光センサ１４が取り付けられている側に配置され
る平行板１０Ｂには、ディスクからの反射光を通過させ
る通過孔１０Ｄが穿設されている。また、垂直板１００
の中心からずれた位置には半導体レーザ１１の光ビーム
を通過させる光ビーム通過孔１０Ｂが穿設されている。
半導体レーザ１１の光軸’Ｉ １ ａＫ平行な平行板１
０Ａ、ＩＯＢと半導体レーザ１１の光軸１１ａと垂直な
垂直板１００とから構成されている。半導体レーザ１１
の光軸１１ａと垂直板１０Ｃの中心が一致した状態で、
平行板１０、Ａ、１０Ｂの他端が光ピツクアップハウジ
ング１２の内壁１２Ａにビス１３により取り付けられて
いる。光センサ１４が取り付けられている側に配置され
る平行板１０Ｂには、ディスクからの反射光を通過させ
る通過孔１０Ｄが穿設されている。また、垂直板１００
の中心からずれた位置には半導体レーザ１１の光ビーム
を通過させる光ビーム通過孔１０Ｂが穿設されている。
１５は強磁性体のシャッタープレートで、垂直板１０Ｃ
より小さく、垂直板１００の半導体レーザ１１側の面に
取り付けられている。シャッタープレート１５には半導
体レーザ１１の光ビームを通過させる光ビーム通過孔１
５Ａが穿設されており、光ビーム通過孔１５Ａと垂直板
１００の光ビーム通過孔１０Ｅの大きさは等しく、その
中心は同一線上にある。シャッタープレート１５は半導
体レーザ１１の射出面の近傍に配置されている。
より小さく、垂直板１００の半導体レーザ１１側の面に
取り付けられている。シャッタープレート１５には半導
体レーザ１１の光ビームを通過させる光ビーム通過孔１
５Ａが穿設されており、光ビーム通過孔１５Ａと垂直板
１００の光ビーム通過孔１０Ｅの大きさは等しく、その
中心は同一線上にある。シャッタープレート１５は半導
体レーザ１１の射出面の近傍に配置されている。
１６は四角枠形の永久閉磁気回路で、棒状の永久磁石１
６Ａ、１６Ｂ、永久磁石１６Ａ、１６Ｂの上下面に架設
された棒状の磁性体１６０．１６Ｄから構成されている
。永久閉磁気回路１６の中空部１６Ｅに平行板１０Ａ、
１０Ｂの一部、垂直板１０Ｃ１シヤツタープレート１５
および半導体レーザ１１の射出面が配置されるよう、永
久閉磁気回路１６は、半導体レーザ１１の光軸１１ａと
直角方向でかつ半導体レーザ１１の近傍に配置され光ピ
ツクアップハウジング１２０ベース（図示せず）に固定
されている。
６Ａ、１６Ｂ、永久磁石１６Ａ、１６Ｂの上下面に架設
された棒状の磁性体１６０．１６Ｄから構成されている
。永久閉磁気回路１６の中空部１６Ｅに平行板１０Ａ、
１０Ｂの一部、垂直板１０Ｃ１シヤツタープレート１５
および半導体レーザ１１の射出面が配置されるよう、永
久閉磁気回路１６は、半導体レーザ１１の光軸１１ａと
直角方向でかつ半導体レーザ１１の近傍に配置され光ピ
ツクアップハウジング１２０ベース（図示せず）に固定
されている。
ビームシャッターが開の状態では平行板１０Ａは永久磁
石１６Ａの側面と接触し、永久磁石１６Ａはストツノξ
−の役目を果す。そうして、平行板１０Ａが永久磁石１
６Ａの側面に接触した状態で、垂直板１００の光ビーム
通過孔１０Ｂの中心が半導体レーザ１１の光軸１１ａと
一致して、シャッタープレート１５が半導体レーザ１１
の光ビームを通過させるように光ビーム通過孔１０Ｂの
位置を定めている。
石１６Ａの側面と接触し、永久磁石１６Ａはストツノξ
−の役目を果す。そうして、平行板１０Ａが永久磁石１
６Ａの側面に接触した状態で、垂直板１００の光ビーム
通過孔１０Ｂの中心が半導体レーザ１１の光軸１１ａと
一致して、シャッタープレート１５が半導体レーザ１１
の光ビームを通過させるように光ビーム通過孔１０Ｂの
位置を定めている。
１７はコイルで、磁性体１６０，１６Ｄの一部に巻かれ
、コイル１７に流れる電流方向を第５図に示すようにし
である。
、コイル１７に流れる電流方向を第５図に示すようにし
である。
永久閉磁気回路１６とコイル１７によってリニア電磁駆
動部が形成され、フレミングの左手の法則によって、シ
ャッタープレート１５は永久磁石１６Ａ側にリニア移動
する。
動部が形成され、フレミングの左手の法則によって、シ
ャッタープレート１５は永久磁石１６Ａ側にリニア移動
する。
なお第６図において１８は偏光ビームスプリッタ、１９
はコリメータレンズ、２０は１／４波長板、２１は９０
°偏向ミラーである。
はコリメータレンズ、２０は１／４波長板、２１は９０
°偏向ミラーである。
次に作用を説明する。
プレーヤー不作動時には、コイル１７に電流が流れてい
ないので、シャッタープレート１５は電磁力を受けてい
ない。したがって、平行板ばね１０の垂直板１００の中
心は半導体レーザ１１の光軸１１ａと一致し、垂直板１
０Ｃの光ビーム通過孔１０Ｅとシャッタープレート１５
の光ビーム通過孔１５Ａは垂直板１００の中心からずれ
ているので、シャッタープレート１５が半導体レーザ１
１の光ビームを遮断して、ビームシャッターは閉状態と
なっている。
ないので、シャッタープレート１５は電磁力を受けてい
ない。したがって、平行板ばね１０の垂直板１００の中
心は半導体レーザ１１の光軸１１ａと一致し、垂直板１
０Ｃの光ビーム通過孔１０Ｅとシャッタープレート１５
の光ビーム通過孔１５Ａは垂直板１００の中心からずれ
ているので、シャッタープレート１５が半導体レーザ１
１の光ビームを遮断して、ビームシャッターは閉状態と
なっている。
次にプレーヤ作動時には、コイル１７に電流が流れ、シ
ャッタープレート１５は永久磁石１６Ａ側に電磁力を受
ける。しだがって、シャッタープレート１５と一体とな
って平行板ばね１０も永久磁石１６Ａ側に力を受けて、
光ピツクアップハウジング１２の内壁１２Ａに固定され
た平行板１０Ａ、１０Ｂの他端を支点とじて永久磁石１
６Ａ側に移動する。そうして、平行板１０Ａは永久磁石
１６Ａの側面に接触する。
ャッタープレート１５は永久磁石１６Ａ側に電磁力を受
ける。しだがって、シャッタープレート１５と一体とな
って平行板ばね１０も永久磁石１６Ａ側に力を受けて、
光ピツクアップハウジング１２の内壁１２Ａに固定され
た平行板１０Ａ、１０Ｂの他端を支点とじて永久磁石１
６Ａ側に移動する。そうして、平行板１０Ａは永久磁石
１６Ａの側面に接触する。
この状態で垂直板１００の光ビーム通過孔１０Ｅおよび
シャッタープレート１５の光ビーム通過孔１５Ａは半導
体レーザ１１の光軸１１ａと一致しているので、シャッ
タープレート１５および垂直板１００ｆｔ半導体レーザ
１１の光ビームを通過させてビームシャッターは開状態
になる。
シャッタープレート１５の光ビーム通過孔１５Ａは半導
体レーザ１１の光軸１１ａと一致しているので、シャッ
タープレート１５および垂直板１００ｆｔ半導体レーザ
１１の光ビームを通過させてビームシャッターは開状態
になる。
次にビームシャッターを開状態から閉状態てするには、
コイル１７の電流を切る。そうすると、シャッタープレ
ート１５の受けていた電磁力は消滅し、平行板ばね１０
の力によって、シャッタープレート１５および平行板ば
ね１０は永久磁石１６Ｂ側に移動し、ビームシャッター
は閉状態になる。
コイル１７の電流を切る。そうすると、シャッタープレ
ート１５の受けていた電磁力は消滅し、平行板ばね１０
の力によって、シャッタープレート１５および平行板ば
ね１０は永久磁石１６Ｂ側に移動し、ビームシャッター
は閉状態になる。
シャッタープレート１５は半導体レーザ１１の射出面の
近傍に配置されているので、シャッタープレート１５の
位置における光ビーム径はきわめて小さく、そのため、
その動作ストロークはきわめて小さくて済む。しだがっ
て、スペースロスもきわめて小さく、小型光ピツクアッ
プに適している。
近傍に配置されているので、シャッタープレート１５の
位置における光ビーム径はきわめて小さく、そのため、
その動作ストロークはきわめて小さくて済む。しだがっ
て、スペースロスもきわめて小さく、小型光ピツクアッ
プに適している。
またこの発明においては摺動部がないので信頼性および
耐久性がよい。
耐久性がよい。
以上説明してきたように、この発明は、光ビーム通過孔
が穿設されたンヤッタープレートを半導体レーザの射出
面の近傍に該半導体レーザの光軸と直交させて配置し、
該シャッタープレートをコの字状の平行板ばねで支持し
、該シャッタープレートを囲繞しているリニア電磁、駆
動部の駆動により該シャッタープレートをスライドさせ
ることによって、該シャッタープレートの動作ストロー
クがきわめて小さくなるので、スペースロスをきわめて
小さくでき、まだ小型ピックアップに適用することがで
きるという効果が得られる。
が穿設されたンヤッタープレートを半導体レーザの射出
面の近傍に該半導体レーザの光軸と直交させて配置し、
該シャッタープレートをコの字状の平行板ばねで支持し
、該シャッタープレートを囲繞しているリニア電磁、駆
動部の駆動により該シャッタープレートをスライドさせ
ることによって、該シャッタープレートの動作ストロー
クがきわめて小さくなるので、スペースロスをきわめて
小さくでき、まだ小型ピックアップに適用することがで
きるという効果が得られる。
第１図は従来のビームシャッターの配置を示す図、第２
図は従来のビームシャッターの分解斜視図、第３図はこ
の発明の一実施例を示す分解斜視図、第４図はこの発明
の一実施例を示すビームシャッター閉状態における平面
図、第５図は第４図のＡ−Ａ断面図、第６図はこの発明
の一実施例を示すビームシャッター開状態における平面
図である。 １・・・遮断プレート、２・・・光ピックアツプノ・ウ
ジング、６・・・ピン、４・・・ローラ、５・・・シャ
ッターフレーム、６・・・ねじりコイルばね、７・・・
プレート、１０・・・平行板ばね、１１・・・半導体レ
ーザ、１４・・・光センサ、１５・・・シャッタープレ
ート、１６・・・永久閉磁気回路、１７・・・コイル特
許出願人 赤井電機株式会社 第１図 第２図 第３図 （ ／″ 第４図
図は従来のビームシャッターの分解斜視図、第３図はこ
の発明の一実施例を示す分解斜視図、第４図はこの発明
の一実施例を示すビームシャッター閉状態における平面
図、第５図は第４図のＡ−Ａ断面図、第６図はこの発明
の一実施例を示すビームシャッター開状態における平面
図である。 １・・・遮断プレート、２・・・光ピックアツプノ・ウ
ジング、６・・・ピン、４・・・ローラ、５・・・シャ
ッターフレーム、６・・・ねじりコイルばね、７・・・
プレート、１０・・・平行板ばね、１１・・・半導体レ
ーザ、１４・・・光センサ、１５・・・シャッタープレ
ート、１６・・・永久閉磁気回路、１７・・・コイル特
許出願人 赤井電機株式会社 第１図 第２図 第３図 （ ／″ 第４図
Claims (1)
- 長手方向が半導体レーザの光軸と直交しており光ビーム
通過孔が穿設されたシャッタープレートを該半導体レー
ザの射出面の近傍に配置し、平行板が光ピツクアップハ
ウジングに固定されているとともに垂直板に光ビーム通
過孔が穿設されたコの字状の平行板ばねの該垂直板に該
シャッタープレートを取り付け、２個の永久磁石の上下
面に架設されて四角枠状の永久閉磁気回路を形成した磁
性体にコイルを巻いて形成されたリニア電磁駆動部を該
リニア電磁駆動部の中空部に該平行板ばねの一部および
該シャッタープレートが配置されるように該半導体レー
ザの光軸に直交させて配置し、かつ光ピツクアップハウ
ジングに固定している光ピツクアップ用ビームシャッタ
ー
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208573A JPS59101040A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 光ピツクアツプ用ビ−ムシヤツタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208573A JPS59101040A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 光ピツクアツプ用ビ−ムシヤツタ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59101040A true JPS59101040A (ja) | 1984-06-11 |
| JPH0526257B2 JPH0526257B2 (ja) | 1993-04-15 |
Family
ID=16558416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57208573A Granted JPS59101040A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 光ピツクアツプ用ビ−ムシヤツタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59101040A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156459A (ja) * | 1974-06-06 | 1975-12-17 | ||
| JPS55146636A (en) * | 1979-04-27 | 1980-11-15 | Olympus Optical Co Ltd | Objective lens driver |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP57208573A patent/JPS59101040A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156459A (ja) * | 1974-06-06 | 1975-12-17 | ||
| JPS55146636A (en) * | 1979-04-27 | 1980-11-15 | Olympus Optical Co Ltd | Objective lens driver |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0526257B2 (ja) | 1993-04-15 |
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