JPH0526257B2 - - Google Patents

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JPH0526257B2
JPH0526257B2 JP57208573A JP20857382A JPH0526257B2 JP H0526257 B2 JPH0526257 B2 JP H0526257B2 JP 57208573 A JP57208573 A JP 57208573A JP 20857382 A JP20857382 A JP 20857382A JP H0526257 B2 JPH0526257 B2 JP H0526257B2
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JP
Japan
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semiconductor laser
plate
light beam
shutter
vertical plate
Prior art date
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JP57208573A
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English (en)
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JPS59101040A (ja
Inventor
Tsutomu Matsui
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Akai Electric Co Ltd
Original Assignee
Akai Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Akai Electric Co Ltd filed Critical Akai Electric Co Ltd
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Publication of JPH0526257B2 publication Critical patent/JPH0526257B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Shutters For Cameras (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、光ピツクアツプ用ビームシヤツタ
ーに係り、特に、光ビーム通過孔を、コ字状の平
行板ばねを構成する垂直板に穿設し、前記平行板
ばねを構成する平行板の一端を、前記垂直板が近
距離の間隔で半導体レーザの射出面と対向し、か
つ、前記光ビーム通過孔が前記半導体レーザの光
軸に対して前記垂直板の長手方向にずれるように
して、光ピツクアツプハウジングに固定し、光ビ
ーム通過孔が穿設されている磁性体のシヤツター
プレートを、前記半導体レーザの射出面に対向
し、かつ光ビーム通過孔が一致するようにして、
前記垂直板に固定し、2個の永久磁石の上下面に
架設されて四角枠状の永久閉磁気回路を形成した
磁性体にコイルを巻いて形成されたリニア電磁駆
動部を、前記平行板ばねの一部、前記シヤツター
プレート及び前記半導体レーザの射出面が前記永
久閉磁気回路の中空部に配置されるように前記半
導体レーザの光軸と直交させて配置し、かつ光ピ
ツクアツプハウジングに固定し、プレーヤー不作
動時、前記光ビーム通過孔は前記半導体レーザの
光軸からずれて光ビームを遮断し、プレーヤー作
動時、前記コイルの電流による電磁力によつて前
記シヤツタープレートを前記半導体レーザの光軸
と直交する方向にスライドさせ、前記光ビーム通
過孔を前記半導体レーザの光軸と一致せしめて光
ビームを通過せしめる光ピツクアツプ用ビームシ
ヤツターに関するものである。
従来の光ピツクアツプのビームシヤツターは、
第1図に示すように対物レンズAと90°偏光ミラ
ーBの間に配置されている。そうして、ビームシ
ヤツターは、第2図に示すように、光ビームを遮
断する遮断プレート1と、中間部は光ピツクアツ
プハウジング2内に固定されたピン3に枢着さ
れ、一端部は光ピツクアツプハウジング2内に配
置され、かつ遮断プレート1が固定され、他端部
は光ピツクアツプハウジング2外に配置され、か
つローラが枢着されている略ヘ字状のシヤツター
フレーム5と、中間部はピン3に挿入され、一端
部はシヤツターフレーム5の一端部に固定され、
他端部は光ピツクアツプハウジング2内に固定さ
れているねじれコイルばね7とから構成されてい
る。そうして、ローラ4はプレーヤー(図示せ
ず)に設けられたプレート7に接触し、光ピツク
アツプハウジング2はプレート7に沿つて移動す
る。
プレーヤー作動時にはプレート7は光ピツクア
ツプハウジング2側に押され、これに伴い、ロー
ラ4を介してシヤツターフレーム5は光ピツクア
ツプハウジング2側に押されてピン3を支点とし
て反時計方向に回転する。したがつて、遮断プレ
ート1も回転してビームシヤツターは開となる。
光ピツクアツプハウジング2が移動しても、ロー
ラ4はプレート7に沿つて転動するので、ビーム
シヤツターの開状態は保持されている。
プレーヤー不作動時にはプレート7が元の状態
に復帰するので、プレート7とローラ4の圧接状
態は解除され、シヤツターフレーム5はねじりコ
イルばね6の復元力によつて時計方向に回転す
る。したがつて遮断プレート1も回転してビーム
シヤツターは閉となる。
なお、第1図においてCは半導体レーザ、Dは
偏光ビームスプリング、Eはコリメータレンズ、
Fは1/4波長板、Gはデイスクを示す。
この従来技術においては、第1図に示すように
光ビームの径が大きくなつている状態でビームシ
ヤツターを動作させているので、その動作ストロ
ークは大きく、そのためスペースロスも大きい。
このことは、大型の光ピツクアツプでは別に問題
とならないが、小型の光ピツクアツプでは大いに
問題となる。
この発明は、このような従来技術の問題点に着
目してなされたもので、シヤツタープレートを半
導体レーザの射出面の近傍に配置し、光ピツクア
ツプハウジング内のリニア電磁駆動部の駆動によ
り該シヤツタープレートを該半導体レーザの光軸
と直交する方向にスライドさせることによつて、
上記問題点を解決することを目的としている。
以下、この発明を図面に基づいて説明する。
第3図から第6図までは、この発明の一実施例
を示す図である。
まず構成を説明すると、10はコ字状の平行板
ばねで、半導体レーザ11の光軸11aに平行な
平行板10A,10Bと半導体レーザ11の光軸
11aと垂直な垂直板10Cとから構成されてい
る。光ビーム通過孔10Eは、平行板ばね10を
構成する垂直板10Cに、その中心からずれて穿
設されている。平行板ばね10を構成する平行板
10A,10Bの一端は、垂直板10Cが近距離
の間隔で半導体レーザ11の射出面と対向し、か
つ、光ビーム通過孔10Eが半導体レーザ11の
光軸11aに対して垂直板11Cの長手方向にず
れるようにして、光ピツクアツプハウジング12
の内壁12Aにビス13により固定されている。
光センサ14が取付けられている側に配置される
平行板10Bには、デイスクからの反射光を通過
させる通過孔10Dが穿設されている。
15は強磁性体のシヤツタープレートで、垂直
板10Cより小さく、垂直板10Cの半導体レー
ザ11側の面に取り付けられている。シヤツター
プレート15には半導体レーザ11の光ビームを
通過させる光ビーム通過孔15Aが穿設されてお
り、光ビーム通過孔15Aと垂直板10Cの光ビ
ーム通過孔10Eの大きさは等しく、その中心は
同一線上にある。シヤツタープレート15は半導
体レーザ11の射出面の近傍に配置されている。
16は四角枠形の永久閉磁気回路で、棒状の永
久磁石16A,16B、永久磁石16A,16B
の上下面に架設された棒状の磁性体16C,16
Dから構成されている。永久閉磁気回路16の中
空部16Eに平行板10A,10Bの一部、垂直
板10C、シヤツタープレート15および半導体
レーザ11の射出面が配置されるよう、永久閉磁
気回路16は、半導体レーザ11の光軸11aと
直角方向でかつ半導体レーザ11の近傍に配置さ
れ光ピツクアツプハウジング12のベース(図示
せず)に固定されている。
ビームシヤツターが開の状態では平行板10A
は永久磁石16Aの側面と接触し、永久磁石16
Aはストツパーの役目を果す。そうして、平行板
10Aが永久磁石16Aの側面に接触した状態
で、垂直板10Cの光ビーム通過孔10Eの中心
が半導体レーザ11の光軸11aと一致して、シ
ヤツタープレート15が半導体レーザ11の光ビ
ームを通過させるように光ビーム通過孔10Eの
位置を定めている。
17はコイルで、磁性体16C,16Dの一部
に巻かれ、コイル17に流れる電流方向を第5図
に示すようにしてある。
永久閉磁気回路16とコイル17によつてリニ
ア電磁駆動部が形成され、フレミングの左手の法
則によつて、シヤツタープレート15は永久磁石
16A側にリニア移動する。
なお第6図において18は偏光ビームスプリツ
タ、19はコリメータレンズ、20は1/4波長板、
21は90°偏向ミラーである。
次に作用を説明する。
プレーヤー不作動時には、コイル17に電流が
流れていないので、シヤツタープレート15は電
磁力を受けていない。したがつて、平行板ばね1
0の垂直板10Cの中心は半導体レーザ11の光
軸11aと一致し、垂直板10Cの光ビーム通過
孔10Eとシヤツタープレート15の光ビーム通
過孔15Aは垂直板10Cの中心からずれている
ので、シヤツタープレート15が半導体レーザ1
1の光ビームを遮断して、ビームシヤツターは閉
状態となつている。
次にプレーヤ作動時には、コイル17に電流が
流れ、シヤツタープレート15は永久磁石16A
側に電磁力を受ける。したがつて、シヤツタープ
レート15と一体となつて平行板ばね10も永久
磁石16A側に力を受けて、光ピツクアツプハウ
ジング12の内壁12Aに固定された平行板10
A,10Bの他端を支点として永久磁石16A側
に移動する。そうして、平行板10Aは永久磁石
16Aの側面に接触する。この状態で垂直板10
Cの光ビーム通過孔10Eおよびシヤツタープレ
ート15の光ビーム通過孔15Aは半導体レーザ
11の光軸11aと一致しているので、シヤツタ
ープレート15および垂直板10Cは半導体レー
ザ11の光ビームを通過させてビームシヤツター
は開状態になる。
次にビームシヤツターを開状態から閉状態にす
るには、コイル17の電流を切る。そうすると、
シヤツタープレート15の受けていた電磁力は消
滅し、平行板ばね10の力によつて、シヤツター
プレート15および平行板ばね10は永久磁石1
6B側に移動し、ビームシヤツターは閉状態にな
る。
シヤツタープレート15は半導体レーザ11の
射出面の近傍に配置されているので、シヤツター
プレート15の位置における光ビーム径はきわめ
て小さく、そのため、その動作ストロークはきわ
めて小さくて済む。したがつて、スペースロスも
きわめて小さく、小型光ピツクアツプに適してい
る。
またこの発明においては摺動部がないので信頼
性および耐久性がよい。
以上説明してきたように、この発明は、光ビー
ム通過孔を、コ字状の平行板ばねを構成する垂直
板に穿設し、前記平行板ばねを構成する平行板の
一端を、前記垂直板が近距離の間隔で半導体レー
ザの射出面と対向し、かつ、前記光ビーム通過孔
が前記半導体レーザの光軸に対して前記垂直板の
長手方向にずれるようにして、光ピツクアツプハ
ウジングに固定し、光ビーム通過孔が穿設されて
いる磁性体のシヤツタープレートを、前記半導体
レーザの射出面に対向し、かつ光ビーム通過孔が
一致するようにして、前記垂直板に固定し、2個
の永久磁石の上下面に架設されて四角枠状の永久
閉磁気回路を形成した磁性体にコイルを巻いて形
成されたリニア電磁駆動部を、前記平行板ばねの
一部、前記シヤツタープレート及び前記半導体レ
ーザの射出面が前記永久閉磁気回路の中空部に配
置されるように前記半導体レーザの光軸と直交さ
せて配置し、かつ光ピツクアツプハウジングに固
定し、プレーヤー不作動時、前記光ビーム通過孔
は前記半導体レーザの光軸からずれて光ビームを
遮断し、プレーヤー作動時、前記コイルの電流に
よる電磁力によつて前記シヤツタープレートを前
記半導体レーザの光軸と直交する方向にスライド
させ、前記光ビーム通過孔を前記半導体レーザの
光軸と一致せしめて光ビームを通過せしめること
によつて、該シヤツタープレートの動作ストロー
クがきわめて小さくなるので、スペースロスをき
わめて小さくでき、また小型光ピツクアツプに適
用することができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のビームシヤツターの配置を示す
図、第2図は従来のビームシヤツターの分解斜視
図、第3図はこの発明の一実施例を示す分解斜視
図、第4図はこの発明の一実施例を示すビームシ
ヤツター閉状態における平面図、第5図は第4図
のA−A断面図、第6図はこの発明の一実施例を
示すビームシヤツター開状態における平面図であ
る。 1……遮断プレート、2……光ピツクアツプハ
ウジング、3……ピン、4……ローラ、5……シ
ヤツターフレーム、6……ねじりコイルばね、7
……プレート、10……平行板ばね、11……半
導体レーザ、14……光センサ、15……シヤツ
タープレート、16……永久閉磁気回路、17…
…コイル。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 光ビーム通過孔を、コ字状の平行板ばねを構
    成する垂直板に穿設し、前記平行板ばねを構成す
    る平行板の一端を、前記垂直板が近距離の間隔で
    半導体レーザの射出面と対向し、かつ、前記光ビ
    ーム通過孔が前記半導体レーザの光軸に対して前
    記垂直板の長手方向にずれるようにして、光ピツ
    クアツプハウジングに固定し、光ビーム通過孔が
    穿設されている磁性体のシヤツタープレートを、
    前記半導体レーザの射出面に対向し、かつ光ビー
    ム通過孔が一致するようにして、前記垂直板に固
    定し、2個の永久磁石の上下面に架設されて四角
    枠状の永久閉磁気回路を形成した磁性体にコイル
    を巻いて形成されたリニア電磁駆動部を、前記平
    行板ばねの一部、前記シヤツタープレート及び前
    記半導体レーザの射出面が前記永久閉磁気回路の
    中空部に配置されるように前記半導体レーザの光
    軸と直交させて配置し、かつ光ピツクアツプハウ
    ジングに固定し、プレーヤー不作動時、前記光ビ
    ーム通過孔は前記半導体レーザの光軸からずれて
    光ビームを遮断し、プレーヤー作動時、前記コイ
    ルの電流による電磁力によつて前記シヤツタープ
    レートを前記半導体レーザの光軸と直交する方向
    にスライドさせ、前記光ビーム通過孔を前記半導
    体レーザの光軸と一致せしめて光ビームを通過せ
    しめる光ピツクアツプ用ビームシヤツター
JP57208573A 1982-11-30 1982-11-30 光ピツクアツプ用ビ−ムシヤツタ− Granted JPS59101040A (ja)

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JP57208573A JPS59101040A (ja) 1982-11-30 1982-11-30 光ピツクアツプ用ビ−ムシヤツタ−

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Publication Number Publication Date
JPS59101040A JPS59101040A (ja) 1984-06-11
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JP57208573A Granted JPS59101040A (ja) 1982-11-30 1982-11-30 光ピツクアツプ用ビ−ムシヤツタ−

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50156459A (ja) * 1974-06-06 1975-12-17
JPS55146636A (en) * 1979-04-27 1980-11-15 Olympus Optical Co Ltd Objective lens driver

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JPS59101040A (ja) 1984-06-11

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