JPS5910276A - 半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents

半導体記憶装置の製造方法

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JPS5910276A
JPS5910276A JP57119308A JP11930882A JPS5910276A JP S5910276 A JPS5910276 A JP S5910276A JP 57119308 A JP57119308 A JP 57119308A JP 11930882 A JP11930882 A JP 11930882A JP S5910276 A JPS5910276 A JP S5910276A
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JP
Japan
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floating gate
memory device
semiconductor memory
oxide film
thermal oxide
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JP57119308A
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JPS636156B2 (ja
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Michio Honma
本間　三智夫
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5910276A publication Critical patent/JPS5910276A/ja
Publication of JPS636156B2 publication Critical patent/JPS636156B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/68—Floating-gate IGFETs
    • H10D30/681—Floating-gate IGFETs having only two programming levels

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  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体記憶装置の製造方法にかかわり、特
に電気的にプログラム可能なフローティングゲート不揮
発性半導体記憶装置の作成方法に関する。
従来、′電気的にプログラム可能なフローティングゲー
ト不（゛ポ発性半導体記憶装置は、半導体基板■を熱酸
化及びパターニングによ、Ｉ）、素子間の絶縁領域２を
形成し、素子の能動領域に薄い酸化膜３を形成していた
（第１図）。さらに、この酸化膜の上に、第２図に示す
フローティングゲートになるポリシリコン４を成長しパ
ターニング後熱酸化膜５を形成し、第３図ゲート電極に
なるポリシリコンロを成長し、その表面に熱酸化膜７を
形成し、該熱酸化膜７、ゲートポリシリコンロ、熱酸化
膜５、フローティングゲートポリシリコン４をパターニ
ングして、フローティングゲート不揮発性半導体記憶装
置を製造していた（第４（９））。
また、電気的にプログラムをする場合、３の熱酸化膜を
通して′電子を、フローティングゲート４へ注入するこ
とによってなされていた。ところが、熱酸化膜３のフロ
ーティングゲートとの界面にあたる部分に電子を捕捉す
る状態があると、成子が捕捉されてしまい、電、子の注
入がさまたげられて。
電気的にプログラムができにくくなることがわかってい
た。
本発明の目的はかかる熱酸化膜３のフローテングゲート
との界面にあたる部分にある電子を捕捉する状態を除去
して、電気的にプログラムが容易なフローティングゲー
ト不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供することに
ある。
本発明は、フローテングゲートとなるポリシリコン４を
成長する前に酸性の液体でフローティングゲート下の熱
酸化膜表面を処理（酸性の液体に数秒さらす処理）をす
ることを特徴とする。酸性の液体としては、弗酸、硝酸
等がある。
本発明によれば、フローティングゲートポリシリコン４
を成長する前に、酸性の液体で熱酸化膜３の界面を処理
することにより、界面の部分にある電子を捕捉する状態
を除去することができる。
この為、電子が捕捉されなくなり、フローティングゲー
トへの電子注入がさまたげられることがなくなり、電気
的にプログラムが容易なフローティングゲート不揮発性
半導体記１意装置を製造することができる。
以下余白
【図面の簡単な説明】 第１図乃至第４図は、電気的にプログラム可能なフロー
ティングゲート不揮発性半導体記憶装置の製造方法を示
す断面図である。 同、図において、■・・・・・・半導体基板、２・・・
・・・素子間の絶縁領域、３・・・・・・薄い熱酸化膜
、４・・団・フローティングゲートポリシリコン、５・
・・・・・フローティングゲートポリシリコンの熱酸化
膜、６・・・・・・ゲートポリシリコン、７・・川・ゲ
ート上の熱酸化膜である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電気的にプログラム可能なフローティングゲートを有す
    る不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、前記フ
    ローティングゲートとなるポリシリコンを成長する前に
    、酸性の液体で７０−ティングゲート下の絶縁膜表面を
    処理することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
JP57119308A 1982-07-09 1982-07-09 半導体記憶装置の製造方法 Granted JPS5910276A (ja)

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JPS636156B2 JPS636156B2 (ja) 1988-02-08

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62268637A (ja) * 1986-05-19 1987-11-21 株式会社神戸製鋼所 耐衝撃変形性に優れた粉体プレコ−ト鋼板

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62268637A (ja) * 1986-05-19 1987-11-21 株式会社神戸製鋼所 耐衝撃変形性に優れた粉体プレコ−ト鋼板

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JPS636156B2 (ja) 1988-02-08

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