JPS59104720A - 磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録再生装置Info
- Publication number
- JPS59104720A JPS59104720A JP57214927A JP21492782A JPS59104720A JP S59104720 A JPS59104720 A JP S59104720A JP 57214927 A JP57214927 A JP 57214927A JP 21492782 A JP21492782 A JP 21492782A JP S59104720 A JPS59104720 A JP S59104720A
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- JP
- Japan
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- terminal
- current
- terminals
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜磁気ヘッドに関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来からの磁気抵抗効果型再生用磁気ヘッドの構造の要
部を第１図に示す。図に示すように短冊状に形成された
磁気抵抗効果素子（以下Ｍｆｌ素子という）２を磁気記
録媒体１と垂直（Ｙ方向）に当接または近接させ、ＭＲ
素子２の長手方向（Ｚ方向）の両端に電極３，４を配置
し、電極３，４間に定電流１を流し、磁気記録媒体１の
Ｙ方向の信号磁界によりＸ方向の抵抗値変化を電極３，
４間の電圧変化によシ検出する０ このような磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッド（以下Ｍ
Ｒヘヘッという）において外来雑音による影響を軽減す
るだめに、第２図に示すようなシャントバイアス法が提
案されている。この方法にもとづ（ＭＲヘヘッは共通ア
ース端子２１を含む三端子２１．２２．２３を持ち、Ｍ
Ｒ素子２４がＴ１薄膜などからなる抵抗素子２６によっ
て短絡されており、抵抗素子２５に流す電流によってＭ
Ｒ素子２４にバイアス磁界が印加されるものである。そ
して、ＭＲ素子２４には共通アース端子２１に流れ込む
ように他の二端子２２．２３から定電流ｉが加えられて
おり、さらに、第２図に示すように逆方向のバイアス磁
界Ｈａも印加されている。
部を第１図に示す。図に示すように短冊状に形成された
磁気抵抗効果素子（以下Ｍｆｌ素子という）２を磁気記
録媒体１と垂直（Ｙ方向）に当接または近接させ、ＭＲ
素子２の長手方向（Ｚ方向）の両端に電極３，４を配置
し、電極３，４間に定電流１を流し、磁気記録媒体１の
Ｙ方向の信号磁界によりＸ方向の抵抗値変化を電極３，
４間の電圧変化によシ検出する０ このような磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッド（以下Ｍ
Ｒヘヘッという）において外来雑音による影響を軽減す
るだめに、第２図に示すようなシャントバイアス法が提
案されている。この方法にもとづ（ＭＲヘヘッは共通ア
ース端子２１を含む三端子２１．２２．２３を持ち、Ｍ
Ｒ素子２４がＴ１薄膜などからなる抵抗素子２６によっ
て短絡されており、抵抗素子２５に流す電流によってＭ
Ｒ素子２４にバイアス磁界が印加されるものである。そ
して、ＭＲ素子２４には共通アース端子２１に流れ込む
ように他の二端子２２．２３から定電流ｉが加えられて
おり、さらに、第２図に示すように逆方向のバイアス磁
界Ｈａも印加されている。
このような状ＭｖＣ保たれたＭＲ素子２４に信号磁界が
印加されると、信号磁界は共通アース端子２１を間には
さんだＭＲ素子２４の二つの部分では電流の方向が逆で
あるため、信号磁界はこの二つの部分で逆相として感磁
される。二つの電極２２．２３に出方される電圧の差信
号を取ると、シャントバイアス法では一般に出方はアン
ダバイアスであるが、一方の出方がアンダバイアスで再
生出力に歪があっても、他の出方と相互に歪成分を打ち
消し補うので、再生出方に含まれる歪が少なくなり、ま
た外来雑音も打ち消される。ところが、このような利点
がある反面、素子の均一性や記録信号の均一性、機器間
での互換性で問題となるアンマスの一致が、他の構造の
ヘッドに比べてきびしく要求され、実用的でない〇 発明の目的 本発明は、このような従来のＭＲへ、ドにあった問題を
解決した雑音の少ないＭＲヘヘッを提供することを目的
とする。
印加されると、信号磁界は共通アース端子２１を間には
さんだＭＲ素子２４の二つの部分では電流の方向が逆で
あるため、信号磁界はこの二つの部分で逆相として感磁
される。二つの電極２２．２３に出方される電圧の差信
号を取ると、シャントバイアス法では一般に出方はアン
ダバイアスであるが、一方の出方がアンダバイアスで再
生出力に歪があっても、他の出方と相互に歪成分を打ち
消し補うので、再生出方に含まれる歪が少なくなり、ま
た外来雑音も打ち消される。ところが、このような利点
がある反面、素子の均一性や記録信号の均一性、機器間
での互換性で問題となるアンマスの一致が、他の構造の
ヘッドに比べてきびしく要求され、実用的でない〇 発明の目的 本発明は、このような従来のＭＲへ、ドにあった問題を
解決した雑音の少ないＭＲヘヘッを提供することを目的
とする。
発明の構成
の端子を設け、内一つを比較電極として中点端子とし、
他の二つの端子に互いに逆方向の一定電流を供給して逆
相の再生出力を得、これを差動増幅することにより、Ｍ
Ｒへ、ドおよびその配線等に入りこむ外来雑音による影
響を除去するものである。
他の二つの端子に互いに逆方向の一定電流を供給して逆
相の再生出力を得、これを差動増幅することにより、Ｍ
Ｒへ、ドおよびその配線等に入りこむ外来雑音による影
響を除去するものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面を用いて説明す
る。
る。
第３図に本発明の一実施例の構成を示す。ＭＲ素子３１
は、その磁化が一定方向にバイアスされており、また電
流供給と再生出方数９出しのためＶＣ三ツノ端子３２
、３３ 、３４を有する。このうちの中間端子３２がコ
ンデンサ３５を介して交流的に接地されているＯＭＲ素
子が多数ある場合には、中間端子を共通端子として取シ
出し、コンデンサを介して交流的に接地すれば配線のだ
めの端子数を少ｌくすることができる。端子３３．３４
にそれぞれ定電流源３６．３７を接続し、これらから一
定のＭｌ（電流ｉを供給し、その端子３３゜３４から再
生出力を電圧として得る。ここで、端子３３側のＭｌ（
素子部３１１には端子３３より端子３２側へ流れるＭＲ
電流ｉを、また端子３４側のＭＲ素子部３１２には端子
３２より端子３４へ流れるＭＲｆｉ流ｉをそれぞれ定電
流源３６，３γよシ供給する。ＭＲ素子部３１１，３１
２にそれぞれ供給するＭｌ（電流ｉを同じ値に設定する
ことが望ましい。
は、その磁化が一定方向にバイアスされており、また電
流供給と再生出方数９出しのためＶＣ三ツノ端子３２
、３３ 、３４を有する。このうちの中間端子３２がコ
ンデンサ３５を介して交流的に接地されているＯＭＲ素
子が多数ある場合には、中間端子を共通端子として取シ
出し、コンデンサを介して交流的に接地すれば配線のだ
めの端子数を少ｌくすることができる。端子３３．３４
にそれぞれ定電流源３６．３７を接続し、これらから一
定のＭｌ（電流ｉを供給し、その端子３３゜３４から再
生出力を電圧として得る。ここで、端子３３側のＭｌ（
素子部３１１には端子３３より端子３２側へ流れるＭＲ
電流ｉを、また端子３４側のＭＲ素子部３１２には端子
３２より端子３４へ流れるＭＲｆｉ流ｉをそれぞれ定電
流源３６，３γよシ供給する。ＭＲ素子部３１１，３１
２にそれぞれ供給するＭｌ（電流ｉを同じ値に設定する
ことが望ましい。
磁気記録媒体に書き込まれた単一トラックからの信号磁
界は中点端子によって二つに分かれたＭＲ素子部３１１
，３１２によって再生され、ＭＲ素子３１の各部分の抵
抗値が変化する。端子３３側、同３４側の抵抗変化が同
一方向で、Ｍｆ’を素子部３１１，３１２におけるＭＲ
電流ｉが信号数シ出し端子３３．３４から見ると互いに
逆方向であるので、端子３３．３４に現われる再生電圧
は互いに逆相となる。この端子３３．３４に現われた出
力を差動増幅器３８の＋側、−個入力にそれぞれ印加し
て差動増幅すれば、ＭＲ素子３１による再生出力が端子
３８に得られる。以上の例では、バイアス磁界は外部磁
石や電流によるものである。
界は中点端子によって二つに分かれたＭＲ素子部３１１
，３１２によって再生され、ＭＲ素子３１の各部分の抵
抗値が変化する。端子３３側、同３４側の抵抗変化が同
一方向で、Ｍｆ’を素子部３１１，３１２におけるＭＲ
電流ｉが信号数シ出し端子３３．３４から見ると互いに
逆方向であるので、端子３３．３４に現われる再生電圧
は互いに逆相となる。この端子３３．３４に現われた出
力を差動増幅器３８の＋側、−個入力にそれぞれ印加し
て差動増幅すれば、ＭＲ素子３１による再生出力が端子
３８に得られる。以上の例では、バイアス磁界は外部磁
石や電流によるものである。
ところで、記録電流のフィードスルー等の外来雑音は、
ＭＲヘヘッやその配線部分に、接地側へ流れるように混
入する。つまり、外来雑音はＭＲ素子部３１１やその配
線への混入と、Ｍｌ（素子部３１２やその配線への混入
とは同相となる。それゆえ、これを差動増幅すれば相殺
されて、増幅器出力には外来雑音は現われない。これは
Ｍｆ’を素子３１が中点端子３２に関して対称であり、
Ｍｌ（ｇ流が中点端子３２に流れ込まない条件において
成り立つ。この条件から外れた状態、すなわち、電源の
非対称性やＭＩＲ素子の非対称性がある状態で中点端子
を直流的に接地した場合には、中点端子にＭＲ電流が流
れ込み、中点端子に関して外来雑音が対称でなくなって
、外来雑音の完全な消去が困難となる。第３図で示した
ように、中点端子３２の電圧が電源３６．３７の非対称
性やＭＲ素子３１の非対称性によって直流的に変動して
も、コンデンサ３６を介して中点端子３２を接地してお
くと、交流的には接地されるので、交流成分である外来
雑音は中点端子３２を通して接地されることになる。ま
た、Ｍｆｊ素子３１の抵抗は定電流源３６，３了の内部
抵抗よりもきわめて小さいため、ＭＲ素子３１の非対称
性は雑音にとって大きな問題とならない。
ＭＲヘヘッやその配線部分に、接地側へ流れるように混
入する。つまり、外来雑音はＭＲ素子部３１１やその配
線への混入と、Ｍｌ（素子部３１２やその配線への混入
とは同相となる。それゆえ、これを差動増幅すれば相殺
されて、増幅器出力には外来雑音は現われない。これは
Ｍｆ’を素子３１が中点端子３２に関して対称であり、
Ｍｌ（ｇ流が中点端子３２に流れ込まない条件において
成り立つ。この条件から外れた状態、すなわち、電源の
非対称性やＭＩＲ素子の非対称性がある状態で中点端子
を直流的に接地した場合には、中点端子にＭＲ電流が流
れ込み、中点端子に関して外来雑音が対称でなくなって
、外来雑音の完全な消去が困難となる。第３図で示した
ように、中点端子３２の電圧が電源３６．３７の非対称
性やＭＲ素子３１の非対称性によって直流的に変動して
も、コンデンサ３６を介して中点端子３２を接地してお
くと、交流的には接地されるので、交流成分である外来
雑音は中点端子３２を通して接地されることになる。ま
た、Ｍｆｊ素子３１の抵抗は定電流源３６，３了の内部
抵抗よりもきわめて小さいため、ＭＲ素子３１の非対称
性は雑音にとって大きな問題とならない。
再生信号成分は中点端子３２に対してＭＲ電流１の向き
が逆であり、出力は端子３３と端子３４とに逆相で現わ
れるので、これを差動増幅すれば相殺されずに、再生信
号が差動増幅器３８の出力端子３９に得られる。この再
生信号は外来雑音による影響が実質的に除去されたもの
となる。
が逆であり、出力は端子３３と端子３４とに逆相で現わ
れるので、これを差動増幅すれば相殺されずに、再生信
号が差動増幅器３８の出力端子３９に得られる。この再
生信号は外来雑音による影響が実質的に除去されたもの
となる。
そして、ＭＲ素子３１の磁化が一定方向にノくイアスさ
れているため、第２図の従来例のように近接導体に電流
を流してバイアスする方法だけでなく、永久磁石などを
付加してバイアスしてもよく、バイアス印加法の制約が
きわめて少ないという利点がある。
れているため、第２図の従来例のように近接導体に電流
を流してバイアスする方法だけでなく、永久磁石などを
付加してバイアスしてもよく、バイアス印加法の制約が
きわめて少ないという利点がある。
ところで、近接導体に電流を流してＭＲ素子の接導体に
電流を流していることから、熱雑音が発生しやすく、Ｓ
Ｎ比が低いという問題が生じる。
電流を流していることから、熱雑音が発生しやすく、Ｓ
Ｎ比が低いという問題が生じる。
また、永久磁石など外部磁石を使用してバイアスする方
法では、磁気記録媒体に記録されていた信号がバイアス
磁界で消去されるおそれがある。
法では、磁気記録媒体に記録されていた信号がバイアス
磁界で消去されるおそれがある。
このような問題は第４図に示すようにＭＲ素子の磁化を
誘導磁気異方性によって最適方向にバイアスすることに
よって解決される。
誘導磁気異方性によって最適方向にバイアスすることに
よって解決される。
この誘導磁気異方性は、次のようにして付与される。Ｍ
Ｒ素子が蒸着される基板４１０表面をラッピングテープ
などで一方向に研摩すると、基板４１０表面はラップ条
痕４２にならって一定方向にだけ異方的に荒れる。ラッ
プ条痕４２同士の間隔は不規則であるが、このシップ条
痕４２に沿って磁区が発生する。磁区は細分化されると
ともに配向性が良好となり、大きな誘導磁気異方性が得
られる。
Ｒ素子が蒸着される基板４１０表面をラッピングテープ
などで一方向に研摩すると、基板４１０表面はラップ条
痕４２にならって一定方向にだけ異方的に荒れる。ラッ
プ条痕４２同士の間隔は不規則であるが、このシップ条
痕４２に沿って磁区が発生する。磁区は細分化されると
ともに配向性が良好となり、大きな誘導磁気異方性が得
られる。
ラップにより付けられた条痕は深さやピッチが不規則で
あり、再現性が得にくいが、レーザホログラフィ−によ
って得たレジストのグレーティングを用いて、基板をス
ノ（ツタエッチやイオンミ１リング等の方法によって加
工すると、均一性および再現性の良い溝形状が得られ、
この基板上に蒸着されたＭＲ素子の誘導磁気異方性は均
一性、再現性ともに良好で大きな異方性磁界を得ること
７５Ｅできる０ 以上のようにして付与された誘導磁気異方性によって、
ＭＲ素子には外的な手段でもって）（イアス磁界を印加
する必要性がなくなり、媒体ので白磁のないまた、）く
イアスミ流による発熱等でＭＲ素子に発生する熱雑音の
ないＭＲヘヘッを提供することができる。
あり、再現性が得にくいが、レーザホログラフィ−によ
って得たレジストのグレーティングを用いて、基板をス
ノ（ツタエッチやイオンミ１リング等の方法によって加
工すると、均一性および再現性の良い溝形状が得られ、
この基板上に蒸着されたＭＲ素子の誘導磁気異方性は均
一性、再現性ともに良好で大きな異方性磁界を得ること
７５Ｅできる０ 以上のようにして付与された誘導磁気異方性によって、
ＭＲ素子には外的な手段でもって）（イアス磁界を印加
する必要性がなくなり、媒体ので白磁のないまた、）く
イアスミ流による発熱等でＭＲ素子に発生する熱雑音の
ないＭＲヘヘッを提供することができる。
発明の効果
以上のように、本発明にかかる薄膜磁気ヘッドでは、磁
気抵抗効果素子の磁化が一定方向にノくイアスされてい
るため、ノ（イアス手段の宙］１約力；少なく、素子の
均一性や記録信号の均一性、互換性についての制約も少
ない。そして、磁気抵抗効果素子に三端子を設け、両側
の端子から電流に供給して再生出力電圧を取り出すとと
もに、中点端子を交流的に接地しているため、外来雑音
による影響を効果的に排除することができる。
気抵抗効果素子の磁化が一定方向にノくイアスされてい
るため、ノ（イアス手段の宙］１約力；少なく、素子の
均一性や記録信号の均一性、互換性についての制約も少
ない。そして、磁気抵抗効果素子に三端子を設け、両側
の端子から電流に供給して再生出力電圧を取り出すとと
もに、中点端子を交流的に接地しているため、外来雑音
による影響を効果的に排除することができる。
第１図は磁気抵抗効果型磁気ヘッドの原理的な構造を示
す斜視図、第２図はその従来例の要部の構造を示す斜視
図、第３図は本発明に力・力）る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの一実施例の構成を示す１菌、第４図は同じく他の
実施例の要部を示す平面図である０ ３１・・・・・磁気抵抗効果素子、３２，３３．３４・
・・・・・端子、３６・・・・・・コンデンサ、３６．
３７・・・・・定心流源、４１・・・・基板、４２・・
・・・・う、フ゛条痕。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第１
図 第２図 第３図 第４図
す斜視図、第２図はその従来例の要部の構造を示す斜視
図、第３図は本発明に力・力）る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの一実施例の構成を示す１菌、第４図は同じく他の
実施例の要部を示す平面図である０ ３１・・・・・磁気抵抗効果素子、３２，３３．３４・
・・・・・端子、３６・・・・・・コンデンサ、３６．
３７・・・・・定心流源、４１・・・・基板、４２・・
・・・・う、フ゛条痕。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第１
図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 基板上に被着形成された強磁性体で構成され、磁化が一
定の方向にバイアスされている磁気抵抗効果素子に磁気
記録媒体上の単一トラックからの信号磁界を印加して、
前記磁気抵抗効果素子に設けた二端子から電流を流し、
前記磁気抵抗効果素子に印加した信号磁界を再生出力電
圧として取り出すとともに、前記磁気抵抗効果素子に中
点端子を設け、前記中点端子を交流的に接地したことを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214927A JPS59104720A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214927A JPS59104720A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104720A true JPS59104720A (ja) | 1984-06-16 |
| JPH0440775B2 JPH0440775B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=16663875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57214927A Granted JPS59104720A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104720A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5452148A (en) * | 1993-02-22 | 1995-09-19 | Fujitsu Limited | Preamplifing circuit for a magnetoresistance device |
| US5953173A (en) * | 1996-09-17 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | High CMRR and sensor-disk short-circuit protection device for dual element magnetoresistive heads |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750318A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-24 | Fujitsu Ltd | Multielement magnetic head |
-
1982
- 1982-12-07 JP JP57214927A patent/JPS59104720A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750318A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-24 | Fujitsu Ltd | Multielement magnetic head |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5452148A (en) * | 1993-02-22 | 1995-09-19 | Fujitsu Limited | Preamplifing circuit for a magnetoresistance device |
| US5953173A (en) * | 1996-09-17 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | High CMRR and sensor-disk short-circuit protection device for dual element magnetoresistive heads |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0440775B2 (ja) | 1992-07-06 |
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