JPS5910526A - 炭化水素類の製造方法 - Google Patents
炭化水素類の製造方法Info
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- JPS5910526A JPS5910526A JP57119387A JP11938782A JPS5910526A JP S5910526 A JPS5910526 A JP S5910526A JP 57119387 A JP57119387 A JP 57119387A JP 11938782 A JP11938782 A JP 11938782A JP S5910526 A JPS5910526 A JP S5910526A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Production Of Liquid Hydrocarbon Mixture For Refining Petroleum (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、合成ガスよυ炭化水素類を合成する、いわゆ
る広義のフィッシャーψトロプシュ合成(F、T合成)
K関するものである3゜F、T合成に活性な金属種とし
てはFe、co、Ni、Ru又はこれらの混合物が一般
に知られており、MgXCu、 Ca、アルカリ金属な
どの助触媒を添加したものを、そのままで、あるいはそ
れらをAl2O3,5102、TiO2及びその他の担
体に担持させた状態で使用されている。F、T合成生成
物は通常、メタンから固形ワックスに至る巾広い沸点範
囲を持つ、炭化水素類の混合物である。
る広義のフィッシャーψトロプシュ合成(F、T合成)
K関するものである3゜F、T合成に活性な金属種とし
てはFe、co、Ni、Ru又はこれらの混合物が一般
に知られており、MgXCu、 Ca、アルカリ金属な
どの助触媒を添加したものを、そのままで、あるいはそ
れらをAl2O3,5102、TiO2及びその他の担
体に担持させた状態で使用されている。F、T合成生成
物は通常、メタンから固形ワックスに至る巾広い沸点範
囲を持つ、炭化水素類の混合物である。
これら炭化水素類混合物中の各炭素数成分の分布はいわ
ゆるシュルツーフローリー則に従うと云われておシ、そ
れから予測される06〜CI2留分の最大生成率が45
%程度、C13〜CI8留分の最大生成率が20%程度
である。従ってこのようなシュルツーフローリー則に縛
うレ々い、特定の炭素数又は特定の留分の生成する選択
率が高い触媒又はプロセスの開発が強く求められている
。
ゆるシュルツーフローリー則に従うと云われておシ、そ
れから予測される06〜CI2留分の最大生成率が45
%程度、C13〜CI8留分の最大生成率が20%程度
である。従ってこのようなシュルツーフローリー則に縛
うレ々い、特定の炭素数又は特定の留分の生成する選択
率が高い触媒又はプロセスの開発が強く求められている
。
本発明者らはこのような有用成分生成の選択率が高い触
媒を求めて種々検討を行なった結果、活性金属種である
ルテニウムとタングステンとを含有する触媒を用いた場
合、ルテニウムとタングステンとの原子比を適当に選ぶ
ことによって、フィッシャー・トロプシュ合成の生成物
分布がシュルツーフローリー分布から著しくはずれて、
C4〜C6留分の選択率が特異的に大きいほか炭素数1
0以上の高沸点留分の生成が著しく少ないなど特異な生
成物分布を示す炭化水素類混合物が得られることを見出
して本発明を完成した。
媒を求めて種々検討を行なった結果、活性金属種である
ルテニウムとタングステンとを含有する触媒を用いた場
合、ルテニウムとタングステンとの原子比を適当に選ぶ
ことによって、フィッシャー・トロプシュ合成の生成物
分布がシュルツーフローリー分布から著しくはずれて、
C4〜C6留分の選択率が特異的に大きいほか炭素数1
0以上の高沸点留分の生成が著しく少ないなど特異な生
成物分布を示す炭化水素類混合物が得られることを見出
して本発明を完成した。
すなわち本発明の要旨は、ルテニウムおよびタングステ
ンを含む触媒であって、該触媒がルテニウムをタングス
テン上に担持させたものよυなる場合にはルテニウムと
タングステンとの原子比が0.018以下であり、該触
媒がルテニウムとタングステンとを含む均質混合物より
なるかもしくはルテニウムとタングステンとを他の担体
上へ担持させたものよりなる場合にはルテニウLとタン
グステンとの原子比が0.19以下である触媒に水素お
よび一酸化炭素を含む混合ガスを接触させて炭化水素類
を製造することを特徴とする炭化水素類の製造法に存す
る。
ンを含む触媒であって、該触媒がルテニウムをタングス
テン上に担持させたものよυなる場合にはルテニウムと
タングステンとの原子比が0.018以下であり、該触
媒がルテニウムとタングステンとを含む均質混合物より
なるかもしくはルテニウムとタングステンとを他の担体
上へ担持させたものよりなる場合にはルテニウLとタン
グステンとの原子比が0.19以下である触媒に水素お
よび一酸化炭素を含む混合ガスを接触させて炭化水素類
を製造することを特徴とする炭化水素類の製造法に存す
る。
本発明で使用するルテニウムとタングステンとを含む触
媒は、共沈法、蒸発乾固法、浸漬法、沈着法、混線法な
ど通常の触媒調製法(その詳細は例えば昭和46年7月
31日発行、触媒学会編集「触媒実験マニュアル」30
5〜340頁などの底置に詳述されている。)により調
製することができる。たとえば触媒調製用のブレカーサ
−として用いられるルテニウム化合物には塩化ルテニウ
ム、硝酸ルテニウム、酢酸ルテニウム、塩化穴アンモニ
ア・ルテニウムRu (NH3)6C12など水に可溶
なもの、ルテニウムカルボニル、ルテニウムアセチルア
セトナートなど有機溶剤に可溶なものがあり、これらの
水溶液あるいは有機溶剤溶液中にタングステン酸化物な
どのタングステン化合物又はタングステン金属あるいは
担体を浸漬してルテニウム化合物を吸着させたシ、イオ
ン交換で付着させたり、沈殿剤を加えて沈着させたり、
溶液を蒸発乾固して付着させたりして相持できるしく担
体にルテニウム化合物を担持する場合後述のタングステ
ン化合物を同時に担持しても、タングステン化合物を担
持する前または後に担持してもよい。)、これらルテニ
ウム化合物溶液に沈殿剤を加えるかまたは蒸発乾固して
得たルテニウム化合物を同機にして調製したタングステ
ン化合物と(必要なら担体と)−緒にして混練したり、
ルテニウム化合物溶液に後述の水溶性あるいは有機溶剤
可溶性タングステン化合物を(必要なら担体もしくは担
体プレカーサーを加えて)加えた混合溶液に沈殿剤を加
えて共沈させたり、混合溶液を蒸発乾固したりして調製
できる。ルテニウム金属粉末、酸化ルテニウムなど不溶
性ルテニウム化合物もタングステン化合物(必要なら担
体を加えて)と混練したり、水あるいは有機溶剤に懸濁
させて上記のルテニウム化合物溶液の蒸発乾固による方
法、吸着もしくは沈着による方法に準じて調製すること
ができる。触媒調製に用いることのできるタングステン
化合物としては例えばケイタングステン酸、リンタング
ステン酸、ホウタングステン酸のようなタングステン系
へテロポリ酸、タングステン酸ナトリウム、タングステ
ン酸アンモニウムのようなタングステン酸塩などの水溶
性化合物、タングステンカルボニル表どの有機溶剤に可
溶なものなどがあり、これらは上述ルテニウム化合物溶
液の処理と同様にして担体に担持したシ、ルテニウム化
合物と一緒に混練したり、ルテニウム化合物と共沈、共
析出させたり、蒸発乾固したりして触媒中に組みこむこ
とができる。酸化タングステン、無水タングステン酸、
タングステン酸、タングステン金属粉末などの不溶性タ
ングステンもしくはタングステン化合物を上記ルテニウ
ム化合物溶液中に浸漬してルテニウム化合物を析出、沈
殿、蒸発乾固などの方法でタングステンもしくはタング
ステン化合物表面に析出させてもよい。本発明の触媒は
ルテニウノ・とタングステンとのみからなるものでもよ
いが、担体にルテニウムとタングステンとを担持させた
ものでも、ルテニウムとタングステンと担体との均質混
合物でもよい。担体の例としてはアルミナ、シリカアル
ミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、トリア、マグネ
ジ”ア、クロミア、ボリア、酸化亜鉛、ゼ芽ライトのよ
うなアルミノケイ酸塩などがある。担体にルテニウムお
よびタングステンを担持する場合は例えば上記のルテニ
ウム化合物もしくけルテニウム金属粉末および上記のタ
ングステン化合物もしくはタングステン金属粉末の溶液
もしくは懸濁液中に担体を浸漬し前述のように処理して
担体上にルテニウム成分とタングステン成分とを担持し
てもよいし、上記のルテニウム化合物もしくけルテニウ
ム金属粉末の溶液もしくけ懸濁液と上記のタングステン
化合物もしくはタングステン金属粉末の溶液もしくは懸
濁液の中へ別々に担体を浸漬しくどちらが先でもよい。
媒は、共沈法、蒸発乾固法、浸漬法、沈着法、混線法な
ど通常の触媒調製法(その詳細は例えば昭和46年7月
31日発行、触媒学会編集「触媒実験マニュアル」30
5〜340頁などの底置に詳述されている。)により調
製することができる。たとえば触媒調製用のブレカーサ
−として用いられるルテニウム化合物には塩化ルテニウ
ム、硝酸ルテニウム、酢酸ルテニウム、塩化穴アンモニ
ア・ルテニウムRu (NH3)6C12など水に可溶
なもの、ルテニウムカルボニル、ルテニウムアセチルア
セトナートなど有機溶剤に可溶なものがあり、これらの
水溶液あるいは有機溶剤溶液中にタングステン酸化物な
どのタングステン化合物又はタングステン金属あるいは
担体を浸漬してルテニウム化合物を吸着させたシ、イオ
ン交換で付着させたり、沈殿剤を加えて沈着させたり、
溶液を蒸発乾固して付着させたりして相持できるしく担
体にルテニウム化合物を担持する場合後述のタングステ
ン化合物を同時に担持しても、タングステン化合物を担
持する前または後に担持してもよい。)、これらルテニ
ウム化合物溶液に沈殿剤を加えるかまたは蒸発乾固して
得たルテニウム化合物を同機にして調製したタングステ
ン化合物と(必要なら担体と)−緒にして混練したり、
ルテニウム化合物溶液に後述の水溶性あるいは有機溶剤
可溶性タングステン化合物を(必要なら担体もしくは担
体プレカーサーを加えて)加えた混合溶液に沈殿剤を加
えて共沈させたり、混合溶液を蒸発乾固したりして調製
できる。ルテニウム金属粉末、酸化ルテニウムなど不溶
性ルテニウム化合物もタングステン化合物(必要なら担
体を加えて)と混練したり、水あるいは有機溶剤に懸濁
させて上記のルテニウム化合物溶液の蒸発乾固による方
法、吸着もしくは沈着による方法に準じて調製すること
ができる。触媒調製に用いることのできるタングステン
化合物としては例えばケイタングステン酸、リンタング
ステン酸、ホウタングステン酸のようなタングステン系
へテロポリ酸、タングステン酸ナトリウム、タングステ
ン酸アンモニウムのようなタングステン酸塩などの水溶
性化合物、タングステンカルボニル表どの有機溶剤に可
溶なものなどがあり、これらは上述ルテニウム化合物溶
液の処理と同様にして担体に担持したシ、ルテニウム化
合物と一緒に混練したり、ルテニウム化合物と共沈、共
析出させたり、蒸発乾固したりして触媒中に組みこむこ
とができる。酸化タングステン、無水タングステン酸、
タングステン酸、タングステン金属粉末などの不溶性タ
ングステンもしくはタングステン化合物を上記ルテニウ
ム化合物溶液中に浸漬してルテニウム化合物を析出、沈
殿、蒸発乾固などの方法でタングステンもしくはタング
ステン化合物表面に析出させてもよい。本発明の触媒は
ルテニウノ・とタングステンとのみからなるものでもよ
いが、担体にルテニウムとタングステンとを担持させた
ものでも、ルテニウムとタングステンと担体との均質混
合物でもよい。担体の例としてはアルミナ、シリカアル
ミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、トリア、マグネ
ジ”ア、クロミア、ボリア、酸化亜鉛、ゼ芽ライトのよ
うなアルミノケイ酸塩などがある。担体にルテニウムお
よびタングステンを担持する場合は例えば上記のルテニ
ウム化合物もしくけルテニウム金属粉末および上記のタ
ングステン化合物もしくはタングステン金属粉末の溶液
もしくは懸濁液中に担体を浸漬し前述のように処理して
担体上にルテニウム成分とタングステン成分とを担持し
てもよいし、上記のルテニウム化合物もしくけルテニウ
ム金属粉末の溶液もしくけ懸濁液と上記のタングステン
化合物もしくはタングステン金属粉末の溶液もしくは懸
濁液の中へ別々に担体を浸漬しくどちらが先でもよい。
)前述のように処理して担体上にルテニウム成分とタン
グステン成分とを担持してもよい。担体はまたルテニウ
ム化合物もしくけルテニウム金属粉末およびタングステ
ン化合物もしくはタングステン金属粉末と一緒に混練し
たり、ルテニウム化合物およびタングステン化合物と共
沈、共析出させたり、溶液を蒸発乾固したりしてルテニ
ウム化合物およびタングステン化合物との均質混合物と
してもよい。以上のようにして調製した触媒は通常常法
により成型しもしくはすることなく、乾燥、焼成する。
グステン成分とを担持してもよい。担体はまたルテニウ
ム化合物もしくけルテニウム金属粉末およびタングステ
ン化合物もしくはタングステン金属粉末と一緒に混練し
たり、ルテニウム化合物およびタングステン化合物と共
沈、共析出させたり、溶液を蒸発乾固したりしてルテニ
ウム化合物およびタングステン化合物との均質混合物と
してもよい。以上のようにして調製した触媒は通常常法
により成型しもしくはすることなく、乾燥、焼成する。
乾燥はたとえば約80〜300℃で10分〜10時間保
持することにより、焼成はたとえば約300〜700℃
に30分〜24時間保持することKより行なうことがで
きる。
持することにより、焼成はたとえば約300〜700℃
に30分〜24時間保持することKより行なうことがで
きる。
こうして調製した触媒はルテニウムとタングステンとを
ある比率で含むものが好ましい触媒活性を示すことから
両者の相互作用によりこの触媒活性が発現されるものと
思われる。すなわちルテニウムをタングステン上に担持
させた触媒ではルテニウムとタングステンとの原子比(
Ru/W原子比)が0.018以下、好ましくは約0.
00018〜0.018であり、ルテニウムとタングス
テンとの均質混合物触媒、ルテニウムとタングステンと
他の担体との均質混合物触媒、ルテニウムとタングステ
ンとを他の担体上に担持させたものである触媒ではRu
/W原子比がo、19以下、好ましくは約0.0019
〜0.19であるものが有効である。触媒中のルテニウ
ム、タングステンは金属単体であっても酸化物など化合
物の形でもよい。Ru /W原子比が大きすぎても、ル
テニウムを全く含まないものも、生成炭化水素のC4〜
C6留分選択率は低下してしまうし、高沸点成分のもの
も生成してしまう。触媒へのルテニウムの配合量、相持
量は約0.01重量%以上とすることが反応速度を上げ
るうえで好ましいO こうして調製した触媒はそのまま反応に供してもよいが
、水素ガスなどの還元雰囲気下に前処理することが好ま
しい。前処理は約200〜500℃で常圧ないし加圧(
約50気圧以下)の水素圧力下に約1o分〜3時間水素
で処理することが好ましい。還元ガスでの処理によシ触
媒中のルテニウムは(焼成段階では一部酸化物となって
いる。)その#1とんどがルテニウム金属単体となり、
タングステンは(焼成段階でそのほとんどが酸化物、−
\テロポリ酸などの化合物となっている。)そのほとん
どが酸化物などの化合物でとどまっている。
ある比率で含むものが好ましい触媒活性を示すことから
両者の相互作用によりこの触媒活性が発現されるものと
思われる。すなわちルテニウムをタングステン上に担持
させた触媒ではルテニウムとタングステンとの原子比(
Ru/W原子比)が0.018以下、好ましくは約0.
00018〜0.018であり、ルテニウムとタングス
テンとの均質混合物触媒、ルテニウムとタングステンと
他の担体との均質混合物触媒、ルテニウムとタングステ
ンとを他の担体上に担持させたものである触媒ではRu
/W原子比がo、19以下、好ましくは約0.0019
〜0.19であるものが有効である。触媒中のルテニウ
ム、タングステンは金属単体であっても酸化物など化合
物の形でもよい。Ru /W原子比が大きすぎても、ル
テニウムを全く含まないものも、生成炭化水素のC4〜
C6留分選択率は低下してしまうし、高沸点成分のもの
も生成してしまう。触媒へのルテニウムの配合量、相持
量は約0.01重量%以上とすることが反応速度を上げ
るうえで好ましいO こうして調製した触媒はそのまま反応に供してもよいが
、水素ガスなどの還元雰囲気下に前処理することが好ま
しい。前処理は約200〜500℃で常圧ないし加圧(
約50気圧以下)の水素圧力下に約1o分〜3時間水素
で処理することが好ましい。還元ガスでの処理によシ触
媒中のルテニウムは(焼成段階では一部酸化物となって
いる。)その#1とんどがルテニウム金属単体となり、
タングステンは(焼成段階でそのほとんどが酸化物、−
\テロポリ酸などの化合物となっている。)そのほとん
どが酸化物などの化合物でとどまっている。
反応は通常のフィッシャー・トロプシュ反応条件下に行
なうことができる。たとえば水素と一酸化炭素のモル比
的0.5〜3望ましくは1゜0〜2.5の水素と一酸化
炭素との混合ガスを原料として、反応温度約200〜4
00℃、望ましくは250〜330℃、反応圧力Q 〜
5Q atmG、望ましくは0〜15atmG、触媒容
量当り単位時間当りの供給ガス速度(空間速度、SV)
約100〜5000 hr−’、特に300〜2000
hr ’ の条件で上記触媒を用いる流通式固定床反
応装置により好まし〈実施できる。反応は流動床、沸と
う床、懸濁床などの反応形式によシ行なうこともできる
。
なうことができる。たとえば水素と一酸化炭素のモル比
的0.5〜3望ましくは1゜0〜2.5の水素と一酸化
炭素との混合ガスを原料として、反応温度約200〜4
00℃、望ましくは250〜330℃、反応圧力Q 〜
5Q atmG、望ましくは0〜15atmG、触媒容
量当り単位時間当りの供給ガス速度(空間速度、SV)
約100〜5000 hr−’、特に300〜2000
hr ’ の条件で上記触媒を用いる流通式固定床反
応装置により好まし〈実施できる。反応は流動床、沸と
う床、懸濁床などの反応形式によシ行なうこともできる
。
類よりなる脂肪族炭化水素類)分布がシュルツ−フロー
リー則から著しくはずれて、C4〜C6留分、C2〜C
6留分、あるいはC4留分など軽質成分の選択率が特異
的に大きく、炭素数約10以上Ω高沸点留分の生成が著
しく少ない生成物が得嚇るという効果がある。
リー則から著しくはずれて、C4〜C6留分、C2〜C
6留分、あるいはC4留分など軽質成分の選択率が特異
的に大きく、炭素数約10以上Ω高沸点留分の生成が著
しく少ない生成物が得嚇るという効果がある。
以下実施例によシ本発明を説明する。
実施例1
含水塩化ルテニウムRuCl3− nH2O0,117
Ofを水15Fに溶解しとれに無水タングステン酸wo
、 45.9 Fを加えて攪拌しながら蒸発乾固して塩
化ルテニウムを酸化タングステン表面に担持させた。得
られた粉末を電気炉中450℃で3時間焼成したのち打
錠機で成形し、粗く粉砕して8〜14メツシユの触媒A
を得た。触媒Aは0.1重置%のルテニうムを含み、R
ピ/Wg子比は0.0027であった。
Ofを水15Fに溶解しとれに無水タングステン酸wo
、 45.9 Fを加えて攪拌しながら蒸発乾固して塩
化ルテニウムを酸化タングステン表面に担持させた。得
られた粉末を電気炉中450℃で3時間焼成したのち打
錠機で成形し、粗く粉砕して8〜14メツシユの触媒A
を得た。触媒Aは0.1重置%のルテニうムを含み、R
ピ/Wg子比は0.0027であった。
触媒A2mtを固定床流通式ミクロリアクターに充填し
、常圧下350℃で2時間水素気流中で還元前処理を行
なった後、水素と一酸化炭素とのモル比(H2/COモ
ル比)1.0、反応温度279℃、反応圧力10 at
mQ、原料ガス供給速度(SV)す0 第1表かられかるように、触媒AIcよる生成炭化水素
中のC4留分あるいはC4〜C5留分、C4〜C6留分
選択率は非常に高く、また炭素数8以上の高沸点留分け
ほとんど生成していない。
、常圧下350℃で2時間水素気流中で還元前処理を行
なった後、水素と一酸化炭素とのモル比(H2/COモ
ル比)1.0、反応温度279℃、反応圧力10 at
mQ、原料ガス供給速度(SV)す0 第1表かられかるように、触媒AIcよる生成炭化水素
中のC4留分あるいはC4〜C5留分、C4〜C6留分
選択率は非常に高く、また炭素数8以上の高沸点留分け
ほとんど生成していない。
実施例2
実施例1と同様にしてタングステン酸化物上にルテニウ
ム0.5重置%を相持した、Ru/W原子比0.011
の触媒Bを調製した。触媒Bを用い、原料ガス供給速度
を450hr’とした以外実施例1とまったく同じ条件
で水素と一酸化炭素との混合ガスを触媒B上に通じて反
応を行なった。
ム0.5重置%を相持した、Ru/W原子比0.011
の触媒Bを調製した。触媒Bを用い、原料ガス供給速度
を450hr’とした以外実施例1とまったく同じ条件
で水素と一酸化炭素との混合ガスを触媒B上に通じて反
応を行なった。
結果を第1表に示す。この場合も実施例1と同□様の優
れた結果が得られた。
れた結果が得られた。
比較例1
実施例1と同様にしてタングステン酸化物上にルテニウ
ム0.9重置%を担持した、Ru/W原子比0020の
触媒Cを調製した0実施例2とまったく同じ条件で水素
と一酸化炭素との混合ガスを触媒C上に通じて反応を行
なった。結果を第1表に示す。第1表かられかるように
実施例1.2に較べて比較例1ではC4留分、C4〜C
5留分、C4〜C6留分の選択性が大きく低下しており
、また炭素数約10以上のような高沸点留分もかなりの
隈生成するなどほぼシュルツーフローリー分布に近い生
成物分布を示している。
ム0.9重置%を担持した、Ru/W原子比0020の
触媒Cを調製した0実施例2とまったく同じ条件で水素
と一酸化炭素との混合ガスを触媒C上に通じて反応を行
なった。結果を第1表に示す。第1表かられかるように
実施例1.2に較べて比較例1ではC4留分、C4〜C
5留分、C4〜C6留分の選択性が大きく低下しており
、また炭素数約10以上のような高沸点留分もかなりの
隈生成するなどほぼシュルツーフローリー分布に近い生
成物分布を示している。
実施例3
ケイタングステン酸12 fを水30mtに溶かし、こ
れにγ−アルミナ19.Ofを加えて蒸発乾固してγ−
アルミナにタングステンを担持させた。との生成固体1
5.5Fを含水塩化ルテニウムRuCl3・nH2O0
,312Ofを含有する水溶液に浸漬して蒸発乾固した
。このものを電気炉で空気中500℃で3時間焼成して
触媒りを調製した。触媒りはγ−アルミナにルテニウム
1.5重量%およびタングステン42.1重量%を担持
したもので、Ru/W原子比は0.065であった。
れにγ−アルミナ19.Ofを加えて蒸発乾固してγ−
アルミナにタングステンを担持させた。との生成固体1
5.5Fを含水塩化ルテニウムRuCl3・nH2O0
,312Ofを含有する水溶液に浸漬して蒸発乾固した
。このものを電気炉で空気中500℃で3時間焼成して
触媒りを調製した。触媒りはγ−アルミナにルテニウム
1.5重量%およびタングステン42.1重量%を担持
したもので、Ru/W原子比は0.065であった。
触媒りを用い実施例1と同様にして反応を行なった。反
応条件は水素対−酸化炭素モル比が1.0、反応温度2
70℃、反応圧力11.5 atmG 。
応条件は水素対−酸化炭素モル比が1.0、反応温度2
70℃、反応圧力11.5 atmG 。
ガス供給1 (SV) 450 hr ’とした。結果
を第2表に示す。第2表からC9留分、C1〜C5留分
、C4〜C6留分の選択率が非常に高く、また高沸点成
分の生成が少ないことがわかる。
を第2表に示す。第2表からC9留分、C1〜C5留分
、C4〜C6留分の選択率が非常に高く、また高沸点成
分の生成が少ないことがわかる。
比較例2
実施例3と同様にしてγ−アルミナ上にルテニウム1.
5重量%とタングステン14,0重量%とを担持した触
媒Eを調製した。触媒EのRu/W原子比は0.20で
あった。触媒Eを用い、反応圧力9.9 atmQ、ガ
ス供給1(SV)を460hr−’とした以外は実施例
3と全く同様にして反応を行なった。結果を第2表に示
す。1g2表にみられるよう圧実施例3に較べて比較例
2ではC4留分、C4〜C5留分、C4〜C6留分の選
択率が大きく低下しており、また高沸点成分の生成が多
い。
5重量%とタングステン14,0重量%とを担持した触
媒Eを調製した。触媒EのRu/W原子比は0.20で
あった。触媒Eを用い、反応圧力9.9 atmQ、ガ
ス供給1(SV)を460hr−’とした以外は実施例
3と全く同様にして反応を行なった。結果を第2表に示
す。1g2表にみられるよう圧実施例3に較べて比較例
2ではC4留分、C4〜C5留分、C4〜C6留分の選
択率が大きく低下しており、また高沸点成分の生成が多
い。
比較例3
実施例3と同様にしてr−アルミナ上にルテニウムのみ
を2,7重謙%担持した触媒Ftl−調製した。触媒F
を用い、反応圧力をI O,5atmG、ガス供給[1
(SV)を910hr’とした以外は実施例3と全く同
?MKして反応を行なった。結果を第2表に示す。比較
例3の結果は比較例2と類似している。
を2,7重謙%担持した触媒Ftl−調製した。触媒F
を用い、反応圧力をI O,5atmG、ガス供給[1
(SV)を910hr’とした以外は実施例3と全く同
?MKして反応を行なった。結果を第2表に示す。比較
例3の結果は比較例2と類似している。
実施例4
担体としてγ−アルミナの代りにり四ミアを使用した以
外実施例3と同様にしてクロミアにルテニウム1.0重
量%およびタングステン28.1重1%を担持した触媒
ati!Il製した。触媒GのRu /W原子比は0.
065であった。触媒Gを用い、反応圧力を10.1
stmG 、ガス供給量(SV)を360hr’とした
以外は実施例3と同様にして反応を行なった。その結果
を第2表に示す。第2表にみられるようKC4留分、C
1〜C3留分、C1〜C6留分の選択率が特異的に高く
、また高沸点成分の生成も少ない。
外実施例3と同様にしてクロミアにルテニウム1.0重
量%およびタングステン28.1重1%を担持した触媒
ati!Il製した。触媒GのRu /W原子比は0.
065であった。触媒Gを用い、反応圧力を10.1
stmG 、ガス供給量(SV)を360hr’とした
以外は実施例3と同様にして反応を行なった。その結果
を第2表に示す。第2表にみられるようKC4留分、C
1〜C3留分、C1〜C6留分の選択率が特異的に高く
、また高沸点成分の生成も少ない。
比較例4
実施例4と同様釦してクロミア上にルテニウムのみを1
.0Jllj%担持した触媒Hを調製した。
.0Jllj%担持した触媒Hを調製した。
触媒Hを用い、反応圧力を11.1 atmG 、 ガ
ス供給量(f!lI’V )を360 hr−’ 、L
−シタ以外実施例3と同様にして反応を行なった。その
結果を第2表に示す。比較例4の反応条件は実施例4の
反応条件とほとんど同じであるが実施例4に較べて比較
例4でけc4留分、c4〜C6留分、c4〜c6留分の
選択率が大きく低下しており、また高沸点成分の生成量
も多い。
ス供給量(f!lI’V )を360 hr−’ 、L
−シタ以外実施例3と同様にして反応を行なった。その
結果を第2表に示す。比較例4の反応条件は実施例4の
反応条件とほとんど同じであるが実施例4に較べて比較
例4でけc4留分、c4〜C6留分、c4〜c6留分の
選択率が大きく低下しており、また高沸点成分の生成量
も多い。
\、
Claims (1)
- ルテニウムおよびタングステンを含む触媒であって、該
触媒がルテニウムをタングステン上に担持させたものよ
りなる場合にはルテニウムとタングステンとの原子比が
0.018以下であり、該触媒がルテニウムとタングス
テンとを含む均質混合物よりなるかもしくはルテニウム
とタングステンとを他の担体上に担持させたものよりな
る場合にはルテニウムとタングステンとの原子比が0.
19以下である触媒に水素および一酸化
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119387A JPS5910526A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 炭化水素類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119387A JPS5910526A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 炭化水素類の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5910526A true JPS5910526A (ja) | 1984-01-20 |
| JPH0319211B2 JPH0319211B2 (ja) | 1991-03-14 |
Family
ID=14760234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57119387A Granted JPS5910526A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 炭化水素類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910526A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621783A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-07 | Res Assoc Petroleum Alternat Dev<Rapad> | 炭化水素の製造方法 |
| JPS62109888A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-21 | Res Assoc Petroleum Alternat Dev<Rapad> | 炭化水素の製造法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551929B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques |
| US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
| US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US7211508B2 (en) | 2003-06-18 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tantalum based barrier materials |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55139324A (en) * | 1976-05-21 | 1980-10-31 | Dow Chemical Co | Manufacture of c22c4 hydrocarbon from carbon monoxide and hydrogen |
| JPS58128327A (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-30 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | オレフインの製法 |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP57119387A patent/JPS5910526A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55139324A (en) * | 1976-05-21 | 1980-10-31 | Dow Chemical Co | Manufacture of c22c4 hydrocarbon from carbon monoxide and hydrogen |
| JPS58128327A (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-30 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | オレフインの製法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621783A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-07 | Res Assoc Petroleum Alternat Dev<Rapad> | 炭化水素の製造方法 |
| JPS62109888A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-21 | Res Assoc Petroleum Alternat Dev<Rapad> | 炭化水素の製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0319211B2 (ja) | 1991-03-14 |
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