JPS5910529A - ノルボルナジエン誘導体の製造方法 - Google Patents

ノルボルナジエン誘導体の製造方法

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JPS5910529A
JPS5910529A JP57117846A JP11784682A JPS5910529A JP S5910529 A JPS5910529 A JP S5910529A JP 57117846 A JP57117846 A JP 57117846A JP 11784682 A JP11784682 A JP 11784682A JP S5910529 A JPS5910529 A JP S5910529A
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JP
Japan
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group
compound
reaction
derivative
norbornadiene
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Pending
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JP57117846A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Ogawa
洋 小川
Manabu Ishizuka
学 石塚
Hiroshi Nakano
中野 弘
Norio Onodera
小野寺 典雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kawamura Institute of Chemical Research
DIC Corp
Original Assignee
Kawamura Institute of Chemical Research
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
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Publication date
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24SSOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
    • F24S80/00Details, accessories or component parts of solar heat collectors not provided for in groups F24S10/00-F24S70/00
    • F24S80/20Working fluids specially adapted for solar heat collectors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/40Solar thermal energy, e.g. solar towers

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はノルボルナジェン銹導体の製造方法に関するも
のである。本発明によって製造されるノルボルナジェン
訪(式中、R1、R1、R8、R4は、H,アルキル基
、アリール基またはアルコキシ基等の電子供与性置換基
を、R5、Roは、IlもしくはF、 C1等のハロゲ
ン原子、シアン基、トリフロロメチル基、ニトロ基、カ
ルボキシル基またはアルコキシカルボニル基等の電子吸
引性置換基を示す。)で表わされる化合物(以下化合物
■という)である。
この化合物111は、紫外線を照射されると、紫外線の
エネルギーを吸収して歪ある結合を分子内にもつクワト
リジクラン誘導体に異性化すると共に、適当なる触媒と
の接触によりその異性化物が元のツルボナシエン誘導体
に戻り得る特性を有する。そしてこの触媒異性化反応に
際して2 !l Kcel/mo1前後の熱を放出する
ことにより、この化合物111は、太陽エネルギーの吸
収蓄積用の物質として有用である。これらのノルボルナ
ジェン誘導体の全般的製造方法としては、シクロペンタ
ジェン化合物とアセチレン化合物をディールス・アJV
ダー反応によって下式の如く反応させれば良いことを本
発明者らは知っている。
しかしながら、シクロペンタジェンの2.3位に選択的
にアルキル基等の置換基が導入された化合物を得ること
は大変困難であり、一般的には置換位置の異なった異性
体が混入する。
たとえはジメチル置換体の場合は、2,3−ジメチルシ
クロベンター2−エン−1−オールを酸で処理し、蒸留
により得られるジメチルシクロペンタジェンは、1,2
−ジ1939〜(1963))。これらの異性体混合物
からなるシクロペンタジェン誘導体を用いて製造される
ノルボルナジェン誘導体は、置換位置の異なった異性体
の混合物となり分離精製は大変困難となる。もし分離し
なければこのメチル置換位置が1.2位のものは、2,
3位のものにルして光異性化効率が172以下であるた
め、経済的効率からみて実用的でないこととなる。他方
、シクロベンテノール誘導体よりシクロ烙ンタジェン誘
導体を生成する場合には、反応温度を低くおさえ、取扱
いも低温で行なえば、系内への異性体の混入は大変少な
いことが知られている。
本発明者らは、この点に着目し、ノルボルナジェン誘導
体の製造方法に関し鋭意研究を重さねた結果、きわめて
位置選択的に置換基を導入し得るノルボルナジェン誘導
体の製造方法を完成するに至ったものである。
ンテノール誘導体(以下化合物Iという)と、一般式■
:R,−C4EC−R,で表わされるアセチレン誘導体
(以下化合物■という)を酸性物質の存在下で反応させ
ることを特ジエン誘導体を製造する方法である。(宍十
各式中の符号は既述の如く、R1、R2s R1、R1
は′電子供与性置換基を、R5、Reは電子吸引性置換
基である。)化合物IはシクロベンチランをLiAlL
やN[LBH,で還元することにより得ることができる
化合物■は、市販品を購入しても良いし、また以下のよ
うにエチレンB導体から合成することができる。
本発明方法における重要な点は、化合物■を酸性物質の
存在下低温で、反応系内にて脱水せしめシクロペンタジ
ェン誘導体となし、すみやかに反応系内に存在する反応
性の商い電子吸引性置換基を有する化合物■とディール
ス・アルダ−反応を行わしめることにより、位置選択的
に置換基を有する化合物1■を製造することにある。
この反応は、酸性物質の存在下に行なわしめるものであ
るが、酸性物質としては硫酸、リン酸、パラトルエンス
ルポン酸、トリフロロホウ素等を用いることが出来る。
反応は溶媒中で行うが、溶媒としては、この反応の原料
化合物及酸性物質及生成物といずれも反応しない物質で
あれば使用できる。その様な溶媒は、一般的にはニーエ
ル、T、I(、F’9のエーテル系溶媒、クロロホルム
、ジクロルメタン等のハロゲン系溶媒が好ましい。反応
は、0℃以下の低温下で進行せしめるのが好ましく、高
い温度では異性体が混入する可能性がある。
以下実施例によって本発明の詳細な説明するが本発明は
これに限定されるものではない。
実施例12.3−ビス(トリフロロメチル)−5,6−
シメチルノルポルナジエンの合成 (R+ =R4=H,Rt =Rs =CHs、R5=
R6” CFs )1.1,1,4,4.4−へキサフ
ロロブチン−2(R11=Ra”’CFs)5.69 
(22mmol)およびp−トルエンスルホン酸571
n? (0,22mmol)、硫酸マグネシウム2.6
I、エーテル601の懸濁溶液を一65°Cにて攪拌下
、2.6−シメチルシクロペンター2−エン−1オール
(R,=R,=H1R2=Rs=CH* ) 2.69
 (22mmol )のエーテル5rnl溶液を30分
間にわたって滴下反応せしめ、−′55℃より室温迄終
夜攪拌反応させる。反応後、K、Co、粉末172m9
を加え、2時間攪拌後r過し、溶媒を留去したのち蒸留
することにより4.1gの目的物(沸点68〜bを得た
(収率71.1係)。
反応粗生成物及蒸留単離生成物は、NMR分析によると
いずれも異性体の存在は観察されなかった。
NMR分析 ’HNMR(p、PJn)  (CDCls)δ: 1
.73 (S、6H) 2.0〜2.2 (m、 2 H) 3.53 (broad S、 2H)10FNMR(
p、pm) δニー17.1 (T’F4c ext )M8分析(
rV/e値) 256(M+)、241,202.187,166.1
59.147.163.94.69.54.39実施例
22,3−ジシアノ−5,6−シメチルノルポルナジエ
ンの合成 (R,=R,=H1R2”Rs =CHs、R6=R1
,1)CN)ジシアノアセチレン(Rp=R6=CN)
2.0g(25mmol)、p−)ルエンスルホン酸4
4■(0,26mmol)硫酸マグネシウム3.0 g
、エーテル30mの懸濁溶液に、−30’Cにてtu拌
F″、2.5−ジメチルシクロペンタ−2−エン−1−
オール(R,=R,=H1Ry =Rs =CHs )
 3.0 g(2,5mmo l )、エーテル10−
を滴下反応セシメ、H&−3ぽかも室温下で反応せしめ
、K、Co3で処理後溶媒を留去することにより、粗生
成物3.89(褐色結晶)を得る。このものをシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製し、ろ、5Iの
淡黄白色結晶を得た(収率79. (J % )。
融点46〜44°C ’HNMR分析 (CDCA’s)  (p−p、m)
δ: 1.ao   (s、 <SH)2.30  (
broad S、 2H)3.70  (S、  2H
) (粗生成物においても異性体は観察されなかった)MS
分析(lv/e値) 170(M)、155.117.94.79.54.3
91、R分析 2230 cm−’  1 = CNの
吸収確館実施例62.3−ビス(トリフロロメチル)−
5−メチル−6−フェニルλ)シャ゛Iレナ升ン/)沿
゛いSl、 1.1.4.4.4−へキサフロロブチン
−2(R3=鳥=CFs)3.3.!i’ (20mm
ol)、p−トルエンスルホン酸34w#9(0,2m
mol)、硫酸マグネシウム1.2g、エーテル40−
の懸濁液に、−35℃で攪拌下、2−フェニル−3−メ
チル−シクロペンタ−2−エン−1−オール(R1=お
よびエーテル201I/の溶液を30分間で滴下反応さ
せ、その後−夜−35℃から室温迄の温度で反応さ・狭
、さらに1時間加熱還流させ反応を完結させる。その後
5チ重曹水20I+Il飽和食塩水20I/で洗い芒硝
で乾燥後溶媒を留去し褐色油状物4.2Iを得る。この
ものをシリカゲルのカラムクロマトグラフィーにより精
製し6.6gの白色結晶を得た(収率62.0チ)。
融点 58,5〜40℃ 粗製物の+HNMRおよび”FNMRでは2〜6%に相
当する異性体の混入が認められた程鹿であった。
NMR分析 ”HNMR(CDC1s) (P−TIJn)δ:2.
12  (S、3H) 2.30  (t、1() 3.75  (broad S、  IH)4.15 
 (broads、IH) 7、35° (m、5H) ”F NMR(T、F、Ae ext) (p、p、m
)δニー17.5  (quartet)−19,0(
quartet) MS分析(m/、値) 318(M+)、303,299,249,234,1
83゜165.110,102 実施例42.3−ビス(カルボメトキシ)−5,6−シ
メチルノルボルナジエンノ合成 (R+ =RI =H%Rt =Rs =Cus、Rs
 =Re−C00CHs )ジカルボメトキシアセチレ
ン(Rs =Ra   COOCHs ) 101/ 
(70mmol)、p−)ルzyスルポン酸3501v
(2mmol)硫酸マグネシウム8.4g、クロロポル
ム45sdの懸濁溶液を一40℃に冷却し、これに2,
3−ジメチルシクロベンター2−エン−1−オール(R
1=R4=H%R7工R,=CH8)7.91のクロロ
ホルム13x/溶液を滴下して反応せしめ、実施例1と
同じく処理することにより16.011の目的粗製物を
得た。これを蒸留することにより14.511の目的物
を得た(収率87.991. )。
沸点80℃〜82℃/ 1. Oll1lI線’HNM
R分析(cocls) δ:1.75  (8,6H) 2.08  (S、2H) 5.75  (S、6H) 3.55  (t、2H) (δ6.3付近には異性体にもとづくピークは観察され
ない) 実施例52.3−ビス(トリフロロメチル)−1−メチ
ルー5.6−シフエニルノルポルナシエンノ合成 CF3) 1、1.1.4.4.4へキサフロロブチン−2(Rs
−R6=CFs 。
6.24g(20イmol)、p−)ルエンスルホン酸
102IW(0,2mmol)、硫酸マグネシウム2.
4g、エーテル40耐の懸濁液に、−40℃の温度下に
2−フェニル−3−メチルシクロベンター2−エン−1
−オンとフェニルリチウムより得られた1、2−ジフェ
ニル−6−メチルシクロペR4=I()5.1g(20
mmo1)のエーテル2011/溶液を30分間で滴下
反応させ、−40℃から室温迄の温度下で終夜攪拌反応
後、5憾重曹水20II!で洗滌し、次いで溶媒を留去
し、6.2gの結晶性物質を得た。
これをクロロホルムより再結晶して6.29の白色結晶
を得た(収率40.8憾)、1 融点58.5〜60,0℃ NMR分析 ’HNMR(CDC&) a : 1.97 p、pm  (S、 3H)2.4
5〜2.75 p、pm  (m、 2H)5.76p
、p、m  (broad S、  IH)6.95〜
7.32  (m、  10H)”F NMR(CDC
l5 T、F、Ae ext)δニー17.9 p、p
、m −23,89,昏m MS分析rrv/e値 594.575,268,20
9,116特許出願人 大日本インキ化学工業株式会社 財団法人 用材理化学研究所 第1頁の続き ■Int、 C1,3識別記号   庁内整理番号C0
7C791087118−4H 20100 121/48           7731−4H/
/ C09K  5700           21
04−4HO発 明 者 石塚学 東京都墨田区石原3−30−8 0発 明 者 中野弘 北本市西高尾8−71−15 0発 明 者 小野寺典雄 大宮市奈良町166−4 ■出 願 人 財団法人川村理化学研究所浦和市上木崎
二丁目7番8号

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (式中、R5、R7、R3、R1は、電子供与性置換基
    であも)で表わされるシクロベンテノール誘導体と、一
    般式II:   R5C”CRe (式中、Rs、 Reは、電子吸引性置換基である。)
    で表わされるアセチレン誘導体を酸性物質の存在下−5
    0℃〜50℃の間で反応させることからなる、(式中の
    符号は、既述の通りである。)で表わされるノルボルナ
    ジェン訪導体の製造方法。 ’  RlS R1、R3、R1が、H、アルキル基、
    アリール基またはアルコキシ基であり、R3、R6が、
    11、ハロゲン原子、シアノ基、トリフロロメチル基、
    ニトロ基、カルボキシル基またはアルコキシカルボニル
    基である特許請求の範囲第1項記載の方法。
JP57117846A 1982-07-08 1982-07-08 ノルボルナジエン誘導体の製造方法 Pending JPS5910529A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000044701A1 (en) * 1999-01-29 2000-08-03 Daikin Industries, Ltd. Material for light energy storage/light-heat energy conversion

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