JPS5910529A - ノルボルナジエン誘導体の製造方法 - Google Patents
ノルボルナジエン誘導体の製造方法Info
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- JPS5910529A JPS5910529A JP57117846A JP11784682A JPS5910529A JP S5910529 A JPS5910529 A JP S5910529A JP 57117846 A JP57117846 A JP 57117846A JP 11784682 A JP11784682 A JP 11784682A JP S5910529 A JPS5910529 A JP S5910529A
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- JP
- Japan
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- group
- compound
- reaction
- derivative
- norbornadiene
- Prior art date
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- Pending
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S80/00—Details, accessories or component parts of solar heat collectors not provided for in groups F24S10/00-F24S70/00
- F24S80/20—Working fluids specially adapted for solar heat collectors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はノルボルナジェン銹導体の製造方法に関するも
のである。本発明によって製造されるノルボルナジェン
訪(式中、R1、R1、R8、R4は、H,アルキル基
、アリール基またはアルコキシ基等の電子供与性置換基
を、R5、Roは、IlもしくはF、 C1等のハロゲ
ン原子、シアン基、トリフロロメチル基、ニトロ基、カ
ルボキシル基またはアルコキシカルボニル基等の電子吸
引性置換基を示す。)で表わされる化合物(以下化合物
■という)である。
のである。本発明によって製造されるノルボルナジェン
訪(式中、R1、R1、R8、R4は、H,アルキル基
、アリール基またはアルコキシ基等の電子供与性置換基
を、R5、Roは、IlもしくはF、 C1等のハロゲ
ン原子、シアン基、トリフロロメチル基、ニトロ基、カ
ルボキシル基またはアルコキシカルボニル基等の電子吸
引性置換基を示す。)で表わされる化合物(以下化合物
■という)である。
この化合物111は、紫外線を照射されると、紫外線の
エネルギーを吸収して歪ある結合を分子内にもつクワト
リジクラン誘導体に異性化すると共に、適当なる触媒と
の接触によりその異性化物が元のツルボナシエン誘導体
に戻り得る特性を有する。そしてこの触媒異性化反応に
際して2 !l Kcel/mo1前後の熱を放出する
ことにより、この化合物111は、太陽エネルギーの吸
収蓄積用の物質として有用である。これらのノルボルナ
ジェン誘導体の全般的製造方法としては、シクロペンタ
ジェン化合物とアセチレン化合物をディールス・アJV
ダー反応によって下式の如く反応させれば良いことを本
発明者らは知っている。
エネルギーを吸収して歪ある結合を分子内にもつクワト
リジクラン誘導体に異性化すると共に、適当なる触媒と
の接触によりその異性化物が元のツルボナシエン誘導体
に戻り得る特性を有する。そしてこの触媒異性化反応に
際して2 !l Kcel/mo1前後の熱を放出する
ことにより、この化合物111は、太陽エネルギーの吸
収蓄積用の物質として有用である。これらのノルボルナ
ジェン誘導体の全般的製造方法としては、シクロペンタ
ジェン化合物とアセチレン化合物をディールス・アJV
ダー反応によって下式の如く反応させれば良いことを本
発明者らは知っている。
しかしながら、シクロペンタジェンの2.3位に選択的
にアルキル基等の置換基が導入された化合物を得ること
は大変困難であり、一般的には置換位置の異なった異性
体が混入する。
にアルキル基等の置換基が導入された化合物を得ること
は大変困難であり、一般的には置換位置の異なった異性
体が混入する。
たとえはジメチル置換体の場合は、2,3−ジメチルシ
クロベンター2−エン−1−オールを酸で処理し、蒸留
により得られるジメチルシクロペンタジェンは、1,2
−ジ1939〜(1963))。これらの異性体混合物
からなるシクロペンタジェン誘導体を用いて製造される
ノルボルナジェン誘導体は、置換位置の異なった異性体
の混合物となり分離精製は大変困難となる。もし分離し
なければこのメチル置換位置が1.2位のものは、2,
3位のものにルして光異性化効率が172以下であるた
め、経済的効率からみて実用的でないこととなる。他方
、シクロベンテノール誘導体よりシクロ烙ンタジェン誘
導体を生成する場合には、反応温度を低くおさえ、取扱
いも低温で行なえば、系内への異性体の混入は大変少な
いことが知られている。
クロベンター2−エン−1−オールを酸で処理し、蒸留
により得られるジメチルシクロペンタジェンは、1,2
−ジ1939〜(1963))。これらの異性体混合物
からなるシクロペンタジェン誘導体を用いて製造される
ノルボルナジェン誘導体は、置換位置の異なった異性体
の混合物となり分離精製は大変困難となる。もし分離し
なければこのメチル置換位置が1.2位のものは、2,
3位のものにルして光異性化効率が172以下であるた
め、経済的効率からみて実用的でないこととなる。他方
、シクロベンテノール誘導体よりシクロ烙ンタジェン誘
導体を生成する場合には、反応温度を低くおさえ、取扱
いも低温で行なえば、系内への異性体の混入は大変少な
いことが知られている。
本発明者らは、この点に着目し、ノルボルナジェン誘導
体の製造方法に関し鋭意研究を重さねた結果、きわめて
位置選択的に置換基を導入し得るノルボルナジェン誘導
体の製造方法を完成するに至ったものである。
体の製造方法に関し鋭意研究を重さねた結果、きわめて
位置選択的に置換基を導入し得るノルボルナジェン誘導
体の製造方法を完成するに至ったものである。
ンテノール誘導体(以下化合物Iという)と、一般式■
:R,−C4EC−R,で表わされるアセチレン誘導体
(以下化合物■という)を酸性物質の存在下で反応させ
ることを特ジエン誘導体を製造する方法である。(宍十
各式中の符号は既述の如く、R1、R2s R1、R1
は′電子供与性置換基を、R5、Reは電子吸引性置換
基である。)化合物IはシクロベンチランをLiAlL
やN[LBH,で還元することにより得ることができる
。
:R,−C4EC−R,で表わされるアセチレン誘導体
(以下化合物■という)を酸性物質の存在下で反応させ
ることを特ジエン誘導体を製造する方法である。(宍十
各式中の符号は既述の如く、R1、R2s R1、R1
は′電子供与性置換基を、R5、Reは電子吸引性置換
基である。)化合物IはシクロベンチランをLiAlL
やN[LBH,で還元することにより得ることができる
。
化合物■は、市販品を購入しても良いし、また以下のよ
うにエチレンB導体から合成することができる。
うにエチレンB導体から合成することができる。
本発明方法における重要な点は、化合物■を酸性物質の
存在下低温で、反応系内にて脱水せしめシクロペンタジ
ェン誘導体となし、すみやかに反応系内に存在する反応
性の商い電子吸引性置換基を有する化合物■とディール
ス・アルダ−反応を行わしめることにより、位置選択的
に置換基を有する化合物1■を製造することにある。
存在下低温で、反応系内にて脱水せしめシクロペンタジ
ェン誘導体となし、すみやかに反応系内に存在する反応
性の商い電子吸引性置換基を有する化合物■とディール
ス・アルダ−反応を行わしめることにより、位置選択的
に置換基を有する化合物1■を製造することにある。
この反応は、酸性物質の存在下に行なわしめるものであ
るが、酸性物質としては硫酸、リン酸、パラトルエンス
ルポン酸、トリフロロホウ素等を用いることが出来る。
るが、酸性物質としては硫酸、リン酸、パラトルエンス
ルポン酸、トリフロロホウ素等を用いることが出来る。
反応は溶媒中で行うが、溶媒としては、この反応の原料
化合物及酸性物質及生成物といずれも反応しない物質で
あれば使用できる。その様な溶媒は、一般的にはニーエ
ル、T、I(、F’9のエーテル系溶媒、クロロホルム
、ジクロルメタン等のハロゲン系溶媒が好ましい。反応
は、0℃以下の低温下で進行せしめるのが好ましく、高
い温度では異性体が混入する可能性がある。
化合物及酸性物質及生成物といずれも反応しない物質で
あれば使用できる。その様な溶媒は、一般的にはニーエ
ル、T、I(、F’9のエーテル系溶媒、クロロホルム
、ジクロルメタン等のハロゲン系溶媒が好ましい。反応
は、0℃以下の低温下で進行せしめるのが好ましく、高
い温度では異性体が混入する可能性がある。
以下実施例によって本発明の詳細な説明するが本発明は
これに限定されるものではない。
これに限定されるものではない。
実施例12.3−ビス(トリフロロメチル)−5,6−
シメチルノルポルナジエンの合成 (R+ =R4=H,Rt =Rs =CHs、R5=
R6” CFs )1.1,1,4,4.4−へキサフ
ロロブチン−2(R11=Ra”’CFs)5.69
(22mmol)およびp−トルエンスルホン酸571
n? (0,22mmol)、硫酸マグネシウム2.6
I、エーテル601の懸濁溶液を一65°Cにて攪拌下
、2.6−シメチルシクロペンター2−エン−1オール
(R,=R,=H1R2=Rs=CH* ) 2.69
(22mmol )のエーテル5rnl溶液を30分
間にわたって滴下反応せしめ、−′55℃より室温迄終
夜攪拌反応させる。反応後、K、Co、粉末172m9
を加え、2時間攪拌後r過し、溶媒を留去したのち蒸留
することにより4.1gの目的物(沸点68〜bを得た
(収率71.1係)。
シメチルノルポルナジエンの合成 (R+ =R4=H,Rt =Rs =CHs、R5=
R6” CFs )1.1,1,4,4.4−へキサフ
ロロブチン−2(R11=Ra”’CFs)5.69
(22mmol)およびp−トルエンスルホン酸571
n? (0,22mmol)、硫酸マグネシウム2.6
I、エーテル601の懸濁溶液を一65°Cにて攪拌下
、2.6−シメチルシクロペンター2−エン−1オール
(R,=R,=H1R2=Rs=CH* ) 2.69
(22mmol )のエーテル5rnl溶液を30分
間にわたって滴下反応せしめ、−′55℃より室温迄終
夜攪拌反応させる。反応後、K、Co、粉末172m9
を加え、2時間攪拌後r過し、溶媒を留去したのち蒸留
することにより4.1gの目的物(沸点68〜bを得た
(収率71.1係)。
反応粗生成物及蒸留単離生成物は、NMR分析によると
いずれも異性体の存在は観察されなかった。
いずれも異性体の存在は観察されなかった。
NMR分析
’HNMR(p、PJn) (CDCls)δ: 1
.73 (S、6H) 2.0〜2.2 (m、 2 H) 3.53 (broad S、 2H)10FNMR(
p、pm) δニー17.1 (T’F4c ext )M8分析(
rV/e値) 256(M+)、241,202.187,166.1
59.147.163.94.69.54.39実施例
22,3−ジシアノ−5,6−シメチルノルポルナジエ
ンの合成 (R,=R,=H1R2”Rs =CHs、R6=R1
,1)CN)ジシアノアセチレン(Rp=R6=CN)
2.0g(25mmol)、p−)ルエンスルホン酸4
4■(0,26mmol)硫酸マグネシウム3.0 g
、エーテル30mの懸濁溶液に、−30’Cにてtu拌
F″、2.5−ジメチルシクロペンタ−2−エン−1−
オール(R,=R,=H1Ry =Rs =CHs )
3.0 g(2,5mmo l )、エーテル10−
を滴下反応セシメ、H&−3ぽかも室温下で反応せしめ
、K、Co3で処理後溶媒を留去することにより、粗生
成物3.89(褐色結晶)を得る。このものをシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製し、ろ、5Iの
淡黄白色結晶を得た(収率79. (J % )。
.73 (S、6H) 2.0〜2.2 (m、 2 H) 3.53 (broad S、 2H)10FNMR(
p、pm) δニー17.1 (T’F4c ext )M8分析(
rV/e値) 256(M+)、241,202.187,166.1
59.147.163.94.69.54.39実施例
22,3−ジシアノ−5,6−シメチルノルポルナジエ
ンの合成 (R,=R,=H1R2”Rs =CHs、R6=R1
,1)CN)ジシアノアセチレン(Rp=R6=CN)
2.0g(25mmol)、p−)ルエンスルホン酸4
4■(0,26mmol)硫酸マグネシウム3.0 g
、エーテル30mの懸濁溶液に、−30’Cにてtu拌
F″、2.5−ジメチルシクロペンタ−2−エン−1−
オール(R,=R,=H1Ry =Rs =CHs )
3.0 g(2,5mmo l )、エーテル10−
を滴下反応セシメ、H&−3ぽかも室温下で反応せしめ
、K、Co3で処理後溶媒を留去することにより、粗生
成物3.89(褐色結晶)を得る。このものをシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製し、ろ、5Iの
淡黄白色結晶を得た(収率79. (J % )。
融点46〜44°C
’HNMR分析 (CDCA’s) (p−p、m)
δ: 1.ao (s、 <SH)2.30 (
broad S、 2H)3.70 (S、 2H
) (粗生成物においても異性体は観察されなかった)MS
分析(lv/e値) 170(M)、155.117.94.79.54.3
91、R分析 2230 cm−’ 1 = CNの
吸収確館実施例62.3−ビス(トリフロロメチル)−
5−メチル−6−フェニルλ)シャ゛Iレナ升ン/)沿
゛いSl、 1.1.4.4.4−へキサフロロブチン
−2(R3=鳥=CFs)3.3.!i’ (20mm
ol)、p−トルエンスルホン酸34w#9(0,2m
mol)、硫酸マグネシウム1.2g、エーテル40−
の懸濁液に、−35℃で攪拌下、2−フェニル−3−メ
チル−シクロペンタ−2−エン−1−オール(R1=お
よびエーテル201I/の溶液を30分間で滴下反応さ
せ、その後−夜−35℃から室温迄の温度で反応さ・狭
、さらに1時間加熱還流させ反応を完結させる。その後
5チ重曹水20I+Il飽和食塩水20I/で洗い芒硝
で乾燥後溶媒を留去し褐色油状物4.2Iを得る。この
ものをシリカゲルのカラムクロマトグラフィーにより精
製し6.6gの白色結晶を得た(収率62.0チ)。
δ: 1.ao (s、 <SH)2.30 (
broad S、 2H)3.70 (S、 2H
) (粗生成物においても異性体は観察されなかった)MS
分析(lv/e値) 170(M)、155.117.94.79.54.3
91、R分析 2230 cm−’ 1 = CNの
吸収確館実施例62.3−ビス(トリフロロメチル)−
5−メチル−6−フェニルλ)シャ゛Iレナ升ン/)沿
゛いSl、 1.1.4.4.4−へキサフロロブチン
−2(R3=鳥=CFs)3.3.!i’ (20mm
ol)、p−トルエンスルホン酸34w#9(0,2m
mol)、硫酸マグネシウム1.2g、エーテル40−
の懸濁液に、−35℃で攪拌下、2−フェニル−3−メ
チル−シクロペンタ−2−エン−1−オール(R1=お
よびエーテル201I/の溶液を30分間で滴下反応さ
せ、その後−夜−35℃から室温迄の温度で反応さ・狭
、さらに1時間加熱還流させ反応を完結させる。その後
5チ重曹水20I+Il飽和食塩水20I/で洗い芒硝
で乾燥後溶媒を留去し褐色油状物4.2Iを得る。この
ものをシリカゲルのカラムクロマトグラフィーにより精
製し6.6gの白色結晶を得た(収率62.0チ)。
融点 58,5〜40℃
粗製物の+HNMRおよび”FNMRでは2〜6%に相
当する異性体の混入が認められた程鹿であった。
当する異性体の混入が認められた程鹿であった。
NMR分析
”HNMR(CDC1s) (P−TIJn)δ:2.
12 (S、3H) 2.30 (t、1() 3.75 (broad S、 IH)4.15
(broads、IH) 7、35° (m、5H) ”F NMR(T、F、Ae ext) (p、p、m
)δニー17.5 (quartet)−19,0(
quartet) MS分析(m/、値) 318(M+)、303,299,249,234,1
83゜165.110,102 実施例42.3−ビス(カルボメトキシ)−5,6−シ
メチルノルボルナジエンノ合成 (R+ =RI =H%Rt =Rs =Cus、Rs
=Re−C00CHs )ジカルボメトキシアセチレ
ン(Rs =Ra COOCHs ) 101/
(70mmol)、p−)ルzyスルポン酸3501v
(2mmol)硫酸マグネシウム8.4g、クロロポル
ム45sdの懸濁溶液を一40℃に冷却し、これに2,
3−ジメチルシクロベンター2−エン−1−オール(R
1=R4=H%R7工R,=CH8)7.91のクロロ
ホルム13x/溶液を滴下して反応せしめ、実施例1と
同じく処理することにより16.011の目的粗製物を
得た。これを蒸留することにより14.511の目的物
を得た(収率87.991. )。
12 (S、3H) 2.30 (t、1() 3.75 (broad S、 IH)4.15
(broads、IH) 7、35° (m、5H) ”F NMR(T、F、Ae ext) (p、p、m
)δニー17.5 (quartet)−19,0(
quartet) MS分析(m/、値) 318(M+)、303,299,249,234,1
83゜165.110,102 実施例42.3−ビス(カルボメトキシ)−5,6−シ
メチルノルボルナジエンノ合成 (R+ =RI =H%Rt =Rs =Cus、Rs
=Re−C00CHs )ジカルボメトキシアセチレ
ン(Rs =Ra COOCHs ) 101/
(70mmol)、p−)ルzyスルポン酸3501v
(2mmol)硫酸マグネシウム8.4g、クロロポル
ム45sdの懸濁溶液を一40℃に冷却し、これに2,
3−ジメチルシクロベンター2−エン−1−オール(R
1=R4=H%R7工R,=CH8)7.91のクロロ
ホルム13x/溶液を滴下して反応せしめ、実施例1と
同じく処理することにより16.011の目的粗製物を
得た。これを蒸留することにより14.511の目的物
を得た(収率87.991. )。
沸点80℃〜82℃/ 1. Oll1lI線’HNM
R分析(cocls) δ:1.75 (8,6H) 2.08 (S、2H) 5.75 (S、6H) 3.55 (t、2H) (δ6.3付近には異性体にもとづくピークは観察され
ない) 実施例52.3−ビス(トリフロロメチル)−1−メチ
ルー5.6−シフエニルノルポルナシエンノ合成 CF3) 1、1.1.4.4.4へキサフロロブチン−2(Rs
−R6=CFs 。
R分析(cocls) δ:1.75 (8,6H) 2.08 (S、2H) 5.75 (S、6H) 3.55 (t、2H) (δ6.3付近には異性体にもとづくピークは観察され
ない) 実施例52.3−ビス(トリフロロメチル)−1−メチ
ルー5.6−シフエニルノルポルナシエンノ合成 CF3) 1、1.1.4.4.4へキサフロロブチン−2(Rs
−R6=CFs 。
6.24g(20イmol)、p−)ルエンスルホン酸
102IW(0,2mmol)、硫酸マグネシウム2.
4g、エーテル40耐の懸濁液に、−40℃の温度下に
2−フェニル−3−メチルシクロベンター2−エン−1
−オンとフェニルリチウムより得られた1、2−ジフェ
ニル−6−メチルシクロペR4=I()5.1g(20
mmo1)のエーテル2011/溶液を30分間で滴下
反応させ、−40℃から室温迄の温度下で終夜攪拌反応
後、5憾重曹水20II!で洗滌し、次いで溶媒を留去
し、6.2gの結晶性物質を得た。
102IW(0,2mmol)、硫酸マグネシウム2.
4g、エーテル40耐の懸濁液に、−40℃の温度下に
2−フェニル−3−メチルシクロベンター2−エン−1
−オンとフェニルリチウムより得られた1、2−ジフェ
ニル−6−メチルシクロペR4=I()5.1g(20
mmo1)のエーテル2011/溶液を30分間で滴下
反応させ、−40℃から室温迄の温度下で終夜攪拌反応
後、5憾重曹水20II!で洗滌し、次いで溶媒を留去
し、6.2gの結晶性物質を得た。
これをクロロホルムより再結晶して6.29の白色結晶
を得た(収率40.8憾)、1 融点58.5〜60,0℃ NMR分析 ’HNMR(CDC&) a : 1.97 p、pm (S、 3H)2.4
5〜2.75 p、pm (m、 2H)5.76p
、p、m (broad S、 IH)6.95〜
7.32 (m、 10H)”F NMR(CDC
l5 T、F、Ae ext)δニー17.9 p、p
、m −23,89,昏m MS分析rrv/e値 594.575,268,20
9,116特許出願人 大日本インキ化学工業株式会社 財団法人 用材理化学研究所 第1頁の続き ■Int、 C1,3識別記号 庁内整理番号C0
7C791087118−4H 20100 121/48 7731−4H/
/ C09K 5700 21
04−4HO発 明 者 石塚学 東京都墨田区石原3−30−8 0発 明 者 中野弘 北本市西高尾8−71−15 0発 明 者 小野寺典雄 大宮市奈良町166−4 ■出 願 人 財団法人川村理化学研究所浦和市上木崎
二丁目7番8号
を得た(収率40.8憾)、1 融点58.5〜60,0℃ NMR分析 ’HNMR(CDC&) a : 1.97 p、pm (S、 3H)2.4
5〜2.75 p、pm (m、 2H)5.76p
、p、m (broad S、 IH)6.95〜
7.32 (m、 10H)”F NMR(CDC
l5 T、F、Ae ext)δニー17.9 p、p
、m −23,89,昏m MS分析rrv/e値 594.575,268,20
9,116特許出願人 大日本インキ化学工業株式会社 財団法人 用材理化学研究所 第1頁の続き ■Int、 C1,3識別記号 庁内整理番号C0
7C791087118−4H 20100 121/48 7731−4H/
/ C09K 5700 21
04−4HO発 明 者 石塚学 東京都墨田区石原3−30−8 0発 明 者 中野弘 北本市西高尾8−71−15 0発 明 者 小野寺典雄 大宮市奈良町166−4 ■出 願 人 財団法人川村理化学研究所浦和市上木崎
二丁目7番8号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (式中、R5、R7、R3、R1は、電子供与性置換基
であも)で表わされるシクロベンテノール誘導体と、一
般式II: R5C”CRe (式中、Rs、 Reは、電子吸引性置換基である。)
で表わされるアセチレン誘導体を酸性物質の存在下−5
0℃〜50℃の間で反応させることからなる、(式中の
符号は、既述の通りである。)で表わされるノルボルナ
ジェン訪導体の製造方法。 ’ RlS R1、R3、R1が、H、アルキル基、
アリール基またはアルコキシ基であり、R3、R6が、
11、ハロゲン原子、シアノ基、トリフロロメチル基、
ニトロ基、カルボキシル基またはアルコキシカルボニル
基である特許請求の範囲第1項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117846A JPS5910529A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | ノルボルナジエン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117846A JPS5910529A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | ノルボルナジエン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5910529A true JPS5910529A (ja) | 1984-01-20 |
Family
ID=14721715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57117846A Pending JPS5910529A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | ノルボルナジエン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910529A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000044701A1 (en) * | 1999-01-29 | 2000-08-03 | Daikin Industries, Ltd. | Material for light energy storage/light-heat energy conversion |
-
1982
- 1982-07-08 JP JP57117846A patent/JPS5910529A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| INT CONGR.ESSENT OILS(PAP),7TH=1979 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000044701A1 (en) * | 1999-01-29 | 2000-08-03 | Daikin Industries, Ltd. | Material for light energy storage/light-heat energy conversion |
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