JPS59105335A - ウエハ支持装置 - Google Patents
ウエハ支持装置Info
- Publication number
- JPS59105335A JPS59105335A JP57214712A JP21471282A JPS59105335A JP S59105335 A JPS59105335 A JP S59105335A JP 57214712 A JP57214712 A JP 57214712A JP 21471282 A JP21471282 A JP 21471282A JP S59105335 A JPS59105335 A JP S59105335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heating container
- main body
- quartz
- heating vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3311—Horizontal transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は加熱容器内にウェハを支持するためのウェハ
支持装置に関する。
支持装置に関する。
牛導体ウェハ（以降ウェハと略称）に熱酸゛化膜形成を
施し、あるいは不純物拡散等を施すための装置の１例に
第１図または第２図に示されるものがある。まず、第１
図に示される装置において、（１）は石英で形成された
加熱容器で、加熱炉（２）中に挿入され、内部にはウエ
ノ（３） 、 （３）・・・を並夕１ｊに支持する石英
ボート（４）が装入されている。この石英ボートは加熱
器の開端に設けられているふた体（５）の孔に摺接する
石英ボート操作ツール（６）によって出し入れ、加熱容
器内での移動力どが施される。す々わち、上記石英ボー
ト操作ツー／Ｉ−（以降操作ツールと略称）は石英ロン
ド（６ａ）がその１端に石過；ボートに対する引掛は部
（６ｂ）を備え、他端はボートローダ（７）に接続され
、加熱容器の軸線に沿って石英ホードを変位させるよう
に々つている。上言己操作ツールにおける石英ロッドの
支持機構をみると、石英ボート（４）とボートローダ（
７）とで両端７５；支持された構造である。
施し、あるいは不純物拡散等を施すための装置の１例に
第１図または第２図に示されるものがある。まず、第１
図に示される装置において、（１）は石英で形成された
加熱容器で、加熱炉（２）中に挿入され、内部にはウエ
ノ（３） 、 （３）・・・を並夕１ｊに支持する石英
ボート（４）が装入されている。この石英ボートは加熱
器の開端に設けられているふた体（５）の孔に摺接する
石英ボート操作ツール（６）によって出し入れ、加熱容
器内での移動力どが施される。す々わち、上記石英ボー
ト操作ツー／Ｉ−（以降操作ツールと略称）は石英ロン
ド（６ａ）がその１端に石過；ボートに対する引掛は部
（６ｂ）を備え、他端はボートローダ（７）に接続され
、加熱容器の軸線に沿って石英ホードを変位させるよう
に々つている。上言己操作ツールにおける石英ロッドの
支持機構をみると、石英ボート（４）とボートローダ（
７）とで両端７５；支持された構造である。
次に第２図に示す構造は、加熱容器（１）の開端にフラ
ンジ（８）を設けこれにふた体（９）を取着けたものテ
、石英ロンド（６ａ）はボートローター（７）による片
持支持であるため、ふた体を開閉踵石英ロッドの出入れ
に適する構造である。なお、第２図において第１図と変
らない構造部分については図面と同じ符号を付して示し
説明を省略した。オた、上記ふた体（９）は第３図に示
すように上端部に支点（９ａ）を有し第２図に破線矢印
に示す開閉が機械的に達成される。
ンジ（８）を設けこれにふた体（９）を取着けたものテ
、石英ロンド（６ａ）はボートローター（７）による片
持支持であるため、ふた体を開閉踵石英ロッドの出入れ
に適する構造である。なお、第２図において第１図と変
らない構造部分については図面と同じ符号を付して示し
説明を省略した。オた、上記ふた体（９）は第３図に示
すように上端部に支点（９ａ）を有し第２図に破線矢印
に示す開閉が機械的に達成される。
斜上の第１図１でよって説明した装置はふた体が機械的
尾開閉できないため自動化に適しないという重大な欠点
がある。また、石英ロンドが常に加熱容器内に置かれて
いるため変形する欠点がある。
尾開閉できないため自動化に適しないという重大な欠点
がある。また、石英ロンドが常に加熱容器内に置かれて
いるため変形する欠点がある。
次に第２図によって説明した装置は石英ロンドが片持式
であり、これを軸中心に回転させて引掛は部を石英ボー
トから外すことによって容易に加熱容器から引き出すこ
とができるので、高温に曝されて曲がることは彦いが、
第４図に尽すように例えば押込み時にたわみを生じ、石
英ロンド（６ａ）は石英ボートに対し下方への分力（Ｆ
）を発生し、石英ボートと加熱容器との間の摩擦力が大
きくなり、石英粉が飛散する。この飛散した石英粉がウ
ェハに付着１２歩留りが低下するという重大な欠点があ
る。
であり、これを軸中心に回転させて引掛は部を石英ボー
トから外すことによって容易に加熱容器から引き出すこ
とができるので、高温に曝されて曲がることは彦いが、
第４図に尽すように例えば押込み時にたわみを生じ、石
英ロンド（６ａ）は石英ボートに対し下方への分力（Ｆ
）を発生し、石英ボートと加熱容器との間の摩擦力が大
きくなり、石英粉が飛散する。この飛散した石英粉がウ
ェハに付着１２歩留りが低下するという重大な欠点があ
る。
この発明は斜上の従来技術の欠点に鑑み改良されたウェ
ハ支持装置を提供する。
ハ支持装置を提供する。
この発明は一端が加熱容器の外部で支持されこの加熱容
器にその内壁に非接触に装脱される炭化けい素のウェハ
支持装置本体と、前記ウェハ支持装置本体に形成された
ウェハ載置部と、前記ウェハ支持装置本体に取着された
加熱容器のふた体と、前記ウェハ支持装置本体を支持し
加熱容器に装脱させる操作機構とを具備してなシ、ウェ
ハの加熱処理時にウェハ支持装置本体の一部がウェハを
載せたまま加熱容器内に定位保持し、併せてふた体が加
熱容器の装入口にフィツトして閉塞することを特徴とす
る。
器にその内壁に非接触に装脱される炭化けい素のウェハ
支持装置本体と、前記ウェハ支持装置本体に形成された
ウェハ載置部と、前記ウェハ支持装置本体に取着された
加熱容器のふた体と、前記ウェハ支持装置本体を支持し
加熱容器に装脱させる操作機構とを具備してなシ、ウェ
ハの加熱処理時にウェハ支持装置本体の一部がウェハを
載せたまま加熱容器内に定位保持し、併せてふた体が加
熱容器の装入口にフィツトして閉塞することを特徴とす
る。
以下にこの発明を１実施例につき第５図以降を参照して
説明する。図においてα１１はウェハ支持装置本体で、
炭化けい素の扁平管（ｌｌａ）の一端にウェハ（３）
、 （３）・・・を並列に支持した石英ボート（４）を
載置支持し、他端を操作機構θ２のアーム（１２ａ）に
固着する。そして、上記杼作機構（１２）は支持装置本
体の扁平管（ｌｌａ）と７行のリードスクリュー（１２
ｂ）と、このリードスクリューの軸を中心とする回転に
よってこのリードスクリューの軸方向の変位を発生する
ナラ） （１２ｃ）と、このナラ） （１２ｃ）に取着
された前記アーム（１２ａ）とからなっている。すなす
っち、リードスクリュー（１２ｂ）をモータＱＯ）を軸
を中心に回転させることによって、これとねじ対偶を形
成するナツト（１２ｃ）にリードスクリューの軸に沿う
前後進を付与する。したがってこのナツトに固着された
アーム（１２ａ）を介し、さらにこのアームに固着され
たウエノ・支持装置本体（１１）を前後進させる。つま
シ、ウエノ・支持装置本体の扁平管（ｌｌａ）は片持て
加熱容器に挿入される。
説明する。図においてα１１はウェハ支持装置本体で、
炭化けい素の扁平管（ｌｌａ）の一端にウェハ（３）
、 （３）・・・を並列に支持した石英ボート（４）を
載置支持し、他端を操作機構θ２のアーム（１２ａ）に
固着する。そして、上記杼作機構（１２）は支持装置本
体の扁平管（ｌｌａ）と７行のリードスクリュー（１２
ｂ）と、このリードスクリューの軸を中心とする回転に
よってこのリードスクリューの軸方向の変位を発生する
ナラ） （１２ｃ）と、このナラ） （１２ｃ）に取着
された前記アーム（１２ａ）とからなっている。すなす
っち、リードスクリュー（１２ｂ）をモータＱＯ）を軸
を中心に回転させることによって、これとねじ対偶を形
成するナツト（１２ｃ）にリードスクリューの軸に沿う
前後進を付与する。したがってこのナツトに固着された
アーム（１２ａ）を介し、さらにこのアームに固着され
たウエノ・支持装置本体（１１）を前後進させる。つま
シ、ウエノ・支持装置本体の扁平管（ｌｌａ）は片持て
加熱容器に挿入される。
次に扁平管（ｌｌａ）は垂直方向に長径を配して重さに
よる曲がりを防止し、さらに管体にしたのは重量低減の
ためである。この扁平の形状、長径と短径の比は水平面
のふれさえ防止されれば大きい方が有利であり、管の肉
厚も可能な限シ薄くして片持に適合させている。なお、
上記扁平管は円管、角管でも、あるいは断面片仮名のコ
字のものを開端が上または下になるように用いてもよい
。
よる曲がりを防止し、さらに管体にしたのは重量低減の
ためである。この扁平の形状、長径と短径の比は水平面
のふれさえ防止されれば大きい方が有利であり、管の肉
厚も可能な限シ薄くして片持に適合させている。なお、
上記扁平管は円管、角管でも、あるいは断面片仮名のコ
字のものを開端が上または下になるように用いてもよい
。
次に、扁平管（ｌｌａ）にはウエノ・載置部（１ｌｂ）
が設けられておシ、ここにウェハを並列に並べた石英ボ
ート（４）が載置、係止される。また、上記石英ボート
が加熱容器内の適所に装入されたとき、この加熱容器に
ふたをするように扁平管にふた体（ｌｌｃ）が設けられ
ている。
が設けられておシ、ここにウェハを並列に並べた石英ボ
ート（４）が載置、係止される。また、上記石英ボート
が加熱容器内の適所に装入されたとき、この加熱容器に
ふたをするように扁平管にふた体（ｌｌｃ）が設けられ
ている。
この発明によると、石英ボートを加熱容器に挿入すると
き、加熱容器の内壁に全く擦過しないので石英微粉を飛
散することがない。このため、ウェハに石英粉が付着し
て発生する不良がなく歩留と品質の向上が認められる。
き、加熱容器の内壁に全く擦過しないので石英微粉を飛
散することがない。このため、ウェハに石英粉が付着し
て発生する不良がなく歩留と品質の向上が認められる。
次にウェハ支持装置本体は耐熱性が高く、熱伝導性もす
ぐれるため、変硯することなくしかも加熱容器の温度に
よく追随するのでウェハの温度が加熱容器の加熱温度と
よく一致するので加熱温度の管理が良好に達成できる。
ぐれるため、変硯することなくしかも加熱容器の温度に
よく追随するのでウェハの温度が加熱容器の加熱温度と
よく一致するので加熱温度の管理が良好に達成できる。
オだ、加熱容器内においてウェハを定位置にセットする
ことが確実に達成できることと、ふた体による閉塞が容
易でその開閉を操作に連動させるだめの装置が全く不要
である利点もある。
ことが確実に達成できることと、ふた体による閉塞が容
易でその開閉を操作に連動させるだめの装置が全く不要
である利点もある。
第１図および第２図はいずれも従来の装置を説明するた
めのいずれも断面図、第３図は加熱容器のふた体を示す
正面図、第４図は従来の押込み用石英ロンドを示す側面
図、第５図以下はこの発明の実施例のウェハ支持装置に
かがシ、第５図は側面図、第６図は上面図、第７図は側
面図、第８図および第９図は分割して示すいずれも斜視
図である。 １ 加熱容器 ３ ウェハ ４ （ウェハ載置用）石英ボート１１
ウェハ支持装置本体１１ａ（炭化けい素の）扁
平管 １１ｂ ウェハ載置部 １１ｃ ふた体 リ 操作機構 １２ａ （操作機構の）リードスクリュー１
２ｂ（操作機構の）ナツト 代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図 一一一ゝ ゛ 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第５図 第 ６ 図
めのいずれも断面図、第３図は加熱容器のふた体を示す
正面図、第４図は従来の押込み用石英ロンドを示す側面
図、第５図以下はこの発明の実施例のウェハ支持装置に
かがシ、第５図は側面図、第６図は上面図、第７図は側
面図、第８図および第９図は分割して示すいずれも斜視
図である。 １ 加熱容器 ３ ウェハ ４ （ウェハ載置用）石英ボート１１
ウェハ支持装置本体１１ａ（炭化けい素の）扁
平管 １１ｂ ウェハ載置部 １１ｃ ふた体 リ 操作機構 １２ａ （操作機構の）リードスクリュー１
２ｂ（操作機構の）ナツト 代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図 一一一ゝ ゛ 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第５図 第 ６ 図
Claims (1)
- 一端が加熱容器の外部で支持されこの加熱容器にその内
壁に非接触に装脱される炭化けい素のウェハ支持装置本
体と、前記ウェハ支持装置本体に形成されたウエノ）載
置部と、前記ウエノ・支持装湯本体に取着された加熱容
器のふた体と、前記ウェハ支持装置本体を支持し加熱容
器に装脱させる操作機構とを具備したウエノ・支持装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214712A JPS59105335A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | ウエハ支持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214712A JPS59105335A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | ウエハ支持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105335A true JPS59105335A (ja) | 1984-06-18 |
Family
ID=16660360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57214712A Pending JPS59105335A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | ウエハ支持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105335A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6387737A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Ulvac Corp | ウエハ搬送装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543646U (ja) * | 1977-06-11 | 1979-01-11 | ||
| JPS5636129A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Hitachi Ltd | Method and device for heat treatment of semiconductor thin plate |
-
1982
- 1982-12-09 JP JP57214712A patent/JPS59105335A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543646U (ja) * | 1977-06-11 | 1979-01-11 | ||
| JPS5636129A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Hitachi Ltd | Method and device for heat treatment of semiconductor thin plate |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6387737A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Ulvac Corp | ウエハ搬送装置 |
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