JPS59108314A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS59108314A JPS59108314A JP21866282A JP21866282A JPS59108314A JP S59108314 A JPS59108314 A JP S59108314A JP 21866282 A JP21866282 A JP 21866282A JP 21866282 A JP21866282 A JP 21866282A JP S59108314 A JPS59108314 A JP S59108314A
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- JP
- Japan
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- plasma cvd
- electrode
- plasma
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマを用いる薄膜堆積装置の電極形状に関
する。
する。
従来よシブヲズマＣＶＤ装置には種々な形状のものが考
えられておシ、また実用化されている。
えられておシ、また実用化されている。
プラズマＣＶＤは減圧容器中でガス種の非平衡プラズマ
を作り、分解堆積を行うものである。
を作り、分解堆積を行うものである。
高周波電力の供給方法には容量結合型と誘導結合型の二
種に大別でき、反応室の排気にはロータリーポンプもし
くはメカニカルブースターポンプや拡散ポンプを併用し
て行う。第１図に示す容量結ｉ− 金型プラズマＣＶＤ装置が一般的であり、使用ガス（１
，２，３）は４，５．６のマスフローコントローラによ
って制御され真空槽７に導入される。
種に大別でき、反応室の排気にはロータリーポンプもし
くはメカニカルブースターポンプや拡散ポンプを併用し
て行う。第１図に示す容量結ｉ− 金型プラズマＣＶＤ装置が一般的であり、使用ガス（１
，２，３）は４，５．６のマスフローコントローラによ
って制御され真空槽７に導入される。
基板１２は加熱ヒーター１ｒｌによって加熱され、高周
波電源１１ 、電極８，９によって加熱され、高周波電
源ＩＩ 、電極８，９によって高周波電力が供給、ガス
は分解堆積される。しかし第１図に示す形状の装置では
生産蓋が限られるためにＭ２図に示すように電極を焼殺
にも重ね、電極自体（１４、１５）を基板ホルダーとし
て電極の両面に基板１６を支持する方法が考えられる。
波電源１１ 、電極８，９によって加熱され、高周波電
源ＩＩ 、電極８，９によって高周波電力が供給、ガス
は分解堆積される。しかし第１図に示す形状の装置では
生産蓋が限られるためにＭ２図に示すように電極を焼殺
にも重ね、電極自体（１４、１５）を基板ホルダーとし
て電極の両面に基板１６を支持する方法が考えられる。
第２図に示すような電極を真空槽内に固定し、加熱は真
空槽外より行なう。
空槽外より行なう。
電極はその強度を持たせるため、そして絶縁のために碍
子などでそれぞれの電極を固定する必要がある。電極１
４ 、１５は導電性物質で金属板、炭素板などが用いら
れ碍子１７によって互いに絶縁固定されることになる。
子などでそれぞれの電極を固定する必要がある。電極１
４ 、１５は導電性物質で金属板、炭素板などが用いら
れ碍子１７によって互いに絶縁固定されることになる。
コノヨう々幾組かの電極を有するプラズマＣＶＤ装置で
導電性の膜を基板１６に堆積する場合、本来は絶縁され
ているべき碍子１７にも導電性の膜が２− 堆積され長時間の堆積によって膜厚が厚くなると対向電
極１４ 、１５が短絡に近い状態になり碍子１７の位置
で局所放電を起こしプラズマの発生に大きな支障を来た
す。
導電性の膜を基板１６に堆積する場合、本来は絶縁され
ているべき碍子１７にも導電性の膜が２− 堆積され長時間の堆積によって膜厚が厚くなると対向電
極１４ 、１５が短絡に近い状態になり碍子１７の位置
で局所放電を起こしプラズマの発生に大きな支障を来た
す。
本発明はかかる欠点を除去したもので、その目的は幾組
かの電極を有するプラズマＣＶＤ装置で導電性の膜を堆
積する際に長時間安定したプラズマを発生させ、碍子で
の局所放電を無くする方法を提供するものである。
かの電極を有するプラズマＣＶＤ装置で導電性の膜を堆
積する際に長時間安定したプラズマを発生させ、碍子で
の局所放電を無くする方法を提供するものである。
以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明のプラズマＣＶＤ用対向電極であυ、
１８ 、１９はそれぞれの電位を有する電極、２Ｉ）Ｆ
ｉ基板、２】は電極固定碍子を含む電極封じである。
１８ 、１９はそれぞれの電位を有する電極、２Ｉ）Ｆ
ｉ基板、２】は電極固定碍子を含む電極封じである。
電極材１８ 、１９に供給された高周波電力によってガ
スはプラズマ分解されて基板加に堆積される。電極封じ
２ｊは非導電物質であるがプラズマを高周波電源によっ
て発生させる限９、プラズマ発生条件を選ぶことで電極
封じ２１を用いない場合、とほぼ同様のプラズマを発生
できる。さらに第２図に示される碍子１７に相当する部
分にも分解ガスは堆積３− されるが電極１８ 、１９とけ電極封じ２Ｊによって絶
縁されており、局所放電を起こすことはない。したがっ
て安定したプラズマ状態で導電性膜の堆積を長時間、繰
り返して行うことができる。
スはプラズマ分解されて基板加に堆積される。電極封じ
２ｊは非導電物質であるがプラズマを高周波電源によっ
て発生させる限９、プラズマ発生条件を選ぶことで電極
封じ２１を用いない場合、とほぼ同様のプラズマを発生
できる。さらに第２図に示される碍子１７に相当する部
分にも分解ガスは堆積３− されるが電極１８ 、１９とけ電極封じ２Ｊによって絶
縁されており、局所放電を起こすことはない。したがっ
て安定したプラズマ状態で導電性膜の堆積を長時間、繰
り返して行うことができる。
実際には従来の方法で電極間隔を３５ｍ５としてリンド
ープの非晶質シリコン（導電率０”Ｈｌ−３０−１・ａ
ｔＶ’）を堆積した場合、３．５μｍ堆積毎に絶縁碍子
の洗浄を行わねばならなかった。しかし、本発明による
電極封じＣ例として石英を用いた）を用いた結果、絶縁
材料としての洗浄は必要なく堆積された非晶質シリコン
膜自体の問題による洗浄（約１５μｍ毎）だけとなり、
１５μｍ堆積する間の３〜４回の洗浄の必要はなくなっ
た。その結果、装置の実質稼働時間という点でもたいへ
ん有利になる。
ープの非晶質シリコン（導電率０”Ｈｌ−３０−１・ａ
ｔＶ’）を堆積した場合、３．５μｍ堆積毎に絶縁碍子
の洗浄を行わねばならなかった。しかし、本発明による
電極封じＣ例として石英を用いた）を用いた結果、絶縁
材料としての洗浄は必要なく堆積された非晶質シリコン
膜自体の問題による洗浄（約１５μｍ毎）だけとなり、
１５μｍ堆積する間の３〜４回の洗浄の必要はなくなっ
た。その結果、装置の実質稼働時間という点でもたいへ
ん有利になる。
第１図は基本的々プラズマＣＶＤ装置、第２図は対電極
を幾組か持つ大量生産用プラズマＣＶＤ装置用電極図、
ｌ＠３図は本発明による電極断面図である。 ４− 第１図 第２Ｌ ２１ 第３図 −６７＝
を幾組か持つ大量生産用プラズマＣＶＤ装置用電極図、
ｌ＠３図は本発明による電極断面図である。 ４− 第１図 第２Ｌ ２１ 第３図 −６７＝
Claims (1)
- 真空槽内に幾組かの電極を有するプラズマ発生装置にお
いて、該電極を非導電物質で真空封じすることを特徴と
する高周波プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21866282A JPS59108314A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21866282A JPS59108314A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59108314A true JPS59108314A (ja) | 1984-06-22 |
Family
ID=16723453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21866282A Pending JPS59108314A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59108314A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2587732A1 (fr) * | 1985-09-26 | 1987-03-27 | Centre Nat Rech Scient | Reacteur de depot chimique en phase vapeur assiste par plasma |
-
1982
- 1982-12-14 JP JP21866282A patent/JPS59108314A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2587732A1 (fr) * | 1985-09-26 | 1987-03-27 | Centre Nat Rech Scient | Reacteur de depot chimique en phase vapeur assiste par plasma |
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