JPS5889821A - 堆積膜の製造装置 - Google Patents
堆積膜の製造装置Info
- Publication number
- JPS5889821A JPS5889821A JP56187953A JP18795381A JPS5889821A JP S5889821 A JPS5889821 A JP S5889821A JP 56187953 A JP56187953 A JP 56187953A JP 18795381 A JP18795381 A JP 18795381A JP S5889821 A JPS5889821 A JP S5889821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deposited film
- decomposition products
- gas
- powdery
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、堆＆膜形成用の原料ガスを放電によって分解
し、所定の基体上に堆＆展を形成する堆積膜の製造装置
に関する。
し、所定の基体上に堆＆展を形成する堆積膜の製造装置
に関する。
近来、光電変換累子、電子写真用倫形成体勢を作成する
目的で分解可能なるガスを減圧にし得る堆積室内に導入
しダロー放電によりて上記ガスを分解し、所定名基体上
に堆積膜を作成すゐ手法の開発が盛んに行われている。
目的で分解可能なるガスを減圧にし得る堆積室内に導入
しダロー放電によりて上記ガスを分解し、所定名基体上
に堆積膜を作成すゐ手法の開発が盛んに行われている。
殊にシランガス又紘ジシランガスと水素又はヘリウム又
はアルがンガスを混合した気体を用いること−によって
得られるアモルファスシリコン族はその電気性的および
光物性的優秀さに於て、又、大面様化が容易であるとい
う点に於て著しく脚−光を浴びている。一方、半導体集
積回路に用いる絶縁層として水素化窒素化シリコン展、
水素化窒素化酸化シリコン膜等を作成するのにシランガ
ス、アンモニアガス、−酸化窒素ガス、亜酸化窒素ガー
勢を原料ガス、として用いる事も良く知られている。
はアルがンガスを混合した気体を用いること−によって
得られるアモルファスシリコン族はその電気性的および
光物性的優秀さに於て、又、大面様化が容易であるとい
う点に於て著しく脚−光を浴びている。一方、半導体集
積回路に用いる絶縁層として水素化窒素化シリコン展、
水素化窒素化酸化シリコン膜等を作成するのにシランガ
ス、アンモニアガス、−酸化窒素ガス、亜酸化窒素ガー
勢を原料ガス、として用いる事も良く知られている。
しかしながら、斯かる堆積膜製追懐−社生産的、量産的
、コスト的点勢から未だ改善されるべき点が指摘される
。
、コスト的点勢から未だ改善されるべき点が指摘される
。
このような堆積ｊｌ［製造に於て、長時間製造を行うと
、排気系に係る装置、例えば真ｉポンプ、排気管岬に粉
末状分解生成物が蓄積され、その結果排気能力が低下し
、堆積室内を所望する減圧状態にする拳が不可能となる
。
、排気系に係る装置、例えば真ｉポンプ、排気管岬に粉
末状分解生成物が蓄積され、その結果排気能力が低下し
、堆積室内を所望する減圧状態にする拳が不可能となる
。
この粉末状分解生成物が形成されるメカニズムは明確で
はないが基体に堆積しない未堆積化学＊−が堆積装置内
の比較的低温部分の壁面近傍で分解すると、粉末状の分
解生成物が形成されると考えられ、未堆積イし字種が集
中する原料ガスの＃−ロ近傍では特にこの粉末状分解生
成物が大量に形成され排気系に係る装置へ混入している
。この粉末状分解生成物の排気系への混入は排気能力を
着しく低下させるため排気系装置の帰線、真空Ｉンｌオ
イルの交換等の頻度を増加させ、生産的、量童的、コス
ト的点等から大きな不利である。
はないが基体に堆積しない未堆積化学＊−が堆積装置内
の比較的低温部分の壁面近傍で分解すると、粉末状の分
解生成物が形成されると考えられ、未堆積イし字種が集
中する原料ガスの＃−ロ近傍では特にこの粉末状分解生
成物が大量に形成され排気系に係る装置へ混入している
。この粉末状分解生成物の排気系への混入は排気能力を
着しく低下させるため排気系装置の帰線、真空Ｉンｌオ
イルの交換等の頻度を増加させ、生産的、量童的、コス
ト的点等から大きな不利である。
而して本発明は上記の如き点に鑑み成されたものであっ
て排気系に係る装置への粉末状分解生成物の混入を防止
し得る堆積膜の製造ａｍを提供する事を主たる目的とす
る。
て排気系に係る装置への粉末状分解生成物の混入を防止
し得る堆積膜の製造ａｍを提供する事を主たる目的とす
る。
本発明の堆積膜の製造装置は減圧にし得る堆積室内に堆
積膜形成用の原料ガスを導入し、腋ガスを放電によって
分解して所定の基体上に堆積膜を形成する装置において
前述の堆積室内原料ガス排気口近傍に粉末状分解生成物
を防止する装置な股木発明による粉末秋分−生成物発生
防止装置は未堆積化学種が低温部分で粉末状分解生成物
を形成しない様原料ガス排気口近傍に加熱様能を有する
粉末状分解生成物発生防止装置を設は同部分を加熱し、
基体上に形成される堆積膜と同様に堆積可能な膜を形成
せしめ、該装置上に堆積させる事によシ、排気系装置へ
の粉末状分解生成物の混入を防止する事を特徴とするｔ
のである。
積膜形成用の原料ガスを導入し、腋ガスを放電によって
分解して所定の基体上に堆積膜を形成する装置において
前述の堆積室内原料ガス排気口近傍に粉末状分解生成物
を防止する装置な股木発明による粉末秋分−生成物発生
防止装置は未堆積化学種が低温部分で粉末状分解生成物
を形成しない様原料ガス排気口近傍に加熱様能を有する
粉末状分解生成物発生防止装置を設は同部分を加熱し、
基体上に形成される堆積膜と同様に堆積可能な膜を形成
せしめ、該装置上に堆積させる事によシ、排気系装置へ
の粉末状分解生成物の混入を防止する事を特徴とするｔ
のである。
本発明の粉末状分解生成物発生防止装置において、未堆
積化学種を粉末状分解生成物とは異な）、堆積可能な堆
積膜にするＫは、なるべく高温に加熱する拳が好ましく
Ｚｏｏ Ｃ以上に加熱する事が好ましい、この加熱に
よる粉末状分解生成物発生防止装置は構造的に社特に限
定されず堆積膜がなるべく、その部分で有効に堆積でき
る様な構造であれば良い。
積化学種を粉末状分解生成物とは異な）、堆積可能な堆
積膜にするＫは、なるべく高温に加熱する拳が好ましく
Ｚｏｏ Ｃ以上に加熱する事が好ましい、この加熱に
よる粉末状分解生成物発生防止装置は構造的に社特に限
定されず堆積膜がなるべく、その部分で有効に堆積でき
る様な構造であれば良い。
以下本発明を図面に示す実施例装置によ〕説明する。
実施例
図面は本発明の加勢による粉末状分解生成物発生防止装
置を有する堆積膜製造装置の一態様の模式図である。
置を有する堆積膜製造装置の一態様の模式図である。
図中１２は本発明による粉末状分解生成物発生防止装置
であシ排気口に１００℃以上に加熱可能なじゃま板様式
のものである。堆積膜形成用０原料ガスはパルｆ８を開
くことによって支持台５に支持された堆積室４内に導入
され、高ｌＢ波電源７によプ誘導コイル、６に１３．５
１１ＭＨｍｏ高Ｒ掖電力を入力しグロー放電を発生させ
、固定部材３に支持された加熱ヒータ２によ）２００℃
１度に加ｗｋされた基体１上に堆積ａｔ影形成る０図中
９はビラ二ｒ−ジ、１０はあら引きパルプ、１１はメイ
ンベルｆｔ−示す。
であシ排気口に１００℃以上に加熱可能なじゃま板様式
のものである。堆積膜形成用０原料ガスはパルｆ８を開
くことによって支持台５に支持された堆積室４内に導入
され、高ｌＢ波電源７によプ誘導コイル、６に１３．５
１１ＭＨｍｏ高Ｒ掖電力を入力しグロー放電を発生させ
、固定部材３に支持された加熱ヒータ２によ）２００℃
１度に加ｗｋされた基体１上に堆積ａｔ影形成る０図中
９はビラ二ｒ−ジ、１０はあら引きパルプ、１１はメイ
ンベルｆｔ−示す。
この堆積膜製造装置によ）長時間の堆積膜製造を行ない
粉末状分解生成物の発生防止効果を実験したとζろ、じ
中ま板１２には、基体同様の堆積膜が堆積され、メイン
パルプ８に接続された図示しない排気、系に係る装置に
社、粉末状分解生成物の蓄積がほとんど認められなかっ
た。一方本発明による粉末状分解生成物発生防止装置１
２を取シ除いた以外は同様の装置にて堆積膜ＯＩｌ造を
行なり九とζろ数十時間程度の堆積膜製造時間で排気系
装置に著しい粉末状分解生成物の蓄積がみもれ排気管の
つまシ、および真空−ンプオイルの汚れ等によシ所望す
る減圧状態にまで排気する事が不可能となった。
粉末状分解生成物の発生防止効果を実験したとζろ、じ
中ま板１２には、基体同様の堆積膜が堆積され、メイン
パルプ８に接続された図示しない排気、系に係る装置に
社、粉末状分解生成物の蓄積がほとんど認められなかっ
た。一方本発明による粉末状分解生成物発生防止装置１
２を取シ除いた以外は同様の装置にて堆積膜ＯＩｌ造を
行なり九とζろ数十時間程度の堆積膜製造時間で排気系
装置に著しい粉末状分解生成物の蓄積がみもれ排気管の
つまシ、および真空−ンプオイルの汚れ等によシ所望す
る減圧状態にまで排気する事が不可能となった。
図面は本発明の実施例装置を示す図である。
１・・・基体、 ２・・・基体加熱ヒータ、３・
・・同定部材、 ４・・・堆積室、５・・・支持台、
６ ”’誘導コイル、７・・・高周波電源、 ８・・・
原料ガス導入パルプ、９・・・ビｙ＝ｃ−ジ、１ Ｇ−
・・あら引＊／？＃ッ、１１−・・メインパルプ、ｌｉ
−・じゃま板。
・・同定部材、 ４・・・堆積室、５・・・支持台、
６ ”’誘導コイル、７・・・高周波電源、 ８・・・
原料ガス導入パルプ、９・・・ビｙ＝ｃ−ジ、１ Ｇ−
・・あら引＊／？＃ッ、１１−・・メインパルプ、ｌｉ
−・じゃま板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、減圧にし得る堆積室内に堆積腹影成用の原料ガスを
導入し該ガスを放電によって分解して所定の基体上に堆
積膜を形成する製造装置において前記堆積室内の原料ガ
ス排気口近傍に加熱による粉末状分解生成物発生防止装
置を設けた事を４Ｉ徽とする堆積膜の製造装置、− ２、１００℃以上に加熱する粉末状分解生成物発生防止
装置を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の堆積ｇｏｓ造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187953A JPS5889821A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 堆積膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187953A JPS5889821A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 堆積膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889821A true JPS5889821A (ja) | 1983-05-28 |
Family
ID=16215050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56187953A Pending JPS5889821A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 堆積膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5889821A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61190943A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | 反応・処理装置内の清浄化および反応・処理用気相物質の純化方法、および反応・処理装置 |
| JPH01183113A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-20 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
| JPH01309315A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-13 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| JPH0586476A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55130896A (en) * | 1979-02-28 | 1980-10-11 | Lohja Ab Oy | Method and device for growing compound thin membrane |
-
1981
- 1981-11-24 JP JP56187953A patent/JPS5889821A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55130896A (en) * | 1979-02-28 | 1980-10-11 | Lohja Ab Oy | Method and device for growing compound thin membrane |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61190943A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | 反応・処理装置内の清浄化および反応・処理用気相物質の純化方法、および反応・処理装置 |
| JPH01183113A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-20 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
| JPH01309315A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-13 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| JPH0586476A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置 |
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