JPS59108457A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS59108457A JPS59108457A JP57217719A JP21771982A JPS59108457A JP S59108457 A JPS59108457 A JP S59108457A JP 57217719 A JP57217719 A JP 57217719A JP 21771982 A JP21771982 A JP 21771982A JP S59108457 A JPS59108457 A JP S59108457A
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- JP
- Japan
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- layer
- gate
- electrode
- diffusion layer
- drain
- Prior art date
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- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/196—Junction field effect transistor [JFET] image sensors; Static induction transistor [SIT] image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光導電膜を光電変換素子として用い、その領
域下に読出しの為の素子と光電変換素子をリセットする
為の素子とを具えた固体撮像素子、特に読出し素子とし
て静電誘導トランジスタ（以・下ＳＩＴという）、ジャ
ンクショントランジスタ（以下、Ｊ−ＦＥＴという）又
はＭＯＳ ）ランジスタ（以下、ＭＯＳ−ＦＥＴという
）を利用することにより、従来のものに比べてはるかに
高感度とした固体撮像素子に関するものである。
域下に読出しの為の素子と光電変換素子をリセットする
為の素子とを具えた固体撮像素子、特に読出し素子とし
て静電誘導トランジスタ（以・下ＳＩＴという）、ジャ
ンクショントランジスタ（以下、Ｊ−ＦＥＴという）又
はＭＯＳ ）ランジスタ（以下、ＭＯＳ−ＦＥＴという
）を利用することにより、従来のものに比べてはるかに
高感度とした固体撮像素子に関するものである。
固体撮像素子は、信号読出しスイッチ又は読出し手段の
種類によってＭＯ８型撮像素子及び電荷転送型撮像素子
があり、近年の固体イメージセンサの商品化に伴い、高
密度大規模アレイの点で急激な発展をとげつつある。固
体撮像素子の高密度Ｊ−・化に伴い単位撮像素子におけ
る光電変換部の面積比率：開口率は次第に低下し、それ
によって信号検出がよりむつかしくなってきている。
種類によってＭＯ８型撮像素子及び電荷転送型撮像素子
があり、近年の固体イメージセンサの商品化に伴い、高
密度大規模アレイの点で急激な発展をとげつつある。固
体撮像素子の高密度Ｊ−・化に伴い単位撮像素子におけ
る光電変換部の面積比率：開口率は次第に低下し、それ
によって信号検出がよりむつかしくなってきている。
この開口率を大きくとれる固体撮像素子として最近光電
変換部を信号読出しスイッチ又は信号読−□・出し転送
部の上に積み重ねた構造の積層型固体撮１像素子が提案
され、除々に研究が盛んになってきている。これらは、
例えばテレビジョン学会技術報告第３巻８３号（１９８
０年１月）の４１〜４６ページに記載されているが、そ
の−例を第１−・図に示す。
変換部を信号読出しスイッチ又は信号読−□・出し転送
部の上に積み重ねた構造の積層型固体撮１像素子が提案
され、除々に研究が盛んになってきている。これらは、
例えばテレビジョン学会技術報告第３巻８３号（１９８
０年１月）の４１〜４６ページに記載されているが、そ
の−例を第１−・図に示す。
この固体撮像素子は、Ｐ型基板］上に信号読出し用ＭＯ
Ｓスイッチ（Ｎチャネル）２を具え、そのソース拡散層
８が光導電膜舎の底部電極５に接続されている。透明電
極６を通して入射した光 ；・・（矢印で示す）が、光
導電膜領域４で電子−正孔対を発生させ、そのうちの電
子は透明電極６に吸収され、正孔は底Ｆ！Ａｍ極５に達
してその電位を上昇させる。これは、初めにこの底部電
極５の電位が低く（例えばＯＶ）セットされていた状態
と比１−”べろと、セット時に底部電極に蓄えられてい
た電子が正孔の流入によって消滅したものとみなすこと
ができる。従って読出しとしては、ＭＯＳスイッチ２の
オンによってドレイン電極７及びドレイン拡散層８を介
してその消滅した電子が補充され、゛その電流がその光
電変換部の信号となる。 １この構造における最
大の特長は、底部電ｆｉｌｉｉ５を隣接素子との境界ぎ
りぎりまで延ばすことができ、そのため開口率を１＆こ
近づけることができるという点である。
Ｓスイッチ（Ｎチャネル）２を具え、そのソース拡散層
８が光導電膜舎の底部電極５に接続されている。透明電
極６を通して入射した光 ；・・（矢印で示す）が、光
導電膜領域４で電子−正孔対を発生させ、そのうちの電
子は透明電極６に吸収され、正孔は底Ｆ！Ａｍ極５に達
してその電位を上昇させる。これは、初めにこの底部電
極５の電位が低く（例えばＯＶ）セットされていた状態
と比１−”べろと、セット時に底部電極に蓄えられてい
た電子が正孔の流入によって消滅したものとみなすこと
ができる。従って読出しとしては、ＭＯＳスイッチ２の
オンによってドレイン電極７及びドレイン拡散層８を介
してその消滅した電子が補充され、゛その電流がその光
電変換部の信号となる。 １この構造における最
大の特長は、底部電ｆｉｌｉｉ５を隣接素子との境界ぎ
りぎりまで延ばすことができ、そのため開口率を１＆こ
近づけることができるという点である。
他の特長として次のようなものがある。
（］）光導電膜の種類により分光感度特性が巣なるため
、撮像目的に応じて光導電膜を選ぶことが可能である。
、撮像目的に応じて光導電膜を選ぶことが可能である。
（２）強い光の入射の場合でも、光導電膜の底部電極１
・□電位は透明電極電位を越えることがないためブルー
ミングが抑制される。
・□電位は透明電極電位を越えることがないためブルー
ミングが抑制される。
（３） ａ 常のフォトダイオード等の光電変換素子で
は検知不可能な入射光の短波長成分も透明電極近傍の光
導電膜で電気信号成分に変換されるため、ｊ゛光電変換
効率が向上する。
は検知不可能な入射光の短波長成分も透明電極近傍の光
導電膜で電気信号成分に変換されるため、ｊ゛光電変換
効率が向上する。
上述したように、積層型固体撮像素子は、従来型に比べ
て製造技術上の問題を除けば数多くの利点を有している
。しかしながら、今後高密度化が進み単位セルが小さく
なった場合、微小信号をＳ／Ｎ ”″（３） 比を小さくすることなく検出することはますます１困難
となる。また、倶れまでは低照度入射光の場合や動画の
高速シャッタ読出しの場合のように光量の少ない場合の
撮像においてはＳハ此の点で良質の画像が得られなかっ
た。これは、これまでの１様に光電変換によって得られ
た信号電荷の補充電流法（ＭＯＳ型の場合）や信号電荷
の直接転送読出し法（電荷転送型の場合）では、どうし
ても避けられない問題である。
て製造技術上の問題を除けば数多くの利点を有している
。しかしながら、今後高密度化が進み単位セルが小さく
なった場合、微小信号をＳ／Ｎ ”″（３） 比を小さくすることなく検出することはますます１困難
となる。また、倶れまでは低照度入射光の場合や動画の
高速シャッタ読出しの場合のように光量の少ない場合の
撮像においてはＳハ此の点で良質の画像が得られなかっ
た。これは、これまでの１様に光電変換によって得られ
た信号電荷の補充電流法（ＭＯＳ型の場合）や信号電荷
の直接転送読出し法（電荷転送型の場合）では、どうし
ても避けられない問題である。
本発明の目的は、こうした微小撮像信号の場合１・・で
も、高感度信号読取りの可能な固体撮像素子を提供する
ことにある。
も、高感度信号読取りの可能な固体撮像素子を提供する
ことにある。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第２ａ図は本発明の第１実施例を示す断面構造図、第２
ｂ図はその等価回路図である。本実施例１）ハ、読出し
用トランジスタにＮチャネル型ＳＩＴ又はＪ−ＦＥＴを
用いた場合を示す。
ｂ図はその等価回路図である。本実施例１）ハ、読出し
用トランジスタにＮチャネル型ＳＩＴ又はＪ−ＦＥＴを
用いた場合を示す。
Ｐ型基板１１上に読出し用トランジスタ１２のドレイン
となるＮ十型埋込層１８を選択的拡散によって形成する
。その上にＮ′″型かＮ型のエピタ 、！１）（４） キシャル層］４（トランジスタ１２をＳＩＴでＪＩ８１
収する場合にはこの層の濃度は１０ 〜１０ ／確８で
ありＮ−型となる）を成長させる。Ｎ″型埋込層１８内
に示す破線は、基板１１とエピタキシャル層１４との境
界を示す。拡散により、トランジスタ１２のゲートＰ＋
型拡散層１５、ソースＮ＋型拡散層１６及びリセット用
ＰチャネルＭＯ８）ランジスタ１７のドレインＰ＋型拡
散層１８をそれぞれ形成する。この場合、ゲート拡散層
１５の形状は、ソース拡散層１６を閉ループで取り囲む
１・・ように配置することがトランジスタ１２の特性上
望ましい。
となるＮ十型埋込層１８を選択的拡散によって形成する
。その上にＮ′″型かＮ型のエピタ 、！１）（４） キシャル層］４（トランジスタ１２をＳＩＴでＪＩ８１
収する場合にはこの層の濃度は１０ 〜１０ ／確８で
ありＮ−型となる）を成長させる。Ｎ″型埋込層１８内
に示す破線は、基板１１とエピタキシャル層１４との境
界を示す。拡散により、トランジスタ１２のゲートＰ＋
型拡散層１５、ソースＮ＋型拡散層１６及びリセット用
ＰチャネルＭＯ８）ランジスタ１７のドレインＰ＋型拡
散層１８をそれぞれ形成する。この場合、ゲート拡散層
１５の形状は、ソース拡散層１６を閉ループで取り囲む
１・・ように配置することがトランジスタ１２の特性上
望ましい。
ここでＰ十型拡散Ｎ１８の深さは、リセット用トランジ
スタ１７へのドレイン電圧供給のための配線層１９を不
要にするためＮ十型埋込層１３形ｊ・成時にＰ＋型埋込
層を形成し、エピタキシャル成長時の埋込層の持上がり
効果と、ドレインＰ＋型拡散層１８を他のＰ＋型拡散層
１５とは！Ａなる工程により拡散層をより深く形成する
こととで、ドレイン拡散層１８と基板１１とを２０で示
すよう−・・に接続して構造を変形することもできる。
スタ１７へのドレイン電圧供給のための配線層１９を不
要にするためＮ十型埋込層１３形ｊ・成時にＰ＋型埋込
層を形成し、エピタキシャル成長時の埋込層の持上がり
効果と、ドレインＰ＋型拡散層１８を他のＰ＋型拡散層
１５とは！Ａなる工程により拡散層をより深く形成する
こととで、ドレイン拡散層１８と基板１１とを２０で示
すよう−・・に接続して構造を変形することもできる。
１ソ一ス電極層２１は、
（イ）絶縁膜２２を挾み電極２３との間にキャパシタン
スを形成する。
スを形成する。
（ロ）ソース拡散層１６からの配線抵抗を小さくする。
ことの目的でソース拡散層１６の上にこれとオーム接触
をとって形成する。このソース電極２１は、不純物をド
ープした多結晶シリコン又はタングステンやモリブデン
等の高融点金属で構成する。リセット用トランジスタ１
７のゲート電極２４及び−ドレイン配線層１９も同様の
材料で構成する。電極２８は、遮光性の配線層（例えば
Ａｔ膜）から収り、光導電膜２５の底部電極を構成する
。光導電膜２５は、Ｚｎ０ｃｉＴｅ ｘどの光導電膜、
カルコゲナイド非晶質膜又は水緊化非晶質シリコンを用
いても１・よい。透明電極２６は、酸化錫（ＳｎＯ□）
や酸化インジウム錫（ＩＴＱ）等で構成する。
をとって形成する。このソース電極２１は、不純物をド
ープした多結晶シリコン又はタングステンやモリブデン
等の高融点金属で構成する。リセット用トランジスタ１
７のゲート電極２４及び−ドレイン配線層１９も同様の
材料で構成する。電極２８は、遮光性の配線層（例えば
Ａｔ膜）から収り、光導電膜２５の底部電極を構成する
。光導電膜２５は、Ｚｎ０ｃｉＴｅ ｘどの光導電膜、
カルコゲナイド非晶質膜又は水緊化非晶質シリコンを用
いても１・よい。透明電極２６は、酸化錫（ＳｎＯ□）
や酸化インジウム錫（ＩＴＱ）等で構成する。
第２ｂ図は、第２ａ図に示す固体撮像素子の等価回路を
示す。コンデンサ２７は、透明電極２６と光導電層２５
と底部電極２８とから成る光導電パ膜ヲ示し、トランジ
スタ２８は、Ｐ 型拡散層１５１をゲート、Ｎ＋型型数
散層１６ソース、Ｎ＋＋埋込層１８をドレインとし、Ｎ
−型（又はＮ型）エピタキシャルＮ１４をチャネル部と
した読出し用Ｎチャネル５ＩＴ（又はＪ−Ｆ’ＥＴ ）
を示す。フンデ。
示す。コンデンサ２７は、透明電極２６と光導電層２５
と底部電極２８とから成る光導電パ膜ヲ示し、トランジ
スタ２８は、Ｐ 型拡散層１５１をゲート、Ｎ＋型型数
散層１６ソース、Ｎ＋＋埋込層１８をドレインとし、Ｎ
−型（又はＮ型）エピタキシャルＮ１４をチャネル部と
した読出し用Ｎチャネル５ＩＴ（又はＪ−Ｆ’ＥＴ ）
を示す。フンデ。
ンサ２９は、ゲート電極２８とソース電極２１との間に
形成されるキャパシタンス（Ｏｇ ）を示す。
形成されるキャパシタンス（Ｏｇ ）を示す。
トランジスタ８０は、光の入射によって電位が変動シた
トランジスタ２８のゲート電位を一定値■Ｓにリセット
するためのリセット・トランジスタ −（本実施例の場
合は、ＰチャンネルＭＯ８）ランジスタ１７より成る）
である。ソース電極配線ラインを８１で、ドレイン拡散
層配線ラインを３２で、リセットゲート電極配線ライン
を８８で示す。
トランジスタ２８のゲート電位を一定値■Ｓにリセット
するためのリセット・トランジスタ −（本実施例の場
合は、ＰチャンネルＭＯ８）ランジスタ１７より成る）
である。ソース電極配線ラインを８１で、ドレイン拡散
層配線ラインを３２で、リセットゲート電極配線ライン
を８８で示す。
また、ソース電極配線ライン８１につけた負荷損１′・
抗を８４で示す。
抗を８４で示す。
なお、前述したようにリセット・トランジスタ８０のド
レイン電極を設ける場合には、リセットドレイン電極配
線ラインが必要となるが、ドレインをＰ十型拡散層２０
を介して基板１１に直接に ！□・接続し、基板よりド
レインに電圧を供給する場合。
レイン電極を設ける場合には、リセットドレイン電極配
線ラインが必要となるが、ドレインをＰ十型拡散層２０
を介して基板１１に直接に ！□・接続し、基板よりド
レインに電圧を供給する場合。
には、リセット電極配線ラインは不要となる（第２ｂ図
の場合）。
の場合）。
次に、第２ｂ図の等価回路を用いて第１実施例の動作に
ついて説明する。光導電膜２７の両端に。
ついて説明する。光導電膜２７の両端に。
透明電極側が底部電極側に対し高くなるようにバイアス
をかけておく。光が入射して光導電膜中で電子−正孔対
が発生すると、電子はより高電圧の透明電極側に吸収さ
れ、他方、正孔は光導電膜中の電界で加速されて底部電
極側に達し、ゲート点Ｉ・・３５の電位Ｖｇを上昇させ
る。この場合、電位上昇ノ傾きはソース電極との間にあ
るキャパシタンスＣｇの大きさによって決められ、Ｇｇ
が大きければ電位上昇の傾きはゆるやかに、Ｃｇが小さ
ければ電位上昇の傾きは急峻になり、所望の読取し特性
に１・応じてその値を設定する。このＧｇは、主として
ソース電極２１とゲート電極２８との間の絶縁容量から
構成されるので、ゲート点８５の電位に関係しないほぼ
一定値であるが、実際にはゲート拡散層１５とチャネル
部】４及びソース拡散層１６と゛□の間の空乏層容量が
加わり空乏層容量の印加電圧１非線形状から完全な一定
値とは言えない。ただし、チャンネル部１４の濃度が低
いＳＩＴの場合などは特にこの空乏層容量の寄与分は無
視することができ、従ってゲート点８５の電位は光導電
膜中で−。
をかけておく。光が入射して光導電膜中で電子−正孔対
が発生すると、電子はより高電圧の透明電極側に吸収さ
れ、他方、正孔は光導電膜中の電界で加速されて底部電
極側に達し、ゲート点Ｉ・・３５の電位Ｖｇを上昇させ
る。この場合、電位上昇ノ傾きはソース電極との間にあ
るキャパシタンスＣｇの大きさによって決められ、Ｇｇ
が大きければ電位上昇の傾きはゆるやかに、Ｃｇが小さ
ければ電位上昇の傾きは急峻になり、所望の読取し特性
に１・応じてその値を設定する。このＧｇは、主として
ソース電極２１とゲート電極２８との間の絶縁容量から
構成されるので、ゲート点８５の電位に関係しないほぼ
一定値であるが、実際にはゲート拡散層１５とチャネル
部】４及びソース拡散層１６と゛□の間の空乏層容量が
加わり空乏層容量の印加電圧１非線形状から完全な一定
値とは言えない。ただし、チャンネル部１４の濃度が低
いＳＩＴの場合などは特にこの空乏層容量の寄与分は無
視することができ、従ってゲート点８５の電位は光導電
膜中で−。
発生した電子−正孔対の量にほぼ比例して高くなる。例
えばゲート電位の初期設定値は一５■に対し一１■まで
上昇する。
えばゲート電位の初期設定値は一５■に対し一１■まで
上昇する。
次に信号読出し動作について述べる。信号読出し時には
、ドレイン電極配線ライン３２が選ばれ１喝）て高電圧
（例えば＋１２Ｖ）にバイアスされ更にソース電極配線
ライン８１も選ばれて例えば負荷抵抗８４を介してＯｖ
に接地される。このとき読出しトランジスタ２８に流れ
た電流の値を負荷抵抗８４で電圧に変換して出力電圧と
して読出す。 ｌ’１ドレイン電流Ｉｄは、ゲート点８
５の電位ｖｇとドレイン電圧Ｖｄとによって定まる。ド
レイン電流工ｄは、次式によって与えられる。
、ドレイン電極配線ライン３２が選ばれ１喝）て高電圧
（例えば＋１２Ｖ）にバイアスされ更にソース電極配線
ライン８１も選ばれて例えば負荷抵抗８４を介してＯｖ
に接地される。このとき読出しトランジスタ２８に流れ
た電流の値を負荷抵抗８４で電圧に変換して出力電圧と
して読出す。 ｌ’１ドレイン電流Ｉｄは、ゲート点８
５の電位ｖｇとドレイン電圧Ｖｄとによって定まる。ド
レイン電流工ｄは、次式によって与えられる。
η：係数（〈１）
μ：電圧増幅率（〉］）
ｒＳ＋ソースから固有ゲートまでの直列抵抗刊行物「半
導体研究」第１５巻第１５９ページ等によれば、Ｓ工Ｔ
の場合ドレイン電流が大きいと一□ころではゲート電圧
は実効的に逆方向に深くなり、ドレイン電流の増加は次
第にゲート電圧に比例するようになる。即ち、Ｉｄが大
きい場合となる。
導体研究」第１５巻第１５９ページ等によれば、Ｓ工Ｔ
の場合ドレイン電流が大きいと一□ころではゲート電圧
は実効的に逆方向に深くなり、ドレイン電流の増加は次
第にゲート電圧に比例するようになる。即ち、Ｉｄが大
きい場合となる。
この読出し特性については、工ｄの大きい線形領域で読
出すか又は７ｇに対する非線形な領域で読出して、後に
何んらかの方法で線形関係に変換するなど様々な方式が
考えられる。
出すか又は７ｇに対する非線形な領域で読出して、後に
何んらかの方法で線形関係に変換するなど様々な方式が
考えられる。
読出しトランジスタ２８がＪ−ＦＥＴの場合、■ｄ〈φ
Ｂ −Ｖｇ （φ８はゲート接合拡散電位）なる非飽和
動作では、 ｃＴｏ：係数 ｄ ：ゲート間隔 となり、ゲート電圧■ｇのドレイン電流Ｉｄに対する関
係は平方根の関係となる。こうした読出し特性は階調を
１で読出そうとする場合には、線形な関係にもどしてや
る必要があるが、ダイナミックレンジの広い撮像光の場
合には平方根で圧縮した読出し特性は有効となる。
Ｂ −Ｖｇ （φ８はゲート接合拡散電位）なる非飽和
動作では、 ｃＴｏ：係数 ｄ ：ゲート間隔 となり、ゲート電圧■ｇのドレイン電流Ｉｄに対する関
係は平方根の関係となる。こうした読出し特性は階調を
１で読出そうとする場合には、線形な関係にもどしてや
る必要があるが、ダイナミックレンジの広い撮像光の場
合には平方根で圧縮した読出し特性は有効となる。
次に、本発明固体撮像素子の第２実施例を説明する。第
８ａ図はその断面構造図、第８ｂ図は−１・・部を変形
した断面構造図、第８ｃ図は等価回路図、第８ｄ図は動
作を説明するためのリセット・タイミング図である。本
実施例は、読出しトランジスタ４０をＮチャネルＪ−Ｆ
ＥＴとした場合である。
８ａ図はその断面構造図、第８ｂ図は−１・・部を変形
した断面構造図、第８ｃ図は等価回路図、第８ｄ図は動
作を説明するためのリセット・タイミング図である。本
実施例は、読出しトランジスタ４０をＮチャネルＪ−Ｆ
ＥＴとした場合である。
Ｎ型基板４１上にＰ＋型埋込み拡散層４２を形成・・し
、トランジスタ４０の底部ゲート拡散層とする。
、トランジスタ４０の底部ゲート拡散層とする。
この上にＮ型エピタキシャル層４８を堆積する。
次に、表面のＰ型ゲート拡散Ｊｉ ４４と底部ゲート４
２とを接続するためのＰ十型拡散層４５及び撮像素子間
のアイソレーションのための絶縁層又はＰ＋・・・型拡
散層４６を形成する。更に、読出しトランジスタ４０の
ソース及びドレインとなるＮ＋型型数散層４７形成し、
ソース電極配線層４８及びドレイン電極配線層４８′を
不純物をドープした多結晶シリコン層又はモリブデンや
タングステン等の高・融点金属で形成する。ゲート拡散
層４４上に絶縁層４９を挾んで多結晶シリコン層などに
よる電極層５０を形成し、この電極層の上に絶縁層５１
を挾んで光導電膜５２の底部電極層５８を遮光性のある
金属（例えばＡｌ）で形成する。その際、読１・・取し
トランジスタ４０の活性領域全面を−うようにし、同時
に底部ゲート拡散層４２とのオーム接触をとる。底部電
極層５８の上に光導電膜５２及び透明電極５４を形成す
る。
２とを接続するためのＰ十型拡散層４５及び撮像素子間
のアイソレーションのための絶縁層又はＰ＋・・・型拡
散層４６を形成する。更に、読出しトランジスタ４０の
ソース及びドレインとなるＮ＋型型数散層４７形成し、
ソース電極配線層４８及びドレイン電極配線層４８′を
不純物をドープした多結晶シリコン層又はモリブデンや
タングステン等の高・融点金属で形成する。ゲート拡散
層４４上に絶縁層４９を挾んで多結晶シリコン層などに
よる電極層５０を形成し、この電極層の上に絶縁層５１
を挾んで光導電膜５２の底部電極層５８を遮光性のある
金属（例えばＡｌ）で形成する。その際、読１・・取し
トランジスタ４０の活性領域全面を−うようにし、同時
に底部ゲート拡散層４２とのオーム接触をとる。底部電
極層５８の上に光導電膜５２及び透明電極５４を形成す
る。
撮像素子間のアイソレーションを確実にするたｌ−′め
には、アイソレーション層４６をＰ＋型拡散層で形成し
た場合に、この拡散層の電位がフローティングしてしま
うのを避けるために第８ｂ図に示すように変形するのが
有効である。即ち、基板４１をＰ型基板として拡散層４
６とオーム接触を２Ｉとり、ゲート拡散層４２を基板４
１に対してアイ１ソレートするためには、この拡散層４
２を形成する前に、いったんＮ＋型型数散層５５形成し
た後に新ためてゲート拡散層４２を形成する。この方法
は、特開昭５６−９８８５７号公報に開示されている。
には、アイソレーション層４６をＰ＋型拡散層で形成し
た場合に、この拡散層の電位がフローティングしてしま
うのを避けるために第８ｂ図に示すように変形するのが
有効である。即ち、基板４１をＰ型基板として拡散層４
６とオーム接触を２Ｉとり、ゲート拡散層４２を基板４
１に対してアイ１ソレートするためには、この拡散層４
２を形成する前に、いったんＮ＋型型数散層５５形成し
た後に新ためてゲート拡散層４２を形成する。この方法
は、特開昭５６−９８８５７号公報に開示されている。
次に、第８Ｃ図に示す等価回路に基づいて動作を説明す
る０リセット機構を除けば、はぼ第１実施例と同じであ
るから相違点についてのみ説明する。入射光量−読出し
電流の関係式の傾きを定めＩ・・るフローティング・ゲ
ート点５６のキャパシタンスは、リセット電極５ｏに対
する絶縁層５１を介したゲート電極５８の容量及びリセ
ット電極５０に対する絶縁層４９を介したゲート拡散層
４４の容量（この２つの容量を合わせてＯＲとする）及
１−・びソース拡散層４７に対するゲート拡散層４２
゜４５の容量（これら容量を合わせてＣｇとする）から
構成される。この等価回路では、光導電膜５７、読出し
トランジスタ５８、キャパシタ（４５９、キャパシタＯ
Ｒ６０、ソース電極配線ライ ゛。
る０リセット機構を除けば、はぼ第１実施例と同じであ
るから相違点についてのみ説明する。入射光量−読出し
電流の関係式の傾きを定めＩ・・るフローティング・ゲ
ート点５６のキャパシタンスは、リセット電極５ｏに対
する絶縁層５１を介したゲート電極５８の容量及びリセ
ット電極５０に対する絶縁層４９を介したゲート拡散層
４４の容量（この２つの容量を合わせてＯＲとする）及
１−・びソース拡散層４７に対するゲート拡散層４２
゜４５の容量（これら容量を合わせてＣｇとする）から
構成される。この等価回路では、光導電膜５７、読出し
トランジスタ５８、キャパシタ（４５９、キャパシタＯ
Ｒ６０、ソース電極配線ライ ゛。
ン６１． ドレイン電極配線ライン６２、リセット１
電極配線ライン６８、を示し、リセット電極６８への印
加パルスをφＲ，ゲート電位をＶｇとする。
電極配線ライン６８、を示し、リセット電極６８への印
加パルスをφＲ，ゲート電位をＶｇとする。
光導電膜５７で光電変換された正孔がゲート電極５８に
次第に蓄積され（第８ｄ図に６５で示す。
次第に蓄積され（第８ｄ図に６５で示す。
成分）ゲー）ｉ位ｖｇが上昇する。そしてドレイン電極
及びソース電極が選ばれて、ゲート電位Ｖｇに応じたド
レイン電流が流れ（詳しくは第１実施例と同じ）、ソー
ス配線ライン６１に接続した負荷抵抗６４によって電圧
に変換され出方電圧とし１・・て続出される。
及びソース電極が選ばれて、ゲート電位Ｖｇに応じたド
レイン電流が流れ（詳しくは第１実施例と同じ）、ソー
ス配線ライン６１に接続した負荷抵抗６４によって電圧
に変換され出方電圧とし１・・て続出される。
次にゲー）［位のリセットについて第８ｄ図のタイミン
グ図を参照しながら説明する。タイミング上工でリセッ
トパルスφＲは立上がり、振幅ｖＲが、となるように設
定すれば、ゲート電位■ｇはソース電位（ＯＶとする）
に対しＶ にクランプされる。
グ図を参照しながら説明する。タイミング上工でリセッ
トパルスφＲは立上がり、振幅ｖＲが、となるように設
定すれば、ゲート電位■ｇはソース電位（ＯＶとする）
に対しＶ にクランプされる。
Ｅ
次の軸の立下がりｔ２でゲー）［１位はの負の電位にリ
セットされ撮像可能な状態になる。
セットされ撮像可能な状態になる。
入射光によるゲートへの正孔蓄積によって第８ｄ・図に
６５で示すように電位は次第に上昇し続け、読出し後再
び一定値ニリセットされる。ゲートに蓄積された過剰な
正孔は、φＲの立上がり時にゲート・ソース接合を通し
てはきｔＯｋ３される。
６５で示すように電位は次第に上昇し続け、読出し後再
び一定値ニリセットされる。ゲートに蓄積された過剰な
正孔は、φＲの立上がり時にゲート・ソース接合を通し
てはきｔＯｋ３される。
次に、本発明の第８実施例を説明する。第４ａ１・・図
はその断面構造図、第４ｂ図は第４ａ図のＡ−Ａ′断面
図、第４Ｃ図は動作説明のための等価回路図である。本
実施例は、読出しトランジスタ７０が、ＮチャネルＭＯ
８ＦＥＴの場合である。
はその断面構造図、第４ｂ図は第４ａ図のＡ−Ａ′断面
図、第４Ｃ図は動作説明のための等価回路図である。本
実施例は、読出しトランジスタ７０が、ＮチャネルＭＯ
８ＦＥＴの場合である。
Ｐ型基板７１上にＰ＋型チャネルストップ拡散 １′７
８７！！及びＭ択［ＥＩ［ｌ［層７ Ｂ （ａ称ＬＯＯ
ＯＦ３＠造）を形成後、ゲート醗化膜７４を成長させる
。
８７！！及びＭ択［ＥＩ［ｌ［層７ Ｂ （ａ称ＬＯＯ
ＯＦ３＠造）を形成後、ゲート醗化膜７４を成長させる
。
次に、不純物をドープした多結晶シリコン又はモリブデ
ンやタングステン等の高融点金属によってゲート電極７
５とリセット・トランジスタ７６のｈ′（１５） ゲート電極７７を形成し、そして読出しトラフジ１スタ
フ０のソース電極７８、ドレイン電極７９及びリセット
・トランジスタ７６のドレイン電極８６をそれぞれ形成
する。同時に、読取もトランジスタ〜７０のＮ＋型ソー
ス拡散層８０． ドレイン−に散Ｐｉｌｓ】、そして
リセット・トランジスタ７６のＮ＋型ソース拡散層８２
、ドレイン拡散層８８をそれぞれ形成する。
ンやタングステン等の高融点金属によってゲート電極７
５とリセット・トランジスタ７６のｈ′（１５） ゲート電極７７を形成し、そして読出しトラフジ１スタ
フ０のソース電極７８、ドレイン電極７９及びリセット
・トランジスタ７６のドレイン電極８６をそれぞれ形成
する。同時に、読取もトランジスタ〜７０のＮ＋型ソー
ス拡散層８０． ドレイン−に散Ｐｉｌｓ】、そして
リセット・トランジスタ７６のＮ＋型ソース拡散層８２
、ドレイン拡散層８８をそれぞれ形成する。
ゲート電極上に絶縁Ｎ８７を介して遮光性電極８８（例
えばＡｌ膜）をほぼ全面に堆積させ、そしｌ・・て光導
電膜８４、透明電極８５を、前記実施例の場合と同じ材
料を用いてそれぞれ形成する。
えばＡｌ膜）をほぼ全面に堆積させ、そしｌ・・て光導
電膜８４、透明電極８５を、前記実施例の場合と同じ材
料を用いてそれぞれ形成する。
（１６）
以下、第４０図の等価回路を参照して、特に前１記実施
例と相違する点を中心に説明する。
例と相違する点を中心に説明する。
光導電膜９０で発生した正孔が読出しトランジスタ９１
のゲートに蓄積され、ゲート電極７５の基板７１に対す
る容ｆｉｔ Ｏｄと絶縁膜８７を介して 。
のゲートに蓄積され、ゲート電極７５の基板７１に対す
る容ｆｉｔ Ｏｄと絶縁膜８７を介して 。
成るソース電極７８との容Ｍｃｇとにより定まる傾きに
よりゲート電位は次第に上昇する。読出し時はドレイン
電極配線ライン９２が選ばれて、ドレインに高い電圧が
印加され、同時にソース電極配線ライン９８が選択され
て、負荷抵抗９４を介１．。
よりゲート電位は次第に上昇する。読出し時はドレイン
電極配線ライン９２が選ばれて、ドレインに高い電圧が
印加され、同時にソース電極配線ライン９８が選択され
て、負荷抵抗９４を介１．。
して接地（Ｏｖ）される。その選択時のドレイン電圧ｖ
ｄとゲート電位ｖｇの可変範囲を読出しトランジスタ９
１が非飽和領域でのみ動作するようにＯｇ＋ Ｃｄ等を
調整しておけば、この選択時のドレイン電流Ｉｄはゲー
ト電位Ｖｇに対し Ｉｄ−β（（Ｖ、−ＶＴ）Ｖｄ＋ｖａ”）で表わされ、
ゲート電位に比例したドレイン電流が得られる。従って
、読出し期間内の入射光緻に比例した読出し電圧が負荷
抵抗端で得られる。
ｄとゲート電位ｖｇの可変範囲を読出しトランジスタ９
１が非飽和領域でのみ動作するようにＯｇ＋ Ｃｄ等を
調整しておけば、この選択時のドレイン電流Ｉｄはゲー
ト電位Ｖｇに対し Ｉｄ−β（（Ｖ、−ＶＴ）Ｖｄ＋ｖａ”）で表わされ、
ゲート電位に比例したドレイン電流が得られる。従って
、読出し期間内の入射光緻に比例した読出し電圧が負荷
抵抗端で得られる。
ゲート電位ｖｇの初期値は、入射装置が零の場 ・・合
にドレイン電流が零か微小な値になるように １ｖＴ又
はｖＴよりやや大きい飴に設定する。即ちリセット・ト
ランジスタ９５によって読出し後適当なタイミング図ゲ
ート電極配線ライン９６を選択してゲートを励起し、上
述した設定ＭＶ６に設定 。
にドレイン電流が零か微小な値になるように １ｖＴ又
はｖＴよりやや大きい飴に設定する。即ちリセット・ト
ランジスタ９５によって読出し後適当なタイミング図ゲ
ート電極配線ライン９６を選択してゲートを励起し、上
述した設定ＭＶ６に設定 。
する。この設定値■ を供給するドレイン電極配線ライ
ン９２をわざわざ設けるのが大変であれば、隣のソース
電極配線ライン９７に点線９８で示すように接続し、隣
の撮像素子の読取り前か読出し後に上記設定値に設定す
る方法も配線を減らす上１．・で効果的である。
ン９２をわざわざ設けるのが大変であれば、隣のソース
電極配線ライン９７に点線９８で示すように接続し、隣
の撮像素子の読取り前か読出し後に上記設定値に設定す
る方法も配線を減らす上１．・で効果的である。
以上実施例で示してきたように積層型固体撮像素子の持
つ大きな開口率、短波長、検出可能にする光電変換効率
の向上、ブルーミングが起らないなどの特長に加え、光
電変換で得られたキャリア１゜をＳＩＴ 、Ｊ−ＦＥＴ
又はＭＯＳ−ＦＥ’ｌ’等のゲートに蓄積することによ
りトランジスタの有する増ｌｌ１ｉ機構を利用して増幅
された電流を検出感度良く読出すことができ、特に低照
度撮像や高速シャッタ読出し又は高密度化に作う単位撮
像面積の低・・下に対してパラメータによる増＋１１’
ｔｉｉ 率の加減をしな。
つ大きな開口率、短波長、検出可能にする光電変換効率
の向上、ブルーミングが起らないなどの特長に加え、光
電変換で得られたキャリア１゜をＳＩＴ 、Ｊ−ＦＥＴ
又はＭＯＳ−ＦＥ’ｌ’等のゲートに蓄積することによ
りトランジスタの有する増ｌｌ１ｉ機構を利用して増幅
された電流を検出感度良く読出すことができ、特に低照
度撮像や高速シャッタ読出し又は高密度化に作う単位撮
像面積の低・・下に対してパラメータによる増＋１１’
ｔｉｉ 率の加減をしな。
がら効果的に対応することかできる。
特に読出しトランジスタにＳＩＴを用いた場合には電位
上昇に伴ってゲート電位−ドレイン電流が線型に近づき
撮像素子に適した読出し特性か得られ、又低照度域−高
照度域にわたりやや圧縮がかけられた特性となり広い照
度域の撮像には特に好適であるし、更にチャネル抵抗が
小さいため高速読出しが可能となる。ゲート電位のリセ
ットには一般にリセット・トランジスタが必要となるが
〜・リセットゲート電極のみ昏こよる電荷はき出し法は
リセットゲート電極を重ねる形で設けるため高密度化の
点で非常に有効である。
上昇に伴ってゲート電位−ドレイン電流が線型に近づき
撮像素子に適した読出し特性か得られ、又低照度域−高
照度域にわたりやや圧縮がかけられた特性となり広い照
度域の撮像には特に好適であるし、更にチャネル抵抗が
小さいため高速読出しが可能となる。ゲート電位のリセ
ットには一般にリセット・トランジスタが必要となるが
〜・リセットゲート電極のみ昏こよる電荷はき出し法は
リセットゲート電極を重ねる形で設けるため高密度化の
点で非常に有効である。
第１図は従来の固体撮像素子の断面構造図、 １第２ａ
図は不発明の第１実施例の断面構造図、第２ｂ図は第２
ａ図に示す固体撮像素子の等価回路図、 第３ａ図は本発明の第２実施例の断面構造図、第８ｂ図
は第８ａ図の構造を一部変形した固体□・、撮ｌ＃累子
の断面構造図、 第３Ｇ図は等価回路図、 第８ｄ図は動作説明のためのリセット・タイミング図、 第４ａ図は本発明の第８実施例の断面構造図、第４ｂ図
は第４ａ図のＡ−ＡＩ線断面構造図、第４０図は等価回
路図である０ １１．４１．７１・・・基板 １２．４０．７０・・・読出しトランジスタ１４．４３
・・・エピタキシャル層 １５．４４・・・ゲート拡散層 １６．８２・・・ソース拡散層 １７．７８・・・リセット・トランジスタ１８．８１・
・・ドレイン拡散層 ２５．５２．８４・・・光導電膜 ２６．５４．８５・・・透明電極 ！’ｌ、５８．８８・・・遮光性電極 ６２．９２・・・ドレイン電極配線ライン８１．６１．
９３・・・ソース電極配線ライン８８．６８・・・リセ
ット電極配線ライン第１図 第２ａ図 第３ａ図 第２ｂ図 手続補正書 昭和５９年３ 月８ 日 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第２１７７１９号Ｚ発明の名称 固体撮像素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０８’７）オリンパス光学工業株式会社５゜ ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄１
明細書第７頁第１７行のｒ（ＩＴＱ）ｊをｒ（ＩＴｏ）
」に訂正する。 ２同第８頁第１４行の「リセット」の後に１トランジス
タの」を加入する。 ８同第９頁第５行の「２７」を１２５」に訂正し、同頁
第１５行の「読取し」を「読出し」に訂正する。 ４同第１０頁第８行の「】４の」の後に１不純物」を加
入する。 ５、同第１４頁第４行の「新ためて」を「改ためて」に
訂正し、 同頁第１７行の［（これら容量を合わせてＯｇとする〕
」を［（この容置をＯｇとする）」に訂正する。 ６、同第１９頁第１８行の「短波長、」を「短波長を」
に訂正する。 代理人弁理士 杉 村 暁 秀外１名
図は不発明の第１実施例の断面構造図、第２ｂ図は第２
ａ図に示す固体撮像素子の等価回路図、 第３ａ図は本発明の第２実施例の断面構造図、第８ｂ図
は第８ａ図の構造を一部変形した固体□・、撮ｌ＃累子
の断面構造図、 第３Ｇ図は等価回路図、 第８ｄ図は動作説明のためのリセット・タイミング図、 第４ａ図は本発明の第８実施例の断面構造図、第４ｂ図
は第４ａ図のＡ−ＡＩ線断面構造図、第４０図は等価回
路図である０ １１．４１．７１・・・基板 １２．４０．７０・・・読出しトランジスタ１４．４３
・・・エピタキシャル層 １５．４４・・・ゲート拡散層 １６．８２・・・ソース拡散層 １７．７８・・・リセット・トランジスタ１８．８１・
・・ドレイン拡散層 ２５．５２．８４・・・光導電膜 ２６．５４．８５・・・透明電極 ！’ｌ、５８．８８・・・遮光性電極 ６２．９２・・・ドレイン電極配線ライン８１．６１．
９３・・・ソース電極配線ライン８８．６８・・・リセ
ット電極配線ライン第１図 第２ａ図 第３ａ図 第２ｂ図 手続補正書 昭和５９年３ 月８ 日 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第２１７７１９号Ｚ発明の名称 固体撮像素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０８’７）オリンパス光学工業株式会社５゜ ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄１
明細書第７頁第１７行のｒ（ＩＴＱ）ｊをｒ（ＩＴｏ）
」に訂正する。 ２同第８頁第１４行の「リセット」の後に１トランジス
タの」を加入する。 ８同第９頁第５行の「２７」を１２５」に訂正し、同頁
第１５行の「読取し」を「読出し」に訂正する。 ４同第１０頁第８行の「】４の」の後に１不純物」を加
入する。 ５、同第１４頁第４行の「新ためて」を「改ためて」に
訂正し、 同頁第１７行の［（これら容量を合わせてＯｇとする〕
」を［（この容置をＯｇとする）」に訂正する。 ６、同第１９頁第１８行の「短波長、」を「短波長を」
に訂正する。 代理人弁理士 杉 村 暁 秀外１名
Claims (1)
- １ 半導体基板と、光検知領域としてこの半導体基板の
上側に形成され表面を透明電極で底面を遮光性膜で形成
した光導電層又は非晶質半導体層と、この光導電層又は
非晶質半導体層の下側に形成され、前記遮光性膜に対し
ゲート電極をオーム接融した読出しトランジスタと、前
記ゲート電極の電位をリセットするためのリセットゲー
ト電極又はリセット・トランジスタとを具えることを特
徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217719A JPS59108457A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 固体撮像素子 |
| US06/555,987 US4589003A (en) | 1982-12-14 | 1983-11-29 | Solid state image sensor comprising photoelectric converting film and reading-out transistor |
| DE19833345239 DE3345239A1 (de) | 1982-12-14 | 1983-12-14 | Festkoerper-bildsensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217719A JPS59108457A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59108457A true JPS59108457A (ja) | 1984-06-22 |
| JPH0414543B2 JPH0414543B2 (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=16708660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57217719A Granted JPS59108457A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 固体撮像素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4589003A (ja) |
| JP (1) | JPS59108457A (ja) |
| DE (1) | DE3345239A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10308153B2 (en) | 2014-07-11 | 2019-06-04 | Woobo Tech Co., Ltd. | Headrest moving device |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4670765A (en) * | 1984-04-02 | 1987-06-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor photodetector element |
| JPS60254886A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS6199369A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子 |
| USRE34309E (en) * | 1984-12-26 | 1993-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor device having plural photoelectric converting elements |
| EP0187047B1 (en) * | 1984-12-26 | 1992-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor device |
| JPS62122268A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子 |
| DE3544182A1 (de) * | 1985-12-13 | 1987-06-19 | Heimann Gmbh | Kontaktbildsensorzeile |
| US4760437A (en) * | 1986-01-03 | 1988-07-26 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Neural networks |
| US5204544A (en) * | 1987-07-03 | 1993-04-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device with stabilizing electrode |
| JPS6442992A (en) * | 1987-08-08 | 1989-02-15 | Olympus Optical Co | Solid-state image pickup device |
| NL8802252A (nl) * | 1988-05-31 | 1989-12-18 | Imec Inter Uni Micro Electr | Detectie-inrichting voor straling. |
| US5155570A (en) * | 1988-06-21 | 1992-10-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit having a pattern layout applicable to various custom ICs |
| EP0490997A4 (en) * | 1989-09-06 | 1993-01-27 | The University Of Michigan, Intellectual Property Office | Multi-element-amorphous-silicon-detector-array for real-time imaging and dosimetry of megavoltage photons and diagnostic x-rays |
| JPH06334920A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-12-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 固体撮像素子とその駆動方法 |
| US5818052A (en) * | 1996-04-18 | 1998-10-06 | Loral Fairchild Corp. | Low light level solid state image sensor |
| JP4073831B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2008-04-09 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 入射光の測定方法及びそれを用いた分光機構を有するセンサー |
| CN111711746A (zh) | 2012-03-30 | 2020-09-25 | 株式会社尼康 | 摄像装置以及摄像元件 |
| US11373705B2 (en) | 2020-11-23 | 2022-06-28 | Micron Technology, Inc. | Dynamically boosting read voltage for a memory device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5132223A (ja) * | 1974-09-13 | 1976-03-18 | Hitachi Ltd | |
| JPS55120182A (en) * | 1979-03-08 | 1980-09-16 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Photoelectric converter |
| JPS55124259A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Semiconductor Res Found | Semiconductor device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5670673A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-12 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
| JPS56152280A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Hitachi Ltd | Light receiving surface |
-
1982
- 1982-12-14 JP JP57217719A patent/JPS59108457A/ja active Granted
-
1983
- 1983-11-29 US US06/555,987 patent/US4589003A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-12-14 DE DE19833345239 patent/DE3345239A1/de active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5132223A (ja) * | 1974-09-13 | 1976-03-18 | Hitachi Ltd | |
| JPS55120182A (en) * | 1979-03-08 | 1980-09-16 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Photoelectric converter |
| JPS55124259A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Semiconductor Res Found | Semiconductor device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10308153B2 (en) | 2014-07-11 | 2019-06-04 | Woobo Tech Co., Ltd. | Headrest moving device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3345239C2 (ja) | 1989-07-13 |
| JPH0414543B2 (ja) | 1992-03-13 |
| DE3345239A1 (de) | 1984-06-14 |
| US4589003A (en) | 1986-05-13 |
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