JPS59112421A - 磁気ヘツド - Google Patents
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- JPS59112421A JPS59112421A JP22059582A JP22059582A JPS59112421A JP S59112421 A JPS59112421 A JP S59112421A JP 22059582 A JP22059582 A JP 22059582A JP 22059582 A JP22059582 A JP 22059582A JP S59112421 A JPS59112421 A JP S59112421A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3951—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes
- G11B5/3954—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes the active elements transducing on a single track
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁性磁気抵抗効果素子を使った磁気ヘッドに
関する。
関する。
強磁性磁気抵抗効果素子（以下風素子と略す）は印加さ
れる磁界に応じて電気抵抗が変化する素子であり、検出
感度が高いことから再生用磁気ヘッドとして応用されつ
つある。代表的材料としてはＮ ｉ Ｆ ｅ合金やＮ
ｉ Ｃｏ合金等がよく知られていへこれらは磁界による
抵抗変化率が２〜５チ程度であるが、同時に温度によっ
ても抵抗変化を生じ、４〜１０′Ｃ程度の温度変化は信
号磁界による変化１に匹敵する程度にまで達する。この
ような温度変化しこよって生じる疑似信号成分を除弄す
るため、従来の磁気ヘッドでは第１図に示すように２つ
のＭＲ＄子を配貨して差動出力、すなわち抵抗変化Ｉの
差を出力とする方法が知られている。これは磁気記録媒
体３に近い方のＭＲ素子１には信号磁界が印加されるの
に対し、磁気記録媒体３から離れたＭＲ１子２では磁界
が印加されないことを利用して、その差動をとることに
より、温度変化によって生ずる同相の抵抗変化分を除去
するものである。しかし、この方式はゆっくりとした広
域的な温度変化には対応できるのであるが磁タヘッドの
ように磁気Ｈｅ録媒体との摺動ないし微小凸起との衝突
によって生ずる局所的瞬間的な温度変化に対してはＭ’
Ｒ素子１と２の温度上昇の時間差のため、スパイク状の
疑似信号の発生が不可避であった。
れる磁界に応じて電気抵抗が変化する素子であり、検出
感度が高いことから再生用磁気ヘッドとして応用されつ
つある。代表的材料としてはＮ ｉ Ｆ ｅ合金やＮ
ｉ Ｃｏ合金等がよく知られていへこれらは磁界による
抵抗変化率が２〜５チ程度であるが、同時に温度によっ
ても抵抗変化を生じ、４〜１０′Ｃ程度の温度変化は信
号磁界による変化１に匹敵する程度にまで達する。この
ような温度変化しこよって生じる疑似信号成分を除弄す
るため、従来の磁気ヘッドでは第１図に示すように２つ
のＭＲ＄子を配貨して差動出力、すなわち抵抗変化Ｉの
差を出力とする方法が知られている。これは磁気記録媒
体３に近い方のＭＲ素子１には信号磁界が印加されるの
に対し、磁気記録媒体３から離れたＭＲ１子２では磁界
が印加されないことを利用して、その差動をとることに
より、温度変化によって生ずる同相の抵抗変化分を除去
するものである。しかし、この方式はゆっくりとした広
域的な温度変化には対応できるのであるが磁タヘッドの
ように磁気Ｈｅ録媒体との摺動ないし微小凸起との衝突
によって生ずる局所的瞬間的な温度変化に対してはＭ’
Ｒ素子１と２の温度上昇の時間差のため、スパイク状の
疑似信号の発生が不可避であった。
本発明の目的は上記の欠点をなくし、より完全な温度補
償を行なって誤りのない再生出力が得られる磁気ヘッド
を提供することｋある。
償を行なって誤りのない再生出力が得られる磁気ヘッド
を提供することｋある。
本発明の磁気ヘッドは磁気記録媒体対向面上に１つの端
面を有する高透磁率磁性体薄膜からなるヨーク、及びこ
のヨークのもう一方の娼面に近接して配置した２つのＭ
Ｒ素子、及びこの２つの■ムＲ素子に互いに逆方向の磁
気バイアスを形成する機構とを有しして構成され、２つ
のＭＲ素子の抵抗変化量の差を出力とすることを特徴と
する。
面を有する高透磁率磁性体薄膜からなるヨーク、及びこ
のヨークのもう一方の娼面に近接して配置した２つのＭ
Ｒ素子、及びこの２つの■ムＲ素子に互いに逆方向の磁
気バイアスを形成する機構とを有しして構成され、２つ
のＭＲ素子の抵抗変化量の差を出力とすることを特徴と
する。
次に本発明の実施例について図面を参照して訝明する。
第２図を参照すると、本宵明の第１の５．１施例は高透
磁率磁性体薄膜から成るヨーク１１．２つのへ４Ｒ素子
１２．１３、及びこれに逆方向の磁気バイア７゜を形成
する機構としての導電体ストライプ１４とを庁む。この
国でけｉｆｆのため省略しているが、これらはヘッドス
ライダ−上、ないしその内部に設装置され対向面１５が
磁気記録ｎ体１６に向き合さ。”ｌ−り１１ ノ１ツｆ
７）４面１７１４．”：、１７）幻１ｉｊＪ Ｔｈ、ｉ
ｌ ５上にある。ＩＲ鍬子１２，１３、はヨーク１１の
もう１方の端面１８の近１３に−り、いに近拌して配置
し、その間に、ｊｌｌ電体ストライプ１４が１’、＊Ｌ
、！・おる。
磁率磁性体薄膜から成るヨーク１１．２つのへ４Ｒ素子
１２．１３、及びこれに逆方向の磁気バイア７゜を形成
する機構としての導電体ストライプ１４とを庁む。この
国でけｉｆｆのため省略しているが、これらはヘッドス
ライダ−上、ないしその内部に設装置され対向面１５が
磁気記録ｎ体１６に向き合さ。”ｌ−り１１ ノ１ツｆ
７）４面１７１４．”：、１７）幻１ｉｊＪ Ｔｈ、ｉ
ｌ ５上にある。ＩＲ鍬子１２，１３、はヨーク１１の
もう１方の端面１８の近１３に−り、いに近拌して配置
し、その間に、ｊｌｌ電体ストライプ１４が１’、＊Ｌ
、！・おる。
次にこの動作を説明する。磁気記録媒体１６の磁化から
の磁界はヨーク１１を磁化し、この磁化によって生ずる
磁界が更に皿素子１２．１３ を磁化する。よく知ら
れているよ５に、ＭＲ素子の磁化方向をそこに流すセン
ス電流方向に対して４５″傾くように磁気バイアスする
ととＫより、感度の良い線形出力が得られる。■素子１
２．１３は導電体ストライプ１４に流すバイアス設定電
流から発生する磁界により、互いに逆方向、すなわちＭ
Ｒ素子のセンス電流方向に対してそれぞれ４５°、及び
−４５°に磁気バイアスしておくのでヨーク１１、から
の磁界に応じて互いに逆相の抵抗変化を生じる。一方温
度による抵抗の変化は飄素子材料の抵抗温度係数のみで
決まるので凧素子１２．１３の抵抗変化は同相となる。
の磁界はヨーク１１を磁化し、この磁化によって生ずる
磁界が更に皿素子１２．１３ を磁化する。よく知ら
れているよ５に、ＭＲ素子の磁化方向をそこに流すセン
ス電流方向に対して４５″傾くように磁気バイアスする
ととＫより、感度の良い線形出力が得られる。■素子１
２．１３は導電体ストライプ１４に流すバイアス設定電
流から発生する磁界により、互いに逆方向、すなわちＭ
Ｒ素子のセンス電流方向に対してそれぞれ４５°、及び
−４５°に磁気バイアスしておくのでヨーク１１、から
の磁界に応じて互いに逆相の抵抗変化を生じる。一方温
度による抵抗の変化は飄素子材料の抵抗温度係数のみで
決まるので凧素子１２．１３の抵抗変化は同相となる。
従って２つのＭＲ飯子１２．１３の差動をとる。すなわ
ち両者の抵抗変仕量の差を出力とすることにより、温度
変化の影響を受けない再生出力を得ることができる。尚
、飄素子が再生できる磁気記録媒体の最小ビット長、す
なわち分解能は一般ＫＭＲ素子と磁気記録媒体との距離
の程度であるため、通常ａμから１０戸となってしまう
が、本発明の磁気ヘッドではヨーク１１によって風素子
を間接的に磁化するため、） 声以下とすることが可能となっている。
ち両者の抵抗変仕量の差を出力とすることにより、温度
変化の影響を受けない再生出力を得ることができる。尚
、飄素子が再生できる磁気記録媒体の最小ビット長、す
なわち分解能は一般ＫＭＲ素子と磁気記録媒体との距離
の程度であるため、通常ａμから１０戸となってしまう
が、本発明の磁気ヘッドではヨーク１１によって風素子
を間接的に磁化するため、） 声以下とすることが可能となっている。
次にム反の影曽の除去効果を第３図を参照して従来の磁
気ヘッドと比較しながら説明する。第３図（ａ）はｂ’
ｒ ２図に示した実施例の断面図であり、第３図（ｂｌ
は第１図に示した従来の構成例の断面図である。前述の
ように広域的でゆっくりとした温度変化ではＭＲ索子２
１と２２、または２３と２４の間で温度は静しいりで抵
抗変化の差はなく、差動構成をとることで本発明の磁気
ヘッドでも従来のものでも同株に温度の彩譬を除去でき
る。しかし、磁気ヘッドでは通常磁気記録媒体２５．２
６との摺動ないし、微小な凸起との接触があり、これら
は媒体対向面２７．２８の表面をさな熱源が高速で移動
することに相当する。この熱源が■素子の近傍を通過す
る時、處素子２３は点状の熱源に接するため第３図（ｄ
ｌのＲ８に示す如く急数な温度上昇をおこす。これに対
し、乃Ｒ素子２］、２２及び２４は媒体対向面２７，２
８からはなれているためそれぞれ第３図（ｃ）のＲ＋
、Ｒ２及び紀３図（ｄｌのＲ４に示すように比較的ゆっ
（つとした変化となり、特にＭＲ素子２１と２２は互い
に近接して配置しているので変化は殆んど一致する。従
ってＭＲ素子２３と２４の差動をとる従来の構成のもの
では第３図（ｃｉｌの△Ｒ２で示すスパイク状の疑似信
号出力が生じのに対し１本実施例の磁気ヘッドでは第３
図（ｅ）の△Ｒ８で示すように急激で局所的な温度変化
に対しても全く影響を受けない。
気ヘッドと比較しながら説明する。第３図（ａ）はｂ’
ｒ ２図に示した実施例の断面図であり、第３図（ｂｌ
は第１図に示した従来の構成例の断面図である。前述の
ように広域的でゆっくりとした温度変化ではＭＲ索子２
１と２２、または２３と２４の間で温度は静しいりで抵
抗変化の差はなく、差動構成をとることで本発明の磁気
ヘッドでも従来のものでも同株に温度の彩譬を除去でき
る。しかし、磁気ヘッドでは通常磁気記録媒体２５．２
６との摺動ないし、微小な凸起との接触があり、これら
は媒体対向面２７．２８の表面をさな熱源が高速で移動
することに相当する。この熱源が■素子の近傍を通過す
る時、處素子２３は点状の熱源に接するため第３図（ｄ
ｌのＲ８に示す如く急数な温度上昇をおこす。これに対
し、乃Ｒ素子２］、２２及び２４は媒体対向面２７，２
８からはなれているためそれぞれ第３図（ｃ）のＲ＋
、Ｒ２及び紀３図（ｄｌのＲ４に示すように比較的ゆっ
（つとした変化となり、特にＭＲ素子２１と２２は互い
に近接して配置しているので変化は殆んど一致する。従
ってＭＲ素子２３と２４の差動をとる従来の構成のもの
では第３図（ｃｉｌの△Ｒ２で示すスパイク状の疑似信
号出力が生じのに対し１本実施例の磁気ヘッドでは第３
図（ｅ）の△Ｒ８で示すように急激で局所的な温度変化
に対しても全く影響を受けない。
この実施例で導電体ストライプ１４はヨーク１１からの
磁界によるＭＲ素子１２．１３の抵抗変化を互いに逆相
とするための機構であり、そうした逆方向のバイアス磁
化を形成する機構としては更に変形するととも可能であ
る。第４図（ａｌ、（ｂ）はそうした変形の例として簡
単のためにＭＲ素子及び磁気バイアスを形成する機前だ
けを示した図である。
磁界によるＭＲ素子１２．１３の抵抗変化を互いに逆相
とするための機構であり、そうした逆方向のバイアス磁
化を形成する機構としては更に変形するととも可能であ
る。第４図（ａｌ、（ｂ）はそうした変形の例として簡
単のためにＭＲ素子及び磁気バイアスを形成する機前だ
けを示した図である。
第４図（＆）に示したものは風素子３１及び３２の面上
にそれぞれ素子の長手方向とほぼ４５″をなす導電体バ
ー３３及び３４を設けた、いわゆるバーバーポールＭＲ
棄子として知られる構成を行なったものである。信号磁
界が加わらない状態でのん電素子３１及び３２の磁化方
向をＸ方向で同じ向きとしておく時は導電体バー３３及
び３４は互いに直交するように配置し、逆にＭＲ素子３
１．３２の磁化方向をＸ方向で互いに反対向きとしてお
く時には導電体３３汲び３４は互いに平行とすることで
所定の逆方向バイアス磁化を得ることができる。また第
４図（ｂ）に示したものはＭＲ素子３５．３６に同方向
の電流を流すように構成したものである。■素子３５．
３６は互いに近接させているため、そわぞれの抵抗変化
量の検出のために流すセンスｖＬ流Ｉ。
にそれぞれ素子の長手方向とほぼ４５″をなす導電体バ
ー３３及び３４を設けた、いわゆるバーバーポールＭＲ
棄子として知られる構成を行なったものである。信号磁
界が加わらない状態でのん電素子３１及び３２の磁化方
向をＸ方向で同じ向きとしておく時は導電体バー３３及
び３４は互いに直交するように配置し、逆にＭＲ素子３
１．３２の磁化方向をＸ方向で互いに反対向きとしてお
く時には導電体３３汲び３４は互いに平行とすることで
所定の逆方向バイアス磁化を得ることができる。また第
４図（ｂ）に示したものはＭＲ素子３５．３６に同方向
の電流を流すように構成したものである。■素子３５．
３６は互いに近接させているため、そわぞれの抵抗変化
量の検出のために流すセンスｖＬ流Ｉ。
及びＩ、によって互い＆て逆方向のバイアス磁界Ｈ１■
、が印加され所定の逆方向バイアス磁化を形成すること
ができる。こわらの変形例のものは第３図に示したもの
と比較してバイアス磁化の設定の自由度は若干低下する
のであるが、電極端子の数を余分に必要としないという
利点を有している。
、が印加され所定の逆方向バイアス磁化を形成すること
ができる。こわらの変形例のものは第３図に示したもの
と比較してバイアス磁化の設定の自由度は若干低下する
のであるが、電極端子の数を余分に必要としないという
利点を有している。
更に、ヨークは第２図及び第３図（ａｌに示した実施例
ではＭＲ零子と磁気記録媒体との間にのみ配置している
が、これを第５図（ＩＬ）に示すように反対側にもバッ
クヨーク４４を設置すれば１昭素子の４２．４３の検出
感度をより向上させることが可能である。尚、ＭＴｔ素
子とヨークとの間隔は電気的な絶縁を保ちなからなるべ
く小さく製作することが望ましいが、より簡単には第５
図（ｂ）に示す如く、ＭＲ素子４６．４７とヨーク４５
とを若干型なるようにしても特性上大きな差はない。
ではＭＲ零子と磁気記録媒体との間にのみ配置している
が、これを第５図（ＩＬ）に示すように反対側にもバッ
クヨーク４４を設置すれば１昭素子の４２．４３の検出
感度をより向上させることが可能である。尚、ＭＴｔ素
子とヨークとの間隔は電気的な絶縁を保ちなからなるべ
く小さく製作することが望ましいが、より簡単には第５
図（ｂ）に示す如く、ＭＲ素子４６．４７とヨーク４５
とを若干型なるようにしても特性上大きな差はない。
以上の実施例において、ＭＲ累素子抵抗変化率の大きい
鉄、ニッケル、コバルトの単体ない゛シ谷金の薄膜であ
り、代表的にはＮ ｉ Ｆ ｅやＮｉＣｏを拐料とし、
膜厚が２００＾から１０００＾、ストライプ幅が数戸か
らｌ０ＪＩである。また、ヨークは膜厚数千久から数７
１１程度の鳥透率磁性体であればよくやはり鉄、ニッケ
、ル、コバルトの単体ないし合金を用いることができ、
更に導電体としては金、銅、アルミニウム等が適してい
る。これらは蒸着、スパッター、めっき等の薄膜形成技
術及びフォトエ（９） ッチング等の微細加工技術によって所定の形状、配置に
製作することができる。
鉄、ニッケル、コバルトの単体ない゛シ谷金の薄膜であ
り、代表的にはＮ ｉ Ｆ ｅやＮｉＣｏを拐料とし、
膜厚が２００＾から１０００＾、ストライプ幅が数戸か
らｌ０ＪＩである。また、ヨークは膜厚数千久から数７
１１程度の鳥透率磁性体であればよくやはり鉄、ニッケ
、ル、コバルトの単体ないし合金を用いることができ、
更に導電体としては金、銅、アルミニウム等が適してい
る。これらは蒸着、スパッター、めっき等の薄膜形成技
術及びフォトエ（９） ッチング等の微細加工技術によって所定の形状、配置に
製作することができる。
本発明は以上説明したように、磁気記録媒体対向面上に
１つの端面な有する高透ｉ率磁性体薄膜から成るヨーク
、及びこのヨークのもう一方の端面に近接して配置した
２つのＭＲ素子、及びこの２つのＭＲ素子に互いに逆方
向の磁気バイアスを形成する機構とを有して構成して２
つの独素子の抵抗変化量の差を出力とすることにより、
局所的瞬間的な温度変化があっても何等影喪を受けるこ
となく、語りのない再生出力信号を得られる効果がある
１つの端面な有する高透ｉ率磁性体薄膜から成るヨーク
、及びこのヨークのもう一方の端面に近接して配置した
２つのＭＲ素子、及びこの２つのＭＲ素子に互いに逆方
向の磁気バイアスを形成する機構とを有して構成して２
つの独素子の抵抗変化量の差を出力とすることにより、
局所的瞬間的な温度変化があっても何等影喪を受けるこ
となく、語りのない再生出力信号を得られる効果がある
第１図は従来の磁気ヘッドの基本構成を示す斜視図、第
２図は本発明の一実施例の基本構成を示す斜視図、ｕ
：ｌ ｌｋｌ （ａｌ 及び（ｃｌけ＃： ２ ｍ４ｉ
ｉ（ｙｒ：、 した−実施例の断面図とその出力、ｔ
Ａ３ Ｊ （ｂｌ及び（ｄｌは年１図に示した従来例の
１Ｉ７Ｔ面凶とその出力、ａｉ’＋ ４Ｎ’ｉ （ａ）
、（ｂ）は逆方向の磁化バイアスを形成する機構の例を
（１０） 示した図であり、第５図（ａ）及び（ｂ）はヨークと胤
素子との配置の例を示した断面図である。 図において、１，２．１２．１３．２１．２２．２３．
２４．３１．３２．３５．３６．４２．４３．４６、及
び４７は凧素子、３％１６．２５、及び２６は磁り記録
媒体、１１．３０．４１、及び４５はヨーク、４４はバ
ックヨーク、１５．２７．２８．４８及び４９は磁気記
録媒体に対向する面、１７はヨークの１つの端面、１８
はヨークのもう一方の端面、１４及び２９は逆方向の磁
化バイアスを形成する導電体ストライプであり、３３囁
ｆＴ２１ 第２図 １２ １３ 第３図 ２Ｃ？ （αン
（ｈ〕第４ ２゜ （α） 第５ Ｃ久） ｔｂ）
２図は本発明の一実施例の基本構成を示す斜視図、ｕ
：ｌ ｌｋｌ （ａｌ 及び（ｃｌけ＃： ２ ｍ４ｉ
ｉ（ｙｒ：、 した−実施例の断面図とその出力、ｔ
Ａ３ Ｊ （ｂｌ及び（ｄｌは年１図に示した従来例の
１Ｉ７Ｔ面凶とその出力、ａｉ’＋ ４Ｎ’ｉ （ａ）
、（ｂ）は逆方向の磁化バイアスを形成する機構の例を
（１０） 示した図であり、第５図（ａ）及び（ｂ）はヨークと胤
素子との配置の例を示した断面図である。 図において、１，２．１２．１３．２１．２２．２３．
２４．３１．３２．３５．３６．４２．４３．４６、及
び４７は凧素子、３％１６．２５、及び２６は磁り記録
媒体、１１．３０．４１、及び４５はヨーク、４４はバ
ックヨーク、１５．２７．２８．４８及び４９は磁気記
録媒体に対向する面、１７はヨークの１つの端面、１８
はヨークのもう一方の端面、１４及び２９は逆方向の磁
化バイアスを形成する導電体ストライプであり、３３囁
ｆＴ２１ 第２図 １２ １３ 第３図 ２Ｃ？ （αン
（ｈ〕第４ ２゜ （α） 第５ Ｃ久） ｔｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気記録媒体対向面上に１つの端面を有する高透磁
率磁性体薄膜から成るヨーク、及び該ヨークのもう一方
の端面に近接して配置した２つの強磁性磁気抵抗効果素
子、及びこの２つの強磁性磁気抵抗効果素子に互いに逆
方向の磁気バイアスを形成する機構とを有して構成され
、前記２つの強磁性磁気抵抗効果素子の抵抗変化量の差
を出力とすることを特徴とする磁気ヘッド。 ２、磁気バイアスを形成する機構として、２つの強磁性
磁気抵抗効果素子の間に配置された導電体ストライプを
有する特許請求範囲第１項記載の磁気ヘッド。 ３、磁気バイアスを形成する機構として、２つの強磁性
磁気抵抗効果素子の面上に該素子の長手方向と略４５３
をなす導電体バーを設けた特許請求範囲第１項記載の磁
気ヘッド。 ４、磁気バイアスを形成する機構として、２つの強磁性
磁気抵抗効果素子のそれぞれに同じ方向の電流を供給す
る機構を含む特許請求範囲第１項記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22059582A JPS59112421A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22059582A JPS59112421A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112421A true JPS59112421A (ja) | 1984-06-28 |
| JPH0440776B2 JPH0440776B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=16753434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22059582A Granted JPS59112421A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112421A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61213781A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 磁気抵抗感知装置 |
| JPH0261572A (ja) * | 1988-06-16 | 1990-03-01 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh | 強磁性薄膜を有する磁場センサ |
| FR2645315A1 (fr) * | 1989-03-29 | 1990-10-05 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique de lecture a magnetoresistance pour enregistrement perpendiculaire et procede de realisation d'une telle tete |
| US5696654A (en) * | 1994-04-21 | 1997-12-09 | International Business Machines Corporation | Dual element magnetoresistive sensor with antiparallel magnetization directions for magnetic state stability |
| FR2786909A1 (fr) * | 1998-12-03 | 2000-06-09 | Jean Pierre Lazarri | Tete magnetique de lecture a magnetoresistance geante pour hautes densites d'informations |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5548825A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-08 | Ibm | Data reproducer |
| JPS57437U (ja) * | 1980-06-02 | 1982-01-05 | ||
| JPS57141014A (en) * | 1981-02-25 | 1982-09-01 | Canon Electronics Inc | Thin film magnetic sensor |
-
1982
- 1982-12-16 JP JP22059582A patent/JPS59112421A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5548825A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-08 | Ibm | Data reproducer |
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| FR2786909A1 (fr) * | 1998-12-03 | 2000-06-09 | Jean Pierre Lazarri | Tete magnetique de lecture a magnetoresistance geante pour hautes densites d'informations |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0440776B2 (ja) | 1992-07-06 |
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