JPS59112480A - Magnetic bubble memory element - Google Patents
Magnetic bubble memory elementInfo
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- JPS59112480A JPS59112480A JP57220079A JP22007982A JPS59112480A JP S59112480 A JPS59112480 A JP S59112480A JP 57220079 A JP57220079 A JP 57220079A JP 22007982 A JP22007982 A JP 22007982A JP S59112480 A JPS59112480 A JP S59112480A
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- bubble
- detector
- spacing
- memory element
- magnetic
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子に関するものであり、特
に磁気バブル検出器の出力信号の向上に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a magnetic bubble memory device, and more particularly to improving the output signal of a magnetic bubble detector.
第1図は磁気バブルメモリ素子の構成例を示す図である
。同図においてmは情報を貯えるマイナループ、RML
は読み出し情報を転送するリードメイジャライン、WM
Lは書き込み情報を転送するライトメイジャラインであ
る。Rはマイナループm中の情報のコピーをリードメイ
ジャラインRML上に作るレプリケートゲート、 Sは
マイナループm中の情報とライトメイジャラインWML
上の情報を交換するスワップゲートである。Gは新しい
情報を書き込むバブル発生器、Dは本発明の係わるバブ
ルを電気信号に変換するバブル検出器である。GRはガ
ードレール、 BPはポンディングパッドである。FIG. 1 is a diagram showing an example of the configuration of a magnetic bubble memory element. In the same figure, m is a minor loop that stores information, RML
is the read major line that transfers read information, WM
L is a write major line that transfers write information. R is a replicate gate that makes a copy of the information in the minor loop m on the read major line RML, and S is the copy of the information in the minor loop m and the write major line WML.
It is a swap gate that exchanges the above information. G is a bubble generator for writing new information, and D is a bubble detector for converting bubbles into electrical signals according to the present invention. GR is the guardrail and BP is the pounding pad.
第2図はパズル検出器の構成例を示す。同図において、
Stはバブルをひも状の細長いバブルに拡大する拡大器
であり、Dがバブル検出器である。FIG. 2 shows an example of the configuration of a puzzle detector. In the same figure,
St is an expander that expands the bubble into a string-like elongated bubble, and D is a bubble detector.
これらのパタンは、パーマロイなどの軟強磁性体薄膜で
形成される。バブルの検出は磁気抵抗効果を利用して行
なう、。検出器りに一定電流Id(検出器電流と呼ぶ)
を流しておく。拡大器Stでひも状バブルに拡大したバ
ブルBが、矢印P方向に転送されて、検出器りの下を通
過するとき、検出器りの抵抗Rdが磁気抵抗効果によシ
ΔRd変化し、検出器の両端に、IdXΔRd の大
きさの出力信号が得られる。These patterns are formed from a soft ferromagnetic thin film such as Permalloy. Bubble detection is performed using the magnetoresistive effect. Constant current Id across the detector (referred to as detector current)
Let it flow. When the bubble B expanded into a string-like bubble by the expander St is transferred in the direction of arrow P and passes under the detector, the resistance Rd of the detector changes by ΔRd due to the magnetoresistive effect, and the detection An output signal of magnitude IdXΔRd is obtained at both ends of the device.
現在生産されているIMビットバブルメモリ素子は、2
μmバブルを用いているが、拡大器Stでこのバブルを
500〜800倍に拡大し、1mm〜1.5 mmのひ
も状バブルにする。拡大器St。The currently produced IM bit bubble memory devices are 2
Although μm bubbles are used, the bubbles are expanded 500 to 800 times using a magnifier St to form string-like bubbles of 1 mm to 1.5 mm. Magnifier St.
検出器りの周期λは10〜20μmであるが、長さLは
1〜1.5 mmである。検出器りの抵抗Rは1〜1.
5にΩであり、検出器電流Idの大きさは3〜4mA
であるため、出力信号IdXΔRdの大きさは4〜6m
Vである。The period λ of the detector is 10-20 μm, while the length L is 1-1.5 mm. The resistance R of the detector is 1 to 1.
5Ω, and the magnitude of the detector current Id is 3 to 4 mA.
Therefore, the magnitude of the output signal IdXΔRd is 4 to 6m
It is V.
さて、磁気バブルメモリ素子は、今後、利用するバブル
径dが微小化し、メモリ容量が高密度化、大容量化する
。バブル径dが微小化すると次のような問題点を持つ。Now, in the future, the bubble diameter d used in magnetic bubble memory devices will become smaller, and the memory capacity will become higher density and larger. When the bubble diameter d becomes smaller, the following problems arise.
第3図は、横軸にバブル径dをとり、出力信号のバブル
径依頼性を調べた結果のグラフである。このように、従
来はバブル径が1.5μm程度に微小化すると、出力信
号が急激に小さくなるという問題があった。FIG. 3 is a graph showing the result of examining the dependence of the output signal on the bubble diameter, with the bubble diameter d plotted on the horizontal axis. As described above, conventionally there was a problem that when the bubble diameter was reduced to about 1.5 μm, the output signal suddenly decreased.
したがって本発明の目的は、バブル径が小さくなった場
合でも、大きな出力信号の得られるバブル検出器を提供
しようとするものである。Therefore, an object of the present invention is to provide a bubble detector that can obtain a large output signal even when the bubble diameter becomes small.
本発明はこのような目的を達成するために、バブル検出
器部のスペーシングを部分的に小さくしたものである。In order to achieve this object, the present invention partially reduces the spacing of the bubble detector section.
以下、本発明の詳細な説明する。 The present invention will be explained in detail below.
バブル径dが小さくなると出力信号が小さくなる理由は
、第2図において、細長いひも状バブルBからの洩れ磁
束が少なくな9、磁気抵抗効果による検出器りの抵抗値
変化ΔRdが小さくなるためである。したがって、出力
イg号を大きくするために次の二つの方法が考えられる
。The reason why the output signal becomes smaller as the bubble diameter d becomes smaller is that the leakage magnetic flux from the elongated string-shaped bubble B in FIG. be. Therefore, the following two methods can be considered to increase the output i.
(1)第2図において、検出器りの長さLを長くし、ひ
も状バブルを長くシ、洩れ磁束量を増やす方法。(1) In Fig. 2, a method of increasing the length L of the detector, lengthening the string-like bubble, and increasing the amount of leakage magnetic flux.
(2)ひも状バブルと検出器りの間隔(スペーシングと
呼び、後で述べる。)を小さクシ、検出器りにおよぼす
バブルからの洩れ磁束量を増やす方法。(2) A method of increasing the amount of leakage magnetic flux from the bubbles by increasing the distance between the string-shaped bubble and the detector (referred to as spacing, which will be discussed later) using a small comb.
本発明はこれら二つの方法のうちの(2)の方法で3
−
ある。すなわち、検出器りの部分(第1図に1点鎖線で
示した部分)のスペーシングを部分的に薄くしようとす
るものである。The present invention uses method (2) of these two methods.
- Yes. That is, it is intended to partially thin the spacing of the detector portion (the portion indicated by the dashed line in FIG. 1).
本発明の詳細な説明の前に、従来の例について先づ説明
する。Prior to detailed explanation of the present invention, a conventional example will be explained first.
第4図は、従来の磁気バブルメモリ素子の断面積層構成
図を示す。同図において、LPEは磁気バブル媒体とな
るバブル磁性膜であり、直径約2.0μmのバブルが発
生する。バブル磁性膜LPEの上にはSing 等で
形成されたスペーサ層Sp(通常1000A程度)があ
り、この上にゲート部等の配線パタンを構成するAu/
Moなどで作られたコンダクタ層C(通常3500A程
度)がある。この上にはポリイミド樹脂からなり、コン
ダクタ層の段差をプレーナ化する絶縁層2(通常0.3
μm程度)があり、この上にパズル転送路や検出器を構
成するパーマロイ等で形成された転送路層Pr(通常4
000 A8度)がある。さらに、この上にSiQ、等
で構成された保護膜層Pa(通常10000A程度)が
あり、この上の最上層には、4−
Atなどで構成されたポンディングパッド層Bp(通常
2000OA程度)がある。FIG. 4 shows a cross-sectional layer configuration diagram of a conventional magnetic bubble memory element. In the figure, LPE is a bubble magnetic film serving as a magnetic bubble medium, and bubbles with a diameter of about 2.0 μm are generated. On the bubble magnetic film LPE, there is a spacer layer Sp (usually about 1000A) formed by Sing, etc., and on this is an Au/
There is a conductor layer C (usually about 3500A) made of Mo or the like. On top of this is an insulating layer 2 (usually 0.3
On top of this is a transfer path layer Pr (usually about 4 μm) formed of permalloy, etc., which constitutes the puzzle transfer path and detector.
000 A8 degrees). Furthermore, there is a protective film layer Pa (usually about 10,000 A) made of SiQ, etc. on top of this, and a bonding pad layer Bp (usually about 2,000 OA) made of 4-At or the like on the top layer. There is.
第5図は、本発明による実施例の一例を示す図であり、
第2図に1点鎖線で示した検出器の部分のスペーシング
を部分的に薄くする例を示した断面積層構成図である。FIG. 5 is a diagram showing an example of an embodiment according to the present invention,
FIG. 3 is a cross-sectional layer configuration diagram showing an example in which the spacing of the detector portion indicated by the dashed-dotted line in FIG. 2 is partially thinned.
同図において、第4図と同じ記号は同じものを示す。検
出器部Doの下のスペーサ層Spを部分的に除去するこ
とによシ、検出器部Doのスペーシングを薄くしている
。なお、この場合、スペーサ層Spを除去する境界部に
生じる段差は、その上の絶縁層でプレーナ化されて問題
を生じない。In this figure, the same symbols as in FIG. 4 indicate the same things. By partially removing the spacer layer Sp under the detector section Do, the spacing of the detector section Do is thinned. Note that in this case, the step that occurs at the boundary where the spacer layer Sp is removed is planarized by the insulating layer thereon and does not cause any problem.
第6図は、検出器の部分のスペーシングを薄くする他の
例を示した図である。第5図と同じ記号は同じものを示
す。この例では、検出器部Doの下の絶縁層2を除去し
ている。この場合、検出器のスペーシングが 100
OA と薄くなりすぎ、バブル転送エラーを起こした。FIG. 6 is a diagram showing another example of thinning the spacing of the detector portion. The same symbols as in FIG. 5 indicate the same things. In this example, the insulating layer 2 under the detector section Do is removed. In this case, the detector spacing is 100
OA became too thin and caused a bubble transfer error.
スペーシングの最適値は2000〜aoooXであった
。また、絶縁層Zを除去する境界部に生じる段差は大き
くて、この部分に、転送路層Pr が重なると段切れを
生じて問題となる。The optimal value for spacing was 2000-aoooX. Furthermore, the step difference that occurs at the boundary where the insulating layer Z is removed is large, and if the transfer path layer Pr is overlapped with this portion, a step break will occur, which poses a problem.
第7図は、検出器の部分のスペーシングを薄くする、本
発明による他の実施例を示す図であり、上記問題を解決
したものである。同図において第6図と同じ記号は同じ
ものを示す。この例では、絶縁層を第1と第2の2つの
層Z+、Zz で構成し、検出器部DOの下の第1絶
縁層zI を除去した点に特徴がある。この場合、検出
器のスペーシングは、スペーサ層Sp膜厚プラス第2絶
縁層z2膜厚トナリ、2000〜3000A KTきる
。FIG. 7 shows another embodiment of the present invention in which the spacing of the detector portion is reduced, which solves the above problem. In this figure, the same symbols as in FIG. 6 indicate the same things. This example is characterized in that the insulating layer is composed of two layers, the first and second layers Z+ and Zz, and the first insulating layer zI under the detector section DO is removed. In this case, the spacing of the detector is the thickness of the spacer layer Sp plus the thickness of the second insulating layer Z2, which is 2000 to 3000A KT.
さらにまた、第1絶縁層z1を除去する境界部に生じる
段差は、その上の第2絶縁層Z2でプレーナ化されて問
題を生じない。Furthermore, the step that occurs at the boundary where the first insulating layer z1 is removed is planarized by the second insulating layer Z2 thereon and does not cause any problem.
以上説明した如く本発明によれば、検出器部のスペーシ
ングを部分的に薄くすることにより、バブル径dが微小
化しても、検出器におよげずバブルからの洩れ磁束を増
大できて、出力信号の急激4減小を防止することができ
る。As explained above, according to the present invention, by partially thinning the spacing of the detector section, even if the bubble diameter d becomes minute, the leakage magnetic flux from the bubble can be increased without reaching the detector, and the output can be increased. It is possible to prevent the signal from suddenly decreasing by 4.
第1図は磁気バブルメモリ素子の構成例を示す図、第2
図はバブル検出器の構成例を示す図、第3図はバブル径
と出力信号の大きさの結果を示すグラフ、第4図は従来
の磁気バブルメモリ素子の断面積層構成図、第5図は本
発明の一実施例の断面積層構成図、第6図、第7図は本
発明の他の実施例の断面積層構成図である。
LPE ・・瞭・バブル磁性g、Sp・・・・スペーサ
層、C・・・・コンダクタ層、2・・・・絶縁層、Pr
・・・・転送路層、DO・・・・検出器部、P8
・・・・保護膜層、Bp ・・・・ポンディングパ
ッド廣。
o ” リJ
U] ′−
の +−t N
○琶V掌か(1Figure 1 is a diagram showing an example of the configuration of a magnetic bubble memory element, Figure 2 is a diagram showing an example of the configuration of a magnetic bubble memory element.
The figure shows an example of the configuration of a bubble detector, Figure 3 is a graph showing the results of bubble diameter and output signal magnitude, Figure 4 is a cross-sectional layer configuration diagram of a conventional magnetic bubble memory element, and Figure 5 is FIGS. 6 and 7 are cross-sectional layer configuration diagrams of one embodiment of the present invention, and FIGS. 6 and 7 are cross-sectional layer configuration diagrams of other embodiments of the present invention. LPE...Bubble magnetic g, Sp...Spacer layer, C...Conductor layer, 2...Insulating layer, Pr
...transfer layer, DO...detector section, P8
...Protective film layer, Bp ...Ponding pad wide. o ” RJ U] ′- +-t N
○Wata V Palm (1
Claims (1)
た磁気パズルメモリ素子。 2、バブル検出器部下のスペーサ層を部分的に除去して
スペーシングを部分的に小さくした特許請求の範囲第1
項記載の磁気バブルメモリ素子。[Claims] 1. A magnetic puzzle memory element in which the spacing of a bubble detector portion is partially reduced. 2. Claim 1 in which the spacer layer below the bubble detector is partially removed to partially reduce the spacing.
The magnetic bubble memory device described in .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57220079A JPS59112480A (en) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | Magnetic bubble memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57220079A JPS59112480A (en) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | Magnetic bubble memory element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112480A true JPS59112480A (en) | 1984-06-28 |
Family
ID=16745600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57220079A Pending JPS59112480A (en) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | Magnetic bubble memory element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112480A (en) |
-
1982
- 1982-12-17 JP JP57220079A patent/JPS59112480A/en active Pending
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