JPS59112480A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS59112480A JPS59112480A JP57220079A JP22007982A JPS59112480A JP S59112480 A JPS59112480 A JP S59112480A JP 57220079 A JP57220079 A JP 57220079A JP 22007982 A JP22007982 A JP 22007982A JP S59112480 A JPS59112480 A JP S59112480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- detector
- spacing
- memory element
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子に関するものであり、特
に磁気バブル検出器の出力信号の向上に関するものであ
る。
に磁気バブル検出器の出力信号の向上に関するものであ
る。
第１図は磁気バブルメモリ素子の構成例を示す図である
。同図においてｍは情報を貯えるマイナループ、ＲＭＬ
は読み出し情報を転送するリードメイジャライン、ＷＭ
Ｌは書き込み情報を転送するライトメイジャラインであ
る。Ｒはマイナループｍ中の情報のコピーをリードメイ
ジャラインＲＭＬ上に作るレプリケートゲート、 Ｓは
マイナループｍ中の情報とライトメイジャラインＷＭＬ
上の情報を交換するスワップゲートである。Ｇは新しい
情報を書き込むバブル発生器、Ｄは本発明の係わるバブ
ルを電気信号に変換するバブル検出器である。ＧＲはガ
ードレール、 ＢＰはポンディングパッドである。
。同図においてｍは情報を貯えるマイナループ、ＲＭＬ
は読み出し情報を転送するリードメイジャライン、ＷＭ
Ｌは書き込み情報を転送するライトメイジャラインであ
る。Ｒはマイナループｍ中の情報のコピーをリードメイ
ジャラインＲＭＬ上に作るレプリケートゲート、 Ｓは
マイナループｍ中の情報とライトメイジャラインＷＭＬ
上の情報を交換するスワップゲートである。Ｇは新しい
情報を書き込むバブル発生器、Ｄは本発明の係わるバブ
ルを電気信号に変換するバブル検出器である。ＧＲはガ
ードレール、 ＢＰはポンディングパッドである。
第２図はパズル検出器の構成例を示す。同図において、
Ｓｔはバブルをひも状の細長いバブルに拡大する拡大器
であり、Ｄがバブル検出器である。
Ｓｔはバブルをひも状の細長いバブルに拡大する拡大器
であり、Ｄがバブル検出器である。
これらのパタンは、パーマロイなどの軟強磁性体薄膜で
形成される。バブルの検出は磁気抵抗効果を利用して行
なう、。検出器りに一定電流Ｉｄ（検出器電流と呼ぶ）
を流しておく。拡大器Ｓｔでひも状バブルに拡大したバ
ブルＢが、矢印Ｐ方向に転送されて、検出器りの下を通
過するとき、検出器りの抵抗Ｒｄが磁気抵抗効果によシ
ΔＲｄ変化し、検出器の両端に、ＩｄＸΔＲｄ の大
きさの出力信号が得られる。
形成される。バブルの検出は磁気抵抗効果を利用して行
なう、。検出器りに一定電流Ｉｄ（検出器電流と呼ぶ）
を流しておく。拡大器Ｓｔでひも状バブルに拡大したバ
ブルＢが、矢印Ｐ方向に転送されて、検出器りの下を通
過するとき、検出器りの抵抗Ｒｄが磁気抵抗効果によシ
ΔＲｄ変化し、検出器の両端に、ＩｄＸΔＲｄ の大
きさの出力信号が得られる。
現在生産されているＩＭビットバブルメモリ素子は、２
μｍバブルを用いているが、拡大器Ｓｔでこのバブルを
５００〜８００倍に拡大し、１ｍｍ〜１．５ ｍｍのひ
も状バブルにする。拡大器Ｓｔ。
μｍバブルを用いているが、拡大器Ｓｔでこのバブルを
５００〜８００倍に拡大し、１ｍｍ〜１．５ ｍｍのひ
も状バブルにする。拡大器Ｓｔ。
検出器りの周期λは１０〜２０μｍであるが、長さＬは
１〜１．５ ｍｍである。検出器りの抵抗Ｒは１〜１．
５にΩであり、検出器電流Ｉｄの大きさは３〜４ｍＡ
であるため、出力信号ＩｄＸΔＲｄの大きさは４〜６ｍ
Ｖである。
１〜１．５ ｍｍである。検出器りの抵抗Ｒは１〜１．
５にΩであり、検出器電流Ｉｄの大きさは３〜４ｍＡ
であるため、出力信号ＩｄＸΔＲｄの大きさは４〜６ｍ
Ｖである。
さて、磁気バブルメモリ素子は、今後、利用するバブル
径ｄが微小化し、メモリ容量が高密度化、大容量化する
。バブル径ｄが微小化すると次のような問題点を持つ。
径ｄが微小化し、メモリ容量が高密度化、大容量化する
。バブル径ｄが微小化すると次のような問題点を持つ。
第３図は、横軸にバブル径ｄをとり、出力信号のバブル
径依頼性を調べた結果のグラフである。このように、従
来はバブル径が１．５μｍ程度に微小化すると、出力信
号が急激に小さくなるという問題があった。
径依頼性を調べた結果のグラフである。このように、従
来はバブル径が１．５μｍ程度に微小化すると、出力信
号が急激に小さくなるという問題があった。
したがって本発明の目的は、バブル径が小さくなった場
合でも、大きな出力信号の得られるバブル検出器を提供
しようとするものである。
合でも、大きな出力信号の得られるバブル検出器を提供
しようとするものである。
本発明はこのような目的を達成するために、バブル検出
器部のスペーシングを部分的に小さくしたものである。
器部のスペーシングを部分的に小さくしたものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
バブル径ｄが小さくなると出力信号が小さくなる理由は
、第２図において、細長いひも状バブルＢからの洩れ磁
束が少なくな９、磁気抵抗効果による検出器りの抵抗値
変化ΔＲｄが小さくなるためである。したがって、出力
イｇ号を大きくするために次の二つの方法が考えられる
。
、第２図において、細長いひも状バブルＢからの洩れ磁
束が少なくな９、磁気抵抗効果による検出器りの抵抗値
変化ΔＲｄが小さくなるためである。したがって、出力
イｇ号を大きくするために次の二つの方法が考えられる
。
（１）第２図において、検出器りの長さＬを長くし、ひ
も状バブルを長くシ、洩れ磁束量を増やす方法。
も状バブルを長くシ、洩れ磁束量を増やす方法。
（２）ひも状バブルと検出器りの間隔（スペーシングと
呼び、後で述べる。）を小さクシ、検出器りにおよぼす
バブルからの洩れ磁束量を増やす方法。
呼び、後で述べる。）を小さクシ、検出器りにおよぼす
バブルからの洩れ磁束量を増やす方法。
本発明はこれら二つの方法のうちの（２）の方法で３
− ある。すなわち、検出器りの部分（第１図に１点鎖線で
示した部分）のスペーシングを部分的に薄くしようとす
るものである。
− ある。すなわち、検出器りの部分（第１図に１点鎖線で
示した部分）のスペーシングを部分的に薄くしようとす
るものである。
本発明の詳細な説明の前に、従来の例について先づ説明
する。
する。
第４図は、従来の磁気バブルメモリ素子の断面積層構成
図を示す。同図において、ＬＰＥは磁気バブル媒体とな
るバブル磁性膜であり、直径約２．０μｍのバブルが発
生する。バブル磁性膜ＬＰＥの上にはＳｉｎｇ 等で
形成されたスペーサ層Ｓｐ（通常１０００Ａ程度）があ
り、この上にゲート部等の配線パタンを構成するＡｕ／
Ｍｏなどで作られたコンダクタ層Ｃ（通常３５００Ａ程
度）がある。この上にはポリイミド樹脂からなり、コン
ダクタ層の段差をプレーナ化する絶縁層２（通常０．３
μｍ程度）があり、この上にパズル転送路や検出器を構
成するパーマロイ等で形成された転送路層Ｐｒ（通常４
０００ Ａ８度）がある。さらに、この上にＳｉＱ、等
で構成された保護膜層Ｐａ（通常１００００Ａ程度）が
あり、この上の最上層には、４− Ａｔなどで構成されたポンディングパッド層Ｂｐ（通常
２０００ＯＡ程度）がある。
図を示す。同図において、ＬＰＥは磁気バブル媒体とな
るバブル磁性膜であり、直径約２．０μｍのバブルが発
生する。バブル磁性膜ＬＰＥの上にはＳｉｎｇ 等で
形成されたスペーサ層Ｓｐ（通常１０００Ａ程度）があ
り、この上にゲート部等の配線パタンを構成するＡｕ／
Ｍｏなどで作られたコンダクタ層Ｃ（通常３５００Ａ程
度）がある。この上にはポリイミド樹脂からなり、コン
ダクタ層の段差をプレーナ化する絶縁層２（通常０．３
μｍ程度）があり、この上にパズル転送路や検出器を構
成するパーマロイ等で形成された転送路層Ｐｒ（通常４
０００ Ａ８度）がある。さらに、この上にＳｉＱ、等
で構成された保護膜層Ｐａ（通常１００００Ａ程度）が
あり、この上の最上層には、４− Ａｔなどで構成されたポンディングパッド層Ｂｐ（通常
２０００ＯＡ程度）がある。
第５図は、本発明による実施例の一例を示す図であり、
第２図に１点鎖線で示した検出器の部分のスペーシング
を部分的に薄くする例を示した断面積層構成図である。
第２図に１点鎖線で示した検出器の部分のスペーシング
を部分的に薄くする例を示した断面積層構成図である。
同図において、第４図と同じ記号は同じものを示す。検
出器部Ｄｏの下のスペーサ層Ｓｐを部分的に除去するこ
とによシ、検出器部Ｄｏのスペーシングを薄くしている
。なお、この場合、スペーサ層Ｓｐを除去する境界部に
生じる段差は、その上の絶縁層でプレーナ化されて問題
を生じない。
出器部Ｄｏの下のスペーサ層Ｓｐを部分的に除去するこ
とによシ、検出器部Ｄｏのスペーシングを薄くしている
。なお、この場合、スペーサ層Ｓｐを除去する境界部に
生じる段差は、その上の絶縁層でプレーナ化されて問題
を生じない。
第６図は、検出器の部分のスペーシングを薄くする他の
例を示した図である。第５図と同じ記号は同じものを示
す。この例では、検出器部Ｄｏの下の絶縁層２を除去し
ている。この場合、検出器のスペーシングが １００
ＯＡ と薄くなりすぎ、バブル転送エラーを起こした。
例を示した図である。第５図と同じ記号は同じものを示
す。この例では、検出器部Ｄｏの下の絶縁層２を除去し
ている。この場合、検出器のスペーシングが １００
ＯＡ と薄くなりすぎ、バブル転送エラーを起こした。
スペーシングの最適値は２０００〜ａｏｏｏＸであった
。また、絶縁層Ｚを除去する境界部に生じる段差は大き
くて、この部分に、転送路層Ｐｒ が重なると段切れを
生じて問題となる。
。また、絶縁層Ｚを除去する境界部に生じる段差は大き
くて、この部分に、転送路層Ｐｒ が重なると段切れを
生じて問題となる。
第７図は、検出器の部分のスペーシングを薄くする、本
発明による他の実施例を示す図であり、上記問題を解決
したものである。同図において第６図と同じ記号は同じ
ものを示す。この例では、絶縁層を第１と第２の２つの
層Ｚ＋、Ｚｚ で構成し、検出器部ＤＯの下の第１絶
縁層ｚＩ を除去した点に特徴がある。この場合、検出
器のスペーシングは、スペーサ層Ｓｐ膜厚プラス第２絶
縁層ｚ２膜厚トナリ、２０００〜３０００Ａ ＫＴきる
。
発明による他の実施例を示す図であり、上記問題を解決
したものである。同図において第６図と同じ記号は同じ
ものを示す。この例では、絶縁層を第１と第２の２つの
層Ｚ＋、Ｚｚ で構成し、検出器部ＤＯの下の第１絶
縁層ｚＩ を除去した点に特徴がある。この場合、検出
器のスペーシングは、スペーサ層Ｓｐ膜厚プラス第２絶
縁層ｚ２膜厚トナリ、２０００〜３０００Ａ ＫＴきる
。
さらにまた、第１絶縁層ｚ１を除去する境界部に生じる
段差は、その上の第２絶縁層Ｚ２でプレーナ化されて問
題を生じない。
段差は、その上の第２絶縁層Ｚ２でプレーナ化されて問
題を生じない。
以上説明した如く本発明によれば、検出器部のスペーシ
ングを部分的に薄くすることにより、バブル径ｄが微小
化しても、検出器におよげずバブルからの洩れ磁束を増
大できて、出力信号の急激４減小を防止することができ
る。
ングを部分的に薄くすることにより、バブル径ｄが微小
化しても、検出器におよげずバブルからの洩れ磁束を増
大できて、出力信号の急激４減小を防止することができ
る。
第１図は磁気バブルメモリ素子の構成例を示す図、第２
図はバブル検出器の構成例を示す図、第３図はバブル径
と出力信号の大きさの結果を示すグラフ、第４図は従来
の磁気バブルメモリ素子の断面積層構成図、第５図は本
発明の一実施例の断面積層構成図、第６図、第７図は本
発明の他の実施例の断面積層構成図である。 ＬＰＥ ・・瞭・バブル磁性ｇ、Ｓｐ・・・・スペーサ
層、Ｃ・・・・コンダクタ層、２・・・・絶縁層、Ｐｒ
・・・・転送路層、ＤＯ・・・・検出器部、Ｐ８
・・・・保護膜層、Ｂｐ ・・・・ポンディングパ
ッド廣。 ｏ ” リＪ Ｕ］ ′− の ＋−ｔ Ｎ
○琶Ｖ掌か（１
図はバブル検出器の構成例を示す図、第３図はバブル径
と出力信号の大きさの結果を示すグラフ、第４図は従来
の磁気バブルメモリ素子の断面積層構成図、第５図は本
発明の一実施例の断面積層構成図、第６図、第７図は本
発明の他の実施例の断面積層構成図である。 ＬＰＥ ・・瞭・バブル磁性ｇ、Ｓｐ・・・・スペーサ
層、Ｃ・・・・コンダクタ層、２・・・・絶縁層、Ｐｒ
・・・・転送路層、ＤＯ・・・・検出器部、Ｐ８
・・・・保護膜層、Ｂｐ ・・・・ポンディングパ
ッド廣。 ｏ ” リＪ Ｕ］ ′− の ＋−ｔ Ｎ
○琶Ｖ掌か（１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、バブル検出器部のスペーシングを部分的に小さくし
た磁気パズルメモリ素子。 ２、バブル検出器部下のスペーサ層を部分的に除去して
スペーシングを部分的に小さくした特許請求の範囲第１
項記載の磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57220079A JPS59112480A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57220079A JPS59112480A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112480A true JPS59112480A (ja) | 1984-06-28 |
Family
ID=16745600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57220079A Pending JPS59112480A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112480A (ja) |
-
1982
- 1982-12-17 JP JP57220079A patent/JPS59112480A/ja active Pending
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