JPS59112651A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS59112651A JPS59112651A JP57222071A JP22207182A JPS59112651A JP S59112651 A JPS59112651 A JP S59112651A JP 57222071 A JP57222071 A JP 57222071A JP 22207182 A JP22207182 A JP 22207182A JP S59112651 A JPS59112651 A JP S59112651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- thin film
- blocking diode
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はブロッキングダイオードを有するイメージセン
サに関するものである。
サに関するものである。
（２）従来技術と問題点
従来よりファク７ミリ、光学文字読取装置り等には原稿
の白黒情報を光電変換するため多数の受光素子を１列に
配置したイメージセンサが用いられている。このイメー
ジセンサは普通数ブロックに分けてマトリクス駆動され
るため、受光素子のＯＦＦ時に他からの回り込みを防止
するためのブロッキングダイオードが設けられ１いる。
の白黒情報を光電変換するため多数の受光素子を１列に
配置したイメージセンサが用いられている。このイメー
ジセンサは普通数ブロックに分けてマトリクス駆動され
るため、受光素子のＯＦＦ時に他からの回り込みを防止
するためのブロッキングダイオードが設けられ１いる。
第１図はブロッキングダイオードを有する従来のイメー
ジセンサの構造を示す図である。同図において、１はガ
ラス基板２はその上に形成されたＩＴＯ等の透明電極、
３は透明電極の上に形成されりａ−８１：）ｌ （水素
化アモルファスシリコン）膜、４はａ−８ｔ：Ｈ層の上
に設けられたＰｊ電極である。
ジセンサの構造を示す図である。同図において、１はガ
ラス基板２はその上に形成されたＩＴＯ等の透明電極、
３は透明電極の上に形成されりａ−８１：）ｌ （水素
化アモルファスシリコン）膜、４はａ−８ｔ：Ｈ層の上
に設けられたＰｊ電極である。
このイメージセンサは光が矢印５方向よシ照射すると透
明電極２とｎ−８１：Ｈ膜３とでホトダイオードの作用
をなし、ａ−８３：ＨｐＭ３とＰｉ電極４でブロッキン
ググイオーｒの作用をする。ところがａ−８ｔ：Ｈ膜３
の厚さが薄いと光がｐｔ電極へ到達するためブロッキン
グダイオードとしての機能を果さず、この機能を果すた
めにはａ−８１：Ｈ膜の厚さを少なくとも１０μｍ以上
とする必要がある。
明電極２とｎ−８１：Ｈ膜３とでホトダイオードの作用
をなし、ａ−８３：ＨｐＭ３とＰｉ電極４でブロッキン
ググイオーｒの作用をする。ところがａ−８ｔ：Ｈ膜３
の厚さが薄いと光がｐｔ電極へ到達するためブロッキン
グダイオードとしての機能を果さず、この機能を果すた
めにはａ−８１：Ｈ膜の厚さを少なくとも１０μｍ以上
とする必要がある。
これは直列抵抗を増加させるという欠点があシ、また成
膜時間に２０〜３０時間を要したシ、！ＩＪ離を生ずる
といった欠点があった。
膜時間に２０〜３０時間を要したシ、！ＩＪ離を生ずる
といった欠点があった。
（３）発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、直列抵抗が低く、かつ
ａ−８ｔ：Ｈ膜の成膜上の問題もないイメージセンサを
提供するこ吉を目的とするものである。
ａ−８ｔ：Ｈ膜の成膜上の問題もないイメージセンサを
提供するこ吉を目的とするものである。
（４）発明の構成
そして、この目的は本発明によれば、ａ −Ｓｉ： １
４尚膜を用いた１対の薄膜ホトダイオードと？Ｉｉｉ膜
ブロツブロッキングダイオード逆極性となるように基板
上に垂直に形成され、且つその境界が光学的に絶縁さｆ
していること全１＃徴とするイメージセンサを提供する
ことによって達成される。
４尚膜を用いた１対の薄膜ホトダイオードと？Ｉｉｉ膜
ブロツブロッキングダイオード逆極性となるように基板
上に垂直に形成され、且つその境界が光学的に絶縁さｆ
していること全１＃徴とするイメージセンサを提供する
ことによって達成される。
（５）発明の実施例
以下本発明実施例をはｊ面によって詳述する。
第２図は本発明によるイメージセンサの構造を示す図で
ありａは断面図、ｂは等価回路図ケそれぞれ示す。同図
において１０はガラス基板、１１はＩＴＯなどの透明電
極、１２及び１３はａ−８ｔ ：Ｈ薄膜、１４及び１５
はｎａ−８ｉ、ＨＭ、１６はオーミック電極、１７はＰ
ｔ電極をそれぞれ示している。
ありａは断面図、ｂは等価回路図ケそれぞれ示す。同図
において１０はガラス基板、１１はＩＴＯなどの透明電
極、１２及び１３はａ−８ｔ ：Ｈ薄膜、１４及び１５
はｎａ−８ｉ、ＨＭ、１６はオーミック電極、１７はＰ
ｔ電極をそれぞれ示している。
本実施例はａ図に示す如くガラス基板の上に透明電極ｌ
ｌとａ−８ｊ：Ｈ薄膜１２及びｎ ａ−８ｉ ：Ｈｆｌ
。
ｌとａ−８ｊ：Ｈ薄膜１２及びｎ ａ−８ｉ ：Ｈｆｌ
。
１４とが順次形成され、その上にオーミック電極１６ｉ
挾んで更にｎ＋ａ−８ｔ：Ｈ膜１５１．−３４：ＨＲ成
膜３、Ｐｔ電極１７が順次形成されている。
挾んで更にｎ＋ａ−８ｔ：Ｈ膜１５１．−３４：ＨＲ成
膜３、Ｐｔ電極１７が順次形成されている。
このように形成された本実施例は透明電極１１とａ−８
ｉ：Ｈ薄膜１２とにより薄膜ホトダイオードを形成し’
１ ａ−８ｉ：Ｈ薄膜１３とＰｊ［ｉ１７とによって８
Ｍブロッキングダイオードを形成し、その極性はｂ図に
示す如くホトダイオード１８とブロッキングダイオード
１９とが互に逆極性となっている。そしてａ図において
矢印２０方向より照射した光はオーミック電極１６に遮
ぎられてａ−８ｔ：Ｈ薄膜１３とＰｊ電弥１７で構成さ
れたブロッキングダイオードへは到達しない。従ってａ
−８ｉ：Ｈ薄膜１３とＰｔ電極１７とは充分プロ、キン
グダイオードの機能を果すことができる。この場合オー
ミック電極１７の厚さは１５００１程度で充分であり、
また両ダイオードのａ−８ｔ：Ｈ薄膜１２．１３の厚さ
は１０００〜５ｏｏｏＸで良い。従って直列抵抗も従来
に比して低減される。なお両ダイオードのｎ ａ−８ｉ
、Ｈ）ＪＱ １４ 、１５はａ−８ｌ二Ｈ薄膜１２゜１
３とオーミ、り市、枠１６との電気的接続を良好にする
ために設はプζものである。
ｉ：Ｈ薄膜１２とにより薄膜ホトダイオードを形成し’
１ ａ−８ｉ：Ｈ薄膜１３とＰｊ［ｉ１７とによって８
Ｍブロッキングダイオードを形成し、その極性はｂ図に
示す如くホトダイオード１８とブロッキングダイオード
１９とが互に逆極性となっている。そしてａ図において
矢印２０方向より照射した光はオーミック電極１６に遮
ぎられてａ−８ｔ：Ｈ薄膜１３とＰｊ電弥１７で構成さ
れたブロッキングダイオードへは到達しない。従ってａ
−８ｉ：Ｈ薄膜１３とＰｔ電極１７とは充分プロ、キン
グダイオードの機能を果すことができる。この場合オー
ミック電極１７の厚さは１５００１程度で充分であり、
また両ダイオードのａ−８ｔ：Ｈ薄膜１２．１３の厚さ
は１０００〜５ｏｏｏＸで良い。従って直列抵抗も従来
に比して低減される。なお両ダイオードのｎ ａ−８ｉ
、Ｈ）ＪＱ １４ 、１５はａ−８ｌ二Ｈ薄膜１２゜１
３とオーミ、り市、枠１６との電気的接続を良好にする
ために設はプζものである。
化３図は本発明によるイメージセンサの他の実り′嗣＋
１１を示す図である。同図において第２図と同一部分は
同一符号を付して示した。なお２１ＵＰｔ電極１７とガ
ラス基板１０との間に形成されたＴ１１）悼である。
１１を示す図である。同図において第２図と同一部分は
同一符号を付して示した。なお２１ＵＰｔ電極１７とガ
ラス基板１０との間に形成されたＴ１１）悼である。
本実施例か前記実脈例と異なるとこイー・ば、前記′実
施例が基板１０個よシ光を入射させるのに対し、本実施
例は基板］０の反対側より光を入射させるようにしたも
のである。従って基板１０上に形成される士トグイオー
ドとブＯソキングダイメ〜ドの１１ｉ！ｉ序が逆となっ
ている。但しその作ｊ１］及び効果の、申については前
実姉例と全く同イ子でイ）る。
施例が基板１０個よシ光を入射させるのに対し、本実施
例は基板］０の反対側より光を入射させるようにしたも
のである。従って基板１０上に形成される士トグイオー
ドとブＯソキングダイメ〜ドの１１ｉ！ｉ序が逆となっ
ている。但しその作ｊ１］及び効果の、申については前
実姉例と全く同イ子でイ）る。
（６）発明の効果
以上詳細に説明したように本発明のイメージセンサはオ
ーミック市、極をａ−８１：）を膜の中間に形成すイも
ことにより、薄膜ホトダイオードと薄形、Ｌブロッキン
グダイ汁−ドとを光学的に絶縁することにより、ａ−Ｓ
ビニ（薄膜の膜厚を薄ぐすることが可能となシ、直列抵
抗の低減とａ−８ｉ：Ｈ膜の成膜時間の短縮か得られる
といった効果大なるものである。
ーミック市、極をａ−８１：）を膜の中間に形成すイも
ことにより、薄膜ホトダイオードと薄形、Ｌブロッキン
グダイ汁−ドとを光学的に絶縁することにより、ａ−Ｓ
ビニ（薄膜の膜厚を薄ぐすることが可能となシ、直列抵
抗の低減とａ−８ｉ：Ｈ膜の成膜時間の短縮か得られる
といった効果大なるものである。
第１図はブロッキングダイオードを有する従来のイメー
ジセンザ金説明するための図、第２図は本発明によるイ
メージセンサを説明するための図、第３図は他の実施例
を説明するだめの図である。 図面において、１０はガラス基板、１１は透明電極、１
２．１３はａ−８ｉ：Ｈ薄膜、１４．１５はｎ＋ａ−８
ｉ：Ｈ膜、１６はオーミック電極、１７は［を電極をそ
れぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願人代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）竿 男 弁理士 山 口 昭 之
ジセンザ金説明するための図、第２図は本発明によるイ
メージセンサを説明するための図、第３図は他の実施例
を説明するだめの図である。 図面において、１０はガラス基板、１１は透明電極、１
２．１３はａ−８ｉ：Ｈ薄膜、１４．１５はｎ＋ａ−８
ｉ：Ｈ膜、１６はオーミック電極、１７は［を電極をそ
れぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願人代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）竿 男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- １、 水ｉ化アモルファスシリコン（ａ −８ｉ ：
Ｈ） ７ｔｆ膜を用いた１対の薄膜ホトダイオードと薄
膜ブロッキングダイオードが互に逆極性となるように基
板上に垂直に形成され、且つその境界が光学的に絶縁さ
れていることを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222071A JPS59112651A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222071A JPS59112651A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112651A true JPS59112651A (ja) | 1984-06-29 |
Family
ID=16776657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57222071A Pending JPS59112651A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112651A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232668A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Fuji Xerox Co Ltd | イメ−ジセンサおよびその製造方法 |
| JPH022167A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Sony Corp | ラインセンサ |
-
1982
- 1982-12-20 JP JP57222071A patent/JPS59112651A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232668A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Fuji Xerox Co Ltd | イメ−ジセンサおよびその製造方法 |
| JPH022167A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Sony Corp | ラインセンサ |
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