JPS6184056A - フオトセンサ - Google Patents
フオトセンサInfo
- Publication number
- JPS6184056A JPS6184056A JP59205033A JP20503384A JPS6184056A JP S6184056 A JPS6184056 A JP S6184056A JP 59205033 A JP59205033 A JP 59205033A JP 20503384 A JP20503384 A JP 20503384A JP S6184056 A JPS6184056 A JP S6184056A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- electrodes
- conversion element
- elements
- photosensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、フォトセンサに関し、特にファクシミリや
ＯＣＲリーグの原稿読取部等に使用可能な密着型のライ
ンセンサに関するものである。
ＯＣＲリーグの原稿読取部等に使用可能な密着型のライ
ンセンサに関するものである。
第５図は長尺ラインセンサの一般的構成を示す斜視図（
特開昭５８−１７２０５７号公報を参考にした）、第６
図はＯｐｌｕｓ Ｅ Ｎｏ、５６．ｐ、５１に示された
従来の長尺ラインセンサをもとにして描いた構成図であ
る。
特開昭５８−１７２０５７号公報を参考にした）、第６
図はＯｐｌｕｓ Ｅ Ｎｏ、５６．ｐ、５１に示された
従来の長尺ラインセンサをもとにして描いた構成図であ
る。
第５図において、副走査方向６に挿入される原稿５紙面
上に光源４．レンズアレイ３が近接して配置され、上記
レンズアレイ３の端面に対向して光電変換素子列２が長
尺ラインセンサの基台ｌに装着されている。なお矢印７
は主走査方向を示す。
上に光源４．レンズアレイ３が近接して配置され、上記
レンズアレイ３の端面に対向して光電変換素子列２が長
尺ラインセンサの基台ｌに装着されている。なお矢印７
は主走査方向を示す。
第６図において、１０はライン状に多数個並べられた阻
止形の光電変換素子である。なおここで阻止形とは外部
からのキャリアはデバイス内部に流入できないが、デバ
イス内部のキャリアは外部に流出できるものをいう。ま
た１１はこの光電変換素子１０の下部引出し電極と配線
を兼ねており、この配線１１は駆動用ＬＳＩ（走査制御
回路）１２に接続されている。またこの光電変換素子１
０は読出し回路にも接続されている。この配線１１は、
上記光電変換素子列２の左と右側に１つずつ互い違いに
ふり分けられており、それぞれ左右のＬＳ１１２ａ、１
２ｂに接続されている。また１３は上記光電変換素子１
０の要素であり、光によるキャリアを発生する非晶質半
導体である。１４゜１５も上記光電変換素子１０の要素
であり、１４は透明電極、１５はこの透明電極１４のシ
ート抵抗を補い、また受光部の窓も兼ねている共通電極
である。
止形の光電変換素子である。なおここで阻止形とは外部
からのキャリアはデバイス内部に流入できないが、デバ
イス内部のキャリアは外部に流出できるものをいう。ま
た１１はこの光電変換素子１０の下部引出し電極と配線
を兼ねており、この配線１１は駆動用ＬＳＩ（走査制御
回路）１２に接続されている。またこの光電変換素子１
０は読出し回路にも接続されている。この配線１１は、
上記光電変換素子列２の左と右側に１つずつ互い違いに
ふり分けられており、それぞれ左右のＬＳ１１２ａ、１
２ｂに接続されている。また１３は上記光電変換素子１
０の要素であり、光によるキャリアを発生する非晶質半
導体である。１４゜１５も上記光電変換素子１０の要素
であり、１４は透明電極、１５はこの透明電極１４のシ
ート抵抗を補い、また受光部の窓も兼ねている共通電極
である。
第７図はこの第６図の等価回路図である。１３゛はフォ
トダイオードであり、１３”はこのフォトダイオード１
３′に逆バイアスが印加されたときに生じる等酒客量を
表わしている。フォトダイオード１３゛の下部電極１１
としてＣｒ、非晶質半導体１３としてノンドープアモル
ファスシリコン。
トダイオードであり、１３”はこのフォトダイオード１
３′に逆バイアスが印加されたときに生じる等酒客量を
表わしている。フォトダイオード１３゛の下部電極１１
としてＣｒ、非晶質半導体１３としてノンドープアモル
ファスシリコン。
上部電極である透明電極１４としてＩｎを主成分とした
Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ （ｒ Ｔ Ｏ）を
使用すると、ＩＴＯ・ノンドープアモルファスシリコン
接合部の方がＣｒ・アモルファスシリコン接合部よりも
強いダイオード特性を示すショットキダイオードとなり
、その順方向はＩＴＯからノンドープアモルファスシリ
コンへ向う方向となる。各フォトダイオード１３ａ’
、１３ｂ’ 、−，１３ｎ’ のアノードは共通電極１
５により電源２７のマイナス極へとつながっている。ま
たそのカソードにはそれぞれ走査用スイッチ２２ａ、２
２ｂ、・・・、２２ｎが設けられており、これらは各ス
イッチ２２ａ〜２２ｎを介して出力端子２６へつながっ
ている。
Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ （ｒ Ｔ Ｏ）を
使用すると、ＩＴＯ・ノンドープアモルファスシリコン
接合部の方がＣｒ・アモルファスシリコン接合部よりも
強いダイオード特性を示すショットキダイオードとなり
、その順方向はＩＴＯからノンドープアモルファスシリ
コンへ向う方向となる。各フォトダイオード１３ａ’
、１３ｂ’ 、−，１３ｎ’ のアノードは共通電極１
５により電源２７のマイナス極へとつながっている。ま
たそのカソードにはそれぞれ走査用スイッチ２２ａ、２
２ｂ、・・・、２２ｎが設けられており、これらは各ス
イッチ２２ａ〜２２ｎを介して出力端子２６へつながっ
ている。
またこの出力端子２６と接地間には負荷抵抗２３が接続
されている。
されている。
次に動作について説明する。スイッチ２２ａをＯＮする
と負荷抵抗２３を通して等酒客量１３２″は電源２７の
電圧まで充電される。次にスイッチ２２ａをＯＦＦにし
スイッチ２２ｂをＯＮすると同様に等酒客ｆｆ１１３ｂ
”が充電される。以下順次スイッチ２２を走査すること
によりすべての等酒客量１３”が充電される。
と負荷抵抗２３を通して等酒客量１３２″は電源２７の
電圧まで充電される。次にスイッチ２２ａをＯＦＦにし
スイッチ２２ｂをＯＮすると同様に等酒客ｆｆ１１３ｂ
”が充電される。以下順次スイッチ２２を走査すること
によりすべての等酒客量１３”が充電される。
第５図において光源４からの光はレンズアレイ３の下部
にある原稿５のライン上で、原稿５の白黒により強弱反
射されレンズアレイ３により光電変換素子１０ａまで導
かれるが、上記の等酒客量１３ｂ”、１３ｃ”、・・・
、１３ｎ”を充電中に最初の等酒客（ｆ１３ａ”の電荷
はこの光によりフォトダイオード１３２″中に発生した
キャリアの電荷量だけ減少し、これによりこの光信号電
荷は上記等酒客１１３ａ”に蓄積されたことになる。こ
の光信号電荷量は光電変換素子１０ａに入射する光量に
ほぼ比例している。ここで再びスイッチ２２ａをＯＮす
ると上記光信号電荷量だけ等酒客量１３ａ”を充電すべ
く負荷抵抗２３に電流が流れ、その結果、出力端子２６
には光電変換素子１０ａの入射光量に比例した電気信号
が得られる。等酒客１１３ａ”が十分充電された後スイ
ッチ２２ａを０ＦＦＬ次にスイッチ２２ｂをＯＮすると
、光電変換素子１０ｂに入射していた光量に比例した電
気信号が出力端子２６に得られる。
にある原稿５のライン上で、原稿５の白黒により強弱反
射されレンズアレイ３により光電変換素子１０ａまで導
かれるが、上記の等酒客量１３ｂ”、１３ｃ”、・・・
、１３ｎ”を充電中に最初の等酒客（ｆ１３ａ”の電荷
はこの光によりフォトダイオード１３２″中に発生した
キャリアの電荷量だけ減少し、これによりこの光信号電
荷は上記等酒客１１３ａ”に蓄積されたことになる。こ
の光信号電荷量は光電変換素子１０ａに入射する光量に
ほぼ比例している。ここで再びスイッチ２２ａをＯＮす
ると上記光信号電荷量だけ等酒客量１３ａ”を充電すべ
く負荷抵抗２３に電流が流れ、その結果、出力端子２６
には光電変換素子１０ａの入射光量に比例した電気信号
が得られる。等酒客１１３ａ”が十分充電された後スイ
ッチ２２ａを０ＦＦＬ次にスイッチ２２ｂをＯＮすると
、光電変換素子１０ｂに入射していた光量に比例した電
気信号が出力端子２６に得られる。
以下同様にして順次スイッチ２２ｃ、・・・、２２ｎを
走査することにより光電変換素子列２に入射する光量、
即ち、原稿５のダイオードアレイ３の下部のライン分の
白黒情報を読み取ることができる。
走査することにより光電変換素子列２に入射する光量、
即ち、原稿５のダイオードアレイ３の下部のライン分の
白黒情報を読み取ることができる。
なおここで光電変換素子１０を１ｎ当り１６ドツト並べ
ると周期は６２．５μｍとなり、また個別配線１１の周
期は１２５ μｍとなる。
ると周期は６２．５μｍとなり、また個別配線１１の周
期は１２５ μｍとなる。
従来のラインセンサは以上のように構成されているので
、共通電極が必要であるため、光電変換部だけでも下部
電極、非晶質半導体、遇明電極及び共通電極と４回の成
膜が必要である。またここでは述べなかったが、成膜回
数を３回で済まそうとすると個別配線を光電変換素子列
に対して同一側に並べなくてはならないため、配線間距
離が短くなり歩留りが悪くなるなどの欠点があった。
、共通電極が必要であるため、光電変換部だけでも下部
電極、非晶質半導体、遇明電極及び共通電極と４回の成
膜が必要である。またここでは述べなかったが、成膜回
数を３回で済まそうとすると個別配線を光電変換素子列
に対して同一側に並べなくてはならないため、配線間距
離が短くなり歩留りが悪くなるなどの欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、配線間距離を従来と同一に保ちな
から成膜回数を減らすことのできるフォトセンサを提供
するものである。
めになされたもので、配線間距離を従来と同一に保ちな
から成膜回数を減らすことのできるフォトセンサを提供
するものである。
ｃ問題点を解決するための手段〕
この発明に係るフォトセンサは、光電変換素子の極性の
相異なる電極同志を接続して該接続点に引出し電極を設
けたものである。
相異なる電極同志を接続して該接続点に引出し電極を設
けたものである。
この発明によれば、光電変換素子の相異なる電極同志を
接続し、この接続点より引出し電極を引き出したので、
該引出し電極が共通電極としても機能する。
接続し、この接続点より引出し電極を引き出したので、
該引出し電極が共通電極としても機能する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例によるフォトセンサを示し、図に
おいて、１０はライン状に多数個並べられた光電変換素
子、ｌｌａ、ｌｌｂ、・・・は上記光電変換素子１０ａ
、１０ｂ、・・・の下部電極であり、例えばＣｒを約１
２００人、基台１上に成膜した複写製版によりパターン
ニングされたものである。
図は本発明の一実施例によるフォトセンサを示し、図に
おいて、１０はライン状に多数個並べられた光電変換素
子、ｌｌａ、ｌｌｂ、・・・は上記光電変換素子１０ａ
、１０ｂ、・・・の下部電極であり、例えばＣｒを約１
２００人、基台１上に成膜した複写製版によりパターン
ニングされたものである。
この下部電極１１は光電変換素子列２の両側に互い違い
に１つずつふり分けられているため、上記光電変換素子
を１ミリ当り１６ドツト１２５ μｍピンチで形成する
ときは、この２倍の２５０ μｍピッチでこの下部電極
１１を形成すればよい。１３は、これら下部電極１１ａ
、ｌｌｂ、・・・の上に帯状に成膜され、光を受けてキ
ャリアを発生する非晶質半導体であり、これは例えばプ
ラズマＣＶＤ装置の中で形成される。なおこの非晶質半
導体１３は基台１上にマスクをかぶせて所望部分のみに
成膜してもよいし、写真製版によりパターンニングして
もよい。１４ａ、１４ｂ、・・・はこの非晶質半導体１
３の上に下部電極１１ａ、ｌｌｂ、・・・に対向して成
膜パターンニングされ、しかも１４ａは下部電極１１ｂ
と、１４ｂは下部電極１１ｃと、以下同様に隣りの下部
電極１１と電気的に接触している透明電極である。この
透明電極は例えば、Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ
（Ｉ Ｔ Ｑ ）を約６６０又は２０００人だけスパ
ッター装置又は電子ビーム蒸着装置で成膜後、写真製版
によりパターンニングして形成される。そして上記下部
電極１１と透明電極１４の重なった部分が以下で説明す
るフォトダイオードとなる。
に１つずつふり分けられているため、上記光電変換素子
を１ミリ当り１６ドツト１２５ μｍピンチで形成する
ときは、この２倍の２５０ μｍピッチでこの下部電極
１１を形成すればよい。１３は、これら下部電極１１ａ
、ｌｌｂ、・・・の上に帯状に成膜され、光を受けてキ
ャリアを発生する非晶質半導体であり、これは例えばプ
ラズマＣＶＤ装置の中で形成される。なおこの非晶質半
導体１３は基台１上にマスクをかぶせて所望部分のみに
成膜してもよいし、写真製版によりパターンニングして
もよい。１４ａ、１４ｂ、・・・はこの非晶質半導体１
３の上に下部電極１１ａ、ｌｌｂ、・・・に対向して成
膜パターンニングされ、しかも１４ａは下部電極１１ｂ
と、１４ｂは下部電極１１ｃと、以下同様に隣りの下部
電極１１と電気的に接触している透明電極である。この
透明電極は例えば、Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ
（Ｉ Ｔ Ｑ ）を約６６０又は２０００人だけスパ
ッター装置又は電子ビーム蒸着装置で成膜後、写真製版
によりパターンニングして形成される。そして上記下部
電極１１と透明電極１４の重なった部分が以下で説明す
るフォトダイオードとなる。
第２図は上記一実施例の光電変換素子列２を使用したフ
ォトセンサの回路図の一例である。１３”はフォトダイ
オードであり、１３”はこのフォトダイオード１３“に
逆バイアスが印加されたときこれに並列に生じる等酒客
量である。このフォトダイオード１３°の順方向は上記
透明電極１４から上記下部電極１１へ向う方向であり、
上記透明電極１４がアノード、下部電極１１がカソード
となる。これらダイオード１３ａ’、１３ｂ”、・・・
のアノードは、隣りのダイオード１３ｂ’、１３ＣＩ、
・・・のカソードとつながっており、全体として直列接
続されている。ただし両端のダイオード１３ａ゛のカソ
ードと１３ｎ″のアノードは、それぞれ走査用のスイッ
チ２２ａと２２ｎを通して電源２７のプラス極と出力端
子２６につながっている。ダイオード間のｎ−１個の節
点は走査用の２接点スイッチ２２ｂ、２２ｃ、−，２２
ｎ−１につながれており、これらの走査用スイ・ンチ２
２ｂ、・・・、２２ｎ−１の接点の一方は電源２７のプ
ラス極へ、他方は出力端子２６へつながっている。
ォトセンサの回路図の一例である。１３”はフォトダイ
オードであり、１３”はこのフォトダイオード１３“に
逆バイアスが印加されたときこれに並列に生じる等酒客
量である。このフォトダイオード１３°の順方向は上記
透明電極１４から上記下部電極１１へ向う方向であり、
上記透明電極１４がアノード、下部電極１１がカソード
となる。これらダイオード１３ａ’、１３ｂ”、・・・
のアノードは、隣りのダイオード１３ｂ’、１３ＣＩ、
・・・のカソードとつながっており、全体として直列接
続されている。ただし両端のダイオード１３ａ゛のカソ
ードと１３ｎ″のアノードは、それぞれ走査用のスイッ
チ２２ａと２２ｎを通して電源２７のプラス極と出力端
子２６につながっている。ダイオード間のｎ−１個の節
点は走査用の２接点スイッチ２２ｂ、２２ｃ、−，２２
ｎ−１につながれており、これらの走査用スイ・ンチ２
２ｂ、・・・、２２ｎ−１の接点の一方は電源２７のプ
ラス極へ、他方は出力端子２６へつながっている。
またスイッチ２２はハイインピーダンス状態を有してい
るものを使用している。
るものを使用している。
次に動作について説明する。説明をわかり易くするため
に電源２７のプラス極につながれる配線３０を電源配線
、出力端子２６とスイッチ２２ｂ。
に電源２７のプラス極につながれる配線３０を電源配線
、出力端子２６とスイッチ２２ｂ。
・・・、２２ａ間の配線３１を信号配線とよぶことにす
る。
る。
最初スイッチ２２すべてをハイインピーダンスにし、ス
イッチ２２ａを電源配線３０．スイッチ２２ｂを信号配
線３１につなぎフォトダイオード１３ａ′に逆バイアス
を印加し負荷抵抗２３を通して等酒客量１３ａ”を電源
電圧まで充電する。
イッチ２２ａを電源配線３０．スイッチ２２ｂを信号配
線３１につなぎフォトダイオード１３ａ′に逆バイアス
を印加し負荷抵抗２３を通して等酒客量１３ａ”を電源
電圧まで充電する。
次にスイッチ２２ａをハイインピーダンスとした直後ス
イッチ２２ｂ、２２ｃをそれぞれ電源配線３０、信号配
線３１へつないで等酒客量１３ｂ”を充電する。以下同
様にして等酒客量１３Ｃ”。
イッチ２２ｂ、２２ｃをそれぞれ電源配線３０、信号配
線３１へつないで等酒客量１３ｂ”を充電する。以下同
様にして等酒客量１３Ｃ”。
・・・１１３ｎ”まで順次充電していく。
ここで第５図において、光源４から出た光はレンズアレ
イ３の下部にある原ｆｇ ５のライン上で原稿５の白黒
により強弱反射されレンズアレイ３により光電変換素子
列２まで導かれるが、この光が光電変換素子１０の非晶
質半導体１３に照射されることによりキャリアが発生す
るが、このキャリアは等酒客量１３″に充電された電圧
によりダイオード１３゛ に印加されている逆バイアス
のためにダイオードの両端に有効に取り出されこの取り
出された電荷は等酒客量１３”に蓄積され、この等酒客
量１３”の電荷はその分だけ減少する。
イ３の下部にある原ｆｇ ５のライン上で原稿５の白黒
により強弱反射されレンズアレイ３により光電変換素子
列２まで導かれるが、この光が光電変換素子１０の非晶
質半導体１３に照射されることによりキャリアが発生す
るが、このキャリアは等酒客量１３″に充電された電圧
によりダイオード１３゛ に印加されている逆バイアス
のためにダイオードの両端に有効に取り出されこの取り
出された電荷は等酒客量１３”に蓄積され、この等酒客
量１３”の電荷はその分だけ減少する。
このように等酒客量１３ａ”を充電後１等価容量１３ｂ
”、・・・、１３ｎ”を充電中、光電変換素子１０ａに
対応する原稿の部分で反射された光により等酒客量１３
ａ”には光信号電荷が蓄積されている。よって再びスイ
ッチ２２ａを電源配線３０、スイッチ２２ｂを信号配線
３１につなぐことにより、等酒客量１３ａ”に蓄積され
た電荷量だけ充電されるまで負荷抵抗２３に電流が流れ
、この電圧降下のため出力端子２６には電気信号が得ら
れる。以下同様に最初等価容量１３を充電したように順
次スイッチ２２を切り換えることより、原稿５の一ライ
ン分の濃淡情報を出力端子２６より電気信号として取り
出すことができる。
”、・・・、１３ｎ”を充電中、光電変換素子１０ａに
対応する原稿の部分で反射された光により等酒客量１３
ａ”には光信号電荷が蓄積されている。よって再びスイ
ッチ２２ａを電源配線３０、スイッチ２２ｂを信号配線
３１につなぐことにより、等酒客量１３ａ”に蓄積され
た電荷量だけ充電されるまで負荷抵抗２３に電流が流れ
、この電圧降下のため出力端子２６には電気信号が得ら
れる。以下同様に最初等価容量１３を充電したように順
次スイッチ２２を切り換えることより、原稿５の一ライ
ン分の濃淡情報を出力端子２６より電気信号として取り
出すことができる。
なお、上記実施例では電圧読取りによる簡単な回路につ
いて説明したが、電流読取りによってもよいし、又出力
端子２６と接地間にリセット用スイッチを設けるなど読
取り部は他の方法によってもよい。
いて説明したが、電流読取りによってもよいし、又出力
端子２６と接地間にリセット用スイッチを設けるなど読
取り部は他の方法によってもよい。
また下部電極１１を光電変換素子列２の両側に交互にふ
り分けるように形成したが、光電変換素子の１ミリ当り
の数が少なくまたパターン形状グが容易な場合は第３図
のように光電変換素子列２の一方の側にもってきてもよ
い。また第１図では非晶質半導体１３を帯状にして形成
の容易な形状としたので透明電極１４と隣りの光電変換
素子の下部電極とを接続するため透明電極１４に引き出
し部１４°が付いているが、第４図のように非晶質半導
体１３を光電変換素子毎に個別に分けることにより引き
出し部１４”をな（し、下部電極１１及び透明電極１４
のパターン形状を簡単にすることもできる。また非晶質
半導体はＰＩＮ型であってもよく、さらに絶縁膜により
パソシヘーションされていてもよい。
り分けるように形成したが、光電変換素子の１ミリ当り
の数が少なくまたパターン形状グが容易な場合は第３図
のように光電変換素子列２の一方の側にもってきてもよ
い。また第１図では非晶質半導体１３を帯状にして形成
の容易な形状としたので透明電極１４と隣りの光電変換
素子の下部電極とを接続するため透明電極１４に引き出
し部１４°が付いているが、第４図のように非晶質半導
体１３を光電変換素子毎に個別に分けることにより引き
出し部１４”をな（し、下部電極１１及び透明電極１４
のパターン形状を簡単にすることもできる。また非晶質
半導体はＰＩＮ型であってもよく、さらに絶縁膜により
パソシヘーションされていてもよい。
以上のように、この発明に係るフォトセンサによれば、
隣接する光電変換素子と極性の異なる電極同志を接続し
て複数の素子を直列接続しその接続点から引出し電極を
引き出すようにしたので、共通配線が不要となり、光電
変換素子を形成するために必要な成膜回数を減らすこと
ができ、かつ歩留りの高いものが得られる効果がある。
隣接する光電変換素子と極性の異なる電極同志を接続し
て複数の素子を直列接続しその接続点から引出し電極を
引き出すようにしたので、共通配線が不要となり、光電
変換素子を形成するために必要な成膜回数を減らすこと
ができ、かつ歩留りの高いものが得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるフォトセンサの光電
変換素子列を示す正面図、第２図は第１図の等価回路図
、第３図、第４図はこの発明の他の実施例の光電変換素
子列を示す正面図、第５図は従来のラインセンサを示す
斜視図、第６図はこの第５図の構成を示す正面図、第７
図はこの第５図の等価回路図である。 １・・・基台、２・・・光電変換素子列、３・・・レン
ズアレイ、４・・・光源、５・・・原稿、６・・・副走
査方向、７・・・主走査方向、１０・・・光電変換素子
、１１・・・下部引出し電極、１２・・・駆動用ＬＳＩ
（走査制御回路）、１３・・・非晶質半導体、１３°・
・・フォトダイオード、１３”・・・等酒客量、１４・
−・透明電極、１４°・・・引き出し部、２２・・・ス
イッチ、２３・・・負荷抵抗、２６・・・出力端子、２
７・・・電源。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
変換素子列を示す正面図、第２図は第１図の等価回路図
、第３図、第４図はこの発明の他の実施例の光電変換素
子列を示す正面図、第５図は従来のラインセンサを示す
斜視図、第６図はこの第５図の構成を示す正面図、第７
図はこの第５図の等価回路図である。 １・・・基台、２・・・光電変換素子列、３・・・レン
ズアレイ、４・・・光源、５・・・原稿、６・・・副走
査方向、７・・・主走査方向、１０・・・光電変換素子
、１１・・・下部引出し電極、１２・・・駆動用ＬＳＩ
（走査制御回路）、１３・・・非晶質半導体、１３°・
・・フォトダイオード、１３”・・・等酒客量、１４・
−・透明電極、１４°・・・引き出し部、２２・・・ス
イッチ、２３・・・負荷抵抗、２６・・・出力端子、２
７・・・電源。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）主走査方向に配列された阻止型の複数の光電変換
素子と、この光電変換素子を走査して走査出力信号を得
る走査制御、読出し回路とを備えたフォトセンサにおい
て、上記阻止型の各光電変換素子は隣接する光電変換素
子と極性の相異なる電極同志が接続されて全体として１
つの光電変換素子列が形成され、上記極性の相異なる電
極同志の接続点及び該光電変換素子列の両端の端子から
上記走査制御、読出し回路に接続すべき引き出し電極が
引き出されていることを特徴とするフォトセンサ。 - （２）上記光電変換素子が、非晶質半導体を素材にした
ＰＩＮ型又はショットキー型のフォトダイオードである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォトセ
ンサ。 - （３）上記光電変換素子が、非晶質半導体の両端に電子
及びホールのブロッキング層を有するものであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォトセンサ。 - （４）上記光電変換素子が、ＣｄＳ又はＣｄＳｅを主成
分とするＰＮ型又はショットキー型のダイオードである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォトセ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205033A JPS6184056A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | フオトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205033A JPS6184056A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | フオトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184056A true JPS6184056A (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=16500326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59205033A Pending JPS6184056A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | フオトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184056A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018181988A (ja) * | 2017-04-10 | 2018-11-15 | ブリルニクスジャパン株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP59205033A patent/JPS6184056A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018181988A (ja) * | 2017-04-10 | 2018-11-15 | ブリルニクスジャパン株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4826777A (en) | Making a photoresponsive array | |
| US4438455A (en) | Solid-state color imager with three layer four story structure | |
| US4354104A (en) | Solid-state image pickup device | |
| JPS59107679A (ja) | 光検出器エレメントのマトリツクスを使用する読み取り装置 | |
| JPH10500536A (ja) | 電子装置 | |
| US4785191A (en) | Interconnected array of photosensors for simultaneously sensing light intensities at each of a number of locations | |
| JPH0740711B2 (ja) | 光センサの駆動方法及び画像入力装置 | |
| US5004903A (en) | Contact type image sensor device with specific capacitance ratio | |
| US4495409A (en) | Photosensor with diode array | |
| US4714836A (en) | Photosensitive pixel with exposed blocking element | |
| JPS60210080A (ja) | 固体イメ−ジングセンサ− | |
| JPS6184056A (ja) | フオトセンサ | |
| US4963955A (en) | Photoelectric conversion apparatus | |
| JPS6237812B2 (ja) | ||
| JP2514924B2 (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS6184055A (ja) | フオトセンサ | |
| JPH0522516A (ja) | イメージセンサ | |
| JPH0738437B2 (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS61253860A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6052596B2 (ja) | イメ−ジセンサ− | |
| JP2660046B2 (ja) | イメージセンサ | |
| US5335092A (en) | Contact type image sensor | |
| KR100392860B1 (ko) | 전자소자및전자소자를동작시키는방법 | |
| JP3168599B2 (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH0682818B2 (ja) | 固体撮像装置 |