JPS59112687A - セラミツク回路基板 - Google Patents

セラミツク回路基板

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Publication number
JPS59112687A
JPS59112687A JP22200882A JP22200882A JPS59112687A JP S59112687 A JPS59112687 A JP S59112687A JP 22200882 A JP22200882 A JP 22200882A JP 22200882 A JP22200882 A JP 22200882A JP S59112687 A JPS59112687 A JP S59112687A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
circuit board
metal
ceramic
paste
Prior art date
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Pending
Application number
JP22200882A
Other languages
English (en)
Inventor
及川 昇司
高井 輝男
徳増 良夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、化学めっきの反応触媒金属を含有したガラス
質を含有するペーストを使用して印刷焼成後、化学めっ
きを施しだ配線抵抗の低い回路を形成するに好適なセラ
ミック11?1路基板に関するものである。
〔従来技術〕
従来のセラミック回路基板は、グリーンシート上にタン
グステンを印刷焼結を行なうt)、セラミック基板上に
 A9h 、Af/、、、、き、等のガラス質を含むペ
ーストにより印刷焼成を行なって回路形成を行なってい
た。このため配線抵抗75;高い欠点がありました、釧
ペーストを第11用した場合には、セラミックとの密着
力を得るために、ペースト組成や焼成条件を精度よく管
理する必要があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、配線抵抗の小さなめっき被膜による回
路をセラミック上に形成することにある、−マた、化学
めっきの反応触媒金属を直接めっき面に含有させるため
、めっき工程における活性化工程か不要で工程短縮が可
能となり、化学めっきの密着力も安定したセラミック回
路基板を提供することにある。
〔発明の概要〕
セラミック上にめっきにより金属回路を形成するために
は、化学めっきの反応触媒金)鴫を安定した状態で密着
良く形成する必要がある。
本発明では、ガラス質を含有するペースト中に触媒金属
を0.01〜1%含有することで、セラミックに対する
密着を強化することができる。このため従来の活性化処
理のような液の管理を必要としない方法で安定した密着
が得ることができ、かつ低抵抗な配線回路を得ることが
できる。
〔発明の実施例〕
実施例−1 あらかじめ焼結の終ったセラミック基板1上にPd″が
05%含有するガラス質を主成分とするペーストにて、
配線パターン2を印刷し、900’Cの酸化雰囲気にて
焼成後、化学C,−めつきを行なったところ、密着のよ
い化学C0めつき膜6が析出形成できた。1だ、配線抵
抗を測定したところ、従来の金属ペーストに比へ乙。〜
イ。。の低抵抗な配線が得られた。
実施例−2 セラミック基板11上にNLを0.059I;含有する
勿にガラス質含有ペストにより配線パターン2を印刷、
焼成後、化学めっきを行ない均一で密着の良好な化学N
Lめつき膜4を形成した。配線抵抗を測定したところ従
来の1z〜1イ。。の範囲で配線抵抗の低いセラミック
回路基板が得られた。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ガラス質含有ペースト中に含有せしめ
た化学めっき反応触媒金属により形成したパターンを用
いるだめに、化学めっき工程における活性化処理を必要
としない。まだ、直接に化学めっき反応触媒金属を被め
っき体に含有するため、化学めっきの密着が良好な回路
形成が可能となる。さらに化学めっき金属によ。
り回路形成ができるため、導体の配線抵抗を低くするこ
とができ、かつ、化学めっきの時間を。
変えることにより導体金属の厚さを認意に選ぶことがで
き、活性化処理ミスによるめっきの異常析出を防止でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例の完成したセラミック回路
基板の断面図、 第2図は、同じく他の実施例の完成したセラミンク回路
基板の断面図である。 1、・・・・・セラミック基板、 2、・・・・・・配線パターン、 6、・・・・・・化学C,tめつき膜、44・・・・・
化学Nおめっき膜。 第 7 図 β 第 2z ど          /

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ガラス質を主成分とするペースト、もしくはガラス
    質を含有する金属ペースト中に化学めっきの反応触媒と
    なる金属を含有したペーストをセラミック基板上に印刷
    して、触媒金属の還元温度および、ガラス質が焼成され
    る500〜900’Cの酸化雰囲気で焼成後熱電解めっ
    きにより回路を形成したことを特徴とするセラミック回
    路基板。
JP22200882A 1982-12-20 1982-12-20 セラミツク回路基板 Pending JPS59112687A (ja)

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