JPS59112986A - キラ−ル・アゼチジノン類の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 特願昭５７−７３７２８号において、式の新規なスルフ
アゼシン（ＳＵげαｚｅｃｉｎ　）に関連した抗生物化
合物が開示されている。

この新規な抗生物質は抗生物質アズスレオナム（αｚｔ
ｈｒｅｏｎａｍ　）と活性度において同様であり、ダラ
ム陰性細菌、殊に緑儂菌（ｐ、　ａｅｒｕ、ｇｉｎｏｓ
ａ　）に起因する感染病を処置する際に有用である。ま
た、この化合物はその同族体と共にドイツ国特許出願公
開明細書第３．１４８．０２１号に一般的な方法と共に
開示されている。

弐Ｉの化合物は式 式中、Ｒヶよア、７保護基アありＨ’ｃｌ、ＩＡｆのは
陽イオンである、 の中間体から製造される。

式■の化合物はまず保護基を開裂させて弐式中、Ｍ（９
は上記の通りである、 の化合物を生成させ、次に弐■の化合物を式式中、Ｘは
ハロゲンであり、そしてＣ０ＯＲ＋は加水分解または水
素添加分解した際にカルボキシに転化し得るエステル基
である、の化合物と反応させて式 式中、Ｘ、Ｍ”及びＲ゛は上記の通りである、 の化合物を生成させることによって式Ｉの化合物に転化
される。

式Ｖの化合物を普通の脱アシル化剤で処理してハロアセ
チル基ＸＣＨ２Ｃ０−を除去し、一方、エステル基Ｒ１
を加水分解または水素添加分解によって除去して式Ｉの
化合物を生成させる。

上記の合成に伴って生じる問題は、弐厘の化合物を容易
に入手し得る経済的な出発物質から効果的且つ有効的に
そのエナンチオマー型で合成することが困難であること
でおる。

本発明によって、Ｌ−アスコルビン酸から式■の化合物
をそのエナンチオマー型において簡単且つ経済的な合成
法を提供する。Ｌ−アスコルビン酸（ビタミンＣ）は容
易に入手し得る経済的な出発物質である。

その合成は次の反応式によって明瞭に示される：式中、
Ｒ−アミノ保護基 Ｃ０ＯＲ’−加水分解または水素添加分解した際にカル
ボキシ基に転化し得るエステル基 Ｒ５−ケタールまたはアセタール保護基Ｒ８−低級アル
キル Ｒ９０＝離脱性基 Ｍの一陽イオン Ｘ＝ハロゲン Ｒ１１−水素、低級アルキル、ハロ低級アルキルまたは
アリール ｌ７１５−低級アルカノイル、ノ・口置換された低級ア
ルカノイル、アリールカルボニル、ジクロロホスホリル
またはジメトキシホスホリル Ｚ■＝アルカリ金属まだはアルカリ土類金属の陽イオン
。

「低級アルキル」なる用語は炭素原子１〜７個を含む１
価の飽和した直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素基
、例えばエチル、メチル、ｎ−プロピル、イングロビル
、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルを示し、メチル
及びエチルが好ましい。

「低級アルキレン」なる用語は炭素原子２〜７個を含む
２価の飽和した脂肪族の直鎖状の炭化水素基、例えはエ
チレン、ブチレン、ペンチレン等ヲ示す。「ハロゲン」
なる用語には塩素、臭素、フッ素及びヨウ累の如き４種
の全てのハロゲンが含まれ、塩素及び臭素が好ましい。

「低級アルカノイル」なる用語は炭素原子２〜７個を含
む脂肪族モノカルボン酸から誘導されたアルカノイル基
、例えばアセチル、プロピオニル、ブチリル、ピバロイ
ル等を示す。

「低級アルコキシ」なる用語は炭素原子１〜７個を含む
低級アルコキシ基、例えばメトキシ、工トキシ、ｎ−ブ
トキシ、イソプロポキシ等を表わす。「ハロ低級アルキ
ル」なる用語は該低級基が一つまたはそれ以−Ｈの位置
においてハロゲン置換基で置換されている上に定義した
如き低級アルキル基、例えはトリフルオロメチル、２−
クロロエチル、クロロメチル、２−クロロ−１−フルオ
ロエチル等を表わす。ハロ置換された低級アルコキシは
一つ−またはそれ以上の位置においてハロゲン置換基で
置換された上に定義した如き低級アルコキシ置換基、例
えばクロロメトキシ、２，２−ジクロロエトキシ等を示
す。

捷だ本明細書において用いる「アリール」なる用語は、
単核の芳香族炭化水素基、例えばフェニル等を表わし、
該基は未、置換であるか１だは一つもしくはそれ以上の
位置において低級アルキレンジオキシ、ハロゲン、ニト
ロ、低級アルキルまたは低級アルコキシ置換基で置換さ
れていてもよく、１だ多核のアリール基、例えばナフチ
ル、アンスリル、フェナンスリル等を表わし、該基は未
置換であるか、または上記の基の一つもしくはそれ以上
で置換されていてもよい。好ましいアリール基は置換さ
れたまたは未置換の単核のアリール基、殊にフェニルで
ある。「アラルキル基」なる用語はアリール及び低級ア
ルキルが上に定義した如きものであるアリール低級アル
キル基、殊にベンジルを示す。「アロイル」なる用語に
はアリールが上に定義した如きアリールカルボニル基、
殊にベンゾイル及び置換されたベンゾイル、例えはニト
ロベンゾイル、クロロベンゾイル、等が包含される。

アリールが置換されたフェニルである場合、好ましい置
換されたフェニル基は一置換されたフェニル基または二
置換されたフェニル基であり、この二置換はフェニル部
分の２，４もしくは２．′６６位置最も好ましくは３，
４位置で生じる。適当な一置換基にはノ・ロゲン、低級
アルキル、ニトロまたは低級アルコキシ置換基が含まれ
、該置換基は好ましくはフェニル部分の２位置で置換さ
れる。

適当な二置換体は２，４−もしくは２，６−ジノ・ロフ
ェニル；２−ハロ、４−も１．＜１ｄ６−ニトロフェニ
ル並びに２，４−ジメトキシフェニルである。

「アリールオキシ」なる用語はアリールが上に定義した
如きものであるアリールオキシ基、殊にフェノキシ、ハ
ロ置換されたフェノキシ、ニトロ置換されたフェノキシ
及び低級アルキル↑ｄ換されたフェノキシを示す。［低
級アルコキシカルボニル］なる用語は低級アルコキシが
上に定義した如きものでおる低級アルコキシカルボニル
基、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、
等を示す。「アリール−低級アルコキシカルボニル」な
る用語はアリール及び低級アルコキシが上に定義した如
きものであるアリール−低級アルコキシカルボニル基、
殊にフェニル−低級アルコキシカルボニル、及び１６換
されたフェニル−低級アルコギシカルボニル、そして特
にベンジルオキシカルボニル、ニトロベンジルオキシカ
ルボニル、低級アルキル置換されたベンジルオキシカル
ボニル、ハロベンジルオキシカルボニルを示す。「低級
アルコキシカルボニル」なる用語は低級アルコキシが上
に定義した如きものである低級アルコキシカルボニル置
換基、殊にメトキシカルボニルを示す。

「ハロー置換された低級アルコキシカルボニル」なる用
語はハロ及び低級アルコキシが上に定義した如きもので
あるハロー置換された低級アルコキシカルボニル置換基
を示す。

本発明の合成においてアミン保護基を用いる場合、普通
の任意のアミン保護基を用いることができる。本発明の
化合物に用いる際に、普通の能加水分解または接触水素
添加によって除去し得る普通のアミン保護基のいずれか
が好ましい。これらの普通のアミン保護基には低級アル
コキシカルボニル、アリールオキシカルボニノペハロｌ
ｆｇ、換すれた低級アルコキシカルボニル及びアリール
−低級アルコキシカルボニルが含まれる。好ましいアミ
ノ保護基にはなかでもベンジルオキ７カルボニル、ｔ−
ブトキシカルボニル、等が含まれる。

「アルカリ金属」なる用語には任意のアルカリ金属、例
えばリチウム、ナトリウム、カリウム等が宮まれる。「
アルカリ土類金属」なる用語には普通の任意のアルカリ
土類金属、例えばカルシウム、マグネシウム等が含まれ
る。

本合成の第一工程において、Ｌ−アスコルビン酸を式 式中、Ｒｌｉはケタールまたはアセタール保護基である
、 の化合物に転化する。

本発明に従えば、Ｒ５は普通のアセタールまたはケター
ル保護基を形成することができる。好ましい具体化例に
おいては、２価の基Ｒ５は式式中、Ｒ６及びＲ７は水素
、低級アルキル、アラルキル、アリール、低級アルコキ
シ、低級アルキルもしくはアリールオキシであるか、或
いは一緒になってオキソまたは低級アルキレンを形成す
る、 の基である。Ｒ６及びＲ７に対する好ましい置換基はな
かでも低級アルキル、低級アルコキシ、フェニルオキシ
、ハロｔｉ換すレ＊フェニルオキシ、＝　トロ置換すｔ
’ｌフェニルオキシ、フェニル、ハロフエニノペニトロ
フェニル、フェニル−低級アルキル、ハロフェニル−低
級アルギル及びニトロフェニル−低級アルキルであり、
並びにノー０及びＲ７は一緒になって低級アルキレンま
たはオキソを形成する。

弐■の化合物はＬ−アスコルビン酸がら好適の方法によ
って、例えばＬ−アスコルビン酸を適当なアルデヒドも
しくはケトンまたはそのアセタールもしくはケタールと
反応させることによって生成させることができる。本発
明に従ってＬ−アスコルビン酸から弐■の化合物を生成
させる際に、アルデヒド捷だはケトンを用いることがで
きる。

本発明に従って使用し得る好ましいアルデヒドまたはケ
トンにはなかでも次のものが含まれる：メチルエチルケ
トン、ホルムアルデヒド、アセトアルテヒト、ヘンズア
ルデヒド、ジベンジルケトン、ジフェニルエチルケトン
、シクロヘプタノン、シクロヘキサノン、等。好ましい
ケトンはアセトンである。Ｒ６及びＲ７が一緒になって
オキソを形成する式■の化合物を生成させるために、Ｌ
−アスコルビン酸を普通の方法においてホスゲンまたは
ｌ、１′−カルボニルジイミダゾールと反応させる。

式■の化合物を、該式■の化合物を塩基の存在下におい
て酸化剤で処理して式■の化合物に転化する。この反応
を行う際に、酸化剤として過酸化水素を用い、そしてア
ルカリ土類金属塩基、例えば炭酸カルシウムを用いるこ
とが一般に好ましい。

過酸化水素との反応を行う際に、一般に４０℃以下好ま
しくは約２０℃〜３０℃で水性媒質を用いることが好ま
しい。式■の化合物は用いる特定の塩基に応じて塩とし
て生成される。カルシウムの如きアルカリ土類金属を用
いる場合、式■の化合物のカルシウム塩が生成鉛れる。

式■の化合物は、該式■の化合物をエステル化してその
低級アルキルエステルを生成させることによって式■の
化合物に転化される。この転化を行うために、式■の化
合物を低級アルキル基でエステル化する普通の任意の方
法を用いることができる。一般にこの転化は式■の化合
物をジメチルホルムアミドまだは低級アルカノールの如
き有機溶媒を含む水性媒質中で低級アルキルハライド、
好ましくは低級アルキルアイオダイドと反応させること
によって行うことができる。好１しくに式■の化合物の
エステルを生成させるために用いるアルキル基を含む低
級アルカノールを溶媒中に用いる。この反応を行う際に
、温度及び圧力は臨界的ではなく、この反応は室温及び
大気圧下で行うことができる。必要に応じて、上記温度
よりも高い或いは低い温度を用いることができる。また
このエステル化はジメチルスルフェートの如き低級ジア
ルキルスルフェートを用いて行うこともできる。

式■の化合物は式■のアミドを生成させることによって
式■の化合物に転化される。この反応を行う際に、エス
テルをアミンに転化するいずれも普通の方法？用いるこ
とができる。アミンを生成させる好ましい方法はなかで
も式■の化合物を有機溶媒例えばテトラヒドロフラン、
ジオキサンまたは低級アルカノールを含んでいてもよい
水性媒質中にて一１Ｏ〜０°Ｃの温度で水酸化アンモニ
ウムで処理することである。

式■の化合物は、式■の化合物における遊離ヒドロキシ
基を離脱性基に転化することにより、式Ｘの化合物に転
化することができる。全ての離脱性基を用いることがで
きる。好ましい離脱性基はなかでもＲ９が低級アルキル
スルホニル基例えばメシル、アリールスルホニル基例工
Ｉｔｆ、　トシノへ／・ロフェニルスルホニルｆＬｔ？
−ｊ、０−またはｐ−クロロスルホニル、及ヒドリハロ
低級アルキルスルホニル基例工ばトリフルオロメチルス
ルホニルである基である。ヒドロキシ基をこれらの離脱
性基に転化する際に公知の普通の方法、例えば対応する
酸ハライド、例えは酸塩化物、または対応する酸無水物
との反応を利用することができる。

式Ｘの化合物は、不活性重機１溶媒中で氏Ｘの化合物を
アルカリ金属アジドで処理して式ＸＩの化合物に転化さ
れる。この反応を行う際に普通の不活性有機溶媒、例え
は非プロトン性溶媒を用いることができる。この反応を
行う際に好ましい非プロトン性溶媒はなかでもジメチル
ホルムアミド及び低級アルカノールである。この反応を
行う際に、温度及び圧力は臨界的ではなく、この反応は
室温及び大気圧下で行うことができる。一方必要に応じ
て、これよりも高温または低温を用いることができる。

式ＸＩの化合物は水素添加によって式ｘｉの化合物に転
化される。式Ｘｔの化合物を式ＸＨのアミンに転化させ
るために、普通の任意の水素添加法を用いることができ
る。この反応を行うために好ましい水素添加触媒は炭素
に担持させたパラジウムである。この転化において、こ
のタイプの水素添加を行う際の普通の任意の条件を用い
ることができる。

式ｘＩＩの化合物はアミン置換基を適当なアミン保護基
で保護することによって式ｘｍの化合物に転化される。

この転化を行うために、普通の任意のアミン保護基を用
いることができる。好ましいアミノ保護基にはなかでも
低級アルコキシ力ルイニル、アリールオキシカルボニル
、ノ＼ロ硝換された低級アルコキシカルボニル及びアリ
ール−低級アルコキシカルボニルが含まれ、ベンジルオ
キシカルボニルが特に好ましい。この転化を行う際に、
アミン置換基を保護する普通の方法を用いることができ
る。好ましい方法はなかでも、特定のカルボニルハライ
ド、殊にクロライドを式ｘｎの化合物と反応させること
である。

式ｘｍの化合物は極めて温和な条件、例えば室温で希釈
水性無機酸及びアセトニ）　ＩＪルの如き有機溶媒を用
いて加水分解することにより、式ＸＩＶの化合物に転化
される。使用し得る希釈無機酸にはなかでも希塩酸が含
まれる。この反応を行う際に、アミノ置、換基の保護基
が加水分解されぬように注意すべきである。この加水分
解はＲ５によって示されるケタールまたはアセタール保
護基を除去するであろう。またこの反応を行う際に、高
温、即ち３０℃以上を用いないように注意すべきである
。この方法においてアミン保護基の除去は避けられよう
。一般にこの反応を室温で行うことが好ましい。

式Ｘ■の化合物を反応させ、第一級アルコール部分をエ
ステル化するだめに式 ％式％ 式中、Ｒ１１０は低級アルキル、ノ・口置換された低級
アルキルまだはアリールであり、Ｘはハロモノ捷たは式
−〇Ｃ０Ｒ１′の基であり、そしてＲＩＩは上記の通り
である、 の化合物との反応により式ＸＶの化合物を生成させる。

この反応を行うだめに、第一級アルコールをエステル化
する際の普通の任意の条件を用いることができる。好ま
しい酸ノ・ライド（Ｘ−）・ロゲン）はなかでも低級ア
ルカン酸、ノ・口置換された低級アルカン酸及びアロイ
ク酸（αｒｏｉｃ　ａｃｉｄｓ）、例えば安息香酸、ニ
トロ安息香酸、ノ・口安息香酸等のハライドである。

式ＸＶの化合物は、式Ｘの化合物の生成に関連シテ述べ
た如くして、第二ヒドロキシ［置換基を離脱性基に転化
することにより、式Ｘ■の化合物に転化される。好まし
い離脱性基Ｒ９０は低級アルキルスルホニルオキシ、好
ましくはメシルオキシである。

式ＸＭの化合物は該式ＸＭの化合物を式ｙ、ｓｏ、　　
　　　　　　　ｘｘ 式中、ＹはＮ−へテロ芳香族塩基である、の錯体と反応
させて式Ｘ■の化合物に転化される。

本発明によれば、Ｙは普通の任意のへテロ芳香族塩基ま
たはアミドであることができる。好ましいヘテロ芳香族
塩基にはなかでもピコリン、ピリジン及びキノリンであ
る。好ましいアミドの中では、ジメチルホルムアミドが
特に好ましい。Ｙがヘテロ芳香族塩基である場合、式Ｘ
■の化合物は該塩基のＭの一塩として得られ、ここにＭ
■はＹＥ■である。必要に応じて、次の塩を普通の方法
によって他の塩型に転化することができる。

一方、他の塩基を用いる場合、Ｍ■はこれらのの 他の塩基の陽イオンを表わす。１ｆ　　が表わし得る他
の陽イオンにはなかでもアルカリ金属陽イオン、例えば
ナトリウム、カリウム及びリチウムの陽イオン、アンモ
ニウム及び保護されたアミン例えば第三級低級アルキル
アミン、例えばトリエチルアミン；ヒドロキシ低級アル
キルアミン、例えば２−ヒドロキシエチルアミン、ビス
（２−ヒドロキレエチル）アミン、トリス（２−ヒドロ
キシエチル）アミン；シクロアミン、例えばジシクロヘ
キシルアミン；ベンジルアミン、例えばＮ、Ｎ′−ジベ
ンジル−エチレンアミン及びジベンジルアミンの陽イオ
ンが含まれる。東に、Ｍのは普通の任意の第四級アンモ
ニウムイオン、例えば、テトラ低級アルキルアンモニウ
ムイオン例えばテトラブチルアンモニウム、テトラメチ
ルアンモニウム、ジメチルジエチルアンモニウム、幻で
あることができる。

適当な塩基型における式Ｘ■の化合物Ｑよ２相溶媒系中
でアルカリ金属炭酸塩またはアルカリ金属重炭酸塩で処
理することによって式Ｘ■の化合物に転化される。この
反応を行う際に、任意のアルカリ金属炭酸塩及び重炭酸
塩を用いることができる。アルカリ金属重炭酸塩または
炭酸塩の水溶液がこの反応に対する水相を提供する。ま
た溶媒系は普通の不活性有機溶媒から生じる有機相を含
有する。この反応を行う際に普通の任意の非プロトン性
溶媒、例えばハロゲン化された炭化水素溶媒を用いるこ
とができる。温度は適当にはｔｌは室温乃至有機溶媒の
沸点間である。式Ｘ■の化合物の水性アルカリ金属塩基
での処理は離脱性基を除去口、そして有機酸官能基を脱
アシル化して式Ｘ■の環式化された生成物を生じる。式
Ｘ■の化合物を式ＸＸＩの化合物に転化する際に、Ｍ■
は第四級アンモニウムイオン、殊にテトラブチルアンモ
ニウムイオン、例えばテトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
イオンであることが好ましい。

式Ｘ■の化合物を式ＸＸｔの化合物に転化する際に、好
ましくは第四級アンモニウム塩型における式Ｘ■の化合
物を式 Ｒ”−ＮＣＯＸ　Ｘ　１１ 式中　Ｊ（１！ｌは低級アルカノイル、ハロ置換された
低級アルカノイル、アリールカルボニル、クロロホスホ
リルまたはジメトキシホスホリルである、 のイソシアニドと反応させる。式Ｘ■の化合物を非プロ
トン性溶媒中で弐ＸＸＩの化合物と反応させて式ＸＸＩ
の化合物を生成させる。この反応を行う際に、普通の任
意の非プロトン性溶媒を用いることができる。好ましい
非プロトン性溶媒はなかでもハロゲン化された炭化水素
、例えば二塩化エチレン、塩化メチレン並びにエーテル
、例えばジエチルエーテル及びテトラヒドロフランであ
る。

この反応を行う際に、温度及び圧力は臨界的ではなく、
この反応は室温及び大気圧下で行うことができる。実際
に、この反応を行う際に、−２０℃〜＋３０°Ｃの温度
を用いることができる。

式ＸＸＩの化合物は該式ＸＸＩの化合物を脱アシル化剤
で処理して式■の化合物に転化される。

普通の脱アシル化剤を用いることができる。好捷しい脱
アシル化剤はなかでもアルカリ金属有機及び無機塩基、
例えば低級アルキルジチオカルバメートのアルカリ金属
塩である。一方、この反応を行う際にアルカリ金属塩、
例えばアルカリ金属炭酸塩及び重炭酸塩を用いることが
できる。一般にこの脱アシル化反応は不活性有機溶媒を
含んでいてもよい水性媒質中で起こる。水性媒質中に任
意の不活性有機溶媒が存在することができる。好寸しい
溶媒はなかでも有極性溶媒、例えば低級ブルカノールで
ある。この反応を行う際に、温度及び圧力は臨界的では
ない。この反応は室温及び大気圧下で行うことができ石
。一方、０°Ｃ〜６０℃の温度を用いることができ、約
２０℃〜４０℃の温度が好ましい。

不発明の具体化例によれば、式■の化合物は上記式ＸＸ
Ｗ、ＸＸ■及びＸＸ■の中間体を経てＬ−アスコルビン
酸から製造することができる。

Ｌ−アスコルビン酸は式■の化合物を式■の化合物への
転化において述べたと同じ条件を用いて式ＸＸ■の化合
物に転化される。次に式Ｘｘ■の化合物は該式ＸＸＷの
化合物を不活性有機溶媒中にて強酸触媒で処理すること
によって式ＸＸ■の化合物に転化される。この反応は還
流下で行われる。この反応を行う際に、環化触媒として
普通の任意の強酸を用いることができる。好ましい強酸
はなかでもｐ−）ルエンスルホン酸、塩化水素酸、等で
ある。この反応を行う際に、普通の任意の不活性有機溶
媒を用いることができ、好ましい溶媒はアセトニトリル
である。この反応は反応媒質の還流温度で行われる。

式ＸＸ■の化合物は該式ＸＸ■の化合物をアンモニアで
処理することによってｉＸＸ■の化合物に転化される。

一般にこの反応は不活性有機溶媒例えば低級アルカノー
ル中で且つ該溶媒媒質をアンモニアガスで飽和すること
によって行われる。

この反応を行う際に、温度及び圧力は臨界的ではなく、
この反応は室温及び大気圧下で行うことができる。

式ＸＸ■の化合物は該式ＸＸ■の化合物を弐式中、Ｒ１
６は低級アルキルであり、そしてＲ５は上記の通シであ
る、 の化合物と反応させて式■の化合物に転化される。

一般にこの反応は触媒として強有機酸を用いて行われる
。強有機酸としてｐ−トルエンスルホン酸が好ましい。

この反応は非プロトン性溶媒の存在下において行われる
。普通の任意の非プロトン性溶媒を用いることができる
。奸才しい非プロトン性溶媒はなかでも前記の溶媒、殊
にジメチルホルムアミド、ジグリム、ハロゲン化された
炭化水素、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドである。この
反応を行う際に、温度及び圧力は臨界的ではなく、この
反応は室温及び大気圧下で行うことができる。

一般にこの反応を行う際に、θ℃〜３０℃の温度が好ま
しい。

更に本発明の他の具体化例においては、式ＸＩＶの化合
物は上記の式ＸＸＸ、ＸＸＸＩ、ｘｘｘｎ及びｘ　ｘ　
ｘ　ｍ、の中間体を経て式■の化合物に転化することが
できる。

式ｘ■の化合物は該式ＸＩＶの化合物を式ｘｘｎのイソ
シアニドと反応させて式ＸＸＸの化合物に転化すること
ができる。この反応は式Ｘ■の化合物を式ＸＸＩの化合
物への転化について述べた方法と同様にして行うことが
できる。式ＸＸＸの化合物は該式ＸＸＸの化合物におけ
る遊離ヒドロキシ貿換基を離脱性基に転化することによ
って式ＸＸＸＩの化合物に転化される。この反応を行う
際に、前記の如き離脱性基を生成させる方法を用いるこ
とができる。式ＸＸＸ　Ｉの化合物は該式ＸＸＸＩの化
合物を式ＸＸの化合物と反応させ、そして必要に応じて
、生成物を塩に転化することによって式ｘｘｘｉの化合
物に転化される。この反応は式Ｘ■の化合物の式Ｘ■の
化合物への転化に関して述べた方法と同様にして行われ
る。

一般にこの方法の次の工程において弐ＸＸＸＨの化合物
を式ｘｘｘｎの化合物に転化する際に、■ Ｍ　　は好ましくは第四級アンモニウム塩、殊にテトラ
ブチルアンモニウム塩またはアルカリ金属塩である。式
’ｘ　ｘ　ｘ■の化合物は脱アシル化によって式ｘｘｘ
ｍの化合物に転化される。脱アセチル化の普通の任意の
方法、例えば式ＸＸＩの化合物の式■の化合物への転化
に関して上に述べた如き方法を用いることができる。

本方法の次の工程において、式ｘｘｘｍの化合物は、該
式ｘｘｘｍの化合物を、式Ｘ■の化合物の式Ｘ■の化合
物への環化に関して述べた方法において、アルカリ金属
炭酸塩まだは重炭酸塩で処理することによって式■の化
合物及び式Ｘ■の化合物を含む混合物に転化される。一
般にこの反応を水性アルカリ金属重炭酸塩、殊に重炭酸
ナトリウム中で行うことが好ましい。この環化により生
じる生成物は式■及びＸ■の化合物を含む混合物である
。これらの化合物は普通の方法で分離し、そして上記の
方法において式Ｉの化合物に転化することができる。

本発明を以下の実施例において更に説明する。

実施例中、エーテルはジエチルエーテルでめり；１）　
Ｍ’　Ｆはジメチルホルムアミドであり；ダイアイオン
（Ｄｉαｉｏｎ　）　ハスチレンージビニルベンゼン重
合体であり；ダウエックス（１）ｏｗｅｘ　）　Ａ　Ｇ
　Ｉ　−Ｘ４はスチレン−ジビニルベンゼン重合体に結
合した第四級アンモニウム基からなる強塩基性陰イオン
交換樹脂である。ＡＧ５ｏＷ−Ｘ４はスチレンージビニ
ルベンゼ、ン重合体格子に結合したスルホン酸からなる
強酸性陽イオン交換樹脂である。

５．６−０−イングロピリデンーＬ−アスコルビン酸 容量１２１の丸底フラスコにアセトン８０００ηｔｌ、
Ｌ−アスコルビン酸１６０１’、２．２−ジメトキシプ
ロパン１８８０　ｍｌを入れ、この混合物を％時間攪拌
した；吹込器を通して塩化水素を２〜４分間にわたって
徐々に加えた（溶液の色は無色から暗黄色に変化した）
。混合物を１時間攪拌し、極めて粘性になった。生成物
を濾過し、冷アセトンで洗浄し、固体分をフード内で風
乾し、５゜６−０−インプロピリデン−Ｌ−アスコルビ
ン酸の第一収穫物１ｓ２１．！ｉ＋を得だ。母液を濃縮
して５．６−０−イングロピリデンーＬ−アスコルビン
酸の第二の収穫物２２５ｇ及び第三の収穫物１６２Ｉを
得だ。

実施例２ カルシウム３．４−０−イソプロピリデン−Ｌ容量５．
０４の三つロ丸底フラスコ中で水１．Ｏ４中の５．６−
イツプロピリデンーＬ−アスコルビン酸８６．４ｇ（０
，４モル）の懸濁液を炭酸カルシウム８０．０．９（０
，８モル）で処理した（ガス発生）。

生じた混合物を水浴中で冷却した。次に３０容量チ過酸
化水素水１６０　ｍｅ　（１，６モル）を滴下した。

添加後、混合物を徐々に約２０°Ｃに加温した（発熱）
。温度を冷却によって３０°Ｃ以下に保持した；反応が
終った際、混合物を３０〜４０℃に３０分間加熱した。

この反応混合物に木炭１６０ｙ及び９０重量饅炭紫に担
持させたｌＯ重量％パラジウムｌ　Ｏ＃を加えて過剰量
の過酸化水素を分解した。

この添加後、反応混合物を蒸気浴上で、ヨウ化カリウム
紙に対する試験が負になるまで（３０分間）加熱した。

この懸濁液をケイソウ土を通して濾過した。Ｆ液を回転
蒸発機で濃縮した。残渣を水−アセトンから再結晶させ
、白色結晶（融点２５０℃）としてカルシウム３．４−
０−イングロピリデンーＬ−スレオネート４８．４　ｇ
を得た。一実施例３ メチル３．４−０−インプロピリデン−Ｌ−スレオネー
ト 光線から保護された容量５０００ｍ（！の丸底フラスコ
中で、ジメチルアセトアミド１５０ｎ＋７！中のカルシ
ウム３．４−ｏ−イングロピリデンーＬ−スレオネー）
２３．４．９（０，１２モル）の懸濁液をアルゴン下に
て重炭酸ナトリウム７３．２　ｇ（０，８７モル）及び
ヨウ化メチル６７．２　ｙｎ／！　（１，０８モル）で
処理した。この混合物を室温で２日間攪拌した。

次にこのものを酢酸エチル１２００　ｍｌに注ぎ、生じ
た沈殿物を濾過した。涙液を回転蒸発機で濃縮して酢酸
エチルを除去し、次に高真空下でジメチルアセトアミド
を除去した。残渣を酢酸エチル５００ｍ１に採り入れ、
生じた溶液を塩水２　Ｘ　２５０ｍ１．で洗浄した。各
塩水を同一の酢酸エチル２００ｍｅで逆抽出しだ。有機
抽出液を合液し、乾燥しくＮａ２ＣＯ４）、回転蒸発機
で蒸発させ、次に高真空下で蒸発させ、淡黄色油として
メチル３，４−０−イソプロピリデン−Ｌ−スレオネ−
１−２１，７ｇを得た。この物質を更に精製せずに次の
工程に用いた。

実施例４ ３．４−０−インプロピリデン−Ｌ−スレオンアミド 容量１．Ｏ４の丸底フラスコ中にメチル３，４−０−イ
ソプロピリデン−Ｌ−スレオネート２１．６ｙ１テトラ
ヒドロフラン２８０ｍ１及び２ｇ４重量％水酸化アンモ
ニウム水溶液９５ｍ（！を入れた。この反応混合物を水
浴中で冷却し、アンモニアガスを５分間吹き込んだ。次
に溶液を室温で一夜攪拌した。反応混合物を真空下で濃
縮し、無水エタノールと共に共沸させた。残渣を酢酸エ
チル−ヘキサンから再結晶させ、白色結晶として３．４
−０−インプロピリデン−Ｌ−スレオンアミド１７．’
ｌ／１（８９％）を得た、融点７７〜７９℃。

実施例５ １．２−ジクロロエタン（乾燥）１５蔵及びピリジン（
乾燥）２艷中の３．４−０−インプロピリチン−Ｌ−ス
レオンアミド１．６．９　（９，，１ミリモル）の混合
物に、−１０℃（アセトン氷）でトリフルオロメタンス
ルホン酸無水物１．ｒｔｒｔ　（１ｏ　ミリモル）を徐
々に加えた。反応混合物を一１０°Ｃで３０分間、そし
て０℃で更に３０分間攪拌した。

この反応混合物にエーテル５０−を加え、混合物を塩水
で洗浄し、乾燥しくＮα２ＳＯ４）、そして漁発させ、
２−０−）リフルオロメタンスルホニル３．４−０−イ
ンプロピリデン−Ｌ−エリスロンアミドを得だ。ジメチ
ルホルムアミド１５　ｍｅ、中のこの粗製の生成物に０
℃でリチウムアジド１．２　＆（２４ミＩＪモル）を加
え、室温で１５時間攪拌した。この反応混合物に酢酸エ
チル１００　＋ｎｌ！を加え、塩水で２回洗浄し、乾燥
しくＮα２５０４）、蒸発乾固させた。粗製のアジド生
成物をフラッシュクロマトグラフィーによりオ青製しく
　５ｉｎ２；ＥｔＯＡｃ−ヘキサン（１：１）：）、生
成物１．３ｇ（７２チ）を得た。エーテル−ヘキサン（
１：ｌ容量部）から再結晶させ、精製された生成物、２
−アジド−２−デオキシ−３、４−に）−インプロピリ
デン−Ｌ−エリスロンアミド１．２４１１を得だ、融点
９８〜９９°Ｃ０ 実施例６ ２−０−ベンジルオキシカルボニル−アミノ−エタノー
ル５００．０−中の２−アジド−２−デオキシ−３，４
−０−イングロピリデンーＬ−エリスロンアミド１２．
３ｇ（０，０６１モル）の溶液を炭素９０重量％に担持
させたパラジウム１０重量％の１．３ｇの存在下におい
て、２５℃及び大気圧下で２時間水素添加した（系を真
空にし、そして３回水素を再充填した）。混合物をケイ
ソウ土を通して濾過し、触媒をエタノール（７５ｍ（り
で洗浄した。合液したろ液及び洗液を真空下で蒸発乾固
させ、白色固体として２−アミノ−２−デオキシ−３，
４−０−イソプロピリデン−Ｌ−エリスロンアミドを祠
だ。この白色固体を塩化メチレン２５０．　Ｏｍ／に溶
解し、水２００．　Ｏ−中の炭酸カリウム８．４８Ｎ（
０，０６１モル）を加えた。この混合物を機械的に攪拌
し、０℃に冷却した。冷却後、ペンジルクロロホルメー
）　１１．３　ｍｅ　（０，０７９モル）を徐々に加え
、この混合物を０℃で２時間攪拌した。白色沈殿物を濾
過した。涙液を真空下で濃縮し、有機性部分を除去し、
このものは第二の沈殿物を生じた。合わせた沈殿物を酢
酸エチル（７００ｍ７りから再結晶し、白色結晶として
２−ペンジルオキシカルボニルアミノ−２−デオキシ−
３，４−０−イングロピリデンーＬ−エリスロンアミド
１５．１１１を得た纂融点１８１〜１８２℃。

実施例７ ２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−２−デオキシ−
３，４−０−インプロピリデン−Ｌ−エリスロンアミド
６．４１９（０，０２１モル）及び原液４１８．０＋ｎ
１．（２ＭＨＣｌ　６．６ｍｅ及び水１３３−をアセト
ニトリルで９００ｍ７！に希釈したもの）の混合物を室
温で２時間、０℃で２０分間攪拌し、Ｎα−ベンジルオ
キシカルボニル−４−ヒドロキシ−Ｌ−アロスレオニン
アミド４．６５　Ｉ！を得り、融点１７５〜１７６℃（
８３％）；ＴＬＣ（塩化メチレン／メタノール８／１容
量μ）。上記の炉液を出発アミド６．４４Ｉ？（０，０
２１モル）と共に再充填し、反応をくシ返し行い、上記
の生成物を得だ。Ｐｉにプロピオンオキサイド（２ｍＣ
）を加え、次に容量を真空下で２００Ｈに減じた。この
溶液を冷蔵庫中に一装置き、生じた沈殿物を濾過し、更
に１．０ｇのＮα−ベンジルオキシカルボニル−４−ヒ
ドロキシ−Ｌ−アロスレオニンアミドを得た。

実施例８ （２Ｓ、３Ｓ）−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ
−３−メタンスルホニルオキシ−４−クジメチルホルム
アミド４０．ｍｅ及び２，６−ルチジン２ｒｎ７！中の
Ｎα−ベンジルオキシカルボニル−４−ヒドロキシ−Ｌ
−アロースレオニンアミドｔｏｓｇ（１５ミリモル）の
溶液を一１０℃に冷却し、塩化メチレン中のクロロアセ
チルクロライドの１Ｍ溶液１８ｆｆ１２を徐々に加えた
。反応混合物を一１０℃で１時間、０℃でイ時間攪拌し
、次に高真空下にて室温で、（２５，３５）−２−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−３−ヒドロキシ−４−ク
ロロアセトキシブタンアミドのジメチルホルムアミド溶
液約１５ぜに濃縮した。これに−１５℃で攪拌１〜なが
ら、ジクロロエタン２５ｍｅ、トリエチルアミン６．２
１ｎｌ（４５ミリモル）及びメタンスルホニルクロライ
ド２．ａ＊（ａｏミリモル）を徐々に加えた。−１５℃
〜−１０℃で１時間攪拌した後、反応混合物を酢酸エチ
ル２００ｆｎ１．で希釈し、希釈ＨＣＬ、塩水で洗浄し
、無水Ｎａ２５ｏ。

上で乾燥した。減圧下及び室温で蒸発させて油が得られ
、このものを高速液体クロマトグラフィーによって精製
しく酢酸エチル−ヘキサン、７：３容量部）、（２Ｓ、
３Ｓ）−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−３−メ
タンスルホニルオキシ−４−クロロアセトキシブタンア
ミドを得た。分析試料を酢酸エチル／ヘキサンから結晶
させた、融点１４０〜１４２℃。

実施例９ ジクロロメタン４０．０ｍｌ中の２−ピコリン３０ｍ　
（ａ　ｏ　ミ！７モル）の溶液をアルゴン下にて一１０
℃に冷却し、これにクロロスルホン酸１．　ｏ　ｍｔ（
１５ミＩＪモル）ケ徐々に加えた。−１０℃で５分間攪
拌を続けた。この溶液に（２Ｓ、３．５）−２−ベンジ
ルオキシカルボニルアミノ−３−メタンスルホニルオキ
シ−４−クロロアセトキシブタンアミド２．１７ｇ（５
１ミリモル）を加えた。室温で５分間攪拌した後、反応
混合物を一夜（１９時間）還流させ、ピコリニウム（２
Ｓ、３Ｓ）−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−３
−メタンスルホニルオキ、シー４−クロロアセトキシブ
タンアミドＮ−スルホネートを生じた。冷却後、反応混
合物を０．６Ｍ重硫酸カリウム水溶液４０献で洗浄し、
２重量係重炭酸ナトリウム水溶液２×２５−で抽出した
。合液した重炭酸す）　ＩＪウム抽抽出液液硫酸水素テ
トラ−ｎ−ブチルアンモニウム２．８４ｇ（７ミリモル
）で処理し、ジクロロメタン２×２５−で抽出した。合
液した有機抽出液を乾燥しくＮａ、、５Ｏ４）　、次に
減圧下で蒸発させ、黄褐色の泡状でテトラ−ｎ−ブチル
アンモニウム（２Ｓ、ａＳ）−２−−＜ンジルオキシカ
ルボニルアミノ−３−メへンスルホニルオキシ−４−ク
ロロアセトキシプクンアミド八′−スルホン酸を生じた
。１，２−ジクロロエタン４０．０１ｎｅ中の上記の泡
状物の溶液に水２５−中の重炭酸カリウム２０ｇ（２０
ミリモル）を加えた。生じた２相系をはげしく攪拌し、
還流下で１５分間加熱した（油浴８０〜８５°Ｃ）。冷
却した際、有様層を分離し、水層をジクロロメタンで抽
出した。合液した有機抽出液を乾燥しくＮａ２Ｓ０４）
、減圧下で蒸発させ、黄褐色の油としてテトラ−ｎ−ブ
チルアンモニウム（３Ｓ、４Ｓ）−３−ベンジルオキシ
カルボニルアミノ−４−ヒドロキシメチル−２−アゼチ
ジノン−１−スルホン酸が得られ、このものを更に精製
せずに次の工程に用いた。このテトラ−ｎ−ブチルアン
モニウム塩の一部′（１−ＡＧ５０１Ｖ−Ｘ４＋ （Ｎ　ａ　　型）と共に攪拌してす）　ＩＪウム塩に転
化した。ダイアイオンで精製し、純（３Ｓ、’４Ｓ）−
３−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−ヒドロキシ
メチル−２−アゼチジノン−１−スルホン酸ナトリウム
を得た。

実施例１０ 乾燥塩化メチフッ４０ｍｅ中のテトラブチルアンモニウ
ム（３Ｓ　、４Ｓ）−シス−３−ベンジルオキシカルボ
ニルアミノ−４−ヒドロキシメチル−２−アゼチジノン
−１−スルホン酸２．４２　、！７　（４，２ミリモル
）の溶液を０℃に冷却し、クロロアセチルイソシアネー
ト０．４２　ｍｅ　（８，４ミリモル）をアルゴン下で
徐々に加えた。反応混合物を（１’Ｃで１時間攪拌し、
水１５ｍ１中のＮ−メチルジチオカルバミン酸ナトリウ
ム１．２　ｇ（８，１６ミリモル）を加えた。この混合
物を室温で１時間はげしく攪拌した。有機層を分離し、
水相を塩化メチレンで１回抽出した。合液した有機抽出
液をＮａ、ＳＯ，上で乾燥し、減圧下でストリッピング
して乾固させた。

残渣をエタノール−水（１：２容量部）４０−に溶解し
、ＡＧ５０Ｗ−Ｘ４樹脂（１００〜２００＋ メツシュ、Ｎａ　型）３０−と共に１５分間攪拌した。

この樹脂を派別し、水３０ｍ／！で洗浄した。

涙液を高真空下でその最初の容量の半分に濃縮し、そし
て酢酸エチル１０−で２回洗浄した。水溶液を高真空下
でストリッピングして乾固させた。固体残渣をメタノー
ルでスラリにし、そして涙過した。触媒を冷メタノール
、エーテルで洗浄し、乾燥し、３６重量％の収率で（３
，５，４Ｓ）−シス−３−ベンジルオキシカルボニルア
ミノ−４−カルバモイルオキシメチル−２−アゼチジノ
ン−１−スルホン酸ナトリウムを得だ。ｐ液を濃縮し、
水５ｍｌ！に溶解し、次にダイアイオン６ｏｄのカラム
に入れ、水並びにエタノール５容量チ及び水９５容量チ
の混合物で溶離した。所望のフラクションを合液し、濃
縮し、アセトンでスラリにし、更に（３Ｓ　、　４．５
　）−シス−３−ベンジルオキ７カルポニルアミノー４
−力ルバモイルオキシメチル＝２−アゼチジノン−スル
ホン酸ナトリウム２２０ｍ？を得た。

実施例１１ 水（２３７ｍｌＶ、）及びＴＨＦ　（２３’Ｉｎｔｌ）
中の（ａＳ、　４Ｓ）−シス−３−ベンジルオキシカル
ボニルアミノ−４−カルバモイルオキシメチル−２−ア
ゼチジノン−１−スルホン酸ナトリウム（１５，７，９
，３８ミリモル）の溶液に炭素９０重量係に担持させた
パラジウム１０重量％（１５，７ｇ）を加え、この混合
物を水素雰囲気下にて室温で５０分間攪拌した。触媒を
炉別し、水及びＴＨＥの混合物（ｌ：ｌ容量部、４７４
−）で洗浄した。涙液及び洗液を合液し、０〜５℃に冷
却した。

この溶液にテトラヒドロフラン（２３７ｒｎｌ）、Ｍａ
ｉｌＣＯ３（７，６６１１）及び２−（２−クロロアセ
トアミドチアゾルー４−イル）−（Ｚ）−２−（４−ニ
トロベンジルオキシカルボニルメトキシイミノ）アセチ
ルクロライド（２３，３３，Ｐ、　　４５．６ミリモル
）を加え、この混合物を０〜・５°Ｃで５０分間攪拌し
た。ｐＨ値５〜６に調節した後、混合物を室温で１６０
分間攪拌した。この反応過程中に、更に次の如く３回に
Ｎ−メチルジチオカルバミン酸ナトリウムを加えた；４
０分及び８０分後にそれぞれ５゜８９．９並びに１２０
分後に１．５．！ｉ’０反応溶液のｐＨ値を時々希釈Ｍ
ＣＩの添加によって７．５に保持した。反応終了後、７
）Ｊ’／値を５に調節し、テトラヒドロフランを減圧下
で蒸発させた。

残った水溶液をエーテル（３００ｍＡ）で洗浄し、減圧
下で濃縮した。残渣をダイアイオン上でクロマトグラフ
ィーにかけ、水（１０７）、１０％ＥｔＯＨ（Ｔｌ）及
び２０％ＥｔＯＨ（１２１）で溶離した。生成物を含む
フラクション（約１０１）を減圧下で濃縮し、残渣（約
７５０ｒｐρ）を凍結乾燥し、（ａＳ、４Ｓ）−シス−
３−［２−（２−クロロアセトアミドチアゾルー４−イ
ル）−（Ｚ）−２−（４−ニトロベンジルオキシ力ルポ
ニルメドキシイミノ）アセトアミドツー４−カルバモイ
ルオキシメチル−２−アゼチジノン−１−スルホン酸ナ
トリウム（２１，５８ＪＦ、収率８２４％）を得た。

実施例１２ 水（１２２ｏｒｎＩ２）中の（ａＳ、４Ｓ）−シス−３
−［２−（２−クロロアセトアミドチアゾルー４−イル
）−ＣＺ）−２−（４−ニトロベンジルオキシカルボニ
ルメトキシイミノ）アセトアミドツー４−カルバモイル
オキシメチル−２−アゼチジノン−１−スルホン職ナト
リウム（２１，４，？、３２．４ミリモル）の溶液に、
炭素９０重量優に担持させたパラジウム１０重量％（Ｓ
Ｏ重量％、２１．４ｙ）を加え、この混合物を水素雰囲
気下にて室温で１時間攪拌した。触媒を戸別し、水及び
テトラヒドロフランの混合物（ｌ：１容量部、１８００
ｍｌ　）で洗浄した。Ｐ液及び洗液を合液し、減圧下で
濃縮した。残渣（約６００＋ｎ／りに３’ＮＢｃｌ（３
５、６ｍｌ　）を加え、この溶液を５分間攪拌し、ダイ
アイオン（５７１りのカラムに入れ、水（７，ｓ　ｌ）
及び５チＥｔ０１１（１３１１）で溶離した。（３Ｓ。

４Ｓ）−シス−ａ−［２−（２−アンモニオチアゾルー
４−イル）−（Ｚ）−２−（カルボキンメトキシイミノ
）アセトアミドツー４−カルバモイルオキシメチル−２
−アゼチジノン−１−スルホネートを含むフラクション
（約５５１）を減圧下で濃縮し、残渣（約７５　ｏｌｎ
ｌ）を凍結乾燥し、無色の粉末として（３Ｓ、４Ｓ）−
シス−３−〔２−（２−アンモニオチアゾルー４−イル
）−（Ｚ）−，２−（カルボキシメトキシイミノ）アセ
トアミドツー４−カルバモイルオキシメチル−２−アゼ
チジノン−１−スルホネート（１１，０，９，７０，０
％）を得た。

この粉末（４ｘ＆）を冷水（２２０ｒｎｆ、）に懸濁さ
せ、この懸濁液を０〜５°Ｃで２時間、同一温度で１時
間放置した。生じた無色の結晶を濾過によって捕集し、
冷水（ｓ５ｍｃｘ２）で洗浄し、減圧下にてＰ、０．上
で乾燥し、（３，５，４Ｓ）−シス−３−［２−（２−
アンモニオチアゾルー４−イル）−（Ｚ）−２−（カル
ボキシメトキシイミノ）アセトアミドツー４−カルバモ
イルオキシメチル−２−アゼチジノン−１−スルホネー
トの半水和物（９，ｓ　ｇ、回収率９０係）を得た。

実施例１３ １．２−ジクロロエタ／１００ｍ７！中０３，４−０−
イソプロピリデン−Ｌ−スレオンアミド１０．５ｇ（０
，０６モル）及びトリエチルアミン２４ｍ１の溶液に室
温でｐ−クロロベンゼンスルホニルクロライドｆｉｌｌ
（０，０９モル）を加え、この反応混合物を室温で３０
分間攪拌した。反応後、１″１シ岐ニーＦ−／Ｌ／　（
１５０ｆｆｌｅ）を加え、反応混合物をＩ　Ｎ　ＨＣ’
　ｌ。

塩水及びＮａＨＣＯ３の５重量％水溶液で洗浄した。

有機層を分離し、Ｈａ、ＳＯ２上で乾燥し、酢畝エチル
ーー・キサンから結晶させ、２−θ〜（４−クロロベン
ゼンスルホニル）−３，４−（ノーイソプロピリデン−
Ｌ−スレオンアミドｔｓ、８．９（７４％）を得た、融
点１３６〜１３８°Ｃ０ 実施例１４ ＤＭＦ　（３０ｔｙｆ　）中の２−０−　（４−クロロ
ベンゼンスルホニル）−３，４４Ｊ−イングロピリデン
ーＬ−スレオンアミドｔｏ、ｓｇ（ｏ、ｏ３モル）及び
Ｎａｐ３２１　（ｏ、ｏ　ａ　６モ＃）の混合物を６０
〜６３℃に４８時間加熱した。反応後、混合物を酢酸エ
チル（１５０’ｍＡ）に加え、濾過し、ろ液を５％Ｎａ
ＨＣＯ３水溶液及び塩水で洗浄した。有機層ｆ　Ｎ　ａ
２Ｓ　Ｏ４上で乾燥し、ストリッピングして乾固させ、
高速液体クロマトグラフィーによって精製しく　ＣＨ，
Ｃ１２−Ｃ１１，ＣＮ、　　８　：　２　）、２−アジ
ド−２−デオキシ−３，４−０−インプロピリデン−Ｌ
〜エリスロンアミド（４，２１，７０％）ｔ−得だ、融
点９８〜９９°Ｃ。

実施例１５ ンアミド Ｄ！ＩｆＦＳｍｌ中のＮａ−ペンジルオキシ力ルポニル
ー４−ヒドロキシ−Ｌ−アロスレオニンアミドｏ、２６
ｓｇ（１ミリモル）の溶液を一１０℃に冷却し、クロロ
アセチルイソシアネート０．１２．９（１ミリモル）を
加え、この反応混合物−１０℃で１時間攪拌し、（２Ｓ
、３Ｓ）−２−ベンジルオキシ−カルボニルアミノ−３
−ヒドロキシ−４−（Ｎ−クロロアセチルカルバモイル
オキシ）ブタンアミドを生成させた。上記の反応混合物
に、メタンスルホニルクロライドｏ、　ｉ　４　ｓ　ｊ
ｉ　（１，２５ミリモル）を−１５℃〜−１０°Ｃで加
え、次にトリエチルアミ７０．２６ｒｄを加え−た。反
応混合物を一１５°Ｃ〜−１０°Ｃで４０分間攪拌した
。反応後、酢酸エチル（２０ｍｆりを加えた。生じた混
合物５％Ｍａｉｌ、ｐＯ，水溶液及び塩水で洗浄し、有
機層をＮａ、ＳＯ，上で乾燥した。溶媒を減圧下で除去
し、粗製の生成物をカラムクロマトグラフィーによって
精製しくＳｉｎ、、酢酸エチル−ヘキサン８：２）、（
２，５，３５）−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ
−３−メタンスルホニルオキシ−４＝（Ｎ−クロロアセ
チルカルバモイルオキシ）−ブタンアミド０．２５．Ｐ
（５３％）を得た。

実施例１６ ジクロロメタン（８ｍｌ、　）中の２−ピコリン０．３
Ｊ　（３，０ミ！Ｊモル）及びクロロスルホン酸０．１
　ｍＡ（１，５ミリモル）の溶液に、（２Ｓ、３Ｓ）−
２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−３−メタンスル
ホニルオキシ−４−（Ｎ−クロロアセチルカルバモイル
オキシ）ブタンアミド０．２４ｇ（０，５１ミリモル）
を加え、この溶液を４５℃に１８時間加熱し、ピコリニ
ウム（２Ｓ、３Ｓ）−２−ベンジルオキシカルボニルア
ミノ−３−メタンスルホニルオキシ−４−（＃−クロロ
アセチルカルバモイルオキシ）ブタンアミドＮ−スルホ
ネートを生成させた。反応後、反応混合物に水（１５ｒ
ｎ１．）を加え、ｐＨ値を７〜８に調節した。水層をＮ
−メチルジチオカルバミン酸ナトリウム０．０７４　ｆ
！（Ｏ，Ｓ　ミ＋）モル）と共に室温で４時間攪拌した
。

次にｐＨ値をＮａＨ３Ｏ３で３に調節し、酢酸エチルで
洗浄した。水層に電値５酸テトラー？Ｌ−ブチルアンモ
ニウム０．３（１（０，７５ミリモル）を加え、混合物
を塩化メチレン（２０ｍ／！Ｘ２）で抽出した。

有機層をＮａ、Ｓ０４上で乾燥し、減圧下で蒸発させ、
（２Ｓ、３Ｓ）−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ
−３−メタンスルホニルオキシ−４−カルバモイルオキ
シーブクンアミドＮ−スルホン酸テトラ−ｎ−ブチルア
ンモニウムが得られ、このものを更に精製せずに次の工
程に用いた。

塩化メチレ／ｌｏｍｔ中の上記のスルホネートの溶液に
水（４ｔｎｐ、　）中のＮａ１ｌＣ０３１６８ｍ９を加
え、この混合物をはげしく攪拌しながら８５℃に１５分
間加熱した。塩化メチレン層を濃縮し、残渣をエタノー
ル３ｔｎｔに溶解した。次にエタノール溶液をＡＧ　５
０Ｆ　　Ｘ　４　（Ｈａ十型）で処理し、（３Ｓ　、４
Ｓ）−３−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−カル
バモイルオキシメチル−２−アゼチジノン−１−スルホ
ン酸ナトリウム（３０〜、７５％）及び副生成物（３Ｓ
、４Ｓ）−シス−３−ペンジルオキン力ルボニル゛アミ
ノ−４−ヒドロキシメチル−２−アゼチジノン−１−ス
ルホン酸ナトリウム（２０ｍ９）を得た。この混合物を
メタノール−水（２ｍｅ：　ｏ、　ｓゴ）から結晶させ
、純（３，５，４５）ｌ−シス−３−ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ−４−カルバモイルオキシメチル−２−
アゼチジノン−１−スルホン酸ナトリウムを得だ。母液
を゛亜硫酸テトラ−ｎ−プチルアンモニラム２８■（０
，０７ミリモル）で処理し、ＣＨ２Ｃｌ２で抽出し７、
（３Ｓ、４Ｓ）−シノー３−ベンジルオキシカルボニル
アミノ−４−ヒドロキシメチル−２−アゼチジノン−１
−スルホン醒テトラーｎ−プチルアンモニウムを得た。

実施例１７ ＣＨ２Ｃｌ、（乾燥）１０ｍ７！中の（ａＳ、４．５）
−３−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−ヒドロキ
シメチル−２−アゼチジノン−１−スルホネート（テト
ラブチルアンモニウム塩）０５Ｔｌｌ（１ミリモル）の
溶液を０℃にてクロロアセチルイノ／アネートｏ、２４
１１（２ミリモル）で処理し、次に０℃で４５分間攪拌
した。反応後、溶媒を減圧下で除去し、残渣をＴ　Ｂ　
Ｆ　１０　ｍｅ、　　５　％　Ｎａ１ｌＣＯ３水溶液２
　ｍＡ及びメタノール０−２　ｍｅに溶解した。この混
合物を４５°Ｃで５時間攪拌した。反応後、残渣ヲクロ
ロホルム（２０−）に溶解した。クロロホルム溶液を塩
水で洗浄し、ストリツピインクして乾固させ、残渣をＥ
　ｔ　０ｆｆ−Ｈ２Ｏ（１：　２容量部）１０ｍ／に溶
解し、次にＡＧ５０Ｆ−Ｘ４＋ （４ｍ！、Ｎａ　型）で処理した。この樹脂を炉別し、
炉液を高真空下で濃縮した。アセトン−Ｈ，０から結晶
させ、（３５，４５）−３−ベンジルオキ７カルボニル
アミノー４−カルレノくモイルオキシメチル−２−アゼ
チジノン−１−スルホン酸ナトリウム１１３ｍ９（２９
Ｌ１））を得た。母液をダイアイオンで精製し、更に生
成物３ｏｍ９（収率８チ）を得た。

実施例１Ｂ カルシウム−Ｌ−スレオネート 攪拌機、温度計及び滴下ロートを備えた容量１２１のフ
ラスコ中に、Ｌ−アスコルビン酸５２８ｇ（１０モル）
及び蒸留水７’５００ｍ／を入れた。

このバッチを室温で攪拌して透明な溶液にし、炭酸カル
シウム６００ｇで処理した。このスラリを攪拌し、そし
て１５℃に冷却した。次に過酸化水素（３０重重量）ｘ
２ｏｏｒｎ１．を１２〜１５℃で６０分間にわたって加
えた。この混合物を室温で１６時間攪拌した。次に木炭
１２０ｇを加えた。

混合物を７５°Ｃに加熱し、一方、酸素が発生しなくな
るまで（水トラツプ中にバブリングによって示される）
、攪拌を続けた。このバッチを７０〜７５℃で濾過し、
フィルターケーキを蒸留水２×１００ゴで洗浄した。合
液したろ液を真空下にて５０℃以下で約２１に濃縮した
。次に溶液が濁るまでメタノール１５００ｔｄを加えた
。混合物を室温で１６時間攪拌し、濾過し、メタノール
２×１００ｍｆ’で洗浄した。固体分を一定重量になる
まで真空下にて６０℃で乾燥し、乾燥重量４３６．５ｇ
及び融点３００℃を有するカルシウム−Ｌ−スレオネー
ト−水和物が得られた。

再結晶： 攪拌機、温度計及び還流冷却器を備えた容量１２１のフ
ラスコ中に粗製のカルシウム−Ｌ−スレオネート４００
９及び蒸留水６０００ｍｆを入れた。

このバッチを攪拌し、濁った溶液が得られるまで９０℃
に加熱した。バッチを９０°Ｃで渥過し、ｐ過残渣を蒸
留水１００ｍ１！で洗浄した。合液した涙液を約２１Ｋ
濃縮し、次にバッチが濁るまでメタノール約２０００　
ｍｌを加えた。次にこのものを室温で１６時１ｔＪ攪拌
し、濾過し、メタノール２×１００ｍ１！で洗浄した。

固体分を一定重量になるまで真空下にて６０℃で乾燥し
、再結晶したカルシウム−Ｌ−スレオネート−水和物３
７６．９　ｇを得た。

実施例１９ Ｌ−スレオノラクトン 容−１２４の丸底フラスコ中に、カルシウムスレオネー
ト−水和物４６．７３　、！ｉ＋及び水１０００　ｍｌ
！を入れた。この混合物を蒸気浴上で完全に溶解するま
で（３０分間）加熱した。次にバイオ−レイド＋ （Ｂｉｏ−Ｒａｄ　）樹脂ＡＧ５０Ｗ−Ｘ４（１１型）
３００　ｍｅを加えた。この熱混合物を３０分間はげし
く攪拌［７、固体分を戸別し、Ｐ液を高呪空下で蒸発乾
固させた。残渣を再懸濁させ、アセトニトリルと共に２
回共沸的に蒸発（回転蒸発伝）させた。次に残渣をアセ
トニトリル５００ηｌρに懸濁させ、ｐ−１ル工ンスル
ホン酸１ｇを加えた。この混合物を還流温度に１時間加
熱した。次にこれを冷却し、そして濾過しだ。炉液を蒸
発させ、残渣をアセトニトリル／エーテルから結晶させ
た。−夜冷蔵庫に置いた後、Ｌ−スレオノラクトンの白
色結晶２　ｓ、　０７　Ｆｌを捕集した。母液を蒸発さ
せ、残液を酢酸エチル約１００ｍ１に溶解し、２重量％
重炭酸すｌ−ＩＪウム水溶液で洗浄し、Ｈａ、、５０４
上で乾燥し、そして蒸発させた。残渣をＣＥ、ＣＭ／Ｅ
　ｔ２０から再結晶させ、更に白色の結晶としてＬ−ス
レオノラクトン５６３ｍ２を得た；融点６６°Ｃ；合計
収率７６％。

実施例２０ Ｌ−スレオンアミド ０℃で無水Ａ’　Ｈ、によってあらかじめ飽和したＭｅ
　ＯＨ１００ｒｒｌ、中のＬ−スレオノラクトン５５０
１１（４６，５７ミリモル）の溶液を耐圧ビン中にて室
温で４８時間保持した。溶媒を真空下で蒸発させ、残っ
た油を無水Ｅｔ０１１から再蒸発させ、生じた固体を沸
＠Ｅ　ｔ　ＯＨから結晶させた。０℃に冷却後、結晶を
捕集し、ＥｔＯＥ−Ｅｔ２０（Ｖ１１容量）、次にＥｔ
２０で洗浄し、４０℃１０、００５朋１１　ｇで乾燥し
、分析的に純生酸物Ｌ−スレオンアミド６、０２３　Ｆ
　’（９５，７チ）を得た、融点１０５〜１１１７　℃
。

実施例２１ ３　、４−０−−ｆソプロピリデンーＬ−スレオンアミ
ド 乾燥り、／ＩｆＦ（４Ａ分子ふるい）　５０　ｍｅ中に
溶解したＬ−スレオンアミド５．０ＯＦ（３７ミリモル
）の浴液に、２，２−ジメトキソプロノくンｌ　６．３
８πｌ２（１３２，２ミリモル）及び７）−）ルエンス
ルΣトン虚−永和物１２０　ｍｇ　（０，６ｚミリモル
）裟加え、この溶液をアルゴン下にて室温で４．５時１
「１ｊ攪拌した。次に反応混合物をダウエックスＡ　Ｇ
　ｌ−、Ｘ　４（０１１型、１００〜２００メツシユ）
２５ｇと共に２分１ｉ１１１攪拌し、樹脂を炉別し、合
液した炉液及び洗液（ＤＭＦ）を真空下にて（オイルポ
ンプ）算終的に５５°Ｃで蒸発させ、無色のシロップを
得た。Ｗｔ４！エチル／エーテル／ｎ−へキサンから結
晶させ、無色の結晶として純３．４−０−イングロビリ
デンーＬ−スレオンアミド３．６００．９　（５５，５
チ）を得た。母液からの残渣をシリカゲル上で、５０Ｘ
５．４ｃｍのカラム（２７の充填）を用いてフラッシュ
クロマトグラフィーにかけ、酢酸エチル／アセトニトリ
ル（１００：１５容量部）で溶離して、まずジイソプロ
ピリデン誘導体０．５６０１１ン尺にＣ手酸エチル／ア
セトニドＩＪ　）しく１００：３０容量部）で溶離して
更に所望の生成物（結晶化後）０．６１３Ｊ９を得だ。

合計収量１ｒ、ｒ３，４−０−イソプロピリデン−Ｌ−
スレオンアミド４．２１ｇ（６５チ）でめった。

第１頁の続き （Ｍ−明　者　マンフレート・パイゲレアメリカ合衆国
ニュージャーシ イ州ノースカ２ルドウエル・アン ドバードライブ４

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 式％Ｒはアミノ保護基であシ、そしてＭ■は陽イオンで
   ある、 のキラール・アゼチジノンを製造するにあたり、一般式 式中、Ｒ及びＭ■は上記の通りであり、そしてＲ”Ｏ−
   は離脱性基である、 の化合物をアルカリ金属炭酸塩または重炭酸塩で処理し
   、そして反応混合物から式■の化合物を回収することを
   特徴とする上記式■のキラール・アゼチジノンの製造方
   法。 ２、　　Ｒがベンジルオキシカルボニルであり、そして
   Ｒ９がメタンスルホニルでめる式ｘｘｘｍの出発化合物
   を用いる特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、式ｘｘｘｍの出発化合物がテトラ−ｎ−ブチルアン
   モニウム（２Ｓ、３．５）−２−ベンジルオキシカルボ
   ニルアミノ−３−メタンスルホニルオキシ−４−カルバ
   モイルオキシ−ブタンアミドＮ−スルホネートである特
   許請求の範囲第２項記載の方法。 ４、二相溶媒系を用い、一つの相が水性であり、そして
   他の相が不活性有機溶媒である特許請求の範囲第１〜３
   項のいずれかに記載の方法。 ５　二相溶媒系として水／塩化メチレンを用いる特許請
   求の範囲第４項記載の方法。 ６、　陽イオンが第四級アンモニウムイオン、殊にテト
   ラブチルアンモニウムイオンである特許請求の範囲第１
   〜５項のいずれかに記載の方法。 ７、　副生成物として生じる一般式 式中、Ｒ及びＭ■は上記の通シである、の化合物を、一
   般式 ％式％ 式中、Ｒ′５は低級アルカノイル、ハロ鍮換された低級
   アルカノイル、アリールカルボニル、クロロホスホリル
   またはジメトキシホスホリルである、 のイソシアニドとの反応、そして生じる一般式式中、Ｒ
   ，Ｍ■及びＲ・・は上記の通りである、 の化合物を脱アシル化剤で処理して基ＲＩ−を除去する
   ことにより、式■の化合物に転化することからなる特許
   請求の範囲第１〜６項のいずれかに記載の方法。 ８　式Ｘｘ■のイノシアニドとしてクロロアセチルイソ
   シアニドを用いる特許請求の範囲第７項記載の方法。 ９、反応を非プロトン性溶媒中で、殊に塩化メチレン中
   で行う特許請求の範囲第７または８項記載の方法。 １０　生じる式ＸＸｔの化合物に対する脱アシル化剤と
   して低級アルキルジチオカルバメートのアルカリ金属塩
   またはアルカリ金属炭酸塩もしくは重炭酸塩を用いる特
   許請求の範囲第７〜９項のいずれかに記載の方法。 １１、　　脱アシル化剤としてＮ−メチルジチオカルバ
   ミン酸ナトリウムまたは重炭酸ナトリウムを用いる特許
   請求の範囲第１Ｏ項記載の方法。 １２、　一般式 式中、Ｒ及びＡｉ　　は上記の通りであり、ＲＱＯ−は
   離脱性基であり、ぞしてＲ１１は水素、低級アルキル、
   ハロー低級アルキルまだはアリールである、 の化合物をアルカリ金属炭酸塩または重炭酸塩と反応さ
   せることからなる特許請求の範囲第７項に定義した式Ｘ
   ■の化合物の製造方法。 １３、／？がベンジルオキシカルボニルであり、Ｒ９が
   メタンスルホニルであり、そしてＲ１１がクロロメチル
   である式Ｘ■の出発化合物を用いる特許請求の範囲第１
   ２項記載の方法。 １４、式Ｘ■の出発化合物としてテトラ−ｎ−プチルア
   ンモニウム（２，５，３Ｓ）−２−ベンジルオキシカル
   ボニルアミノ−３−メタンスルホニルオキシ−４−クロ
   ロアセトキシ−ブタンアミドＮ−スルホネートを用いる
   特許請求の範囲第１３項記載の方法。 １５　二相溶媒系を用い、一つの相が水性であり、そし
   て他の相が不活性有機溶媒である特許請求の範囲第１２
   〜１４項のいずれかに記載の方法。 １６６　二相溶媒系として水／塩化メチレンを用いる特
   許請求の範囲第１２〜１５項のいずれかに記載の方法。 １７、陽イオンが第四級アンモニウム１オン、殊にテト
   ラブチルアンモニウムイオンである特許請求の範囲第１
   ２．１３．．１５及び１６項記載の方法。 １８、一般式 式中、Ｒ，Ｒ’及びＲ目は上記の通りである、 の化合物を一般式 ％式％ 式中、】′はＮ−へテロ芳香族塩基またはアミドである
   、 の錯体と反応させ、そして必要に応じて、一般式式中、
   Ｒ２Ｒ９、Ｒ１′及びＹは」二記の通りでるる、 の反応生成物を式Ｘ■の定義内で他の塩に転化すること
   によって式Ｘ■の化合物を製造する特許請求の範囲第１
   ２〜１７項のいずれかに記載の方炊。 １９、式ＸＭの出発化合物として（２ｓＩ３５）−２−
   ベンジルオキシカルボニルアミノ−３−メタンスルホニ
   ルオキシ−４−クロロアセトキシブタンアミドを用いる
   特許請求の範囲第１８項記載の方法。 ２０、Ｙがピコリンまたはジメチルホルムアミドである
   特許請求の範囲第１８または１９項記載の方法。 ２１、式Ｘ■αの反応生成物を式Ｘ■のテトラ−ｎ−ブ
   チルアンモニウム塩に転化する特許請求の範囲第１８〜
   ２０項のいずれかに記載の方法。 ２２一般式 式中、Ｒ及びＲ”は上記の通りである、の化合物を基Ｒ
   Ｑを付与する酸・・ロゲ〉′化物または酸無水物で処理
   することによって式Ｘ■の化合物を製造する特許請求の
   範囲第１８〜２１項のいずれかに記載の方法。 ２３　式ＸＶの出発化合物として（２Ｓ　、３Ｓ）−２
   −ベンジルオキシカルボニルアミノ−３−ヒドロキシ−
   ４−クロロアセトキシブタンアミドを用いる特許請求の
   範囲第２２項記載の方法。 ２４６ケハロゲン化物としてメタンスルホニルフロラ・
   イド−と用いる特許請求の範囲第２２″ｉ１．たけ２３
   項記載の方法。 ２５一般式 式中、Ｒは上記の通りである、 の化合物を一般式 ％式％ 刻入Ｒ１１０は低級アルキル、ハロ置換された低級アル
   キルまたはアリールであり、Ｘはハロゲンまたは式−〇
   ＣＯＲ１１の基であり、そしてＲ１’は上記の通シであ
   る、 の化合物と反応させることによって式ＸＶの化合物を製
   造する特許請求の範囲第２２〜２４項のいずれかに記載
   の方法。 ２６　式ｘ■の出発化合物としてＮα−ベンジルオキシ
   カルボニル−４−ヒドロキシ−Ｌ−７０スレオニンアミ
   ドを用いる特許請求の範囲第２５項記載の方法。 ２７、式ｘ■の化合物をクロロアセチルクロライドと反
   応させる特許請求の範囲第２５または２６項記載の方法
   。 ２８、　　反応を２，６−ルチジンの存在下において行
   う特許請求の範囲第２５〜２７項のいずれかに記載の方
   法。 ２９、一般式 式中、Ｒ，Ｒ”及びＭΦは上記の通りであり、そしてＲ
   １１′は低級アルカノイル、ノ・口置換された低級アル
   カノイル、アリールカルボニル、ジクロロホスホリルま
   たはジメトキシホスホリルである、 の化合物を脱アセチル化剤で処理して基Ｒ１５を除去す
   ることによって式ｘｘｘｍの化合物を製造する特許請求
   の範囲第１〜１１項のいずれかに記載の方法。 ３０　脱アセチル化剤として低級アルキルジチオカルバ
   メートのアルカリ金属塩またはアルカリ金属炭酸塩もし
   くは重炭酸塩を用いる特許請求の範囲第２９項記載の方
   法。 ３１、脱アセチル化剤としてＡ−メチルジチオカルバミ
   ン酸ナトリウムまたは重炭酸ナトリウムを用いる一特許
   請求の範囲第２９または３０項記載の方法。 ３２　式ｘｘｘｎの化合物として（２Ｓ、３Ｓ）−２−
   ベンジルオキシカルボニルアミノ−３−メタンスルホニ
   ルオキシ−４−（Ｎ−クロロアセチルカルバモイルオキ
   シ）−フタンアミ）”−Ａ’−スルホン酸の塩を用いる
   特許請求の範囲第２９〜３１項のいずれかに記載の方法
   。 ３３、一般式 式中、Ｒ，ＲＱ及びＲ１５は上記の通りである、 の化合物を一般式 ％式％ 式中、ＹはＮ−へテロ芳香族塩基またはアミドである、 の錯体と反応させ、そして必要に応じて、一般式の反応
   生成物を式ｘｘｘａの定義内で他の塩に転化することに
   よって式ｘｘｘｕの化合物を製造する特許請求の範囲第
   ２９〜３２項のいずれかに記載の方法。 ３４、式ＸＸＸＩの出発化合物として（２Ｓ。 ３Ｓ）−２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−３−メ
   タンスルホニルオキシ−４−（Ｎ−クロロアセチルカル
   バモイルオキシ）−ブタンアミドを用いる特許請求の範
   囲第３３項記載の方法。 ３５、　Ｙがピコリンまたはジメチルホルムアミドであ
   る特許請求の範囲第３３または３４項記載の方法。 ３６、式ＸＸＸＴｉａの反応生成物を式ｘｘｘｎのテト
   ラ−ｎ−ブチルアンモニウム塩に転化する特許請求の範
   囲第３３〜３５項のいずれかに記載の方法。 ３７、一般式 式中、Ｒ及びＲ１５は上記の通りである、の化合物を基
   Ｒ９を付与する酸ハロゲン化物または酸無水物で処理す
   ることによって式ＸＸＸ　Ｉの化合物を製造する特許請
   求の範囲第３３〜３６項のいずれかに記載の方法。 ３８、式ＸＸＸの出発化合物として（２Ｓ、３．５）−
   ２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−３−ヒドロキシ
   −４−（Ｎ−クロロアセチルカルバモイルオキシ）−ブ
   タンアミドを用いる特許請求の範囲第３７項記載の方法
   。 ３９、酸ハロゲン化物としてメタンスルホニルクロライ
   ドを用いる特許請求の範囲第３７または３８項記載の方
   法。 ４０、一般式 式中、Ｉ？は上記の通りである、 の化合物を一般式 ％式％ 式中、Ｒ１５は低級アルカノイル、ノ・口簡換された低
   級アルカノイル、アリールカルボニル、クロロホスホリ
   ルまだはジメトキシホスホリルである、 のイソシアナイドと反応させることによって式ＸＸＸの
   化合物を製造する特許請求の範囲第３７〜３９項のいず
   れかに記載の方法。 ４１、式ＸＩＶの出発化合物としてＮα−ベンジルオキ
   シカルボニル−４−ヒドロキシ−Ｌ−７０スレオニンア
   ミドを用いる特許請求の範囲第４０項記載の方法。 ４２、　　式ＸＸＩのイソシアニドとしてクロロアセチ
   ルイソシアニドを用いる特許請求の範囲第４０または４
   １項記載の方法。 ４３、一般式 式中、１＜は上記の通シであり、そしてＲ５はクタール
   またはアセタール保護基である、の化合物を３０℃を越
   えない温度で温和な酸性加水分解に付すことによって式
   Ｘ■の化合物を製造する特許請求の範囲第２５〜２８項
   のいずれかに記載の方法。 ４４、　Ｒがベンジルオキシカルボニルである式ｘｍの
   化合物を用いる特許請求の範囲第４３項記載の方法。 ４５　Ｒ５が式 式中、Ｒ６及びＲ７は水素、低級アルキル、アラルキル
   、アリール、低級アルコキシ、低級アルキルもしくはア
   リールオキシであるか、または−緒になってオキソもし
   くは低級アルキレンを形成する、 の基である式ｘｍの化合物を用いる特許請求の範囲第４
   ３捷たけ４４項記載の方法。 ４６、ノＣ６及びＲ７が低級アルキル、低依アルコキシ
   、フェニルオキシ、ハロ１を換されたフェニルオキシ、
   ニトロ置換されたフェニルオキシ、フエニノペハロフェ
   ニル、ニトロフェニル、フェニル−低級アルキル、ハロ
   フェニル−低級アルキルまたはニトロフェニル−低級ア
   ルキルであるが、或いはＲ６及びＲ７が一緒になって低
   級アルキレン凍たはオキソを形成する特許請求の範囲第
   ４５項記載の方法。 ４７、Ｒ６及びノア７が共にメチルである特許請求の範
   囲第４６項記載の方法。 ４ｓ、式ｘｍの化合物として２−ベンジルオキシカルボ
   ニルアミノ−２−デオキシ−３、４−０−イソプロピリ
   デン−Ｌ−エリスロンアミドを用いる特許請求の範囲第
   ４７項記載の方法。 ４９、一般式 式中、Ｒ５は上記の通りである、 の化合物を基Ｒを付与するカルボニルハライドと反応さ
   せることによって式ｘｍの化合物を製造する特許請求の
   範囲第４３〜４８項のいずれかに記載の方法。 ５０、　　基Ｒを付与するカルボニルハライドとしてベ
   ンジルクロロホルメートを用いる特許請求の範囲第４９
   項記載の方法。 ５１９式ｘｎの化合物として２−アミノ−２−デオキシ
   −３，４−０−インプロピリデン−Ｌ−エリスロンアミ
   ドを用いる特許請求の範囲第４９または５０項記載の方
   法。 ５２、一般式 式中、Ｉ？５は上記の通りである、 の化合物を水素添加することによって式ｘｎの化合物を
   製造する特許請求の範囲第４９〜５１項のいずれかに記
   載の方法。 ５３　水素添加を炭素に担持させたパラジウムによって
   触媒させる特許請求の範囲第５２項記載の方法。 ５４、式Ｘｌの出発化合物として２−アジド−２−デオ
   キシ−３，４−０−インプロピリデン−Ｌ−エリスロン
   アミドを用いる特許請求の範囲第５２または５３項記載
   の方法。 ５５一般式 式中、Ｒ５は上記の通りであり、そしてＲ９０−は離脱
   性基である、 の化合物を不活性有機溶媒中にてアルカリ金属アジドで
   処理することによって式ＸＩの化合物を製造する特許請
   求の範囲第５２〜５４項のいずれかに記載の方法。 ５６、式Ｘの出発化合物として２−０−トリフルオロメ
   タンスルホニル−３，４−０−イソプロピリデン−Ｌ−
   エリスロンアミドを用いる特許請求の範囲第５５項記載
   の方法。 ５７、一般式 式中、Ｒ５は上記の通りである、 の化合物を基Ｒ９を付与する酸／・ロゲン化物または酸
   無水物と反応させることによって式Ｘの化合物を製造す
   る特許請求の範囲第５５またけ５６項記載の方法。 ５８　式■の出発化合物として３．４−０−インプロピ
   リデン−Ｌ−エリスロンアミドを用いる特許請求の範囲
   第５７項記載の方法。 ５９　基Ｒ９を付与する酸無水物としてトラフルオロメ
   タンスルホン酸無水物を用いる特許請求の範囲第５７ま
   たは５８項記載の方法。 ６０、一般式 式中、ＲＳは上記の通りであり、そしてＲＲは低級アル
   キルである、 のエステルを水性媒質中で水酸化アンモニウムで処理す
   ることによって式■゛の化合物を製造する特許請求の範
   囲第５７〜５９項のいずれかに記載の方法。 ６１、式■の出発化合物としてメチル３，４−０−イソ
   プロピリデン−Ｌ−スレオネートを用いる特許請求の範
   囲第６０項記載の方法。 ６２、　Ｌ−スレオンアミドを一般式 式中、ｌ＜１６は低級アルキルであり、そしてＲ５は上
   記の通りである、 の化合物で処理することによって式■Ω化合物を製造す
   る特許請求の範囲第６０または６１項記載の方法。 ６３、　Ｌ−スレオンアミドを２，２−ジメトキシプロ
   バンと反応させる特許請求の範囲第６２項記載の方法。 ６４一般式 式中、Ｒ５はケタールまたはアセクール保護基であり；
   そしてＲ″は水素であるか、またはその結合した酸素と
   一緒になって離脱性基を形成する、 の化合物。 ６５、　　該アセタールまたはケタール保護基が式式中
   、Ｒ６及びＲ７は水素、低級アルキル、アラルキル、ア
   リール、低級アルコキシ、アリールオキシでるるか、ま
   たは−緒になってオキソもし、くは低級アルキレ／を形
   成する、 を有する特許請求の範囲第６４項記載の化合物。 ６６　Ｒｏ及びＲ７が低級アルキル、低級アルコキ゛シ
   、フェニルオキシ、ハロ置換さレタフェニルオキシ、ニ
   トロ置換されたフェニルオキシ、フェニル、ハロフェニ
   ル、ニトロフェニル、フェニル−低級アルキノベニドロ
   置換されたフェニル−低級アル千ル、ハロ置換されたフ
   ェニル−低級アルキルでおるか、または−緒になってオ
   キソもしくは低級アルキレンを形成する特許請求の範囲
   第６５項記載の化合物。 ６７・　Ｒ６及６Ｒ７が低級アルキルである特許請求の
   範囲第６６項記載の化合物。 ６８、Ｒ６及びＲ７がメチルであり、そしてＲ９カトシ
   ノペメシル、トリフルオロメチルスルホニルマタハクロ
   ロベンゼンスルホニルである特許請求の範囲第６７項記
   載の化合物。 ６９、３．４’−０−イソプロピリデン−Ｌ−スレオン
   アミドである特許請求の範囲第６４項記載の化合物。 ７０、　２−０−　トリフルオロメタンスルホニル−３
   、４−０−インプロピリデン−Ｌ−エリスロンアミドで
   ある特許請求の範囲第６４項記載の化合物。 ７１、一般式 式中、Ｒ５はケタール捷たはアセクール保護基である、 の化合物。 ７２、該アセタールまたはケタール保訛基が式式中、Ｒ
   ６及びＲ７は水素、低級アルキル、アラルキル、アリー
   ル、低級アルコキシ、アリールオキシであるか、或いは
   一緒になってオキソまたは低級アルキレンを形成する、 を有する特許請求の範囲第７１項記載の化合物。 ７３、　　Ｒ’及びＲ７が低級アルキル、低級アルコキ
   シ、フェニルオキシ、ハロ置換されたフェニルオキシ、
   ニトロ置換されたフェニルオキシ、フェニル、ハロ置換
   すれたフェニル、フェニル−低級アルキル、ニトロ置換
   されたフェニル−低級アルキル、ハロ置換されたフェニ
   ル−低級アルキルであるか、或いは一緒になってオキソ
   または低級アルキレンを形成する特許請求の範囲第７２
   項記載の化合物。 ７４、２−アジド−２−デオキシ−３、４−０−イソプ
   ロヴリデンーＬ−エリスロンアミドである特許請求の範
   囲第７３項記載の化合物。 ７５、一般式 式中、Ｒ５０及びＲ５′は水素であるが、或いは一緒に
   なってアセタール瞥／ζはケタール保穫基を形成し；Ｒ
   １０は水素またはア好ノ保愚基であり；たたし、Ｒ１０
   が水素である場合、Ｒ５０及びＲ５′は水素以外のもの
   であるものとする、 の化合物。 ７６、　　Ｒ５０及びＲ５１が水素である特許請求の範
   囲第７５項記載の化合物。 ７７、　　Ｒ１０が低級アルコキシカルボ二ノへ　アリ
   ールオキシカルボニル、ハロ置換された低級アルコキシ
   カルボニルまだはアリール低級アルコキシカルボニルで
   ある特許請求の範囲第７５項記載の化合物。 ７８、　　Ｒ１０がペンジルオキシカルボニノペニトロ
   置換されたベンジルオキシカルボニル、低級アルキル置
   換されたベンジルオキシカルボニルまたはハロ置換され
   たベンジルオキシカルボニルである特許請求の範囲第７
   ７項記載の化合物。 ７９、　Ｎα−ベンジルオキシカルボニル−４−ヒドロ
   キシ−Ｌ−アロスレオニンアミドである特許請求の範囲
   第７８項記載の化合物。 ８０、　　該アセタールまだはケタール保護基が式式中
   、Ｒ６及びＲ７は水素、低級アルキル、アラルキル、ア
   リール、低級アルコキシ、アリールオキシであるか、或
   いは一緒になってオキソまだは低級アルキレンを形成す
   る、 を有する特許請求の範囲第７５項記載の化合物。 ８１．２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−２−デオ
   キシ−３，４−０−イソプロピリデン−Ｌ−エリスロン
   アミドである特許請求の範囲第８０項記載の化合物。 ８２　２−アミノ−２−デオキシ−３、４−０−イソプ
   ロピリデン−Ｌ−エリスロンアミドである特許請求の範
   囲第７５項記載の化合物。 ８３一般式 式中、Ｒはアミン保護基であり、／（９０ｉｉ水素であ
   るか、或いはその結合した酸素と一緒になって離脱性基
   を形成し、フイ１１は水素、低級アルキル、アリール捷
   たはハロ低級アルキルである、 の化合物。 ８４、Ｒ９０が水素である特許請求の範囲第８３゛項記
   載の化合物。 ８５、　Ｒが低級アルコキシカルボニル、アリールオキ
   シカルボニノペハロ置換された低級アルコキシカルボニ
   ル捷たはアリールアルコキシカルボニルである特許請求
   の範囲第８４項記載の化合物。 ８６、　　（２５，３Ｓ）−２−ベンジルオキシカルボ
   ニルアミノ−３−ヒドロキシ−４−クロロアセトキシ−
   ブタンアミドである特許請求の範囲第８５項記載の化付
   物。 ８７、　　Ｒ”が離脱性基である特許請求の範囲第８３
   項記載の化合物。 ８８、　　Ｒ９０力低Ｍアルキルスルホニル、ハロ置換
   サレタ低級アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、
   ハロフェニルスルホニル、低級アルキル置４ＬにＭｃフ
   ェニルスルホニル、フェ＝　ルー　低級アルキルスルホ
   ニノペハロ置換されたフェニル−低級アルキルスルホニ
   ルまたは低級アルキル僧換サレタフェニルー低級アルキ
   ルスルホニルである特許請求の範囲第８７項記載の化合
   物。 ８９、　　（２Ｓ、３Ｓ）７２−ベンジルオキシカルボ
   ニルアミノ−３−メタンスルホニルオキシ−４−クロロ
   アセトキシ−ブタンアミドである特許請求の範囲第８８
   項記載の化合物。 ９〇　一般式 式中、Ｒ９はその結合した酸素と一緒になって離脱性基
   を形成し；Ｒはアミン保護基で６り；７？”は低級アル
   キル、ハロ低級ア７、ヤ／ｎｕ−ｉアＩＪ　７ｕアあ、
   ２゜、−は陽イオンである、 の化合物。 ９１、Ｒ１’が低級アルキル、ハロ低級アルキル、フェ
   ニル、ニトロ置換されたフェニル、低級アルキル置換さ
   れたフェニル、ハロ置換されたフェニルまたは水素であ
   る特許請求の範囲第９０項記載の化合物。 ９２、　　（２Ｓ、３Ｓ）−２−ベンジルオキシカルボ
   ニルアミノ−３−メタンスルホニルオキシ−４−クロロ
   アセトキシ−ブタンアミドＮ−スルホン酸の塩である特
   許請求の範囲第９０項記載の化合物。 ９３、　　ピコリニウム塩である特許請求の範囲第９２
   項記載の塩。 ９４、一般式 式中、Ｒはアミノ保護基であり、そしてＭ”は陽イオン
   である、 の化合物。 ９５．８７５ｆベンジルオキシカルボニル、ニトロ置換
   されたベンジルオキシカルボニル、低級アルキル置換さ
   れたベンジルオキシカルボニルまたはハロ置換されたペ
   ンジルメキシカルボニルである特許請求の範囲第９４項
   記載の化合物。 ９６、　　（３，５，４，５）−３−ベンジルオキシカ
   ルボニルアミノ−４−ヒドロキシメチル−２−アゼチジ
   ノン−１−スルホン酸の塩である特許請求の範囲第９５
   項記載の化合物。 ９７、　　アルカリ金属塩、ピコリニウム塩、第四級ア
   ンモニウム塩またはピリジニウム塩である特許請求の範
   囲第９６項記載の塩。 ９８、一般式 式中、Ｒはアミノ保護基であシ、Ｍ■は陽イオンでア′
   シ、そしてＲ”は低級アルカノイル、ハロ置換された低
   級アルカノイノペアリールカルボニル、ジクロロホスホ
   リルまたはジメトキシホスホリルである、 の化合物。 ９９、該陽イオンが第四級アンモニウム、アルカリ金属
   、アルカリ土類金属、まだは第四級複素環式有機アミン
   陽イオンである特許請求の範囲第９８項記載の化合物。 １００、　　（３５，４Ｓ）−３−ベンジルオキシカル
   ボニルアミノ−４−（Ｎ−クロロアセチルカルバモイル
   オキシメチル）−２−アゼチジノン−１−スルホン酸ナ
   トリウムである特許請求の範囲第９９項記載の化合物。 １０１一般式 式中、Ｒはアミノ保護基で６ｐ、ｔ＜’はその結合した
   酸素と一緒に丘って離脱性基を形成し、そしてＭＯは陽
   イオンである、の化合物。 １０２、（２Ｓ、３５）−２−ベンジルオキシカルボニ
   ルアミノ−３−メタンスルホニルオキシ−４−カルバモ
   イルオキシ−ブタンアミド−Ｎ−スルホネートの塩であ
   不特許請求の範囲第１０１項記載の化合物。 ｔｏａ、　　゛アトラブチルアンモニウム塩である特許
   請求の範囲第１０２項記載の塩。 １０４、　一般式 式中、Ｒ９００−はヒドロキシまたは離脱性基であり、
   Ｒはアミン保護基であり、そしてＲ”は低級アルカノイ
   ル、ハロ置換されだ低級アルカノイルまたはアリールカ
   ルボニル、ジクロロホスホリルもしくはジメトキシホス
   ホリルである、 の化合物。 １０５、　　Ｒ′５がフェニル、ハロ置換されたフェニ
   ル、ニトロ置換されたフェニル、低級アルキル置換され
   たフェニルまたはハロ低級アルキルである特許請求の範
   囲第１０４項記載の化合物。 １０６、　　（２Ｓ、３Ｓ）−２−ベンジルオキシカル
   ボニルアミノ−３−ヒドロキシ−４−（Ｎ−クロロアセ
   チルカルバモイルオキシ）−ブタンアミンである特許請
   求の範囲第１０５項記載の化合物。 １０７、　　（２，ｓ、ａＳ）−２−ベンジルオキシカ
   ルボニルアミノ−３−メタンスルホニルオキシ−４−（
   ＃−クロロアセチルカルバモイルオキシ）−ブタンアミ
   ドである特許請求の範囲第１０５項記載の化合物。 １０８、一般式 式中、Ｒ”０−は離脱性基であり、１？はアミン保護基
   であシ、Ｒ１５は低級アルカノイル、ハロ置換された低
   級アルカノイル、アリールカルボニル、ジクロロホスホ
   リルまたはジメトキシホスホリルであり、そしてＡＩノ
   は陽イオンである、 の化合物。 １０９、　　（２５，３５）−２−ベンジルオキシカル
   ボニルアミノ−３−メタンスルホニルオキシ−４−（Ｎ
   −クロロアセチルカルバモイルオキシ）−ブタンアミン
   Ｎ−スルホン酸の塩である特許請求の範囲第１０８項記
   載の化合物。 １１０、％許請求の範囲第１〜６３項のいずれかに定義
   した方法または明らかにその化学的に同等の方法で製造
   した特許請求の範囲第１〜６３項のいずれかに定義した
   化合物。