JPS5911337A - シ−ト状物質の低温プラズマ処理方法 - Google Patents
シ−ト状物質の低温プラズマ処理方法Info
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- JPS5911337A JPS5911337A JP12039782A JP12039782A JPS5911337A JP S5911337 A JPS5911337 A JP S5911337A JP 12039782 A JP12039782 A JP 12039782A JP 12039782 A JP12039782 A JP 12039782A JP S5911337 A JPS5911337 A JP S5911337A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシート状物質の低温プラズマ処理方法に関する
ものである。
ものである。
°さらに詳しくは、布帛、フィルム、カーペットなどの
シート状物質を減圧下で高周波発生電極及びアースW極
曲に発生させた低温プラズマ雰囲気中で処理する場合に
おいて、高周波の出力を最も有効に利用し、かつ電波洩
れを最小におさえるための処理方法に関するものである
。
シート状物質を減圧下で高周波発生電極及びアースW極
曲に発生させた低温プラズマ雰囲気中で処理する場合に
おいて、高周波の出力を最も有効に利用し、かつ電波洩
れを最小におさえるための処理方法に関するものである
。
従来、シート状物質の表面特性を変える方法としては、
薬剤溶液のパッドドライ法、コーティングドライ法、溶
液からの薬剤吸着法あるいは水溶液での表面エンチング
法などが一般に行われている。
薬剤溶液のパッドドライ法、コーティングドライ法、溶
液からの薬剤吸着法あるいは水溶液での表面エンチング
法などが一般に行われている。
しかしながら、これらの方法は加熱乾燥などの各工程で
熱エネルギー、水資源などを多量に使っているのが現状
である。また、水溶液の処理では当然廃液処理が必要で
あり、この公害対策としての設備費、操業費9人件費な
どが必要である。
熱エネルギー、水資源などを多量に使っているのが現状
である。また、水溶液の処理では当然廃液処理が必要で
あり、この公害対策としての設備費、操業費9人件費な
どが必要である。
このようなことから、最近ではシート状物質に低温プラ
ズマで処理して表面を改質すること、すなわち親水性、
制電性、防汚性、ソイルリリーズ性、撥水性、撥油性な
どの付与、印刷性の向上。
ズマで処理して表面を改質すること、すなわち親水性、
制電性、防汚性、ソイルリリーズ性、撥水性、撥油性な
どの付与、印刷性の向上。
接着性の向上などの効果を得ることが提案されているが
、低温プラズマ処理−r程において重要なことは、安定
な低温グラズイ雰囲気をできるだけ少い電気消費量で得
ること、汚染などの問題からプラズマ処理ゾーン以外の
反応器内でプラズマを発生させないこと、また環境保全
対策面から使用する高周波電波の漏洩を最小におさえる
ことである。
、低温プラズマ処理−r程において重要なことは、安定
な低温グラズイ雰囲気をできるだけ少い電気消費量で得
ること、汚染などの問題からプラズマ処理ゾーン以外の
反応器内でプラズマを発生させないこと、また環境保全
対策面から使用する高周波電波の漏洩を最小におさえる
ことである。
♀
従来れらの問題点を解決した処理方法はなく改良が望れ
ていた。
ていた。
本発明はかかる現状に鑑みて行われたもので。
上記目的を達成するために本発明は次の構成を有するも
のである。
のである。
すなわち1本発明は高周波発生を極の周囲にアース電極
を配置し、減圧下で電極間に低温プラズマを発生させた
状頓で該電極間にシート状物質を移行せしめることを特
徴とするシート状物質の低温プラズマ処理方法である。
を配置し、減圧下で電極間に低温プラズマを発生させた
状頓で該電極間にシート状物質を移行せしめることを特
徴とするシート状物質の低温プラズマ処理方法である。
以下1本発明について詳細に説明する。
本発明でいうシート状物質とはナイロン、ポリエステル
、塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレンなどを原
料としたフィルム、布帛、カーペット類あるいは木綿、
羊毛、絹などの天然繊維単独又は合成繊維と天然繊維と
を混用してつくられた布帛を意味する。
、塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレンなどを原
料としたフィルム、布帛、カーペット類あるいは木綿、
羊毛、絹などの天然繊維単独又は合成繊維と天然繊維と
を混用してつくられた布帛を意味する。
低温プラズマは0.1〜10 Torr 、好ましくは
0.5 Torr〜2 Torrの減圧下で高周波によ
るエネルギーを減圧下の気体に与えることにより発生さ
せることができる。この低温プラズマ雰囲気中にシート
状物質をさらすことンこよりシート状物質の低温プラズ
マ処理を行うことができる。使用する高周波の周波数は
I KHz〜50MH2,電界密度は0.1〜10ワツ
)/c4程度が適している。
0.5 Torr〜2 Torrの減圧下で高周波によ
るエネルギーを減圧下の気体に与えることにより発生さ
せることができる。この低温プラズマ雰囲気中にシート
状物質をさらすことンこよりシート状物質の低温プラズ
マ処理を行うことができる。使用する高周波の周波数は
I KHz〜50MH2,電界密度は0.1〜10ワツ
)/c4程度が適している。
高周波発生電極とアースを極との闇で放電させこの間で
低温プラズマを発生させる場合には、高周波発生電極よ
り発信させた高周波エネルギーは処理されるV−ト状物
質の低温プラズマ処理ゾーンの雰囲気で効率よく利用さ
れるのが望ましく。
低温プラズマを発生させる場合には、高周波発生電極よ
り発信させた高周波エネルギーは処理されるV−ト状物
質の低温プラズマ処理ゾーンの雰囲気で効率よく利用さ
れるのが望ましく。
一方y −)状物質の低温プラズマ処理ゾーン以外の他
の部分での低温プラズマの発生は、電気エネルギーの損
失のみならず1例えばプラズマ重合を行う場合、処理容
器を汚染したりシート状物質に不均一な処理がなされ斑
の原因となったりする。
の部分での低温プラズマの発生は、電気エネルギーの損
失のみならず1例えばプラズマ重合を行う場合、処理容
器を汚染したりシート状物質に不均一な処理がなされ斑
の原因となったりする。
また、高周波の処理室器外への漏洩は、当然のことなが
ら通信その他に影響をおよぼす。本発明の方法によれば
、高周波の漏洩が極めて少く、かつ低温プラズマ処理ゾ
ーンでのみ効率よく放電することができるので、シート
状物質の低温プラズマ処理を極めて効率よく行うことが
できる。
ら通信その他に影響をおよぼす。本発明の方法によれば
、高周波の漏洩が極めて少く、かつ低温プラズマ処理ゾ
ーンでのみ効率よく放電することができるので、シート
状物質の低温プラズマ処理を極めて効率よく行うことが
できる。
ここで1本発明方法をより−mm解しやすくするため1
こ図面を用いて更に詳細に本発明の説明を行う。
こ図面を用いて更に詳細に本発明の説明を行う。
第1図は本発明方法の実施の一例を示す要部の見取図で
ある。(1)は反応器であって、この反応器に処理すべ
きシート状物質(2)を出入するための開口部(3)
(5’)が設けられており、更にこれらの開口部はM
(4) (+’)によって密閉されるよう1こなってい
る。
ある。(1)は反応器であって、この反応器に処理すべ
きシート状物質(2)を出入するための開口部(3)
(5’)が設けられており、更にこれらの開口部はM
(4) (+’)によって密閉されるよう1こなってい
る。
(5)はガイドロール、 (6) (6’)は反応器内
において開口部(3) (3つの近傍に配置したシート
状物質の巻取軸であって、双方の巻取軸はモーターなど
の駆動機構(図示せず)によりシート状物質を巻き取る
ようになっている。シート状物質(2)が一方の巻取軸
(6)に巻取られた後は、他方の巻取軸(61)を逆転
し、その上にシート状物質が巻き収られる。換言すれば
双方の巻取軸が間歇的に正逆転して、一方の巻取軸にシ
ート状物質が巻取られた後は、他方の巻取軸が反転して
その巻取軸へ巻取られ、これが繰り返し行われるような
機構となっている。(7)は平面状の高周波発生電極で
ある。本発明方法ではこの高周波発生電極の周囲をとり
囲むようにその上下1こ一対の平面状のアース電極(8
) (8’)をサンドインチ状に位置せしめる。シート
状物質(2)は(7)と(8)のi[極間及び(7)と
(8つの電極間の双方を順次通過する。場合によっては
一方の電極間のみを通過してもよい。また、シート状物
質を二枚重ねて巻取り、互に別個の!極間を通過するよ
うにしてもよい。高周波発生vjL極は高周波発生装置
m(図示せず)に結線され高周波エネルギーが送られる
。
において開口部(3) (3つの近傍に配置したシート
状物質の巻取軸であって、双方の巻取軸はモーターなど
の駆動機構(図示せず)によりシート状物質を巻き取る
ようになっている。シート状物質(2)が一方の巻取軸
(6)に巻取られた後は、他方の巻取軸(61)を逆転
し、その上にシート状物質が巻き収られる。換言すれば
双方の巻取軸が間歇的に正逆転して、一方の巻取軸にシ
ート状物質が巻取られた後は、他方の巻取軸が反転して
その巻取軸へ巻取られ、これが繰り返し行われるような
機構となっている。(7)は平面状の高周波発生電極で
ある。本発明方法ではこの高周波発生電極の周囲をとり
囲むようにその上下1こ一対の平面状のアース電極(8
) (8’)をサンドインチ状に位置せしめる。シート
状物質(2)は(7)と(8)のi[極間及び(7)と
(8つの電極間の双方を順次通過する。場合によっては
一方の電極間のみを通過してもよい。また、シート状物
質を二枚重ねて巻取り、互に別個の!極間を通過するよ
うにしてもよい。高周波発生vjL極は高周波発生装置
m(図示せず)に結線され高周波エネルギーが送られる
。
一方、アース電極(8) (8’)は結線により接地(
図示せず)されている。(9)は処理ガスを供給する吹
付ノズμであり、 Qlは処理ガスを吸引する排気ノズ
ルであって、真空ポンプ(図示せず)に連結されている
。
図示せず)されている。(9)は処理ガスを供給する吹
付ノズμであり、 Qlは処理ガスを吸引する排気ノズ
ルであって、真空ポンプ(図示せず)に連結されている
。
高周波発生電極(7)及びアース電FM(8)(8つは
平面状の金網あるいは多孔性金属板であって、吹付ノズ
)v (!1)から供給されたガスが各1[極間を通過
し排気ノズA/(ト)tこ容易tこ送られる構造となっ
ている。
平面状の金網あるいは多孔性金属板であって、吹付ノズ
)v (!1)から供給されたガスが各1[極間を通過
し排気ノズA/(ト)tこ容易tこ送られる構造となっ
ている。
(ロ)は反応器(1)の排気口であって、真空ポンプ(
図示せず)に連結されており1反応器を真空に保持する
補助手段として使用する。
図示せず)に連結されており1反応器を真空に保持する
補助手段として使用する。
本発明方法の実施に際しては、まずシート状物質(2)
が巻取られている巻取軸(6)又は(6−)を反応器(
1)内にセットし、そのV−ト状物質の先端を他方の巻
取軸(61)又は(6)#こ掛けてシート状物質を巻替
えることができるように準備し、蓋(4) (4つを閉
めて反応器(1)を密閉系にする。次に真空ポンプを駆
動して排気口0υ及び排気ノズルθ1より排気し9反応
ill (1)内の真空度を0.5Torr以下にした
後ガスノズiL/(9)より処理ガスを供給して、この
反応器(1)内の真空度が約I Torrになるように
vI4整し、続いて高周波′電極に給電することにより
、低温プラズマを発生させる。
が巻取られている巻取軸(6)又は(6−)を反応器(
1)内にセットし、そのV−ト状物質の先端を他方の巻
取軸(61)又は(6)#こ掛けてシート状物質を巻替
えることができるように準備し、蓋(4) (4つを閉
めて反応器(1)を密閉系にする。次に真空ポンプを駆
動して排気口0υ及び排気ノズルθ1より排気し9反応
ill (1)内の真空度を0.5Torr以下にした
後ガスノズiL/(9)より処理ガスを供給して、この
反応器(1)内の真空度が約I Torrになるように
vI4整し、続いて高周波′電極に給電することにより
、低温プラズマを発生させる。
本発明方法の場合には高周波電極(7)をとり囲むよう
にその上下にサンドイッチ状にアース″Nl極(8)(
81)を配置しであるので、低温プラズマは高周波電極
とアースI電極間のみで、すなわち低温プラズマ処理ゾ
ーンのみで発生し1反応器(1)内の他の場所への高周
波の洩れが少<、シたがって低温プラズマは発生しない
ため効率的であり、かつ電波もれなどのトラプpも少な
い。高周波の周波数は1KHz −50MHz 、出力
は0.1−10W/dが適当である。tlili間で低
温プラズマを発生させた状態で巻取軸を駆動し、シート
状物質を移行させる。
にその上下にサンドイッチ状にアース″Nl極(8)(
81)を配置しであるので、低温プラズマは高周波電極
とアースI電極間のみで、すなわち低温プラズマ処理ゾ
ーンのみで発生し1反応器(1)内の他の場所への高周
波の洩れが少<、シたがって低温プラズマは発生しない
ため効率的であり、かつ電波もれなどのトラプpも少な
い。高周波の周波数は1KHz −50MHz 、出力
は0.1−10W/dが適当である。tlili間で低
温プラズマを発生させた状態で巻取軸を駆動し、シート
状物質を移行させる。
この処理によりシート状物質(2)は、低温プラズマを
発生させるガスの種類によ・って親水性、制電性、防汚
性、ソイルリリース性、撥水性、撥油性などの付与、あ
るいは表面改質によりシート状物質の接着性の向上、印
刷性の向上など新しい機能の付与が行われる。
発生させるガスの種類によ・って親水性、制電性、防汚
性、ソイルリリース性、撥水性、撥油性などの付与、あ
るいは表面改質によりシート状物質の接着性の向上、印
刷性の向上など新しい機能の付与が行われる。
第2図は本発明方法の実施の他の一例を示す要部の見取
図であり、ここでは高周波発生電極(財)が円筒型を有
し、その周囲へのアース電極@ (281)の配置が円
筒型の高周波発生室wi■の表面の曲面にそった平行な
曲面状の配置となっている。(ハ)は反応機、に)はシ
ート物質、@いつは開口部、■(24’)は萱、に)は
ガイドロール、に)(26’)はシート状物質の巻取軸
であり、第1図の場合と同様にy −)状物質が搬送さ
れる。ここで本発明方法の場合にはシート状物質に)を
円筒型高周波発生電*匈の表面に密接した状態で電極間
に移行せしめる。この高周波発生電極に)はシート状物
質の移行につれて回転するように装備され、高周波発生
装置(図示せず)より給電される。に)(28つはアー
ス電極であり接地されている。に)はガス供給口、@は
排気口である。この場合、低温プラズマは電極@に)間
又は@ (2B’)間で発生し9反応器内のその他の部
分では発生せず、しかもシート状物質は円筒状の高周波
発生電極にそって密接した状態で導入されるので効率よ
く低温プラズマ処理される。
図であり、ここでは高周波発生電極(財)が円筒型を有
し、その周囲へのアース電極@ (281)の配置が円
筒型の高周波発生室wi■の表面の曲面にそった平行な
曲面状の配置となっている。(ハ)は反応機、に)はシ
ート物質、@いつは開口部、■(24’)は萱、に)は
ガイドロール、に)(26’)はシート状物質の巻取軸
であり、第1図の場合と同様にy −)状物質が搬送さ
れる。ここで本発明方法の場合にはシート状物質に)を
円筒型高周波発生電*匈の表面に密接した状態で電極間
に移行せしめる。この高周波発生電極に)はシート状物
質の移行につれて回転するように装備され、高周波発生
装置(図示せず)より給電される。に)(28つはアー
ス電極であり接地されている。に)はガス供給口、@は
排気口である。この場合、低温プラズマは電極@に)間
又は@ (2B’)間で発生し9反応器内のその他の部
分では発生せず、しかもシート状物質は円筒状の高周波
発生電極にそって密接した状態で導入されるので効率よ
く低温プラズマ処理される。
図面はいずれも本発明の低温プラズマ処理方法の一例を
示すための装置の側断面見取図である。 第1図は平行に設置された一対のアース電極とそのほぼ
中央附近に高周波発生電極をはさみ、減圧下で電極間に
低温プラズマを発生させた状態で該を極間にシート状物
質を移行せしめる方法を示し第2図は円筒型高周波発生
!極の周囲にアース電極を配し、減圧下で両電極間に低
温プラズマを発生させた状態で、シート状物質を移行せ
しめる方法を示したものである。 図中において、(1)clりは反応器、(2)に)はシ
ート状物質(3) (sつり(23つは開口部、 (4
) (4’)■(24’)は蓋、(5)に)はガイドロ
ーA/、 ’(6) (6’)−αつは巻取軸、(7)
(ロ)は高周波発生電極、 (8) (8’) n (
2B’)はアース’it極。 (9)に)はガス供給ノズル、α0は排気ノズル、αη
(ロ)は排気口をそれぞれ示す。 −11−
示すための装置の側断面見取図である。 第1図は平行に設置された一対のアース電極とそのほぼ
中央附近に高周波発生電極をはさみ、減圧下で電極間に
低温プラズマを発生させた状態で該を極間にシート状物
質を移行せしめる方法を示し第2図は円筒型高周波発生
!極の周囲にアース電極を配し、減圧下で両電極間に低
温プラズマを発生させた状態で、シート状物質を移行せ
しめる方法を示したものである。 図中において、(1)clりは反応器、(2)に)はシ
ート状物質(3) (sつり(23つは開口部、 (4
) (4’)■(24’)は蓋、(5)に)はガイドロ
ーA/、 ’(6) (6’)−αつは巻取軸、(7)
(ロ)は高周波発生電極、 (8) (8’) n (
2B’)はアース’it極。 (9)に)はガス供給ノズル、α0は排気ノズル、αη
(ロ)は排気口をそれぞれ示す。 −11−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)高周波発生電極の周囲にアース電極を配置し。 減圧下で電極間に低温デヲズマを発生させた状態で該電
極間にシート状物質を移行せしめることを特徴とするシ
ート状物質の低温プラズマ処理方丸(2)高周波発生電
極が平面状であり、その周囲へのアース電極の配置が上
記平面状高周波発生電属を平行にはさんだ一対の平面状
のアースtriによるサンドイッチ状の配置であり、電
極間のシート状物質の移行が高周波発生電極の両面にお
ける電極間の移行であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のシート状物質の低温プラズマ処理方法。 (3)高周波発生電極が円筒型であり、その周囲へのア
ース電極の配置が円筒型高周波発生電極の表面の曲面に
そった平行な曲面状の配置であり、電極間のシート状物
質の移行が円筒型高周波発生電属の表面に密接した状態
で行うits間の移行であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のシート状物質の低温プラズマ処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12039782A JPS5911337A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | シ−ト状物質の低温プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12039782A JPS5911337A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | シ−ト状物質の低温プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911337A true JPS5911337A (ja) | 1984-01-20 |
| JPH0252651B2 JPH0252651B2 (ja) | 1990-11-14 |
Family
ID=14785193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12039782A Granted JPS5911337A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | シ−ト状物質の低温プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911337A (ja) |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP12039782A patent/JPS5911337A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0252651B2 (ja) | 1990-11-14 |
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