JPS59113655A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59113655A
JPS59113655A JP57224572A JP22457282A JPS59113655A JP S59113655 A JPS59113655 A JP S59113655A JP 57224572 A JP57224572 A JP 57224572A JP 22457282 A JP22457282 A JP 22457282A JP S59113655 A JPS59113655 A JP S59113655A
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JP
Japan
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metal film
group
insulating films
small
semiconductor device
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JP57224572A
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Ryoichi Kobayashi
亮一 小林
Yoshihiko Nakajima
嘉彦 中島
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Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
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Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明Ｆｉ１半導体装置に関しＡ特に露出領域に金属
膜を被着し、これにリードを結合したもの１５　ｖｃお
いて金属嘆内に絶縁膜を設けたものに関する。
従来）上記の半導体装置には第１図に示すようなものが
あった。第１図ｖｃおいて−１はコレクタ領域１２はベ
ース領域、３はエミッタ領域で１一方の主表面４上にお
けるエミッタ領域３の中央に２０は例えば酸化シリコン
等の絶縁膜５が設けられ・主表面４におけるエミッタ領
域３と絶縁膜５とにアルミニウム等の電極金属膜６が蒸
着され１絶縁膜５上の金属膜６にエミッタリード７が結
合きれている。なお８．９も絶縁膜、ｌＯも金属膜％　
１１はベースリード−１２は放熱板、１３は半田層であ
る。
このような半導体装置では、絶縁膜５を設けて゛いるの
で・逆バイアヌ蒔ニエミ゛ツタリード７の結合部分の真
下に電流が集中するのを綴和でき、逆バイアヌＡＳＯ（
動作安定領域）を拡大できる。
しかし・金属膜６とエミッタ領域３との境界には熱処理
によって薄く合金層が形成葛れるので１強固に結合され
ているが、金属膜６と絶縁膜５との境界は単に金属膜６
が絶縁膜５に（＝Ｊ着しているだけであるので、エミッ
タリード７を金属膜６に結合した際に、その結合部分の
金属膜６が剥れることがあり、製造における歩留りが悪
いという欠点があった。
この発明は１逆バイアスＡＳＯを拡大できると共に歩留
りを向上式せた半導体装置を提供することを目的とする
。
以下・この考案を第２図乃至第４図に示すｌ実施例に基
づいて説明する。この実施例は第２図にボすようにエミ
ッタ領域３の主表面４上に小さな間隙１５をおいて小絶
縁膜和−１６を設けたものである。
これら小絶縁ＩＩＩ　１６　＆′ｉエミッタリード７の
結合位置の真下に設けられており、それぞれ従来の絶縁
膜５よりも幅寸法を小さくしたもので１第３図乃至第５
図に示すようにスリント状１６ａ・点状１６　’ｂまた
は網状１６ｃｖｃ構成したものである。そして小絶縁１
漢群１６間の各間隔１５には金属Ｉ漢６が侵入している
。
このように構成した半導体装置では、エミッタリード７
の真下の金属膜６内に小絶縁膜群１６を形成しているの
でλ逆バイアスＡＳＯを拡大することができ、しかも各
小絶縁膜群１６間の間隔１５ｖｃ侵入した金属ｊ摸６と
エミッタ領域３との境界には熱処理によって薄く合金層
が形成され１両者は強固に結合されるので、エミッタリ
ード７を金属膜６に結合した際にその結合部分の金属膜
６が剥れることがなく、製造時における歩留りを向上さ
せることができる。
上記の実施例ではＮＰＮのトランジスタのエミッタ領域
にこの考案を実施したが、ＰＮＰのトランジスタのエミ
ッタ領域にも実施できるしゞ、サイリヌタのカソード領
域にも実施できる。δらに小絶縁膜群１６の点状のもの
１６ｂはそれぞれ平面形状を矩形としたが１円形のもの
としてもよい。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の縦断面図、第２図はこの発
明による半導体装置の縦断面図、第３図乃至第５図はそ
れぞれ同半導体装置に用いる小絶縁膜群の平面図である
。 ３・・・領域１４・・・−表面−６・・・電極金属膜１
７・・・リード１１６・・・小絶縁膜群。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ５（１）半導体の一表面上に導電形式を異にする複数の
    領域を有し、この各領域上にそれぞれ電極金属膜を被着
    した半導体装置において少くとも一部の上記電極金属膜
    と上記半導体との間に、複数に分断された絶縁膜群を介
    在させ、当該電極金属膜に１ｏ　対するリードを上記分
    断された絶縁膜群の真上において結合したことを特徴と
    する半導体装＠０
JP57224572A 1982-12-20 1982-12-20 半導体装置 Granted JPS59113655A (ja)

Priority Applications (1)

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JP57224572A JPS59113655A (ja) 1982-12-20 1982-12-20 半導体装置

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JP57224572A JPS59113655A (ja) 1982-12-20 1982-12-20 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59113655A true JPS59113655A (ja) 1984-06-30
JPH0144015B2 JPH0144015B2 (ja) 1989-09-25

Family

ID=16815853

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JP57224572A Granted JPS59113655A (ja) 1982-12-20 1982-12-20 半導体装置

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JPH0144015B2 (ja) 1989-09-25

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