JPH0144015B2 - - Google Patents

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JPH0144015B2
JPH0144015B2 JP57224572A JP22457282A JPH0144015B2 JP H0144015 B2 JPH0144015 B2 JP H0144015B2 JP 57224572 A JP57224572 A JP 57224572A JP 22457282 A JP22457282 A JP 22457282A JP H0144015 B2 JPH0144015 B2 JP H0144015B2
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JP
Japan
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metal film
semiconductor device
insulating film
region
lead
Prior art date
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Expired
Application number
JP57224572A
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English (en)
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JPS59113655A (ja
Inventor
Ryoichi Kobayashi
Yoshihiko Nakajima
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Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0144015B2 publication Critical patent/JPH0144015B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体装置に関し、特に露出領域
に金属膜を被着し、これにリードを結合したもの
において金属膜内に絶縁膜を設けたものに関す
る。
従来、上記の半導体装置には第１図に示すよう
なものがあつた。第１図において、１はコレクタ
領域、２はベース領域、３はエミツタ領域で、一
方の主表面４上におけるエミツダ領域３の中央に
は例えば酸化シリコン等の絶縁膜５が設けられ、
主表面４におけるエミツタ領域３と絶縁膜５とに
アルミニウム等の電極金属膜６が蒸着され、絶縁
膜５上の金属膜６にエミツタリード７が結合され
ている。なお８，９も絶縁膜、１０も金属膜、１
１はベースリード、１２は放熱板、１３は半田層
である。
このような半導体装置では、絶縁膜５を設けて
いるので、逆バイアス時にエミツタリード７の結
合部分の真下に電流が集中するのを緩和でき、逆
バイアスASO（動作安定領域）も拡大できる。し
かし、金属膜６とエミツタ領域３との境界には熱
処理によつて薄く合金属が形成されるので、強固
に結合されているが、金属膜６と絶縁膜５との境
界は単に金属膜６が絶縁膜５に付着しているだけ
であるので、エミツタリード７を金属膜６に結合
した際に、その結合部分の金属膜６が剥れること
があり、製造における歩留りが悪いという欠点が
あつた。
この発明は、逆バイアスASOを拡大できると
共に歩留りを向上させた半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
以下、この考案を第２図乃至第４図に示す１実
施例に基づいて説明する。この実施例は第２図に
示すようにエミツタ領域３の主表面４上に小さな
間隙１５をおいて小絶縁膜群１６を設けたもので
ある。これら小絶縁膜１６はエミツタリード７の
結合位置の真下に設けられており、それぞれ従来
の絶縁膜５よりも幅寸法を小さくしたもので、第
３図乃至第５図に示すようにスリツト状１６ａ、
点状１６ｂまたは網状１６ｃに構成したものであ
る。そして小絶縁膜群１６間の各間隔１５には金
属膜６が侵入している。
このように構成した半導体装置では、エミツタ
リード７の真下の金属膜６内に小絶縁膜群１６を
形成しているので、逆バイアスASOを拡大する
ことができ、しかも各小絶縁膜群１６間の間隔１
５に侵入した金属膜６とエミツタ領域３との境界
には熱処理によつて薄く合金層が形成され、両者
は強固に結合されるので、エミツタリード７を金
属膜６に結合した際にその結合部分の金属膜６が
剥れることがなく、製造時における歩留りを向上
させることができる。
上記の実施例ではNPNのトランジスタのエミ
ツタ領域にこの考案を実施したが、PNPのトラ
ンジスタのエミツタ領域にも実施できるし、サイ
リスタのカソード領域にも実施できる。さらに小
絶縁膜群１６の点状のもの１６ｂはそれぞれ平面
形状を矩形としたが、円形のものとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の縦断面図、第２図
はこの発明による半導体装置の縦断面図、第３図
乃至第５図はそれぞれ同半導体装置に用いる小絶
縁膜群の平面図である。 ３……領域、４……一表面、６……電極金属
膜、７……リード、１６……小絶縁膜群。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体の一表面上に導電形式を異にする複数
    の領域を有し、この各領域上にそれぞれ電極金属
    膜を被着した半導体装置において少くとも一部の
    上記電極金属膜と上記半導体との間に、複数に分
    断された絶縁膜群を介在させ、当該電極金属膜に
    対するリードを上記分断された絶縁膜群の真上に
    おいて結合したことを特徴とする半導体装置。
JP57224572A 1982-12-20 1982-12-20 半導体装置 Granted JPS59113655A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57224572A JPS59113655A (ja) 1982-12-20 1982-12-20 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57224572A JPS59113655A (ja) 1982-12-20 1982-12-20 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59113655A JPS59113655A (ja) 1984-06-30
JPH0144015B2 true JPH0144015B2 (ja) 1989-09-25

Family

ID=16815853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57224572A Granted JPS59113655A (ja) 1982-12-20 1982-12-20 半導体装置

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JPS59113655A (ja) 1984-06-30

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