JPS59116372A - 連続真空処理装置 - Google Patents
連続真空処理装置Info
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- JPS59116372A JPS59116372A JP22500882A JP22500882A JPS59116372A JP S59116372 A JPS59116372 A JP S59116372A JP 22500882 A JP22500882 A JP 22500882A JP 22500882 A JP22500882 A JP 22500882A JP S59116372 A JPS59116372 A JP S59116372A
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- Japan
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- wafer
- processing
- chamber
- sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、多数の被処理物を真全若しくは稀薄ガス中で
連続的に順次に処理する装置に関するものである。
連続的に順次に処理する装置に関するものである。
例えばＬＳＩの製造工程の一つである配線膜形成工程に
おいて、多数のウェハが稀薄ガス中で順次にスパッタリ
ング処理される。このスパッタリングは１０１〜ｌ０Ｐ
ａ程度の稀薄ガス（通常人ｒがス）中においてウェハを
陽極近傍に置き成膜材料を陰極としてグロー放電させる
ものである。
おいて、多数のウェハが稀薄ガス中で順次にスパッタリ
ング処理される。このスパッタリングは１０１〜ｌ０Ｐ
ａ程度の稀薄ガス（通常人ｒがス）中においてウェハを
陽極近傍に置き成膜材料を陰極としてグロー放電させる
ものである。
上記のスパッタリング処理を容易に高能率で行なうため
、従来、第１図及び第２図に示すような連続ス・やツタ
装置が用いられている。
、従来、第１図及び第２図に示すような連続ス・やツタ
装置が用いられている。
第１図は同装置の概要的な構造を示す平面図、第２図は
上図の■−■断面図である。
上図の■−■断面図である。
第１図において、１は排気手段及びガス導入手段（共に
図示せず）を備えだ真空チェンバで、この中に取入・取
出ステーション２７と、ウエノ・ベークステーションあ
と、スノ！ツタエッチステーション２９と、２基のスパ
ッタステーション：３０ ト同３０’トが円形に配置き
れている。被処理物であるウェハは、取入・取出ステー
ションｎから真空チェンパ■内に搬入され、ステーショ
ン路、２９．３０．３０’の順に搬送された後に取入・
取出ステーション２７がら搬出される。上記の搬送の途
中、ウェハベークステーションｙではウェハを約３ＱＱ
’Ｃに加熱して水分を除き、ス・ｅ＞タエッテステーン
ヨン２９でウェハＨ面をス・やツタエツチングして酸化
嘆を除去し、２基のス・ぞツタステーンヨ／廁、同３０
’を順次に経由する際にス・ぐツタリングによる膜形成
処理が行なわれる。
図示せず）を備えだ真空チェンバで、この中に取入・取
出ステーション２７と、ウエノ・ベークステーションあ
と、スノ！ツタエッチステーション２９と、２基のスパ
ッタステーション：３０ ト同３０’トが円形に配置き
れている。被処理物であるウェハは、取入・取出ステー
ションｎから真空チェンパ■内に搬入され、ステーショ
ン路、２９．３０．３０’の順に搬送された後に取入・
取出ステーション２７がら搬出される。上記の搬送の途
中、ウェハベークステーションｙではウェハを約３ＱＱ
’Ｃに加熱して水分を除き、ス・ｅ＞タエッテステーン
ヨン２９でウェハＨ面をス・やツタエツチングして酸化
嘆を除去し、２基のス・ぞツタステーンヨ／廁、同３０
’を順次に経由する際にス・ぐツタリングによる膜形成
処理が行なわれる。
第２図の断面には取入・取出ステーション２７とス・Ｐ
ツタステー／コン３ｏとが現われている。ｌ−ｊ：円板
状のトランスファプレートで、ウェハ５を収納するため
に５個の開口４ａ（２個のみ表われている）が穿たれて
いる。このトランスファグレート４ば、〔−夕１８によ
りチェーン３５を介して回転駆動され、かつ、エアシリ
ンダ１７ａにより上下に往復駆動される構造である。
ツタステー／コン３ｏとが現われている。ｌ−ｊ：円板
状のトランスファプレートで、ウェハ５を収納するため
に５個の開口４ａ（２個のみ表われている）が穿たれて
いる。このトランスファグレート４ば、〔−夕１８によ
りチェーン３５を介して回転駆動され、かつ、エアシリ
ンダ１７ａにより上下に往復駆動される構造である。
讃は上記のトランスファプレート４の上にＢ 向せしめ
て設けられたプレッシャグレートで、エアシリンダ１７
ｂにより上下に往復駆動される。
て設けられたプレッシャグレートで、エアシリンダ１７
ｂにより上下に往復駆動される。
前記の取入・取出ステーション２７には２枚のドア３１
．３２が交互に開閉できるように設けである。
．３２が交互に開閉できるように設けである。
上記のドア３１はウェハを搬入するためのローダドアで
、ウェハ５を吸着するための真空チャック３３が設けら
れており、図示のように開扉した状態でウェハ５を吸着
保持して閉扉すると、上記のウニ・・５はトランスファ
グレート４の開口４ａ内に挿入される。ウェハ５は開口
４ａ内に設けられたつめ６によって保持され、真空チャ
ック３３を解放してウェハ搬入を完了する。この後ドア
３２によって真空チェツバ１を密閉する。
、ウェハ５を吸着するための真空チャック３３が設けら
れており、図示のように開扉した状態でウェハ５を吸着
保持して閉扉すると、上記のウニ・・５はトランスファ
グレート４の開口４ａ内に挿入される。ウェハ５は開口
４ａ内に設けられたつめ６によって保持され、真空チャ
ック３３を解放してウェハ搬入を完了する。この後ドア
３２によって真空チェツバ１を密閉する。
前述のスパッタステーション３０にはスノｅツタ電極２
０が設けられている。
０が設けられている。
本図に示した従来の連続スパッタ装置を使用するには、
エアシリング１７ａでトランスファグレート４を下方に
押し下げエアシリング１７ｂでプレッシャグレート３４
を下方に押下げ、真空チェンバ１の底面との間にトラン
スファグレート４を挟圧する。すると、ａツクドア３２
を開扉しても取入・取出ステーション２７の開口１３２
７ａがトランスファプレート４を介してプレッシャグレ
ート３４で密閉され、真空チェンバ１内の空間Ａの気密
が保たれる。
エアシリング１７ａでトランスファグレート４を下方に
押し下げエアシリング１７ｂでプレッシャグレート３４
を下方に押下げ、真空チェンバ１の底面との間にトラン
スファグレート４を挟圧する。すると、ａツクドア３２
を開扉しても取入・取出ステーション２７の開口１３２
７ａがトランスファプレート４を介してプレッシャグレ
ート３４で密閉され、真空チェンバ１内の空間Ａの気密
が保たれる。
２１は密閉用の０リングである。
ウェハ５を吸着保持したローダドア、３１を閉じてウェ
ハ５をトランスファグレート４に受渡しだ後ローダドア
３１を開いてロックドア；３２を閉じ、取入・取出ステ
ーション２７部分を排気した後、グンッンヤプレート３
４を上昇せしめ、トランスファグレート４の挟圧を解除
した後に該トランスファグレート４を上外し、真空チェ
ンバ１から離した後、回転させる。これによりトランス
ファプレート４の開口４ａ内に収納されたウェハ５は、
各ステーションへ順次に搬送される。第１図に示した各
ステー／ジンあ、 ２９ 、３０ 、３０’を一巡した
ウェハは、前記とほぼ逆の手順で取入・取出ステーショ
ンｎから搬出される。
ハ５をトランスファグレート４に受渡しだ後ローダドア
３１を開いてロックドア；３２を閉じ、取入・取出ステ
ーション２７部分を排気した後、グンッンヤプレート３
４を上昇せしめ、トランスファグレート４の挟圧を解除
した後に該トランスファグレート４を上外し、真空チェ
ンバ１から離した後、回転させる。これによりトランス
ファプレート４の開口４ａ内に収納されたウェハ５は、
各ステーションへ順次に搬送される。第１図に示した各
ステー／ジンあ、 ２９ 、３０ 、３０’を一巡した
ウェハは、前記とほぼ逆の手順で取入・取出ステーショ
ンｎから搬出される。
以上に説明した従来の連続スノぞツタ装置は、その構造
機能から容易に理解きれるように、ウェハベーキング、
ス・２ツタエツチング、及ヒスツヤツタリングの各処理
を同一の真空チェンバ１内で共通の圧力雰囲気（たとえ
ば数ミリＴｏｒｒのＡｒがス雰囲気）で行なわれる。こ
のため、欠配のような技術的不具合がある。
機能から容易に理解きれるように、ウェハベーキング、
ス・２ツタエツチング、及ヒスツヤツタリングの各処理
を同一の真空チェンバ１内で共通の圧力雰囲気（たとえ
ば数ミリＴｏｒｒのＡｒがス雰囲気）で行なわれる。こ
のため、欠配のような技術的不具合がある。
（イ）各ステーションで行なう処理に最適な圧力を設定
できない。（ロ）各ステーションで処理中に発生したが
ス等が互いに他のステーションに影響ヲ及ぼす。例えば
ベークステーションで蒸発した水分がスパッタステーシ
ョンに流入し、形成される膜の品質を低下させるといっ
た悪影響を及ぼす。
できない。（ロ）各ステーションで処理中に発生したが
ス等が互いに他のステーションに影響ヲ及ぼす。例えば
ベークステーションで蒸発した水分がスパッタステーシ
ョンに流入し、形成される膜の品質を低下させるといっ
た悪影響を及ぼす。
ｅｌ ス・ぞツタステーションにおいては成膜材料テ
構成したターケ゛ットが消耗するので適宜新しいターゲ
ットに交換しなければならないが、ターゲット交換のた
めに真空チェノ・ぐ１を大気に開放したとき該チェンバ
ｌ内の全体が大気に解放されるため大気中の水分なとで
汚れ、再び該チェンバ１内を膜形成に必要な高真空にま
で排気するのに時間がかかる。
構成したターケ゛ットが消耗するので適宜新しいターゲ
ットに交換しなければならないが、ターゲット交換のた
めに真空チェノ・ぐ１を大気に開放したとき該チェンバ
ｌ内の全体が大気に解放されるため大気中の水分なとで
汚れ、再び該チェンバ１内を膜形成に必要な高真空にま
で排気するのに時間がかかる。
本発明は上述の事消に鑑みて為され、その目的とすると
ころは、各処理ステーション毎に圧力を設定することが
でき、しかも、特定の処理ステーションのみを大気に解
放できる様にしてその他の処理ステーションの密閉を保
持して稼動再開の所要時間を短縮し得る連続真空処理装
置を提供するにある。本発明は、ウェハのスパッタリン
グ処理に適用し得るのみならず、真空若しくは稀薄ガス
中における連続処理に広く応用し得るものである。
ころは、各処理ステーション毎に圧力を設定することが
でき、しかも、特定の処理ステーションのみを大気に解
放できる様にしてその他の処理ステーションの密閉を保
持して稼動再開の所要時間を短縮し得る連続真空処理装
置を提供するにある。本発明は、ウェハのスパッタリン
グ処理に適用し得るのみならず、真空若しくは稀薄ガス
中における連続処理に広く応用し得るものである。
上記の目的を達成するため、本発明は真空雰囲気を維持
するだめのチェンバと、上船のチェンバ内を真空にする
だめの排気手段と、該チェノ・ぐ内にガスを導入する手
段とを設けた真空処理装置において、前記のチェツバ内
に複数基の処理ステーションを設けると共に、被処理物
を上記複数基の処理ステー／コンに順次に搬送する手段
を設け、かつ、上記の棲θ基の処理ステー／ジン毎に、
搬送手段と処理ステーションの壁とによって独立した密
閉空間を形成し得るように構成したことを特徴とする。
するだめのチェンバと、上船のチェンバ内を真空にする
だめの排気手段と、該チェノ・ぐ内にガスを導入する手
段とを設けた真空処理装置において、前記のチェツバ内
に複数基の処理ステーションを設けると共に、被処理物
を上記複数基の処理ステー／コンに順次に搬送する手段
を設け、かつ、上記の棲θ基の処理ステー／ジン毎に、
搬送手段と処理ステーションの壁とによって独立した密
閉空間を形成し得るように構成したことを特徴とする。
次に、本発明の一実施例を第３図及び第４図について説
明する。
明する。
本実施例は、第１図及び第２図について説明した従来の
連続ス／やツタ装置に本発明を適用して改良した例であ
る。本実施例の概委的なモ面図は従来装置における第１
図と同様であるから図示を省略する。第３図は１本実施
例を＠１図におけるｎ−■面に相当する面で切断した断
面図である。
連続ス／やツタ装置に本発明を適用して改良した例であ
る。本実施例の概委的なモ面図は従来装置における第１
図と同様であるから図示を省略する。第３図は１本実施
例を＠１図におけるｎ−■面に相当する面で切断した断
面図である。
第３図において、２は真空チェンバ１の底面に設けた排
気手段、１９は真空ポンプであり、３はリークガス導入
用のパイプである。
気手段、１９は真空ポンプであり、３はリークガス導入
用のパイプである。
上記の真空チェンバｌに設けた複数個の処理ステーショ
ンの内、この断面にはベーク用の処理ステーション（Ｂ
）９ａと、スパッタ用の処理ステーション（Ｓ） ９
ｂとが現われている。１６はベーク用のヒータ、加はス
パッタ用の電極である。
ンの内、この断面にはベーク用の処理ステーション（Ｂ
）９ａと、スパッタ用の処理ステーション（Ｓ） ９
ｂとが現われている。１６はベーク用のヒータ、加はス
パッタ用の電極である。
上記のステーション（Ｂ） ９ ａおよびステーション
（Ｓ） ９ ｂは、それぞれ有頂無底の円筒状の壁１１
を真空チェンバｌの頂面に直通せしめ、気密に固着して
構成する。これらのステーション９ａ、９ｂにそれぞれ
排気用配管１３ａ、１３ｂ、リーク用がス配管１５ａ、
１５ｂを接続して連通させる。スノヤツタ用処理ステー
ション（Ｓ） ９ ｂ ＫはＡｒがス注入用のプロセス
がス配賃１４を接続して連通させる。
（Ｓ） ９ ｂは、それぞれ有頂無底の円筒状の壁１１
を真空チェンバｌの頂面に直通せしめ、気密に固着して
構成する。これらのステーション９ａ、９ｂにそれぞれ
排気用配管１３ａ、１３ｂ、リーク用がス配管１５ａ、
１５ｂを接続して連通させる。スノヤツタ用処理ステー
ション（Ｓ） ９ ｂ ＫはＡｒがス注入用のプロセス
がス配賃１４を接続して連通させる。
本実施例のトランスファプレート４′は従来装置（第２
図）におけるトランスファプレート４に対応する部材で
あるが、プレツンヤプレート３４を備えておらず、モー
タ１８によって回転駆動するように構成しである。この
トランスファプレート４′が処理ステーション（ＢＪ
９−＋ 及Ｕ処理ｙ、 テーンＦ ７（Ｓ）９−２に対
向する位置に、それぞれ、段付透孔８を設け、上段の大
径部にウエノ・ホルダプレート７を摺動自在に嵌合する
。６は上記のウエノ・ホルダグレート７上に設けたウエ
ノ・ホルダである。上記のウェハホルダグレート７ば、
ウェハホルダ６を介してウニ・・５を保持し、トランス
ファプレート４′の回−敵に伴って一緒に回転してウエ
ノ・５を搬送する１幾能を果たす部材である。
図）におけるトランスファプレート４に対応する部材で
あるが、プレツンヤプレート３４を備えておらず、モー
タ１８によって回転駆動するように構成しである。この
トランスファプレート４′が処理ステーション（ＢＪ
９−＋ 及Ｕ処理ｙ、 テーンＦ ７（Ｓ）９−２に対
向する位置に、それぞれ、段付透孔８を設け、上段の大
径部にウエノ・ホルダプレート７を摺動自在に嵌合する
。６は上記のウエノ・ホルダグレート７上に設けたウエ
ノ・ホルダである。上記のウェハホルダグレート７ば、
ウェハホルダ６を介してウニ・・５を保持し、トランス
ファプレート４′の回−敵に伴って一緒に回転してウエ
ノ・５を搬送する１幾能を果たす部材である。
そして、前記の段付透孔８の下段の小径部にエアンリン
ダ１７のピストン棒１０を摺動自在に嵌合せしめ、この
ピストン棒ＩＯが伸縮作動に伴って段付透孔８内に挿入
、抜去されるように構成する。
ダ１７のピストン棒１０を摺動自在に嵌合せしめ、この
ピストン棒ＩＯが伸縮作動に伴って段付透孔８内に挿入
、抜去されるように構成する。
これにより、ピストン棒１０を伸長させてウニ・・ホル
ダグレート７を突き上げると、該ウニ・・ホｌレダプレ
ート７は処理ステーションの円筒状の壁１１の下端に当
接し、本図に示すように処理ステーション（Ｓ） ９
ｂ内に独立した密閉空間１２ｂを形成する。
ダグレート７を突き上げると、該ウニ・・ホｌレダプレ
ート７は処理ステーションの円筒状の壁１１の下端に当
接し、本図に示すように処理ステーション（Ｓ） ９
ｂ内に独立した密閉空間１２ｂを形成する。
本図において処理ステーション（Ｂ）９ａのウエノ・ホ
ルダグレート７がＦ降して内部空間１２ａが真空チェン
バ１の内部空間Ａに連通しだ状態を描（・てあルカこの
空間１２−１ もウェハホルダグレート７を突き上げる
と、密閉された空間になる。
ルダグレート７がＦ降して内部空間１２ａが真空チェン
バ１の内部空間Ａに連通しだ状態を描（・てあルカこの
空間１２−１ もウェハホルダグレート７を突き上げる
と、密閉された空間になる。
第４図は、１基の取入・取出ステーション２７′と、１
基のベーク用の処理ステーション（Ｂ）９ａと、１基の
スハツタエッチング用処理ステーション９Ｃ、！：、１
；＄４１ス／４’ツタ用処理ステーション（Ｓ） ９
ｂ トを設けた本発明の連続真空処理装置の配管系統図
の１例である。乙はプロセス用のＡｒがスゼンベ、冴は
リーク用のＮ２ガスピンペ、５はクライオポンプ、２６
はロータリポング、２２はノぐルブである。
基のベーク用の処理ステーション（Ｂ）９ａと、１基の
スハツタエッチング用処理ステーション９Ｃ、！：、１
；＄４１ス／４’ツタ用処理ステーション（Ｓ） ９
ｂ トを設けた本発明の連続真空処理装置の配管系統図
の１例である。乙はプロセス用のＡｒがスゼンベ、冴は
リーク用のＮ２ガスピンペ、５はクライオポンプ、２６
はロータリポング、２２はノぐルブである。
次に、第３図に示した実施例の作動を説明する。
エア／リング１７を収縮尽せてウエハホルグｆｖ〜ドア
をＦ降場せた状、四でトランスファプレート４′を回・
瞳キせると、ウェハホルダグレート７はウニ・・５を載
置して一緒に回り、該ウニ・・５を順次に次工程の処理
１ステーションに搬送する。複数個のウェハホルダグレ
ート７をそれぞれ処理ス戸−ションの真Ｆに位・咥せし
めてエアシリング１７を伸長させると、ウエハホルグゾ
レ〜ドアが突き上げられて処理ステー／コンの円筒壁１
１の下端に密着する。このため、各処理ス六−ンヨノ９
ａ 、９ｂの内部の空間１２ ａ 、 １２ ｂはそれ
ぞれ独立した密閉空間となる。本図に現われていないス
・！ツタエッチ用の処理ステーションも上記と同様にし
て密閉される。
をＦ降場せた状、四でトランスファプレート４′を回・
瞳キせると、ウェハホルダグレート７はウニ・・５を載
置して一緒に回り、該ウニ・・５を順次に次工程の処理
１ステーションに搬送する。複数個のウェハホルダグレ
ート７をそれぞれ処理ス戸−ションの真Ｆに位・咥せし
めてエアシリング１７を伸長させると、ウエハホルグゾ
レ〜ドアが突き上げられて処理ステー／コンの円筒壁１
１の下端に密着する。このため、各処理ス六−ンヨノ９
ａ 、９ｂの内部の空間１２ ａ 、 １２ ｂはそれ
ぞれ独立した密閉空間となる。本図に現われていないス
・！ツタエッチ用の処理ステーションも上記と同様にし
て密閉される。
上述のように各処理ステーションに独立密閉空間が形成
されるので、排気用配管１３ａ、１３ｂを介して処理ス
テーンヨ／１ｇに最適の真空度に減圧したり、７″ロセ
スガス配管１４を介してＡｒがスを注入したりして、処
理ステーション毎に最適の７０口セス条件を設定するこ
とができる。
されるので、排気用配管１３ａ、１３ｂを介して処理ス
テーンヨ／１ｇに最適の真空度に減圧したり、７″ロセ
スガス配管１４を介してＡｒがスを注入したりして、処
理ステーション毎に最適の７０口セス条件を設定するこ
とができる。
また、べ〜り用処理ステーション（ＢＪ ｅ ａ内でウ
ニ・・１を加熱して水分を発散させても、水蒸気がスパ
ッタ用処理ステーション（Ｓ） ９ ｂに流入して悪影
響を及ぼす虞れが無い。
ニ・・１を加熱して水分を発散させても、水蒸気がスパ
ッタ用処理ステーション（Ｓ） ９ ｂに流入して悪影
響を及ぼす虞れが無い。
また、膜形成材料であるターケ゛ットを交換するためス
・９ツタ用処理ステーシヨンを大気開放する時、スパッ
タ用処理ステーション（Ｓ） ９ ｂ以外の処で短時間
で排気できる。
・９ツタ用処理ステーシヨンを大気開放する時、スパッ
タ用処理ステーション（Ｓ） ９ ｂ以外の処で短時間
で排気できる。
以上詳述したように、本発明によれば各処理ステーショ
ン毎にプロセス条件を設定することができ、しかも、特
定の処理ステーションのみを大気に解放してその他の処
理ステーションの密閉を保持し、稼動再開の所要時間を
短縮し得る。
ン毎にプロセス条件を設定することができ、しかも、特
定の処理ステーションのみを大気に解放してその他の処
理ステーションの密閉を保持し、稼動再開の所要時間を
短縮し得る。
第１図は連続スパッタ装置の概要的な平面図、第２図は
従来の連続スパッタ装置の垂直断面図、第３図は本発明
の連続真空処理装置の一実施例である連続ス・やツタ装
置の画直断面図、第４図は上記と異なる実施例である連
続ス・Ｐツタ装置の配管系統図である。 １・・・真空チェンバ、２・・・排気手段、３・・＋）
−クガス導入・平イグ、４，４′・・・トランスファグ
レート、４ａ ・開口、５・・ウェハ、６０９．つめ、
７．９．ウニ７、ホルダグレート、８・・段付透孔、９
ａ ・・ヘ−り用処理ステーションＦＢ）、９ｂ・・・
スパッタ用処理ステ−ンヨン（Ｓ）、１０・・ピストン
ｍ、１１・・処理ステーションの円筒状の壁、１２ａ、
１２ｂ・・・密閉空間、１３ａ。 １３ｂ・・・排気用配管、１４・・・プロセスガス配管
、１；５・・・リークがス導入配管、１６・・・ウェハ
ベークヒータ、１７・・・エア／リング、１８・・・駆
動用モータ、】９・・・ｆンプ、２０・・・Ｘ ｙ４ツ
タ用電極、２１・・０１Ｊング。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第１図 第２図 第３図
従来の連続スパッタ装置の垂直断面図、第３図は本発明
の連続真空処理装置の一実施例である連続ス・やツタ装
置の画直断面図、第４図は上記と異なる実施例である連
続ス・Ｐツタ装置の配管系統図である。 １・・・真空チェンバ、２・・・排気手段、３・・＋）
−クガス導入・平イグ、４，４′・・・トランスファグ
レート、４ａ ・開口、５・・ウェハ、６０９．つめ、
７．９．ウニ７、ホルダグレート、８・・段付透孔、９
ａ ・・ヘ−り用処理ステーションＦＢ）、９ｂ・・・
スパッタ用処理ステ−ンヨン（Ｓ）、１０・・ピストン
ｍ、１１・・処理ステーションの円筒状の壁、１２ａ、
１２ｂ・・・密閉空間、１３ａ。 １３ｂ・・・排気用配管、１４・・・プロセスガス配管
、１；５・・・リークがス導入配管、１６・・・ウェハ
ベークヒータ、１７・・・エア／リング、１８・・・駆
動用モータ、】９・・・ｆンプ、２０・・・Ｘ ｙ４ツ
タ用電極、２１・・０１Ｊング。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 真空雰囲気を維持するだめのチェンバと、上記のチェン
バ内を真空にするだめの排気手段と、該チェンバ内にガ
スを導入する手段とを設けた真空処理装置において、前
記のチェンバ内に複数基の処理ステーションを設けると
共に、被処理物を上記複数基の処理ステーションに順光
に搬送する手段を設け、さらに被処理物を保持する＠構
が設けられ、上記の複数基の処理ステー７ヨン毎に、該
保持機構と処理ステーションの壁とにょっ−Ｃ独立した
密閉空間を形成し得るように該保持機構は可動機構を具
備しており、また各々の独立した密閉空間はそれぞれ独
立した排気口をもった構成にしたこと金材機とする連続
真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22500882A JPS59116372A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 連続真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22500882A JPS59116372A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 連続真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59116372A true JPS59116372A (ja) | 1984-07-05 |
| JPH0377274B2 JPH0377274B2 (ja) | 1991-12-10 |
Family
ID=16822629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22500882A Granted JPS59116372A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 連続真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59116372A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62295421A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-12-22 | マテリアルズ リサ−チ コ−ポレイシヨン | ウエハ状物品を輸送して少くとも一つの処理工程にかけるための装置及び方法 |
| JPS6326357A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-03 | Tokyo Electron Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS6360276A (ja) * | 1986-08-30 | 1988-03-16 | Tokyo Electron Ltd | スパツタリング装置 |
| WO2004054926A1 (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-01 | Ideal Star Inc. | 内包フラーレンの製造・回収システムツール |
| WO2010013333A1 (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | 株式会社島津製作所 | 真空装置及び真空処理方法 |
| JP2013012447A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜リチウム二次電池製造装置及び薄膜リチウム二次電池製造方法 |
| JP2014162941A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Stanley Electric Co Ltd | 成膜装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS564244A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Hitachi Ltd | Continuous vacuum treatment device for wafer |
-
1982
- 1982-12-23 JP JP22500882A patent/JPS59116372A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS564244A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Hitachi Ltd | Continuous vacuum treatment device for wafer |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62295421A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-12-22 | マテリアルズ リサ−チ コ−ポレイシヨン | ウエハ状物品を輸送して少くとも一つの処理工程にかけるための装置及び方法 |
| JPS6326357A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-03 | Tokyo Electron Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS6360276A (ja) * | 1986-08-30 | 1988-03-16 | Tokyo Electron Ltd | スパツタリング装置 |
| WO2004054926A1 (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-01 | Ideal Star Inc. | 内包フラーレンの製造・回収システムツール |
| WO2010013333A1 (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | 株式会社島津製作所 | 真空装置及び真空処理方法 |
| JP2013012447A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜リチウム二次電池製造装置及び薄膜リチウム二次電池製造方法 |
| JP2014162941A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Stanley Electric Co Ltd | 成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0377274B2 (ja) | 1991-12-10 |
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