JPS59117118A - ステ−ジ - Google Patents
ステ−ジInfo
- Publication number
- JPS59117118A JPS59117118A JP57226010A JP22601082A JPS59117118A JP S59117118 A JPS59117118 A JP S59117118A JP 57226010 A JP57226010 A JP 57226010A JP 22601082 A JP22601082 A JP 22601082A JP S59117118 A JPS59117118 A JP S59117118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- photomask
- objective lens
- inspection
- stages
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＸ−Ｙ−Ｚ−〇に移動するステージに関するも
ので、特に半導体の検査装置や加工装置のステージとし
て用いられるものである。
ので、特に半導体の検査装置や加工装置のステージとし
て用いられるものである。
本発明を、脅雑高度で且つ高精度な半導体装置である、
ＬＳＩホトマスク外観自動検査装置を例にとり、第１図
〜第３図に従って説明する・被検査物体であるホトマス
ク１は、ステージベース２、Ｙステージ３、Ｘステージ
４から構成されるＸ、Ｙステージ上に裁置されている。
ＬＳＩホトマスク外観自動検査装置を例にとり、第１図
〜第３図に従って説明する・被検査物体であるホトマス
ク１は、ステージベース２、Ｙステージ３、Ｘステージ
４から構成されるＸ、Ｙステージ上に裁置されている。
Ｙステージ３、Ｘステージ４には外部１駆動装置のＹ軸
部動部５とＸ＠駆動部６に連結してあ・シそれぞれＹ方
向およびＸ方向に移動できる。ＸＹステージの移動量は
Ｙ軸測長器７とＸ軸測長器８によって測定する構造とし
ている。ホトマスク１の上方には、ホトマスク上のパタ
ーンを披大投影する左対物レンズ９と石対物レンズ１０
０２個のレンズが配置されておシ、各々の対物レンズの
結像面に右パターンセンサ１１と右パターンセンサ１２
が設置されている。左パターンセンサ１１と左パターン
信号２値化回路１６右パターンセンサ１２と右パターン
信号２１：＝１と回路１４は連結しておシ、左パターン
化号２Ｉｌｊｉ化回路１０と右パターン信号２値化回路
１４の出力信号は、信号比較回路１５に入力する二：９
になっており信号比較回路１５の出力はマイクロプロセ
ッサ１８に導かれる。
部動部５とＸ＠駆動部６に連結してあ・シそれぞれＹ方
向およびＸ方向に移動できる。ＸＹステージの移動量は
Ｙ軸測長器７とＸ軸測長器８によって測定する構造とし
ている。ホトマスク１の上方には、ホトマスク上のパタ
ーンを披大投影する左対物レンズ９と石対物レンズ１０
０２個のレンズが配置されておシ、各々の対物レンズの
結像面に右パターンセンサ１１と右パターンセンサ１２
が設置されている。左パターンセンサ１１と左パターン
信号２値化回路１６右パターンセンサ１２と右パターン
信号２１：＝１と回路１４は連結しておシ、左パターン
化号２Ｉｌｊｉ化回路１０と右パターン信号２値化回路
１４の出力信号は、信号比較回路１５に入力する二：９
になっており信号比較回路１５の出力はマイクロプロセ
ッサ１８に導かれる。
Ｙ軸測長器７とＸ軸測長器８は座標測長回路１６に連結
していて、座標測長回路１６はマイクロプロセッサ１８
に連結している。マイクロプロセッサ１ＢはＸＹ駆動制
御部１７にも連結しており・ＸＹ駆舶制側１部１７を通
して、Ｘ軸部動部６、Ｙ軸、駆動部５を制御できる。
していて、座標測長回路１６はマイクロプロセッサ１８
に連結している。マイクロプロセッサ１ＢはＸＹ駆動制
御部１７にも連結しており・ＸＹ駆舶制側１部１７を通
して、Ｘ軸部動部６、Ｙ軸、駆動部５を制御できる。
上記した従来のホトマスク検査装置では、第２図に示す
ホトマスク１のパターンを２つのパターンの比較で検査
する。すなわち、ホトマスク１には、ＬＳＩの回路パタ
ーンが鞭り返し且つ規則正しく配列しているので、隣り
きうチップ２０とチップ２１の同一場所のパターンを比
較し違いがあれば欠陥と判定する。チップ２０のパター
ンは左対物レンズ９左パターンセンサ１１によって画像
信号に変換され、左パターン信号２値化回路１６で論理
レベルＳＳ □ ／／、１λ１〃の左ディジタル画像信
号となる。チップ２１のパターンは右対物レンズ１０１
右パターンセンサ１２によって画像信号に変換され、右
パターン信号２値化回路１４で論理レベルＳＳ Ｏ＃１
１Ｓ １１Ｆの右ディジタル画像信号となる。上記した
左および右のディジタル画像信号は信号比較回路１５で
比較され違いがあればマイクロプロセッサ１８に信号を
送り出す。
ホトマスク１のパターンを２つのパターンの比較で検査
する。すなわち、ホトマスク１には、ＬＳＩの回路パタ
ーンが鞭り返し且つ規則正しく配列しているので、隣り
きうチップ２０とチップ２１の同一場所のパターンを比
較し違いがあれば欠陥と判定する。チップ２０のパター
ンは左対物レンズ９左パターンセンサ１１によって画像
信号に変換され、左パターン信号２値化回路１６で論理
レベルＳＳ □ ／／、１λ１〃の左ディジタル画像信
号となる。チップ２１のパターンは右対物レンズ１０１
右パターンセンサ１２によって画像信号に変換され、右
パターン信号２値化回路１４で論理レベルＳＳ Ｏ＃１
１Ｓ １１Ｆの右ディジタル画像信号となる。上記した
左および右のディジタル画像信号は信号比較回路１５で
比較され違いがあればマイクロプロセッサ１８に信号を
送り出す。
マイクロプロセッサ１８は違いが欠陥によるものか否か
を判定して、欠陥であればプリンタ１９に欠陥であるこ
とを出力する。上記検査はホトマスク１を第２図の矢印
のように動かして順次全面を検査する。マイクロプロセ
ッサ１８は第２図の矢印のようにホトマスク１を移動さ
せるべくＸＹ駆動制御部１７を通して、Ｙ軸部動部５、
Ｘ軸部動部６を制御する。座標測長回路１６はホトマス
ク１の検査位置を測定しており、欠陥が他見されだホト
マスクの座標はマイクロプロセッサ１８を通してプリン
タ１９に出力されるっプリンタ１９のかわりに磁気テー
プあるいは磁気カードに欠陥の位置が記録される場舒も
ある。
を判定して、欠陥であればプリンタ１９に欠陥であるこ
とを出力する。上記検査はホトマスク１を第２図の矢印
のように動かして順次全面を検査する。マイクロプロセ
ッサ１８は第２図の矢印のようにホトマスク１を移動さ
せるべくＸＹ駆動制御部１７を通して、Ｙ軸部動部５、
Ｘ軸部動部６を制御する。座標測長回路１６はホトマス
ク１の検査位置を測定しており、欠陥が他見されだホト
マスクの座標はマイクロプロセッサ１８を通してプリン
タ１９に出力されるっプリンタ１９のかわりに磁気テー
プあるいは磁気カードに欠陥の位置が記録される場舒も
ある。
上記検査装置はホトマスク１の微小な欠陥、すなわち１
〜２μｍの欠陥を検出する装置である・このためこの種
の装置に用いられる検査ステージも高い走行ａ度と、剛
性の高い構造にする心太がある。上記検査装置の検査ス
テージとして用いられていた、従来技術のステージの断
面図を第６図に示す。ホトマスク１をＸＹに走査するス
テーシヘース２、Ｘステージ３、Ｘステージ４から構成
されるＸＹステージ、ホトマスク１のパターン面を対物
レンズ９．１０にａ ｆせするＺステージ２２、ホトマ
スク１をＸＹステージに鏑きばせするθステージ２３、
ホトマスク１を保持するマスクホルダ２４、さらに瑛査
中のマスクを対物レンズ９．１０にピント舒せするため
、板バネ２５とスペーサ２６で保持したマスクホルダ２
４をネジ２フ１回転して上下するピントばせ部から、！
：＋Ｓ ｒＡこれる。又ステージ内部には、ホトマスク
１を透過照明する、左右照明レンズ２８．２９が配して
あり、ホトマスク１の照明部の上方には、左、右対物レ
ンズ９．１０が設置されている。この左右対物レンズ９
．１０の名々の先端には、ノズルが形成されておりエア
が供給できる構造となっている。これはホトマスク１と
対物レンズ９．１０のギャップをエア・マイクロメーク
の原理を用いて検出するものである。
〜２μｍの欠陥を検出する装置である・このためこの種
の装置に用いられる検査ステージも高い走行ａ度と、剛
性の高い構造にする心太がある。上記検査装置の検査ス
テージとして用いられていた、従来技術のステージの断
面図を第６図に示す。ホトマスク１をＸＹに走査するス
テーシヘース２、Ｘステージ３、Ｘステージ４から構成
されるＸＹステージ、ホトマスク１のパターン面を対物
レンズ９．１０にａ ｆせするＺステージ２２、ホトマ
スク１をＸＹステージに鏑きばせするθステージ２３、
ホトマスク１を保持するマスクホルダ２４、さらに瑛査
中のマスクを対物レンズ９．１０にピント舒せするため
、板バネ２５とスペーサ２６で保持したマスクホルダ２
４をネジ２フ１回転して上下するピントばせ部から、！
：＋Ｓ ｒＡこれる。又ステージ内部には、ホトマスク
１を透過照明する、左右照明レンズ２８．２９が配して
あり、ホトマスク１の照明部の上方には、左、右対物レ
ンズ９．１０が設置されている。この左右対物レンズ９
．１０の名々の先端には、ノズルが形成されておりエア
が供給できる構造となっている。これはホトマスク１と
対物レンズ９．１０のギャップをエア・マイクロメーク
の原理を用いて検出するものである。
上記の構成において、検査ステージの創作を説明する。
作業者がホトマスク１をマスクホルダ２４に設置すると
、Ｚステージ２２によシホトマスク１のパターン面を対
物レンズ９．１０にピント汗せする０次にホトマスク１
のパターンをＸＹステージの送りに正しく一致させるた
め、θステージ２３ケ用いて傾き合せをする。これで第
２［ツ１に示す矢印の厘序で検査が開始されるが、ホト
マスク１はうねりがあり、ＸＹステージの直進連動）誤
差ヤ、マスクホルダ２４の加工誤差も加わるので、検差
中対物レンズ９．１０にピントを仕せる必要がある。こ
のだめ検査中ホストマスクと対物レンズのギヤ、プをエ
アマイクロメータの原理を用いて検出し、ネジ２７を、
駆動してピント舒せをしなから検査を行なう；第４１．
ｐｌ ｇこピントばせ方法を示す、介在対物レンズ９の
？ Ｌ Ｏ（＝こピントが合っており、右対物レンズ１
０のピント面？ｎｏにもピント合せをするためネジ２７
を回してマスクホルダ２４を傾ける。しかし板バネ２５
を支点としてマスクホルダ２４を傾ける構造であるため
、左対物レンズ９は９１，１− ｆＩＬ（＋だけピント
が狂うことになる。同様に左対物レンズ９のピント面ｉ
？ＬＱに針せようとすると、右対物レンズ１０がｒＲｌ
−？Ｒｏピントが狂う。この方式では、θステージも
上下しないと正′＃カビントハせけ出きない、従来のこ
の方法では、１〜２μｍの欠陥を検出するため、ピント
合ぜ精度も１ ｐｍ程度で劇＜、上記の方法でも、ピン
）Ｌｉせしながらスデージケ走査（７、欠陥を検出する
ことができた。
、Ｚステージ２２によシホトマスク１のパターン面を対
物レンズ９．１０にピント汗せする０次にホトマスク１
のパターンをＸＹステージの送りに正しく一致させるた
め、θステージ２３ケ用いて傾き合せをする。これで第
２［ツ１に示す矢印の厘序で検査が開始されるが、ホト
マスク１はうねりがあり、ＸＹステージの直進連動）誤
差ヤ、マスクホルダ２４の加工誤差も加わるので、検差
中対物レンズ９．１０にピントを仕せる必要がある。こ
のだめ検査中ホストマスクと対物レンズのギヤ、プをエ
アマイクロメータの原理を用いて検出し、ネジ２７を、
駆動してピント舒せをしなから検査を行なう；第４１．
ｐｌ ｇこピントばせ方法を示す、介在対物レンズ９の
？ Ｌ Ｏ（＝こピントが合っており、右対物レンズ１
０のピント面？ｎｏにもピント合せをするためネジ２７
を回してマスクホルダ２４を傾ける。しかし板バネ２５
を支点としてマスクホルダ２４を傾ける構造であるため
、左対物レンズ９は９１，１− ｆＩＬ（＋だけピント
が狂うことになる。同様に左対物レンズ９のピント面ｉ
？ＬＱに針せようとすると、右対物レンズ１０がｒＲｌ
−？Ｒｏピントが狂う。この方式では、θステージも
上下しないと正′＃カビントハせけ出きない、従来のこ
の方法では、１〜２μｍの欠陥を検出するため、ピント
合ぜ精度も１ ｐｍ程度で劇＜、上記の方法でも、ピン
）Ｌｉせしながらスデージケ走査（７、欠陥を検出する
ことができた。
しかしＡを近ではＬＳＩパターンの微細化に伴い、１μ
ｍ以下の欠陥、さらには０５μｍ以下の欠陥をも検出す
る必要が生じてい、７５．このため隔い解像力のＩ／ン
ズ例えばＮ Ａ・１９、焦点法ｆ〆０２μｍの高′ＭＩ
Ｇｉ レンズを用いることが必要である。
ｍ以下の欠陥、さらには０５μｍ以下の欠陥をも検出す
る必要が生じてい、７５．このため隔い解像力のＩ／ン
ズ例えばＮ Ａ・１９、焦点法ｆ〆０２μｍの高′ＭＩ
Ｇｉ レンズを用いることが必要である。
上記第４図のピント合せ装置では、左右の対物レンズに
、０．２μｍ以内のピント会せをするだめには、ＸＹス
テージの直進誤差は１μｍ以下、マスクホルダの加工誤
差も１μｍ以下に仕上げ、２ステージやθステージも、
検査中完全に静示しネジ２７の送りも０１μｍ′８度に
しなければならない。さらに、ホトマスクにもうね９が
あってはならない。実際にはこのようなステージ精度を
保つことは、不可能に近く、上記のようなピン）＆せ装
置を裁置したステージでは、１μｍ以下の欠陥検出装置
に適用出来ない欠点がある。
、０．２μｍ以内のピント会せをするだめには、ＸＹス
テージの直進誤差は１μｍ以下、マスクホルダの加工誤
差も１μｍ以下に仕上げ、２ステージやθステージも、
検査中完全に静示しネジ２７の送りも０１μｍ′８度に
しなければならない。さらに、ホトマスクにもうね９が
あってはならない。実際にはこのようなステージ精度を
保つことは、不可能に近く、上記のようなピン）＆せ装
置を裁置したステージでは、１μｍ以下の欠陥検出装置
に適用出来ない欠点がある。
本発明の目的は上述した従来ｋＷの欠点を除去し、高解
像レンズに精密なピント合せを可能にし、Ｘ−Ｙ−Ｚ−
θに移動出来るステージを提供しようとするものである
。
像レンズに精密なピント合せを可能にし、Ｘ−Ｙ−Ｚ−
θに移動出来るステージを提供しようとするものである
。
すなわち本発明は、上記目的達成のため、ＸＹステージ
上にθステージ、θステージ上にθステージ、θステー
ジ上にホトマスクを保持する保持台を設け、該保持台を
複数箇所で微小に上下移動する複数の微小変位手段を設
けることを特徴とする。
上にθステージ、θステージ上にθステージ、θステー
ジ上にホトマスクを保持する保持台を設け、該保持台を
複数箇所で微小に上下移動する複数の微小変位手段を設
けることを特徴とする。
以下本発明のステージを第５図を用いて説明する。第５
図は第３図に示しだ従来例のネジ２７を除き、微小変位
部３０を追加したもので、その他の構成と動作は第１図
に示したものと同じである。
図は第３図に示しだ従来例のネジ２７を除き、微小変位
部３０を追加したもので、その他の構成と動作は第１図
に示したものと同じである。
次に従来装置と異なる部分について述べる。
ホトマスクをマスクホルダ２４に設置すると、θステー
ジ２２によシ対物レンズのピント向にｌ［ｌ ｇせする
。ホトマスクのパターンをＸ、Ｙステージの送りに正し
く一致させるため、θステージ２６を用いて傾き陰せを
する。次にマスクホルダ２４の下に配しである複数の微
小変位部３０を独立に駆動してピント合せを行なう。第
６図を用いてピント合せ方法を説明する。右対物レンズ
１０のピントはずれ量が△？Ｒｓ左対物レンズ９のピン
トはずれ≠が△２Ｌの時両者のピントが同時に一致する
だめの、右側微小変位装置の移動量Ｚ Ｒ１左側微小変
位装置の移動ｉＺＬは ＺＲ，＝（ｉ＋−）△１Ｒ−−△ｒＬ （４）Ｓ
Ｓ 、Ｉ ｔ ＺＬ＝−甘△ｙ Ｒ＋ （１＋ ｓ ）△グＬ（５）と
なる。
ジ２２によシ対物レンズのピント向にｌ［ｌ ｇせする
。ホトマスクのパターンをＸ、Ｙステージの送りに正し
く一致させるため、θステージ２６を用いて傾き陰せを
する。次にマスクホルダ２４の下に配しである複数の微
小変位部３０を独立に駆動してピント合せを行なう。第
６図を用いてピント合せ方法を説明する。右対物レンズ
１０のピントはずれ量が△？Ｒｓ左対物レンズ９のピン
トはずれ≠が△２Ｌの時両者のピントが同時に一致する
だめの、右側微小変位装置の移動量Ｚ Ｒ１左側微小変
位装置の移動ｉＺＬは ＺＲ，＝（ｉ＋−）△１Ｒ−−△ｒＬ （４）Ｓ
Ｓ 、Ｉ ｔ ＺＬ＝−甘△ｙ Ｒ＋ （１＋ ｓ ）△グＬ（５）と
なる。
右対物レンズ１０がホトマスク１の最も右の端を検査し
ている時のＸ−ＹステージのＹ座棺ｆ ｙＯｌとし、そ
のときのｍの値がｍｏであれば・、Ｘ ＹステージのＹ
座標の任意の位置ｙとｍは ｍ＝ｍｏ＋（ｙ−ｙｏ） （６）で表わされる。
ている時のＸ−ＹステージのＹ座棺ｆ ｙＯｌとし、そ
のときのｍの値がｍｏであれば・、Ｘ ＹステージのＹ
座標の任意の位置ｙとｍは ｍ＝ｍｏ＋（ｙ−ｙｏ） （６）で表わされる。
ｍｏとｙｏは一定値であるので予め測定しておけばｙと
ｍは（６）で表わされる一次の関係にあシ、従って（４
）、（５）式で表わサレルＺＲ，、Ｚ Ｌ ハ△ｆ’Ｒ
１△ｆＬ、）・、Ｓを測定すれば求められる。
ｍは（６）で表わされる一次の関係にあシ、従って（４
）、（５）式で表わサレルＺＲ，、Ｚ Ｌ ハ△ｆ’Ｒ
１△ｆＬ、）・、Ｓを測定すれば求められる。
上記した、微小変位手段としては、ピエゾ素子やγ桁体
の圧力変化を応用した微小変位手段や、くさび作用とテ
コを用いた組手機構など０１μｍ程度の分解１巨を備え
たアクチュエータを用いる。
の圧力変化を応用した微小変位手段や、くさび作用とテ
コを用いた組手機構など０１μｍ程度の分解１巨を備え
たアクチュエータを用いる。
又マスクホルダを支持する手段には板バネヶ用い、マス
クホルダが、微小に移動する時に績ずれしないようにし
た。
クホルダが、微小に移動する時に績ずれしないようにし
た。
上記した様に、ｘｌｙ、ｚ、θに移動するスデージ上に
、０１μＩｎ程度の分解能を備えた微小変位装置を配す
ることにより、高解像の対物レンズが使用出来、１０μ
ｍ程度のうねりを持つホトマスクに対し±０．２μｍ以
内のピン） Ｂせか可能となった。
、０１μＩｎ程度の分解能を備えた微小変位装置を配す
ることにより、高解像の対物レンズが使用出来、１０μ
ｍ程度のうねりを持つホトマスクに対し±０．２μｍ以
内のピン） Ｂせか可能となった。
上記した本発明によればＬＳＩホトマスク外観、検査装
置等において従来１μｍ程度のピント汗せイ青度しかイ
尋られず、このだめ１〜２μｍ４呈１政の欠陥をＴｒ英
査するのが限界であったものを、焦点深度子０２μｎｌ
の高昇イ像レンズが使用量−＊−１１μｎ〕以下の微小
な欠陥も検出可能となった。
置等において従来１μｍ程度のピント汗せイ青度しかイ
尋られず、このだめ１〜２μｍ４呈１政の欠陥をＴｒ英
査するのが限界であったものを、焦点深度子０２μｎｌ
の高昇イ像レンズが使用量−＊−１１μｎ〕以下の微小
な欠陥も検出可能となった。
又本発明は半４仲の検査、加工、測定装置にとどまるこ
となく、高精度なステージとして、一般の工作オ傅械や
、産票機械のステージとしても第１１用することが出来
る。
となく、高精度なステージとして、一般の工作オ傅械や
、産票機械のステージとしても第１１用することが出来
る。
第１図はＬＳＩホトマスク検査装置の一例を示す十穿成
図、力２図はＬ Ｓ Ｉ ７ｉ： ）マスクとその検五
順序を示す平面図、第６図は第１図のＬＳＩホトマスク
検査装置に使用される従来のステージの概略間、第４図
は従来の焦点片わせを説明する図、第５図は本発明の一
実施例のステージの構成概略図、第６図は本発明のステ
ージによる焦点片わぜの説明図である。 １・・・・・・ホトマスク ２・・・・・・ステージベース ６・・・・・・Ｙステージ ４・・・・・・Ｘステージ ２２・・・・・・Ｘステージ ２３・・・・・・θステージ ２４・・・・・・マスクホルダ ２５・・・・板バネ ２６・・・・・・スペーサ ３０・・・・・・微小変位装置 第１図 ノｑ ノ ８ オ？図
図、力２図はＬ Ｓ Ｉ ７ｉ： ）マスクとその検五
順序を示す平面図、第６図は第１図のＬＳＩホトマスク
検査装置に使用される従来のステージの概略間、第４図
は従来の焦点片わせを説明する図、第５図は本発明の一
実施例のステージの構成概略図、第６図は本発明のステ
ージによる焦点片わぜの説明図である。 １・・・・・・ホトマスク ２・・・・・・ステージベース ６・・・・・・Ｙステージ ４・・・・・・Ｘステージ ２２・・・・・・Ｘステージ ２３・・・・・・θステージ ２４・・・・・・マスクホルダ ２５・・・・板バネ ２６・・・・・・スペーサ ３０・・・・・・微小変位装置 第１図 ノｑ ノ ８ オ？図
Claims (1)
- １ 被ｓｔＭ Ｕ物体を１個又は複数の撮像装置で上記
観察物体を観察し、被観察物体を移動させることによっ
て、上記観察物体を加工、検査、測定する装置のステー
ジにおいて、水平に移動する手段の上に上下に移動する
手段、上下に移動する手段の上に水平に回転移研Ｉする
手段を具備し°、上記水平に回転移動する手段の上に被
観察物体を保持する保持台と、該保持台を複数箇所で微
小に上下移動する複数の微小変位手段を備えたことを特
徴とするステージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57226010A JPS59117118A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | ステ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57226010A JPS59117118A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | ステ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117118A true JPS59117118A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16838370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57226010A Pending JPS59117118A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | ステ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117118A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142292A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | 基板検査装置 |
| JP2009105439A (ja) * | 2009-02-03 | 2009-05-14 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | 基板検査装置 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP57226010A patent/JPS59117118A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142292A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | 基板検査装置 |
| JP2009105439A (ja) * | 2009-02-03 | 2009-05-14 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | 基板検査装置 |
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