JPS591239B2 - 液相エピタキシャル成長用ボ−ト - Google Patents
液相エピタキシャル成長用ボ−トInfo
- Publication number
- JPS591239B2 JPS591239B2 JP16103879A JP16103879A JPS591239B2 JP S591239 B2 JPS591239 B2 JP S591239B2 JP 16103879 A JP16103879 A JP 16103879A JP 16103879 A JP16103879 A JP 16103879A JP S591239 B2 JPS591239 B2 JP S591239B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- raw material
- boat
- material solution
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液相エピタキシャル相長用ボートの改良に関す
。
。
半導体レーザ、ＬＥＤなどの化合物半導体装置の製造に
は液相エピタキシャル成長法が盛んに使用されている。
は液相エピタキシャル成長法が盛んに使用されている。
例えば１〔μｍ〕波長帯光通信用ＩｎＧａＡｓＰ化合物
半導体装置の製造に用いられる化合物半導体基板は、Ｉ
ｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ等の結晶層を液相エピタキ
シャル成長法により積層して成長せしめることにより製
作される。
半導体装置の製造に用いられる化合物半導体基板は、Ｉ
ｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ等の結晶層を液相エピタキ
シャル成長法により積層して成長せしめることにより製
作される。
即ち第１図に示すごとく、ボート基板１上面に設けられ
た被処理基板載置部２内に被処理基板であるＩｎＰ基板
３を載置し、前記ボート基板１上をスライドするスライ
ダ４に設けられた溶液溜め５内にＩｎ、ＩｎＰ、ＧａＡ
ｓ、ＩｎＡｓなどの固体を秤量して入れ、これを加熱溶
融した原料溶液６を錘りＴで下方に押圧し、次いで第２
図に示すようにスライダ４をスライドせしめて前記原料
溶液６をＩｎＰ基板３上に移動させ、液相エピタキシャ
ル成長を行なつた後、再びスライダ４をスライドせしめ
て原料溶液６をＩｎＰ基板３上から除去するという方法
により、ＩｎＧａＡｓＰ等よりなるエピタキシャル成長
層を形成する。
た被処理基板載置部２内に被処理基板であるＩｎＰ基板
３を載置し、前記ボート基板１上をスライドするスライ
ダ４に設けられた溶液溜め５内にＩｎ、ＩｎＰ、ＧａＡ
ｓ、ＩｎＡｓなどの固体を秤量して入れ、これを加熱溶
融した原料溶液６を錘りＴで下方に押圧し、次いで第２
図に示すようにスライダ４をスライドせしめて前記原料
溶液６をＩｎＰ基板３上に移動させ、液相エピタキシャ
ル成長を行なつた後、再びスライダ４をスライドせしめ
て原料溶液６をＩｎＰ基板３上から除去するという方法
により、ＩｎＧａＡｓＰ等よりなるエピタキシャル成長
層を形成する。
ここで錘りはエピタキシャル層周辺部で異常に厚く成長
するのを防止するために用いている。ところが上述のス
ライダ４をスライドせしめて原料溶液６をＩｎＰ基板３
上から除去する際に原料溶液６は常に錘り１で下方に押
圧されているため、原料溶液の一部がＩｎＰ基板上に残
存するという問題がある。本発明の目的は被処理基板上
から原料溶液を除去するに際し、原料溶液を押圧する力
を取り除くことにより原料溶液が被処理基板上に残留す
ることを防止し得る液相エピタキシャル成長用ボートを
提供することにある。本発明の特徴は、被処理基板搭載
部を有するボート基板と、原料溶液を収容する溶液溜め
を有し前記ボート基板上をスライドして原料溶液を移動
せしめるスライダと、前記溶液溜め内に嵌挿するその自
重により原料溶液を押す錘りとからなり、該錘りが前記
溶液溜め内において所定の位置より下に下がることを防
止する停止手段と、前記ポート基板に不要の原料溶液を
収容する凹部とを具備せしめた液相エピタキシヤル成長
用ボートにある。
するのを防止するために用いている。ところが上述のス
ライダ４をスライドせしめて原料溶液６をＩｎＰ基板３
上から除去する際に原料溶液６は常に錘り１で下方に押
圧されているため、原料溶液の一部がＩｎＰ基板上に残
存するという問題がある。本発明の目的は被処理基板上
から原料溶液を除去するに際し、原料溶液を押圧する力
を取り除くことにより原料溶液が被処理基板上に残留す
ることを防止し得る液相エピタキシャル成長用ボートを
提供することにある。本発明の特徴は、被処理基板搭載
部を有するボート基板と、原料溶液を収容する溶液溜め
を有し前記ボート基板上をスライドして原料溶液を移動
せしめるスライダと、前記溶液溜め内に嵌挿するその自
重により原料溶液を押す錘りとからなり、該錘りが前記
溶液溜め内において所定の位置より下に下がることを防
止する停止手段と、前記ポート基板に不要の原料溶液を
収容する凹部とを具備せしめた液相エピタキシヤル成長
用ボートにある。
以下本発明の実施例を図面により説明する。第３図及び
第４図は本発明の一実施例を示す要部断面図である。第
３図において１はボート基板、２は被処理基板載置部、
３は被処理基板、４はスライダ、５は溶液溜め、６は原
料溶液であつて、これらは従来の液相エピタキシヤル製
造装置と何ら異なる所はない。
第４図は本発明の一実施例を示す要部断面図である。第
３図において１はボート基板、２は被処理基板載置部、
３は被処理基板、４はスライダ、５は溶液溜め、６は原
料溶液であつて、これらは従来の液相エピタキシヤル製
造装置と何ら異なる所はない。
７は錘りで上部に鍔８を設けてある。
錘り７底面から鍔８下面までの長さは原料溶液６上面か
らスライダ４土面までの長さより僅かに長くしておく。
９は不要となつた原料溶液を収容する凹部で、前記被処
理基板載置部２に対してスライダ４の移動する方向（図
の矢印Ａの方向）に設けられる。
らスライダ４土面までの長さより僅かに長くしておく。
９は不要となつた原料溶液を収容する凹部で、前記被処
理基板載置部２に対してスライダ４の移動する方向（図
の矢印Ａの方向）に設けられる。
両者の間隔Ｄは前記溶液溜めの一辺の長さＬより小さく
選んでおく。次に上記液相エピタキシヤル成長用ボート
を用いてエピタキシヤル基板を製作する方法について説
明する。
選んでおく。次に上記液相エピタキシヤル成長用ボート
を用いてエピタキシヤル基板を製作する方法について説
明する。
第３図に示すごとく被処理基板載置部２内に載置された
被処理基板３表面に、所定の成分組成を有し加熱溶融さ
れ錘り７により押圧された原料溶液６を接触せしめ、所
定の温度に保持することにより所望の厚さに液相エピタ
キシヤル成長を行なう。
被処理基板３表面に、所定の成分組成を有し加熱溶融さ
れ錘り７により押圧された原料溶液６を接触せしめ、所
定の温度に保持することにより所望の厚さに液相エピタ
キシヤル成長を行なう。
ここまでは通常の液相エピタキシヤル成長方法と何ら変
るところはない。次いで第４図に示すごとくスライダ４
を図の矢印Ａの方向にスライドさせて不要となつた原料
溶液６を被処理基板３土より除去する。
るところはない。次いで第４図に示すごとくスライダ４
を図の矢印Ａの方向にスライドさせて不要となつた原料
溶液６を被処理基板３土より除去する。
その過程において図示のように溶液溜め５の端部が凹部
９の端部土に来ると原料溶液６の底が開放され原料溶液
６は凹部９に向かつて流出を始め、原料溶液６の液面は
下降し、それに伴ない錘り７も下降するが鍔８の下面が
すぐにスライダ４の上面に当つて停止する。そのため原
料溶液６に対する錘り７の押圧力はここで消滅するので
、スライダ４を更にスライドさせて原料溶液６を被処理
基板３上より移動せしめれば原料溶液６は被処理基板３
上に残留することなく、すべてが凹部９に収容される。
被処理基板３土に多層エピタキシヤル成長を行なうには
、上述の溶液溜め５と錘り７を前記スライダに所望の数
だけ設け、各溶液溜めに所定の原料溶液を入れ、前述の
操作を順次繰り返すことにより実施できる。なお錘りの
下降を所定の位置で停止せしめる手段は前記実施例に限
定されるものではなく、例えば第５図に示すごとく、溶
液溜め５の側壁を下部が溶液溜め５の内側に突出した階
段状として、錘り７をこの段の所で停止せしめる構造等
種々変形して実施できる。
９の端部土に来ると原料溶液６の底が開放され原料溶液
６は凹部９に向かつて流出を始め、原料溶液６の液面は
下降し、それに伴ない錘り７も下降するが鍔８の下面が
すぐにスライダ４の上面に当つて停止する。そのため原
料溶液６に対する錘り７の押圧力はここで消滅するので
、スライダ４を更にスライドさせて原料溶液６を被処理
基板３上より移動せしめれば原料溶液６は被処理基板３
上に残留することなく、すべてが凹部９に収容される。
被処理基板３土に多層エピタキシヤル成長を行なうには
、上述の溶液溜め５と錘り７を前記スライダに所望の数
だけ設け、各溶液溜めに所定の原料溶液を入れ、前述の
操作を順次繰り返すことにより実施できる。なお錘りの
下降を所定の位置で停止せしめる手段は前記実施例に限
定されるものではなく、例えば第５図に示すごとく、溶
液溜め５の側壁を下部が溶液溜め５の内側に突出した階
段状として、錘り７をこの段の所で停止せしめる構造等
種々変形して実施できる。
以上説明したごとく本発明の液相エピタキシヤル成長用
ボートによれば、被処理基板上から原料溶液を除去する
際に、原料溶液を押圧する力が取り除かれるので原料溶
液が被処理基板上に残留することがない。
ボートによれば、被処理基板上から原料溶液を除去する
際に、原料溶液を押圧する力が取り除かれるので原料溶
液が被処理基板上に残留することがない。
第１図及び第２図は従来の液相エピタキシヤル成長用ボ
ートを示す要部断面図、第３図及び第４図は本発明の一
実施例を示す要部断面図、第５図は本発明の他の実施例
を示す要部断面図である。 １・・・・・・ボート基板、２・・・・・・被処理基板
載置部、３・・・・・・被処理基板、４・・・・・・ス
ライダ、５・・・・・・溶液溜め、６・・・・・・原料
溶液、７・・・・・・錘り、８・・・・・・鍔、９・・
・・・・凹部。
ートを示す要部断面図、第３図及び第４図は本発明の一
実施例を示す要部断面図、第５図は本発明の他の実施例
を示す要部断面図である。 １・・・・・・ボート基板、２・・・・・・被処理基板
載置部、３・・・・・・被処理基板、４・・・・・・ス
ライダ、５・・・・・・溶液溜め、６・・・・・・原料
溶液、７・・・・・・錘り、８・・・・・・鍔、９・・
・・・・凹部。
Claims (1)
- １ 被処理基板搭載部を有するボート基板と、原料溶液
を収容する溶液溜めを有し前記ボート基板上をスライド
して原料溶液を移動せしめるスライダと、前記溶液溜め
内に嵌挿するその自重により原料溶液を押す錘りとから
なり、該錘りが前記溶液溜め内において所定の位置より
下に下がることを防止する停止手段と、前記ボート基板
に不要の原料溶液を収容する凹部とを具備せしめたこと
を特徴とする液相エピタキシャル成長用ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16103879A JPS591239B2 (ja) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | 液相エピタキシャル成長用ボ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16103879A JPS591239B2 (ja) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | 液相エピタキシャル成長用ボ−ト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5684398A JPS5684398A (en) | 1981-07-09 |
| JPS591239B2 true JPS591239B2 (ja) | 1984-01-11 |
Family
ID=15727407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16103879A Expired JPS591239B2 (ja) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | 液相エピタキシャル成長用ボ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS591239B2 (ja) |
-
1979
- 1979-12-12 JP JP16103879A patent/JPS591239B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5684398A (en) | 1981-07-09 |
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