JPS5912618B2 - 電気光学セラミツクスの製法 - Google Patents
電気光学セラミツクスの製法Info
- Publication number
- JPS5912618B2 JPS5912618B2 JP49109553A JP10955374A JPS5912618B2 JP S5912618 B2 JPS5912618 B2 JP S5912618B2 JP 49109553 A JP49109553 A JP 49109553A JP 10955374 A JP10955374 A JP 10955374A JP S5912618 B2 JPS5912618 B2 JP S5912618B2
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＡＢ０３（Ａは１価又は２価の陽イオン、Ｂ
は平均原子価か５価又は４価の陽イオン）タイプで表わ
されるペロブスカイト型結晶構造の強誘電性セラミック
スを透明化するための製造方法に関するものである。
は平均原子価か５価又は４価の陽イオン）タイプで表わ
されるペロブスカイト型結晶構造の強誘電性セラミック
スを透明化するための製造方法に関するものである。
透明な強誘電性セラミツクスは、すぐれた電気光学特性
を有し、各種の光変調素子あるいは画像蓄積素子用材料
としてきわめて有用なものである。
を有し、各種の光変調素子あるいは画像蓄積素子用材料
としてきわめて有用なものである。
従来、強誘電性セラミツクスとしては、チタン酸バリウ
ム（ＢａＴｉＯ３）あるいはチタンジルコン酸鉛固溶体
（ＰｂＴｌＯ３−ＰｂＺｒＯ３）などが知られており、
これらは誘電体材料、コンデンサー、圧電材料として実
用化されているものである。しかし、これらのセラミツ
クス材料は、ほとんど透光性を有しないため、その用途
は上記特定分野に限定され、電気光学的な面への応用は
皆無であつた。最近、光の散乱が少ない透明な強誘電性
セラミツクスが開発されている。このセラミツクスは、
（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｌ）０３の組成を有し従来知
られている圧電性セラミツクスＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）０３
にＬａを５〜１０ａｔ％添加したもので、現存する唯一
の透明強誘電性セラミツクスである。Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ
）０３のみでは、ほとんど透光性を示さないにも拘らず
、これにＬａを少量固溶させることにより、透光性がい
ちじるしく増加する理由については、これまで全く解明
されていない。したがつて透明強誘電性セラミツクスを
得るためには、Ｌａを固溶添加することが必要不可欠な
ものと考えられていた。本発明は、上述したセラミツク
スが透明化するための条件の第一として、セラミツクス
を構成している結晶粒の光学異方性が小さいこと、第二
として、可視光領域における光の吸収が小さいこと、第
３として、セラミツクス中に光散乱の原因となる残留気
孔が存在しないこと、を満足することにより、Ｌａを含
むことなしに強誘電性セラミツクスを透明化するための
新しい製造方法を提供するものである。
ム（ＢａＴｉＯ３）あるいはチタンジルコン酸鉛固溶体
（ＰｂＴｌＯ３−ＰｂＺｒＯ３）などが知られており、
これらは誘電体材料、コンデンサー、圧電材料として実
用化されているものである。しかし、これらのセラミツ
クス材料は、ほとんど透光性を有しないため、その用途
は上記特定分野に限定され、電気光学的な面への応用は
皆無であつた。最近、光の散乱が少ない透明な強誘電性
セラミツクスが開発されている。このセラミツクスは、
（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｌ）０３の組成を有し従来知
られている圧電性セラミツクスＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）０３
にＬａを５〜１０ａｔ％添加したもので、現存する唯一
の透明強誘電性セラミツクスである。Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ
）０３のみでは、ほとんど透光性を示さないにも拘らず
、これにＬａを少量固溶させることにより、透光性がい
ちじるしく増加する理由については、これまで全く解明
されていない。したがつて透明強誘電性セラミツクスを
得るためには、Ｌａを固溶添加することが必要不可欠な
ものと考えられていた。本発明は、上述したセラミツク
スが透明化するための条件の第一として、セラミツクス
を構成している結晶粒の光学異方性が小さいこと、第二
として、可視光領域における光の吸収が小さいこと、第
３として、セラミツクス中に光散乱の原因となる残留気
孔が存在しないこと、を満足することにより、Ｌａを含
むことなしに強誘電性セラミツクスを透明化するための
新しい製造方法を提供するものである。
すなわち、本発明の強誘電セラミツクスは、（１）ペロ
ブスカイト型の結晶構造を有するＡＢＯ８タイプ（Ａは
１価又は２価の陽イオンＬｌ，Ｎａ，Ｋ，Ｐｂ，Ｃａ，
Ｂは平均原子価が５価又は４価となるような陽イオンＭ
ｇ，Ｗ，Ｓｃ，Ｎｂ，Ｉｎ，Ｔａ，Ｃｄ，Ｚｒ，Ｔｉ，
Ｎｉ，Ｎａの組合せ）の強誘電物質、または以下に示す
（２）〜（自）の固溶体強誘電物質；（２） （１−ｘ
）ＫＮｂＯ３−ＸＫＴａＯ３Ｏ．３〈Ｘ＜０．６，（３
） （１−ｘ）ＰｂＴｉＯ３−ＸＣａＴｉＯ３Ｏ．４Ｏ
〈ｘ〈０．６５，（４） （１−ｘ）ＢａＴｉＯ３−Ｘ
ＳｒＴｉＯ３Ｏ．Ｏ５〈ｘ＜０．６（５） （１−Ｘ）
ＢａＺｒＯ３−ＸＣａＺｒＯ３Ｏ．Ｏｌ〈ｘ〈０．１７
，（６）（Ｐｂｌ−Ｘ，Ｂａｘ）（Ｈｆｙ，ＴｉＯ−，
）０ｓ０．１５〈ｘ〈１．０，０くｙ〈０．９，（７）
（Ｐｂｌ−Ｘ，Ｓｒｘ）（Ｈｆｙ，Ｔｉｌ−，）０８
０．１５〈ｘく０．７，０くｙ〈０．９，（８） （１
−ｘ）ＢａＴｉＯ３−ＸＢａＳｎＯ．ＪＯ．Ｏ５〈ｘ〈
０．２０（９） （１−ｘ）ＮａＮｂＯ３−ＸＫＴａＯ
，Ｏ．Ｏ６〈ｘ〈０．６１０１（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ８
−ＸＣａＳｎＯ３Ｏ．２Ｏ〈ｘ＜０．６０συ （１−
ｘ）ＰｂＴｉＯ３−ＸＳｒＳｎＯ，Ｏ．２Ｏ＜ｘ＜０．
３５（代）（Ｐｂｌ−Ｘ，Ｂａｘ）（Ｓｎｌ−，，Ｔｉ
ｙ）０３０．２くｘ〈１．０，０．１〈ｙ〈０．８０３
（１−ｘ）ＰｂＴｌＯｓ−、（［ＪｉｌＡ，Ｃｅｌ／２
）ＴｉＯ８Ｏ．５５〈ｘ＜０．６５（自）（１−ｘ）Ｐ
ｂＴｌＯ３−ｘ（Ｌｉｌ／２，ＮｂＶ）ＴｉＯ３Ｏ．５
Ｏくｘ＜０．６５０５） （１−？Ｃ）ＰｂＴｉＯ３−
ＸＰｂ（ＭｇｌＡ，Ｗｌ／２）ＱＯ．５〈ｘく１．０（
至）（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ３−ｘ（Ｋ１／２，Ｂｉ１Ａ
）ＺｒｑＯ．２５くｘ〈０．４５ａ７） （Ｃａｘ，Ｓ
ｒｙ，Ｂａｚ）ＴｉＯ３但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１０〈ｘ〈０
．６，０．２＜ｙ〈１，０＜ｚ〈０．７．．０８） （
Ｃａｘ，Ｂａｙ，Ｐｂｚ）ＴｉＯ８但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１
０．４５くｘ＜０．５５，０〈ｙ〈０．３５・，０．２
くｚ〈０．５５であり、これらは従来の透明強誘電物質
とはまつたく異なるものである。
ブスカイト型の結晶構造を有するＡＢＯ８タイプ（Ａは
１価又は２価の陽イオンＬｌ，Ｎａ，Ｋ，Ｐｂ，Ｃａ，
Ｂは平均原子価が５価又は４価となるような陽イオンＭ
ｇ，Ｗ，Ｓｃ，Ｎｂ，Ｉｎ，Ｔａ，Ｃｄ，Ｚｒ，Ｔｉ，
Ｎｉ，Ｎａの組合せ）の強誘電物質、または以下に示す
（２）〜（自）の固溶体強誘電物質；（２） （１−ｘ
）ＫＮｂＯ３−ＸＫＴａＯ３Ｏ．３〈Ｘ＜０．６，（３
） （１−ｘ）ＰｂＴｉＯ３−ＸＣａＴｉＯ３Ｏ．４Ｏ
〈ｘ〈０．６５，（４） （１−ｘ）ＢａＴｉＯ３−Ｘ
ＳｒＴｉＯ３Ｏ．Ｏ５〈ｘ＜０．６（５） （１−Ｘ）
ＢａＺｒＯ３−ＸＣａＺｒＯ３Ｏ．Ｏｌ〈ｘ〈０．１７
，（６）（Ｐｂｌ−Ｘ，Ｂａｘ）（Ｈｆｙ，ＴｉＯ−，
）０ｓ０．１５〈ｘ〈１．０，０くｙ〈０．９，（７）
（Ｐｂｌ−Ｘ，Ｓｒｘ）（Ｈｆｙ，Ｔｉｌ−，）０８
０．１５〈ｘく０．７，０くｙ〈０．９，（８） （１
−ｘ）ＢａＴｉＯ３−ＸＢａＳｎＯ．ＪＯ．Ｏ５〈ｘ〈
０．２０（９） （１−ｘ）ＮａＮｂＯ３−ＸＫＴａＯ
，Ｏ．Ｏ６〈ｘ〈０．６１０１（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ８
−ＸＣａＳｎＯ３Ｏ．２Ｏ〈ｘ＜０．６０συ （１−
ｘ）ＰｂＴｉＯ３−ＸＳｒＳｎＯ，Ｏ．２Ｏ＜ｘ＜０．
３５（代）（Ｐｂｌ−Ｘ，Ｂａｘ）（Ｓｎｌ−，，Ｔｉ
ｙ）０３０．２くｘ〈１．０，０．１〈ｙ〈０．８０３
（１−ｘ）ＰｂＴｌＯｓ−、（［ＪｉｌＡ，Ｃｅｌ／２
）ＴｉＯ８Ｏ．５５〈ｘ＜０．６５（自）（１−ｘ）Ｐ
ｂＴｌＯ３−ｘ（Ｌｉｌ／２，ＮｂＶ）ＴｉＯ３Ｏ．５
Ｏくｘ＜０．６５０５） （１−？Ｃ）ＰｂＴｉＯ３−
ＸＰｂ（ＭｇｌＡ，Ｗｌ／２）ＱＯ．５〈ｘく１．０（
至）（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ３−ｘ（Ｋ１／２，Ｂｉ１Ａ
）ＺｒｑＯ．２５くｘ〈０．４５ａ７） （Ｃａｘ，Ｓ
ｒｙ，Ｂａｚ）ＴｉＯ３但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１０〈ｘ〈０
．６，０．２＜ｙ〈１，０＜ｚ〈０．７．．０８） （
Ｃａｘ，Ｂａｙ，Ｐｂｚ）ＴｉＯ８但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１
０．４５くｘ＜０．５５，０〈ｙ〈０．３５・，０．２
くｚ〈０．５５であり、これらは従来の透明強誘電物質
とはまつたく異なるものである。
さらに、上記物質においての散乱中心となる残留気孔を
除去し、透光性を向上せしめる目的で、上記組成のセラ
ミツクス原料として、固溶体粉末あるいは、共沈法によ
るシユウ酸塩粉末を用い、酸素ふん囲気中にて従来より
も高温（９００〜１４５０゜Ｃ）高圧（５０以上、実用
的には７０〜７００Ｋｆ／（７１）でホツトグレス焼結
することを特徴とするものである。この焼結条件は、酸
素気流中でアルミナ製型を用いる場合に生じるダイスの
強度からの制限である。また焼結時間は少なくとも１時
間、実用的には５〜２００時間が適当と考えられる。以
下実施例によつて本発明の詳細を説明する。
除去し、透光性を向上せしめる目的で、上記組成のセラ
ミツクス原料として、固溶体粉末あるいは、共沈法によ
るシユウ酸塩粉末を用い、酸素ふん囲気中にて従来より
も高温（９００〜１４５０゜Ｃ）高圧（５０以上、実用
的には７０〜７００Ｋｆ／（７１）でホツトグレス焼結
することを特徴とするものである。この焼結条件は、酸
素気流中でアルミナ製型を用いる場合に生じるダイスの
強度からの制限である。また焼結時間は少なくとも１時
間、実用的には５〜２００時間が適当と考えられる。以
下実施例によつて本発明の詳細を説明する。
実施例本発明の電気光学セラミツクスの出発原料として
、純度９９．９％以上、粉末粒子径〈２μｍのＰｂＯ，
ＭｇＯ，ＯｄＯ，ＮｉＯ，ＷＯ，，Ｓｃ，Ｏ３，ｃｅ２
Ｏ３ツＮｄ２Ｏ３ｊＢｉ２Ｏ３ラＳｎＯ２ｙｚｒＯ２？
ＴｌＯ２ＦＮｂ２Ｏ５ＦＴａ２Ｏ５，Ｌｉ２ＣＯＳ，Ｎ
ａ２ＯＯ３，Ｋ，ＣＯ３を所定の化学式に従つて秤量す
る。
、純度９９．９％以上、粉末粒子径〈２μｍのＰｂＯ，
ＭｇＯ，ＯｄＯ，ＮｉＯ，ＷＯ，，Ｓｃ，Ｏ３，ｃｅ２
Ｏ３ツＮｄ２Ｏ３ｊＢｉ２Ｏ３ラＳｎＯ２ｙｚｒＯ２？
ＴｌＯ２ＦＮｂ２Ｏ５ＦＴａ２Ｏ５，Ｌｉ２ＣＯＳ，Ｎ
ａ２ＯＯ３，Ｋ，ＣＯ３を所定の化学式に従つて秤量す
る。
上記粉末を蒸留水を溶媒としてポールミル混合し、蒸発
乾固後混合物を７００℃〜１３０『Ｃ，ｌ〜１２時間、
酸素気流中で仮焼する。冷却後、この仮焼粉末をメノウ
製乳鉢などで粗粉砕し、アセトンを溶媒として再度ボー
ルミル混合を行なう。この粉末を７００′Ｃにて１時間
、酸素気流中で加熱することにより、粉末に吸着してい
るアセトンを蒸発除去する。仮焼粉末を鋼製のダイスを
用い、３５０Ｋｆ／Ｃ７ｔの圧力で、直径１５闘、高さ
８關の大きさに加圧成形する。この圧粉体をアルミナ製
１ダイスに装入し、電気炉にセツト後ホツトプレス焼結
を行なつた。ここで用いた焼結法は、まず試料を装填し
たアルミナダイスを電気炉内にセツトした状態で、２０
０〜４００′Ｃｌｌ〔２Ｔ０ｒｒの真空度に６０分間排
気した後、酸素ガスにて炉内を置換し、その後、酸素気
流中で加熱し、１０００〜１４５０゜Ｃ，１〜２００時
間、５０〜７００Ｋ９／ＣＴＩＩＯ）圧力でホツトプレ
ス焼結する方法である。ホツトプレスされた試料は、ダ
イヤモンド製のコア−ドリルを用いアルミナダイスから
取り出し所望の寸法にダイアモンドカツタ一にて切断し
、試料の両面を光学研磨する。
乾固後混合物を７００℃〜１３０『Ｃ，ｌ〜１２時間、
酸素気流中で仮焼する。冷却後、この仮焼粉末をメノウ
製乳鉢などで粗粉砕し、アセトンを溶媒として再度ボー
ルミル混合を行なう。この粉末を７００′Ｃにて１時間
、酸素気流中で加熱することにより、粉末に吸着してい
るアセトンを蒸発除去する。仮焼粉末を鋼製のダイスを
用い、３５０Ｋｆ／Ｃ７ｔの圧力で、直径１５闘、高さ
８關の大きさに加圧成形する。この圧粉体をアルミナ製
１ダイスに装入し、電気炉にセツト後ホツトプレス焼結
を行なつた。ここで用いた焼結法は、まず試料を装填し
たアルミナダイスを電気炉内にセツトした状態で、２０
０〜４００′Ｃｌｌ〔２Ｔ０ｒｒの真空度に６０分間排
気した後、酸素ガスにて炉内を置換し、その後、酸素気
流中で加熱し、１０００〜１４５０゜Ｃ，１〜２００時
間、５０〜７００Ｋ９／ＣＴＩＩＯ）圧力でホツトプレ
ス焼結する方法である。ホツトプレスされた試料は、ダ
イヤモンド製のコア−ドリルを用いアルミナダイスから
取り出し所望の寸法にダイアモンドカツタ一にて切断し
、試料の両面を光学研磨する。
第１表は、本発明になる組成物の製造条件とその光透過
率を示したものである。
率を示したものである。
第１表において（刀印にて示した組成物では１価、２価
および希土類金属の原料として酢酸塩を用い、この水溶
液中に他の原料酸化物を十分分散させシシユウ酸を加え
酸化物との混合沈澱物を合成した。
および希土類金属の原料として酢酸塩を用い、この水溶
液中に他の原料酸化物を十分分散させシシユウ酸を加え
酸化物との混合沈澱物を合成した。
上記沈澱物を仮焼しシヨウ酸塩の分解と酸化物との反応
をおこなわせ固溶体粉末を得、本粉末をホツトプレス焼
結したものである。以上説明したごとく、本発明によれ
ば、ペロブスカイト型の結晶構造を有するＡＢＯ３タイ
プのセラミツクスを透明化する場合、セラミツクスを構
成している各結晶粒の光学的異方性が小さく、かつ吸収
の少ないようなセラミツクス組成を選定し、さらに光の
散乱中心をなくするような方法でセラミツクスをホツト
プレス焼結することにより、従来に比していちじるしく
高い光透過率を有するセラミツクスを得ることができる
。
をおこなわせ固溶体粉末を得、本粉末をホツトプレス焼
結したものである。以上説明したごとく、本発明によれ
ば、ペロブスカイト型の結晶構造を有するＡＢＯ３タイ
プのセラミツクスを透明化する場合、セラミツクスを構
成している各結晶粒の光学的異方性が小さく、かつ吸収
の少ないようなセラミツクス組成を選定し、さらに光の
散乱中心をなくするような方法でセラミツクスをホツト
プレス焼結することにより、従来に比していちじるしく
高い光透過率を有するセラミツクスを得ることができる
。
本発明の実施例によつて得られたセラミツクス焼結体は
、すぐれた電気的、光学的性質を有し、各種の画像メモ
リー素子、光変調素子、光学機器などに用いてすぐれた
性能を発揮し、本発明の工業的効果はきわめて大きい。
、すぐれた電気的、光学的性質を有し、各種の画像メモ
リー素子、光変調素子、光学機器などに用いてすぐれた
性能を発揮し、本発明の工業的効果はきわめて大きい。
Claims (1)
- １ 一般式ＡＢＯ＿３（ただし、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、
ＰｂもしくはＣａ、ＢはＭｇ、Ｗ、Ｓｃ、Ｎｂ、Ｉｎ、
Ｔａ、Ｃｄ、Ｚｒ、ＴｉおよびＮｉから平均原子価が４
価または５価となるように選択された組合せ）で示され
る組成を有するペロブスカイト型セラミックス、もしく
は下記一般式で示される組成を持つた固溶体強誘電物質
、（１−ｘ）ＫＮｂＯ＿３−ｘＫＴａＯ＿３（ただし、
０．３＜ｘ＜０．６）、（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ＿３−ｘ
ＣａＴｉＯ＿３（ただし、０．４０＜ｘ＜０．６５）、
（１−ｘ）ＢａＴｉＯ＿３−ｘＳｒＴｉＯ＿３（ただし
、０．０５＜ｘ＜０．６）、（１−ｘ）ＢａＺｒＯ＿３
−ｘＣａＺｒＯ＿３（ただし、０．０１＜ｘ＜０．１７
）、（Ｐｂ＿１＿−＿ｘＢａ＿ｘ）（Ｈｆ＿ｙＴｉ＿１
＿−＿ｙ）Ｏ＿３（ただし、０．１５＜ｘ１．０、０≦
ｙ＜０．９）、（Ｐｂ＿１＿−＿ｘＳｒ＿ｘ）（Ｈｆ＿
ｙＴｉ＿１＿−＿ｙ）Ｏ＿３（ただし、０．１５＜ｘ＜
０．７、０≦ｙ＜０．９）、（１−ｘ）ＢａＴｉＯ＿３
−ｘＢａＳｎＯ＿３（ただし、０．０５＜ｘ＜０．２０
）、（１−ｘ）ＮａＮｂＯ＿３−ＫＴａＯ＿３（ただし
、０．０６＜ｘ＜０．０６１）、（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ
＿３−ｘＣａＳｎＯ＿３（０．２０＜ｘ＜０．６０）、
（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ＿３−ｘＳｒＳｎＯ＿３（ただし
、０．２０＜ｘ＜０．３５）、（Ｐｂ＿２＿−＿ｘＢａ
＿ｘ）（Ｓｎ＿１＿−＿ｙＴｉ＿ｙ）Ｏ＿３（ただし、
０．２＜ｘ＜１．０、０．１＜ｙ＜０．８）、（１−ｘ
）ＰｂＴｉＯ＿３−ｘ（Ｌｉ＿１＿／＿２Ｃｅ＿１＿／
＿２）ＴｉＯ＿２（ただし、０．５５＜ｘ＜０．６５）
（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ＿３−ｘ（Ｌｉ＿１＿／＿２Ｎｂ
＿１＿／＿２）ＴｉＯ＿２（ただし、０．５０＜ｘ＜０
．６５）、（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ＿３−ｘＰｂ（Ｍｇ＿
１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３（ただし、０．５＜
ｘ＜１．０）、（１−ｘ）ＰｂＴｉＯ＿３−ｘ（Ｋ＿１
＿／＿２Ｂｉ＿１＿／＿２）ＺｒＯ＿２（ただし、０．
２５＜ｘ＜０．４５）、（Ｃａ＿ｘＳｒ＿ｙＢａ＿ｚ）
ＴｉＯ＿３（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ＜０．６
、０．２＜ｙ＜１、０＜ｚ＜０．７）、（Ｃａ＿ｘＢａ
＿ｙＰｂ＿ｚ）ＴｉＯ＿３（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、
０．４５＜ｘ＜０．５５、０＜ｙ＜０．３５、０．２＜
ｙ＜０．５５）、をホットプレス焼結によつて形成する
に際し、これら一般式を満足するよう各金属元素の酸化
物あるいは加熱により酸化物に変化し得る金属元素の化
合物であつて純度９９．９％以上、粒子径２μｍ以下の
粉末を圧力５０〜７００Ｋｇ／ｃｍ＾２、温度９００〜
１４５０℃、時間５〜２００時間なる条件でホットプレ
ス焼結して行なうことを特徴とする電気光学セラミック
スの製法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49109553A JPS5912618B2 (ja) | 1974-09-25 | 1974-09-25 | 電気光学セラミツクスの製法 |
| DE19742449698 DE2449698A1 (de) | 1973-10-19 | 1974-10-18 | Verfahren zur herstellung einer optisch transparenten abo tief 3 -keramik |
| US05/516,498 US4019915A (en) | 1973-10-19 | 1974-10-21 | Method of producing optically transparent ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49109553A JPS5912618B2 (ja) | 1974-09-25 | 1974-09-25 | 電気光学セラミツクスの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5140151A JPS5140151A (ja) | 1976-04-03 |
| JPS5912618B2 true JPS5912618B2 (ja) | 1984-03-24 |
Family
ID=14513148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49109553A Expired JPS5912618B2 (ja) | 1973-10-19 | 1974-09-25 | 電気光学セラミツクスの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5912618B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996000704A1 (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-11 | Hitachi, Ltd. | Layered bismuth oxide ferroelectric material |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5323325B2 (ja) * | 1971-11-09 | 1978-07-14 | ||
| JPS5624963B2 (ja) * | 1974-07-04 | 1981-06-09 |
-
1974
- 1974-09-25 JP JP49109553A patent/JPS5912618B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996000704A1 (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-11 | Hitachi, Ltd. | Layered bismuth oxide ferroelectric material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5140151A (ja) | 1976-04-03 |
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