JPS59128514A - 電気光学シヤツタ− - Google Patents
電気光学シヤツタ−Info
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- JPS59128514A JPS59128514A JP58004513A JP451383A JPS59128514A JP S59128514 A JPS59128514 A JP S59128514A JP 58004513 A JP58004513 A JP 58004513A JP 451383 A JP451383 A JP 451383A JP S59128514 A JPS59128514 A JP S59128514A
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- plzt
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- sintered body
- shutter
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＰＬＺＴセラミックス、すなわち（Ｐｂ＋ Ｌ
ａＸ Ｚｒ、 ｈ） Ｏａセラミックスを用いた電気光
学シャッターに係る。
ａＸ Ｚｒ、 ｈ） Ｏａセラミックスを用いた電気光
学シャッターに係る。
背景技術とその問題点
ＰＬＺＴセラミックスは
（ｉ）これが透明であること、
（１１）その光学的特性を電気的に制御できること、
（ｉｉｉ ）電気光学定数が大きく素子を容易に且つ安
価につくり得る。
価につくり得る。
という利点を有する。
第１図は、ＰＬＺＴ電気光電気光学シーツタの原理的構
成を示すもので、図において（１）及び（２）は直線偏
光板で、両者間にＰＬＺＴセラミックス焼結体より成る
電気光学シャッター（３）が配置されてなる。シャッタ
ー（３）は、ＰＬＺＴセラミックス焼結体（６）に対向
電極（４）及び（５）が配置されて成る。偏光板（１１
及び（２）はこれらにより選別される直線偏光の電界ベ
クトル方向が互いに直交するように選定され、これらに
対してシャッター（３）のＰＬＺＴセラミックス焼結体
（６）の電界方向すなわち光軸方向が４５°になるよう
に選定される。このようにして光源Ｓからの電界ベクト
ルが全ゆる方向に向いた光が偏光板（１）を通過するこ
とによって直線偏光となるが、この直線偏光のパワーは
、理論的には入力光の１／２となる。偏光板（１）を通
過して得た直線偏光は、シャ・ツタ−（３）のＰＬＺＴ
（６）中を進むにつれてこのＰＬＺＴシャッター（３）
への印加電圧、板厚に依存して見かけ主偏光電界ベクト
ルの回転が起こる。この電界ベクトルが９０°回転する
条件を設定すれば、このＰＬＺＴシャッター（３）から
出射した直線偏光は、偏光板（２）を通過することにな
る。今、ＰＬＺＴシャッター（３）に電圧印加のない場
合、光はクロスニコルで通過できない、すなわちオフ状
態となるが、ＰＬＺＴシャッター（３）に所要の設定電
圧を印加すれば光は通過、すなわちオン状態となる。こ
のようにしてＰＬＺＴシャッター（３）に対する印加電
圧によってこれを通過する光のオンオフを行うことがで
き、これによって電気光学的シャッター機能を奏するよ
うになされるものである。
成を示すもので、図において（１）及び（２）は直線偏
光板で、両者間にＰＬＺＴセラミックス焼結体より成る
電気光学シャッター（３）が配置されてなる。シャッタ
ー（３）は、ＰＬＺＴセラミックス焼結体（６）に対向
電極（４）及び（５）が配置されて成る。偏光板（１１
及び（２）はこれらにより選別される直線偏光の電界ベ
クトル方向が互いに直交するように選定され、これらに
対してシャッター（３）のＰＬＺＴセラミックス焼結体
（６）の電界方向すなわち光軸方向が４５°になるよう
に選定される。このようにして光源Ｓからの電界ベクト
ルが全ゆる方向に向いた光が偏光板（１）を通過するこ
とによって直線偏光となるが、この直線偏光のパワーは
、理論的には入力光の１／２となる。偏光板（１）を通
過して得た直線偏光は、シャ・ツタ−（３）のＰＬＺＴ
（６）中を進むにつれてこのＰＬＺＴシャッター（３）
への印加電圧、板厚に依存して見かけ主偏光電界ベクト
ルの回転が起こる。この電界ベクトルが９０°回転する
条件を設定すれば、このＰＬＺＴシャッター（３）から
出射した直線偏光は、偏光板（２）を通過することにな
る。今、ＰＬＺＴシャッター（３）に電圧印加のない場
合、光はクロスニコルで通過できない、すなわちオフ状
態となるが、ＰＬＺＴシャッター（３）に所要の設定電
圧を印加すれば光は通過、すなわちオン状態となる。こ
のようにしてＰＬＺＴシャッター（３）に対する印加電
圧によってこれを通過する光のオンオフを行うことがで
き、これによって電気光学的シャッター機能を奏するよ
うになされるものである。
このようなＰＬＺＴ電気光学シャッターは、マイクロ秒
オーダーの高速応答性を有し、全固体化、長寿命、高信
頼性を有するなどの利点を有することから、例えば閃光
保護眼鏡、立体テレビジョンシステム、或いは特開昭５
７−５５６８５号公報に開示され牛白黒テレビジョン受
像管を用いたカラーテレビジョン受像機、或いは高輝度
プロジェクタ−等への応用が試みられている。上述した
特開昭５７−５５６８５号公報に開示されたカラーテレ
ビジョン受像機とは白黒（１１色）テレビジョン受像管
の前方に例えば垂直方向に延長して赤、緑及び青の各ス
トライプ状フィルターが並置配置され、このフィルター
に対向して各ストライプ毎に電気光学シャッターエレメ
ントが構成され、受像管の各水平ライン毎の電子ビーム
の走査位置に応じて赤、縁及び青に夫々対応するカラー
信号によって電子ビームを変調し、これに同期して各ス
トライプの電気光学シャッターエレメントを交互にオン
オフさせることによって全体として各ストライプフィル
ターを通じて、赤、緑及び青の各光学像を得てこれらに
よって全体的にカラー再生画像が得られるようになされ
るものである。また、第２図は上述したＰＬＺＴ電気光
学シャッターアレイを適用した高輝度プロジェクタ−の
構成の一例を示すもので、この場合においても電気光学
シャンターアレイの各エレメントのオンオフによって１
水平線分の映像を順次形成するようにしている。すなわ
ち、この場合、光源（１１）からの光線がコリメータレ
ンズ（１２）、絞り（１３）、直線偏光子（１４）、レ
ンズ系（１５）及びミラー（１６）を介して電気光学シ
ャッター（１７）に投射される。シャッター（１７）に
投射される光は絞り（１３）及びレンズ系（１５）によ
って第２図の紙面に垂直方向のスリット状の光束とされ
る。シャッター（１７）は上述したスリット状の光束の
照射位置にストライプ状にＰＬＺ↑エレメントが配置さ
れてなり、−水平走査線分の映像情報に応じて各エレメ
ントを順次オンオフさせて、これを透過した光を検光子
（１８）を経てコンデンサレンズ（１９）、可動ミラー
（２０）、投射レンズ（２１）によって図示しないがス
クリーン上に投射するようになされる。この場合、偏光
子（１４）及び検光子（１８）は夫々第１図に説明した
偏光板（１）及び（２）に対応するものである。ここに
可動ミラー（２０）は第２図における紙面に沿ってすな
わち水平方向に矢印で示すように例えば１フイ一ルド周
、期をもって駆動される。一方、シャッター（７）の各
エレメントには順次１水平走査線分の映像信号を供給し
、これに同期して可動ミラー（２０）をフィールド周期
でその駆動を行えばスクリーン上に順次ｌフィールド分
の映像が投射されていく。
オーダーの高速応答性を有し、全固体化、長寿命、高信
頼性を有するなどの利点を有することから、例えば閃光
保護眼鏡、立体テレビジョンシステム、或いは特開昭５
７−５５６８５号公報に開示され牛白黒テレビジョン受
像管を用いたカラーテレビジョン受像機、或いは高輝度
プロジェクタ−等への応用が試みられている。上述した
特開昭５７−５５６８５号公報に開示されたカラーテレ
ビジョン受像機とは白黒（１１色）テレビジョン受像管
の前方に例えば垂直方向に延長して赤、緑及び青の各ス
トライプ状フィルターが並置配置され、このフィルター
に対向して各ストライプ毎に電気光学シャッターエレメ
ントが構成され、受像管の各水平ライン毎の電子ビーム
の走査位置に応じて赤、縁及び青に夫々対応するカラー
信号によって電子ビームを変調し、これに同期して各ス
トライプの電気光学シャッターエレメントを交互にオン
オフさせることによって全体として各ストライプフィル
ターを通じて、赤、緑及び青の各光学像を得てこれらに
よって全体的にカラー再生画像が得られるようになされ
るものである。また、第２図は上述したＰＬＺＴ電気光
学シャッターアレイを適用した高輝度プロジェクタ−の
構成の一例を示すもので、この場合においても電気光学
シャンターアレイの各エレメントのオンオフによって１
水平線分の映像を順次形成するようにしている。すなわ
ち、この場合、光源（１１）からの光線がコリメータレ
ンズ（１２）、絞り（１３）、直線偏光子（１４）、レ
ンズ系（１５）及びミラー（１６）を介して電気光学シ
ャッター（１７）に投射される。シャッター（１７）に
投射される光は絞り（１３）及びレンズ系（１５）によ
って第２図の紙面に垂直方向のスリット状の光束とされ
る。シャッター（１７）は上述したスリット状の光束の
照射位置にストライプ状にＰＬＺ↑エレメントが配置さ
れてなり、−水平走査線分の映像情報に応じて各エレメ
ントを順次オンオフさせて、これを透過した光を検光子
（１８）を経てコンデンサレンズ（１９）、可動ミラー
（２０）、投射レンズ（２１）によって図示しないがス
クリーン上に投射するようになされる。この場合、偏光
子（１４）及び検光子（１８）は夫々第１図に説明した
偏光板（１）及び（２）に対応するものである。ここに
可動ミラー（２０）は第２図における紙面に沿ってすな
わち水平方向に矢印で示すように例えば１フイ一ルド周
、期をもって駆動される。一方、シャッター（７）の各
エレメントには順次１水平走査線分の映像信号を供給し
、これに同期して可動ミラー（２０）をフィールド周期
でその駆動を行えばスクリーン上に順次ｌフィールド分
の映像が投射されていく。
上述したような単色陰極線管と電気光学シャッターとの
組合せによるカラーテレビジョン受像機、或いは高輝度
プロジェクタ−等に用いられるＰＬＺＴ電気光学シャッ
ターにおいては、その駆動は５ ｋＨｚ以上の高い駆動
周波数となる。
組合せによるカラーテレビジョン受像機、或いは高輝度
プロジェクタ−等に用いられるＰＬＺＴ電気光学シャッ
ターにおいては、その駆動は５ ｋＨｚ以上の高い駆動
周波数となる。
一方ＰＬＺＴは、ＰｂＺｒ０ａ ＋ ＰｂＴｉ０ａ ＋
Ｌａ２０３の混合系で、その組成式は、 （Ｐｂ＋ｘ−ｘ＋ Ｌａｘ ） （（ＺｒｙＴｉｚ）＋
ｓ−８＋） ０３で表わされ、Ｌａ、 Ｚｒｒ Ｔｉ量
でその組成が決まることから、ｘ／ｙ／ｚの表現でその
組成を表わすことができる。そしてこのＰＬＺＴは、ｘ
／ｙ／ｚの組酸比に従い、電気光学複屈折モードとして
ボ・ノケルス効果を示す１次効果材と、カー効果を示す
２次効果材と、メモリー性を示すメモリー材とに大別さ
れ、２次効果材においては電界を加えることによって誘
電率異方性が生じ、複屈折Δｎが生じるが、電界を取り
除くことによって屈折率異方性も消失して等方性となる
に比し、１次効果材及びメモリー材においては、電界を
取り除いても異方性が残留する。これら各材料の複屈折
Δｎと電界Ｅとの関係は、第３図ないし第５図の示すよ
うになる。これらの特性は、常温におけるもので第３図
はＸ ／ ｙ／ Ｚ ＝ １２／４０／６０の組成によ
る１次効果材の場合、第４図はｘ／ｙ／ｚ ＝９／６５
／３５の組成による２次効果材、第５図はｘ／ｙ／ｚ＝
８／６５／３５の組成によるメモリー性を有する場合の
それである。また、第６図はｘ／ｙ／ｚの各組成のメモ
リー材、１次効果材、及び２次効果材となる組成範囲を
実線で夫々囲んで図示したものである。
Ｌａ２０３の混合系で、その組成式は、 （Ｐｂ＋ｘ−ｘ＋ Ｌａｘ ） （（ＺｒｙＴｉｚ）＋
ｓ−８＋） ０３で表わされ、Ｌａ、 Ｚｒｒ Ｔｉ量
でその組成が決まることから、ｘ／ｙ／ｚの表現でその
組成を表わすことができる。そしてこのＰＬＺＴは、ｘ
／ｙ／ｚの組酸比に従い、電気光学複屈折モードとして
ボ・ノケルス効果を示す１次効果材と、カー効果を示す
２次効果材と、メモリー性を示すメモリー材とに大別さ
れ、２次効果材においては電界を加えることによって誘
電率異方性が生じ、複屈折Δｎが生じるが、電界を取り
除くことによって屈折率異方性も消失して等方性となる
に比し、１次効果材及びメモリー材においては、電界を
取り除いても異方性が残留する。これら各材料の複屈折
Δｎと電界Ｅとの関係は、第３図ないし第５図の示すよ
うになる。これらの特性は、常温におけるもので第３図
はＸ ／ ｙ／ Ｚ ＝ １２／４０／６０の組成によ
る１次効果材の場合、第４図はｘ／ｙ／ｚ ＝９／６５
／３５の組成による２次効果材、第５図はｘ／ｙ／ｚ＝
８／６５／３５の組成によるメモリー性を有する場合の
それである。また、第６図はｘ／ｙ／ｚの各組成のメモ
リー材、１次効果材、及び２次効果材となる組成範囲を
実線で夫々囲んで図示したものである。
従来、電気光学シャッターに供せられるＰＬＺＴ組成は
、上述の２次効果材としての９．５〜！３．０／６５／
３５の組成に選ばれている。その理由は、機器の使用環
境−２０℃〜８０℃で２次効果を示し、電気光学シャッ
ターとして使用できることにある。ところが、このＰＬ
ＺＴの２次効果定数Ｒの温度特性は大きな負の値を有し
、常温以上の使用では駆動電圧の上昇を来し、駆動電力
の増大、電極間の放電等、使用上の問題がある。
、上述の２次効果材としての９．５〜！３．０／６５／
３５の組成に選ばれている。その理由は、機器の使用環
境−２０℃〜８０℃で２次効果を示し、電気光学シャッ
ターとして使用できることにある。ところが、このＰＬ
ＺＴの２次効果定数Ｒの温度特性は大きな負の値を有し
、常温以上の使用では駆動電圧の上昇を来し、駆動電力
の増大、電極間の放電等、使用上の問題がある。
一方、このＰＬＺＴを交流駆動する場合、駆動電圧■は
、その周波数が高くなるほど増大する。第７図中、曲線
（２２） （２３）及び（２４）は、夫々直流駆動の
場合、５００）１ｚの場合、５ ｋＨｚの場合の駆動電
圧−出力１／Ｉｏ（Ｉｏは入射光量、■は検出された光
量）を示す。
、その周波数が高くなるほど増大する。第７図中、曲線
（２２） （２３）及び（２４）は、夫々直流駆動の
場合、５００）１ｚの場合、５ ｋＨｚの場合の駆動電
圧−出力１／Ｉｏ（Ｉｏは入射光量、■は検出された光
量）を示す。
本発明者等は種々の実験考察を重ねた結果、この周波数
増大に伴う駆動電圧の増大は、ＰＬＺＴの誘電損による
発熱にあることを究明した。この誘電損は、２πＣＶ２
ｆ ｔａｎδで与えられる。ここにδは損失角、■は駆
動電圧、ｆは駆動周波数、Ｃば電極間容量で、この誘電
損は周波数ｆが高くなるほど大となる。そしてこの発熱
により、ＰＬＺＴセラミックス焼結体自体の温度が上昇
し、２次電気光学定数Ｒの温度特性から駆動電圧の上昇
をもたらすことになる。従って前述した単色受像管と電
気光学シャッターの組み合わせによるカラーテレビジョ
ン受像機、或いは第２図で説明した高輝度プロジェクタ
−におけるようにその駆動電圧が５ ｋＨｚ以上にも及
ぶ駆動周波数によって駆動される場合ＰＬＺＴの温度上
昇は駆動電力の増大等に大きく影響し問題となる。
増大に伴う駆動電圧の増大は、ＰＬＺＴの誘電損による
発熱にあることを究明した。この誘電損は、２πＣＶ２
ｆ ｔａｎδで与えられる。ここにδは損失角、■は駆
動電圧、ｆは駆動周波数、Ｃば電極間容量で、この誘電
損は周波数ｆが高くなるほど大となる。そしてこの発熱
により、ＰＬＺＴセラミックス焼結体自体の温度が上昇
し、２次電気光学定数Ｒの温度特性から駆動電圧の上昇
をもたらすことになる。従って前述した単色受像管と電
気光学シャッターの組み合わせによるカラーテレビジョ
ン受像機、或いは第２図で説明した高輝度プロジェクタ
−におけるようにその駆動電圧が５ ｋＨｚ以上にも及
ぶ駆動周波数によって駆動される場合ＰＬＺＴの温度上
昇は駆動電力の増大等に大きく影響し問題となる。
一方、ＰＬＺＴの駆動電力Ｐは、
Ｐ ＝ ＣＦｆ ＋ ２ｔｔ ＣＶ２ｆ ｔａｎδ
・・・・・（１）であるので、 ２］ となる。ここにλは波長、ｄはＰＬＺＴ素子の対向電極
間間隔、ｔはＰＬＺＴ素子の厚さ、ｌは電極長のさ、ｎ
は屈折率、Ｒは２次光学定数、８ｓはＰＬＺＴの比誘電
率である。（２）式におい”ζｄ、 ７！、 λ、
ｆを一定とするとＰＬＺＴシャッターの低駆動電圧化、
低電力化には定数Ｒができるだけ大きいことが望まれる
ことになる。
・・・・・（１）であるので、 ２］ となる。ここにλは波長、ｄはＰＬＺＴ素子の対向電極
間間隔、ｔはＰＬＺＴ素子の厚さ、ｌは電極長のさ、ｎ
は屈折率、Ｒは２次光学定数、８ｓはＰＬＺＴの比誘電
率である。（２）式におい”ζｄ、 ７！、 λ、
ｆを一定とするとＰＬＺＴシャッターの低駆動電圧化、
低電力化には定数Ｒができるだけ大きいことが望まれる
ことになる。
発明の目的
本発明は上述したような交流駆動、特に高周波駆動によ
っても低電圧、低電力駆動を可能にしたまた信頼性の向
上を図ることができるようにしたＰＬＺＴによる電気光
学シャッターを提供するものである。
っても低電圧、低電力駆動を可能にしたまた信頼性の向
上を図ることができるようにしたＰＬＺＴによる電気光
学シャッターを提供するものである。
発明の概要
本発明においては、電気光学セラミックス焼結体に交流
電圧を印加する少くとも一対の電極よりなる電気光学シ
ャッターにおい°ζ、その電気光学セラミックス焼結体
、例えばＰＬＺＴセラミックス焼結体においてその常温
ではメモリー性を有し、交流電圧の印加により昇温され
た一定温度で実質的にメモリー性が失われる特性を示ず
ＰＬＺＴ焼結体を構成する。
電圧を印加する少くとも一対の電極よりなる電気光学シ
ャッターにおい°ζ、その電気光学セラミックス焼結体
、例えばＰＬＺＴセラミックス焼結体においてその常温
ではメモリー性を有し、交流電圧の印加により昇温され
た一定温度で実質的にメモリー性が失われる特性を示ず
ＰＬＺＴ焼結体を構成する。
また、本発明においては上述した特性を有するＰＬＺＴ
セラミックス焼結体より電気光学シャッターを構成する
ものであるが、その焼結体を上述した一定温度に保持す
る加熱手段を具備せしめて電気光学シャッターを構成す
る。
セラミックス焼結体より電気光学シャッターを構成する
ものであるが、その焼結体を上述した一定温度に保持す
る加熱手段を具備せしめて電気光学シャッターを構成す
る。
すなわち、本発明においては、常温でメモリー性を有す
る組成のＰＬＺＴにおいて、これがメモリー性を呈する
臨界温度（以下これをメモリー化温度という）を超える
高い温度で２次効果材に移行し、これが電気光学シャッ
ターの機能を奏することができると共に、このメモリー
化温度近傍ではその電気光学定数Ｒが大きな値を示すも
のであることを見出し、これに基いて、この電気光学シ
ャッターを構成するＰＬＺＴを前述したように常温でメ
モリー性を呈する組成とし、その駆動状態では、これを
これ自体の駆動による昇温状態で、或いは加熱手段によ
って外部的に所定の昇温状態となしてメモリー性を呈し
ない実際上は消光比が１／１０以下の２次効果材として
の特性状態でしかも高い電気光学定数Ｒを呈する状態で
、その駆動をなす。
る組成のＰＬＺＴにおいて、これがメモリー性を呈する
臨界温度（以下これをメモリー化温度という）を超える
高い温度で２次効果材に移行し、これが電気光学シャッ
ターの機能を奏することができると共に、このメモリー
化温度近傍ではその電気光学定数Ｒが大きな値を示すも
のであることを見出し、これに基いて、この電気光学シ
ャッターを構成するＰＬＺＴを前述したように常温でメ
モリー性を呈する組成とし、その駆動状態では、これを
これ自体の駆動による昇温状態で、或いは加熱手段によ
って外部的に所定の昇温状態となしてメモリー性を呈し
ない実際上は消光比が１／１０以下の２次効果材として
の特性状態でしかも高い電気光学定数Ｒを呈する状態で
、その駆動をなす。
実施例
本発明による電気光学シャッターの実施例を説明するに
、先ず、その電気光学セラミックス焼結体の作成法につ
いて説明する。
、先ず、その電気光学セラミックス焼結体の作成法につ
いて説明する。
所要の組成のＰＬＺＴを得る原料を秤量し、ボールミル
で６Ｏｒｐｍの回転速度をもって１５時間混合し、これ
を濾過し、１４０°で１５時間の乾燥を行い、５００ｋ
ｇ／ａｄの圧力で仮プレスし、この仮プレスされた焼結
体を９００℃で１時間の仮焼し、６０ｒｐｍの回転速度
で、１５時間のボールミルによる粉砕処理をなし、再び
濾過し、１４０℃で１５時間の乾燥を行いＩｔ／ｃＪの
圧力をもって本プレスをし、０２流量０．５Ａ ／分の
１５０℃、４時間２００ｋｇ／ ｃ−のポットプレスを
なす。このようにして得た焼結体をスライスし、両面研
摩し、鏡面に仕上げた。
で６Ｏｒｐｍの回転速度をもって１５時間混合し、これ
を濾過し、１４０°で１５時間の乾燥を行い、５００ｋ
ｇ／ａｄの圧力で仮プレスし、この仮プレスされた焼結
体を９００℃で１時間の仮焼し、６０ｒｐｍの回転速度
で、１５時間のボールミルによる粉砕処理をなし、再び
濾過し、１４０℃で１５時間の乾燥を行いＩｔ／ｃＪの
圧力をもって本プレスをし、０２流量０．５Ａ ／分の
１５０℃、４時間２００ｋｇ／ ｃ−のポットプレスを
なす。このようにして得た焼結体をスライスし、両面研
摩し、鏡面に仕上げた。
このようにして得た板状のＰＬＺＴ焼結体に電極を被着
形成する。その−例を第８図及び第９図に示す。この例
においては、表面電極法による場合で、ＰＬＺＴ焼結体
（６）の両主面（６ａ）及び（６ｂ）に夫々対の櫛歯状
電極（４）及び（５）が互いにその櫛歯が交互に対向し
て平行配列するように被着形成される。そして、６対の
電極（４）及び（５）間に所要の駆動電圧を印加する。
形成する。その−例を第８図及び第９図に示す。この例
においては、表面電極法による場合で、ＰＬＺＴ焼結体
（６）の両主面（６ａ）及び（６ｂ）に夫々対の櫛歯状
電極（４）及び（５）が互いにその櫛歯が交互に対向し
て平行配列するように被着形成される。そして、６対の
電極（４）及び（５）間に所要の駆動電圧を印加する。
この場合、両主面（６ａ）及び（６ｂ）の互いに対応す
るすなわち互いに同極性側の電極（４）同士、電極（５
）同士が互いに対向するように配置する。これら電極（
４）及び（５）は、銀ペーストを用いた印刷法、或いは
Ｃｒを１０００人の厚さに蒸着しミこれの上に＾Ｕを４
０００人の厚さに蒸着した金属蒸着によって形成し得る
。この表面電極法による場合は、平行電界を形成するた
めには各面（６ａ）及び（６ｂ）のそれぞれにおける電
極（４）及び（５）間の間隔ｄを広げ、面（３ａ）及び
（３ｂ）間の間隔、すなわち焼結体（３）の厚さｔを小
さくすることが望まれる。
るすなわち互いに同極性側の電極（４）同士、電極（５
）同士が互いに対向するように配置する。これら電極（
４）及び（５）は、銀ペーストを用いた印刷法、或いは
Ｃｒを１０００人の厚さに蒸着しミこれの上に＾Ｕを４
０００人の厚さに蒸着した金属蒸着によって形成し得る
。この表面電極法による場合は、平行電界を形成するた
めには各面（６ａ）及び（６ｂ）のそれぞれにおける電
極（４）及び（５）間の間隔ｄを広げ、面（３ａ）及び
（３ｂ）間の間隔、すなわち焼結体（３）の厚さｔを小
さくすることが望まれる。
ＰＬＺＴセラミックス焼結体（６）は、前述したように
常温においてはメモリー性を里する組成とする。
常温においてはメモリー性を里する組成とする。
今、ＰＬＺＴ焼結体（６）の組成ｘ ／ ６５／ ３５
において、そのＸの値を変えた各組成のメモリー化温度
を測定したところ、第１０図中曲線（２５）に示す結果
が得られた。すなわちｔの６値において曲線（２５）以
下の温度領域でメモリー性を示すが、曲線（２５）を超
える領域で、２次効果が生じることが認められた。この
場合、駆動印加電圧は直流の場合である。
において、そのＸの値を変えた各組成のメモリー化温度
を測定したところ、第１０図中曲線（２５）に示す結果
が得られた。すなわちｔの６値において曲線（２５）以
下の温度領域でメモリー性を示すが、曲線（２５）を超
える領域で、２次効果が生じることが認められた。この
場合、駆動印加電圧は直流の場合である。
更に、このＰＬＺＴにおいて、その光学定数Ｒの温度特
性を、Ｘ／６５／３５のＰＬＺＴにおいて、そのｘ（７
）値を変えたものについて測定した結果を第１１図に示
す。第１１図において、（２６）〜（３３）は夫々Ｘ＝
９． ｘ＝８．５ ＋ ｘ＝８．２ 、 ｘ ＝８．
０ ＋ ｘ＝７．７ ＋Ｘ ＝７．５ ＋ ｘ−７，３
＋ ｘ ＝６−８とした場合の定数Ｒの常温以上での温
度特性を示したもので、この場合、光源としてはＨｅ−
Ｎｅレーザー（波長６３３ｎｍ ）を用い、第１図で説
明した配置構成によって検光子よりの光量を測定したも
ので、この場合各曲線の左端の温度がメモリー化温度で
消光比が１／１０より大なる値を示す場合をメモリー性
を呈するものとした。これより明らかなように定数Ｒは
メモリー化温度に向うほど大きな値を示す。
性を、Ｘ／６５／３５のＰＬＺＴにおいて、そのｘ（７
）値を変えたものについて測定した結果を第１１図に示
す。第１１図において、（２６）〜（３３）は夫々Ｘ＝
９． ｘ＝８．５ ＋ ｘ＝８．２ 、 ｘ ＝８．
０ ＋ ｘ＝７．７ ＋Ｘ ＝７．５ ＋ ｘ−７，３
＋ ｘ ＝６−８とした場合の定数Ｒの常温以上での温
度特性を示したもので、この場合、光源としてはＨｅ−
Ｎｅレーザー（波長６３３ｎｍ ）を用い、第１図で説
明した配置構成によって検光子よりの光量を測定したも
ので、この場合各曲線の左端の温度がメモリー化温度で
消光比が１／１０より大なる値を示す場合をメモリー性
を呈するものとした。これより明らかなように定数Ｒは
メモリー化温度に向うほど大きな値を示す。
また、同様にＸ ／ ６５／ ３５の組成のＰＬＺＴに
おいて同様にＨｅ−Ｎｅレーザーを光源として用い、第
８図及び第９図で示した６対の櫛歯電極（４）及び（５
）間に５．２５ｋＨｚの方形波による交流駆動を約１秒
間行ったときのＰＬＺＴ焼結体（６）の温度に対する半
波長電圧Ｖ４を測定した結果は、第１２図中に符号（３
４）〜（４１）で示した点ないしは曲線である。ここに
点ないし曲線（３４） 〜（４１）は、夫々ｘ＝９．ｘ
＝８．５．ｘ−８，０，ｘ＝７．７．ｘ＝７．５．ｘ＝
７．３゜ｘ＝７．０．ｘ＝６．８に選定した場合で、各
×印点から低い温度ではメモリー性を呈するすなわち消
光比が１／１０を超えるものとなる。この場合、対とな
る櫛状電極（４）及び（５）の各櫛歯の連結部における
背部外端の距離Ｌ１が９．６ｍｍ 、各内端面の距離Ｌ
２が８．６ｍｍ 、各櫛歯先端間の長さＬ３が７．６ｍ
ｍ、一方の電極（４）の外側幅ＷＡが７．６ｍｍ 、他
方の電極（５）の外側幅Ｗ８が６．６ｍｍに選定された
場合で、更に電極Ｔ４） Ｔ５１の間隔ｄを４３０μｍ
、櫛歯幅Ｗを１２０μｍ焼結体（６）の厚さｔを３０
０μｍに選定した場合である。この第１２図からその主
要なＰＬＺＴ焼結体（６）における温度Ｔと半波長電圧
ｖ４の値を表１に抽出して示す。
おいて同様にＨｅ−Ｎｅレーザーを光源として用い、第
８図及び第９図で示した６対の櫛歯電極（４）及び（５
）間に５．２５ｋＨｚの方形波による交流駆動を約１秒
間行ったときのＰＬＺＴ焼結体（６）の温度に対する半
波長電圧Ｖ４を測定した結果は、第１２図中に符号（３
４）〜（４１）で示した点ないしは曲線である。ここに
点ないし曲線（３４） 〜（４１）は、夫々ｘ＝９．ｘ
＝８．５．ｘ−８，０，ｘ＝７．７．ｘ＝７．５．ｘ＝
７．３゜ｘ＝７．０．ｘ＝６．８に選定した場合で、各
×印点から低い温度ではメモリー性を呈するすなわち消
光比が１／１０を超えるものとなる。この場合、対とな
る櫛状電極（４）及び（５）の各櫛歯の連結部における
背部外端の距離Ｌ１が９．６ｍｍ 、各内端面の距離Ｌ
２が８．６ｍｍ 、各櫛歯先端間の長さＬ３が７．６ｍ
ｍ、一方の電極（４）の外側幅ＷＡが７．６ｍｍ 、他
方の電極（５）の外側幅Ｗ８が６．６ｍｍに選定された
場合で、更に電極Ｔ４） Ｔ５１の間隔ｄを４３０μｍ
、櫛歯幅Ｗを１２０μｍ焼結体（６）の厚さｔを３０
０μｍに選定した場合である。この第１２図からその主
要なＰＬＺＴ焼結体（６）における温度Ｔと半波長電圧
ｖ４の値を表１に抽出して示す。
表 １
この結果から電気光シャッター使用状態でのＰＬＺＴ温
度が決まれば半波長電圧Ｖｊを最小にするＰＬＺＴ最適
組成を決めることができる。例えばＰＬＺＴ温度を８０
℃とする場合、その最適組成は表１からＸ／ ）’ ／
ｚ ＝ ７．３／ ６５／ ３５であり、その駆動電
圧は１３５νでよいことがわかる。今、これをｘ／ｙ／
ｚ＝ ８．５／ ６５／ ３５の場合と比較すると、こ
の組成の場合は、その駆動電圧は３９５Ｖ必要となって
いる。
度が決まれば半波長電圧Ｖｊを最小にするＰＬＺＴ最適
組成を決めることができる。例えばＰＬＺＴ温度を８０
℃とする場合、その最適組成は表１からＸ／ ）’ ／
ｚ ＝ ７．３／ ６５／ ３５であり、その駆動電
圧は１３５νでよいことがわかる。今、これをｘ／ｙ／
ｚ＝ ８．５／ ６５／ ３５の場合と比較すると、こ
の組成の場合は、その駆動電圧は３９５Ｖ必要となって
いる。
すなわち、表１において試料Ｎｏｌのものに比し、試料
Ｎｏ５を使用することにより、駆動電圧を１／３に減少
させることができ、また駆動電圧ではほぼ１／１０に低
減化することができることがわかる。
Ｎｏ５を使用することにより、駆動電圧を１／３に減少
させることができ、また駆動電圧ではほぼ１／１０に低
減化することができることがわかる。
尚、この場合、駆動電力は、駆動電圧の２乗に比例する
ものであるが、各組成によってその誘電率Ｃ８、誘電損
失各δが温度や駆動電圧によって相違してくるのでその
駆動電力は単純に駆動電圧の２乗としては考えることが
できないものである。
ものであるが、各組成によってその誘電率Ｃ８、誘電損
失各δが温度や駆動電圧によって相違してくるのでその
駆動電力は単純に駆動電圧の２乗としては考えることが
できないものである。
また、本発明においてはＰＬＺＴ焼結体（６）の駆動時
の温度を環境温度によって影響されずに外部的に所定温
度に設定する加熱手段を設ける。すなわちＰＬＺＴにお
いては、 （イ） 使用環境温度が変動するとｐｔ、ｚｒ１度が変
動する、 （ロ） 駆動電圧や駆動周波数を変えるとＰＬＺＴ温度
が変わる、 （ハ） ＰＬＺＴの組成が変わると半波長電圧ｖｌが
変化し、駆動電圧も変化するためｐＬＺｒｉ１度が変化
する、 ものであり、これら（イ）〜（ハ）によるＰＬＺＴ温度
に変化が生じると、その２次電気光学定数Ｒが変動を来
してしまうので、これを回避するために、ＰＬＺＴ焼結
体（６）を、制御された加熱手段によ−って一定温度に
保持するものである。
の温度を環境温度によって影響されずに外部的に所定温
度に設定する加熱手段を設ける。すなわちＰＬＺＴにお
いては、 （イ） 使用環境温度が変動するとｐｔ、ｚｒ１度が変
動する、 （ロ） 駆動電圧や駆動周波数を変えるとＰＬＺＴ温度
が変わる、 （ハ） ＰＬＺＴの組成が変わると半波長電圧ｖｌが
変化し、駆動電圧も変化するためｐＬＺｒｉ１度が変化
する、 ものであり、これら（イ）〜（ハ）によるＰＬＺＴ温度
に変化が生じると、その２次電気光学定数Ｒが変動を来
してしまうので、これを回避するために、ＰＬＺＴ焼結
体（６）を、制御された加熱手段によ−って一定温度に
保持するものである。
今、２５℃の使用環境温度で、表１に示した各組成の試
料１．２．３．４．５．６において各駆動電圧を、 １
５０Ｖ 、 ２００Ｖとしたときの加熱手段によらな
い場合のＰＬＺＴ温度を測定したところその結果は表２
に示す通りであった。
料１．２．３．４．５．６において各駆動電圧を、 １
５０Ｖ 、 ２００Ｖとしたときの加熱手段によらな
い場合のＰＬＺＴ温度を測定したところその結果は表２
に示す通りであった。
表 ２
第１２図及び表２を比較することにょワて常温（２５℃
）に於ける使用環境での最適ＰＬＺＴ組成を求めると試
料Ｎｏ５の組成すなわち７．３／ ６５／ ３５となる
。すなわち、この７．３／ ６５／ ３５の組成の１５
０Ｖ駆動のときの温度は８６℃であり、８６℃での半波
長電圧ｖｌは１５０Ｖとなり表２及び第１２図において
対応している。前、この例では使用環境を一定とした場
合であるが、実際の機器においては少くとも一１０℃〜
４０℃の環境変動を考慮しなくてはならないものであり
、この環境変動においては、実際上ＰＬＺＴ温度は８６
℃−３５℃＝５１℃から８６℃＋１５℃＝ １０１’
Ｃになると考えられる。ＰＬＺＴ組成７．３／８５／３
５のメモリー化温度は８０℃であるため環境温度−１０
℃、ｐＬｚｒ温度５１℃では、：（７） ＰＬＺＴはメ
モリー性を呈し、これがため正雷なシャッター動作を示
さなくなる。また、環境温度４０℃、ＰＬＺＴ温度１０
１℃では第１２図の直線（３９）よりして駆動電圧は１
７５Ｖ以上にする必要がある。このように駆動電圧が高
くなれば駆動によるＰＬＺＴ温度も上昇するため駆動電
圧が更に高まる。この結果環境温度２５℃での駆動電圧
１５０ｖに比して環境温度上昇で大きな駆動電力が必要
となる。このことから環境温度の変動によりＰＬＺＴ温
度が変動し、その電気光学シャッター動作が不能となっ
たり駆動電圧が大きく変動することになる。そして、こ
のような環境温度の変動により駆動電圧が変動すること
から駆動回路における駆動電圧の温度補償の必要が生じ
てくる。
）に於ける使用環境での最適ＰＬＺＴ組成を求めると試
料Ｎｏ５の組成すなわち７．３／ ６５／ ３５となる
。すなわち、この７．３／ ６５／ ３５の組成の１５
０Ｖ駆動のときの温度は８６℃であり、８６℃での半波
長電圧ｖｌは１５０Ｖとなり表２及び第１２図において
対応している。前、この例では使用環境を一定とした場
合であるが、実際の機器においては少くとも一１０℃〜
４０℃の環境変動を考慮しなくてはならないものであり
、この環境変動においては、実際上ＰＬＺＴ温度は８６
℃−３５℃＝５１℃から８６℃＋１５℃＝ １０１’
Ｃになると考えられる。ＰＬＺＴ組成７．３／８５／３
５のメモリー化温度は８０℃であるため環境温度−１０
℃、ｐＬｚｒ温度５１℃では、：（７） ＰＬＺＴはメ
モリー性を呈し、これがため正雷なシャッター動作を示
さなくなる。また、環境温度４０℃、ＰＬＺＴ温度１０
１℃では第１２図の直線（３９）よりして駆動電圧は１
７５Ｖ以上にする必要がある。このように駆動電圧が高
くなれば駆動によるＰＬＺＴ温度も上昇するため駆動電
圧が更に高まる。この結果環境温度２５℃での駆動電圧
１５０ｖに比して環境温度上昇で大きな駆動電力が必要
となる。このことから環境温度の変動によりＰＬＺＴ温
度が変動し、その電気光学シャッター動作が不能となっ
たり駆動電圧が大きく変動することになる。そして、こ
のような環境温度の変動により駆動電圧が変動すること
から駆動回路における駆動電圧の温度補償の必要が生じ
てくる。
このような環境温度の影響は、前述した外部加熱手段の
配設によって回避することができる。すなわちＰＬＺＴ
焼結体（６）の外部にこれを一定温度に保持する加熱手
段を設けるものであり、この外部加熱手段としては加熱
体と、ＰＬＺＴ焼結体（６）の温度を検出して加熱体を
制御してＰＬＺＴ焼結体（６）を常時所定温度に保持す
る温度センサーをＰＬＺＴ焼結体（６）に接して著しく
近接して配置することによって構成し得るものである。
配設によって回避することができる。すなわちＰＬＺＴ
焼結体（６）の外部にこれを一定温度に保持する加熱手
段を設けるものであり、この外部加熱手段としては加熱
体と、ＰＬＺＴ焼結体（６）の温度を検出して加熱体を
制御してＰＬＺＴ焼結体（６）を常時所定温度に保持す
る温度センサーをＰＬＺＴ焼結体（６）に接して著しく
近接して配置することによって構成し得るものである。
その−例としては例えば第１３図に示すようにガラス基
板等の透明基板（５０）をＰＬＺＴ焼結体（６）の一方
の面に接着剤等によって接合しこの基板（５０）上に透
明抵抗体層、例えばＳ ｎ０２を被着する。例えば８
Ｘ ７ Ｘ Ｏ，３ｎ＋ｍの板ガラス（５０）の−面に
２５Ω／口の透明抵抗体層によるヒーター（５Ｉ）を被
着し、その両端に良導電性端子（５２）及び（５３）を
被着し、これら良導電性端子（５２）及び（ｂ３）間に
通電を行う一方、焼結体（６）に接してサーミスタ等の
温度検出素子（５４）を配し、これによって検出された
温度検出信号によってヒーター（５１）の電源回路を制
御して焼結体（６）が一定の温度、すなわちメモリー化
温度より高い例えば１２０℃に保持する。今、この゛Ｐ
ＬＺＴ焼結体（６）の組成が、７．０／ ６５／ ３５
とする場合、その駆動電圧は１２０℃において第１２図
の曲線（４０）からみて１８０ｖとなる。因みにこの外
部加熱なしの状態で１８０ｖ駆動した際は、そのＰｉ、
ＺＴ湿温度２５℃環境で１０５℃であった。ところが上
述の加熱手段を具備させたものにおいては、その環境温
度が例えば−１０℃〜４０℃の範囲で変化した場合、Ｐ
ＬＺＴ焼結体（６）を例えば上述した１２０℃に保持す
るためのヒーター電力が増減するのみで、ＰＬＺＴ温度
は一定にされるので、駆動電圧は一定となり、この場合
のＰＬＺＴの駆動は１．５Ｗとなった。そして、この場
合、ヒーター電力は０℃環境で０．５Ｗを有し、４０℃
環境ではＯＷであった。因みに温度制御のない条件テア
、３／ ６５／ ３５（７）組成（７） ＰＬＺＴ焼結
体（６）ニおイテハ、２５℃環境でのＰＬＺＴ”Ｍ動電
力は１．５Ｗを要し、４０℃環境では２．３誓Ｗを要し
た。面、８．５／ ６５／ ３５組成のＰＬＺＴを用い
た場合、２５℃環境で１０．６Ｗ必要であった。
板等の透明基板（５０）をＰＬＺＴ焼結体（６）の一方
の面に接着剤等によって接合しこの基板（５０）上に透
明抵抗体層、例えばＳ ｎ０２を被着する。例えば８
Ｘ ７ Ｘ Ｏ，３ｎ＋ｍの板ガラス（５０）の−面に
２５Ω／口の透明抵抗体層によるヒーター（５Ｉ）を被
着し、その両端に良導電性端子（５２）及び（５３）を
被着し、これら良導電性端子（５２）及び（ｂ３）間に
通電を行う一方、焼結体（６）に接してサーミスタ等の
温度検出素子（５４）を配し、これによって検出された
温度検出信号によってヒーター（５１）の電源回路を制
御して焼結体（６）が一定の温度、すなわちメモリー化
温度より高い例えば１２０℃に保持する。今、この゛Ｐ
ＬＺＴ焼結体（６）の組成が、７．０／ ６５／ ３５
とする場合、その駆動電圧は１２０℃において第１２図
の曲線（４０）からみて１８０ｖとなる。因みにこの外
部加熱なしの状態で１８０ｖ駆動した際は、そのＰｉ、
ＺＴ湿温度２５℃環境で１０５℃であった。ところが上
述の加熱手段を具備させたものにおいては、その環境温
度が例えば−１０℃〜４０℃の範囲で変化した場合、Ｐ
ＬＺＴ焼結体（６）を例えば上述した１２０℃に保持す
るためのヒーター電力が増減するのみで、ＰＬＺＴ温度
は一定にされるので、駆動電圧は一定となり、この場合
のＰＬＺＴの駆動は１．５Ｗとなった。そして、この場
合、ヒーター電力は０℃環境で０．５Ｗを有し、４０℃
環境ではＯＷであった。因みに温度制御のない条件テア
、３／ ６５／ ３５（７）組成（７） ＰＬＺＴ焼結
体（６）ニおイテハ、２５℃環境でのＰＬＺＴ”Ｍ動電
力は１．５Ｗを要し、４０℃環境では２．３誓Ｗを要し
た。面、８．５／ ６５／ ３５組成のＰＬＺＴを用い
た場合、２５℃環境で１０．６Ｗ必要であった。
尚、Ｊ−述のヒーター加熱法による場合常温から電気光
学シャッターとしての動作時までの時間は初期投入のヒ
ーター電力２．５Ｗにおいて５秒であった。
学シャッターとしての動作時までの時間は初期投入のヒ
ーター電力２．５Ｗにおいて５秒であった。
発明の効果
上述したように本発明による電気光学シャッターによれ
ば、常温でメモリー性を呈し、電気光学シャック−駆動
を行う温度で２次効果を呈する特性のＰＬＺＴ焼結体を
用いたごとによって駆動電圧の低電圧化、従って低電圧
駆動を可能にすることができる。更にそのＰＬＺＴ温度
を外部加熱手段を設けてその温度を一定とすることによ
ってこの電気光学シャック−の使用環境に依存すること
なく ＰＬＺＴ温度を一定に保持するときは、駆動電圧
の一定化、更にシャッタースタート時の立ち上がり時間
を短縮することができ、更にシャック−の全消費電力を
相対的に低減化することができる。そしてこのようにＰ
ＬＺＴシャッターの駆動電圧の低減化をはかったことに
よってＰＬＺＴシャッターの電極間放電に関する信頼性
向上、更にＰＬＺＴシャッター駆動回路自体の電力低減
化、信頼性向上、価格の低減化を図ることができ、更に
ＰＬＺＴ焼結体が発生ずる雑音レベルの低減化、ＰＬＺ
Ｔ自体の長期信頼性の向上環を招来し、更にこの電力低
減化によって電源としてバッテリーの使用が可能となり
、これによって各種携帯用機器における光シヤツターの
応用化が大きく広がるという利益を有する。
ば、常温でメモリー性を呈し、電気光学シャック−駆動
を行う温度で２次効果を呈する特性のＰＬＺＴ焼結体を
用いたごとによって駆動電圧の低電圧化、従って低電圧
駆動を可能にすることができる。更にそのＰＬＺＴ温度
を外部加熱手段を設けてその温度を一定とすることによ
ってこの電気光学シャック−の使用環境に依存すること
なく ＰＬＺＴ温度を一定に保持するときは、駆動電圧
の一定化、更にシャッタースタート時の立ち上がり時間
を短縮することができ、更にシャック−の全消費電力を
相対的に低減化することができる。そしてこのようにＰ
ＬＺＴシャッターの駆動電圧の低減化をはかったことに
よってＰＬＺＴシャッターの電極間放電に関する信頼性
向上、更にＰＬＺＴシャッター駆動回路自体の電力低減
化、信頼性向上、価格の低減化を図ることができ、更に
ＰＬＺＴ焼結体が発生ずる雑音レベルの低減化、ＰＬＺ
Ｔ自体の長期信頼性の向上環を招来し、更にこの電力低
減化によって電源としてバッテリーの使用が可能となり
、これによって各種携帯用機器における光シヤツターの
応用化が大きく広がるという利益を有する。
第１図は電気光学シャッターの構成図、第２図は電気光
学シャッターを用いたプロジェクタの一例の構成図、第
３図ないし第７図は夫々ＰＬＺＴの各特性図、第８図は
本発明による電気光学シャッターの一例の路線的平面図
、第９図は第８図Ａ−Ａ線上の断面図、第１０図はＰＬ
ＺＴ組成とメモリー化温度との関係をボず図、第１１図
はＰＬＺＴの２次電気光学定数１ンの温度依存性の測定
曲線図、第１２図は半波長電圧の温度依存性の測定結果
を示す曲線図、第１３図は本発明による電気光学シャッ
ク−の−例の要部の構成図である。 （３）はＰＬＺＴ焼結体、（４）及び（５）は対の電極
、（５１）は外部加熱手段の加熱抵抗体である。 ３ｋｌｔＣ’ｅ＞ 第１２図 ！Ａ＜”Ｃ）
学シャッターを用いたプロジェクタの一例の構成図、第
３図ないし第７図は夫々ＰＬＺＴの各特性図、第８図は
本発明による電気光学シャッターの一例の路線的平面図
、第９図は第８図Ａ−Ａ線上の断面図、第１０図はＰＬ
ＺＴ組成とメモリー化温度との関係をボず図、第１１図
はＰＬＺＴの２次電気光学定数１ンの温度依存性の測定
曲線図、第１２図は半波長電圧の温度依存性の測定結果
を示す曲線図、第１３図は本発明による電気光学シャッ
ク−の−例の要部の構成図である。 （３）はＰＬＺＴ焼結体、（４）及び（５）は対の電極
、（５１）は外部加熱手段の加熱抵抗体である。 ３ｋｌｔＣ’ｅ＞ 第１２図 ！Ａ＜”Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電気光学セラミックス焼結体に交流電圧を印加する
少くとも一対の電極よりなる電気光学シャッターにおい
て、上記焼結体は常温ではメモリー性を有し、交流電圧
の印加により昇温された一定温度で実質的にメモリー性
を有しない特性を示すＰＬＺＴよりなることを特徴とす
る電気光学シャッター。 ２６ 常温ではメモリー性を有瞳昇温された一定温度
で実質的にメモリー性を有しない特性を示すＰＬＺＴセ
ラミックス焼結体よりなり、該焼結体に交流電圧を印加
する少くとも一対の電極が設けられ、該焼結体を上記昇
温された一定温度に保持する加熱手段が設けられてなる
電気光学シャッター。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58004513A JPS59128514A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 電気光学シヤツタ− |
| CA000444466A CA1214534A (en) | 1983-01-14 | 1983-12-30 | Electro-optic light shutter |
| US06/568,040 US4621903A (en) | 1983-01-14 | 1984-01-04 | Electro-optic light shutter |
| DE8484300191T DE3483431D1 (de) | 1983-01-14 | 1984-01-12 | Elektrooptische lichtschalter. |
| EP84300191A EP0117604B1 (en) | 1983-01-14 | 1984-01-12 | Electro-optical light shutters |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58004513A JPS59128514A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 電気光学シヤツタ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59128514A true JPS59128514A (ja) | 1984-07-24 |
Family
ID=11586131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58004513A Pending JPS59128514A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 電気光学シヤツタ− |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4621903A (ja) |
| EP (1) | EP0117604B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59128514A (ja) |
| CA (1) | CA1214534A (ja) |
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